一种曝光检测方法及装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种曝光检测方法及装置。


背景技术：

2.在显示基板的制作工序中，需要通过构图工艺在基底上形成所需要的目标 导电件。其中，在构图工艺中，通过掩模板对光刻胶层曝光显影，从而形成光 刻胶图形，该光刻胶图形对应多个目标导电件。此外，经过曝光显影后，在基 底的周边区域，还可能存在光刻胶的残留，在目标导电件所在区域被曝光后， 需要对周边区域再次进行曝光，以去除不需要的光刻胶，以避免残留的光刻胶 对后续工艺的影响。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种曝光检测方法及装置。
4.第一方面，本公开提供一种曝光检测方法，包括第一子步骤，第一子步骤 包括：
5.在显示基板母板的基底上依次形成第一导电层和第一光刻胶层，并对第一 光刻胶层进行曝光，以形成第一图形，第一图形包括多个标记图形和对应于第 一目标导电件的第一光刻胶图形，显示基板母板包括中间区域和环绕中间区域 的周边区域，第一光刻胶图形位于中间区域，第一图形的标记图形位于中间区 域与周边区域的交界处；
6.对第一图形进行周边曝光处理，去除与周边区域在正投影方向重叠部分的 第一图形；
7.根据周边曝光处理后的第一图形的标记图形的图形特征，确定周边曝光处 理是否异常。
8.在一些实施例中，中间区域为矩形，多个标记图形包括位于中间区域每一 角部的第一标记图形；
9.第一标记图形包括第一标记条、第二标记条和特征部，第一标记条与第二 标记条交叉，第一标记条上设置有第一凸部，第一凸部位于第一标记条沿其延 伸方向的至少一侧，第二标记条上设置有第二凸部，第二凸部位于第二标记条 沿其延伸方向的至少一侧，特征部位于第一标记条和第二标记条靠近中间区域 一侧；第一凸部和第二凸部均位于参考界线靠近周边区域一侧，并均与参考界 线相接；
10.根据周边曝光处理后的标记图形的图形特征，确定周边曝光处理是否异常， 包括：
11.根据周边曝光处理后的标记图形的残留形貌信息，确定周边曝光处理是否 异常，残留形貌信息包括：第一凸部和/或第二凸部的残留情况。
12.在一些实施例中，多个标记图形还包括位于中间区域每一边界的多个第二 标记图形，第二标记图形包括第三标记条，第三标记条与其所在的中间区域的 边界交叉，第三标记条上设置有第三凸部，第三凸部位于第三标记条沿其宽度 方向的一侧；第三凸部位于参考界线靠近周边区域一侧，并与参考界线相接；
13.残留形貌信息还包括：第三凸部的残留情况。
14.在一些实施例中，根据周边曝光处理后的标记图形的图形特征，确定周边 曝光处理是否异常，还包括：
15.以特征部为参考点，获取第一标记条的关键尺寸的第一测量值和第二标记 条的关键尺寸的第二测量值；
16.其中，残留形貌信息还包括：第一测量值和第二测量值。
17.在一些实施例中，第一子步骤还包括：
18.在周边曝光处理后，根据残留形貌信息确定显示基板母板是否偏移。
19.在一些实施例中，方法还包括至少一个第二子步骤，第一子步骤执行于第 二子步骤之前，第二子步骤包括：
20.在显示基板母板的基底上依次形成第二导电层和第二光刻胶层，并对第二 光刻胶层进行曝光，以形成第二图形，第二图形包括多个标记图形和对应于第 二目标导电件的第二光刻胶图形；
21.对第二图形进行周边曝光处理，去除与周边区域在正投影方向重叠部分的 第二图形；
22.根据第二图形的标记图形的图形特征，确定周边曝光处理是否异常。
23.在一些实施例中，第二图形包括位于中间区域每一边界的多个第四标记条 和第四凸部，第四标记条的延伸方向与第三标记条的延伸方向相同，第四凸部 位于第四标记条沿其宽度方向的一侧，第四凸部位于参考界线靠近周边区域一 侧，并与参考界线相接；
24.第二图形的标记图形的图形特征包括：第四凸部的残留情况；和/或，以特 征部为参考点所获得的第四标记条的关键尺寸的测量值。
25.在一些实施例中，第二子步骤还包括：
26.在周边曝光处理后，根据第二图形的标记图形的图形特征确定显示基板母 板是否偏移。
27.第二方面，本公开提供一种曝光检测装置，应用上述曝光检测方法，装置 包括：
28.第一处理机构，用于在显示基板母板的基底上依次形成导电层和光刻胶层， 并对光刻胶层进行曝光，以形成第一图形，第一图形包括多个标记图形和对应 于目标导电件的光刻胶图形，显示基板母板包括中间区域和环绕中间区域的周 边区域，光刻胶图形位于中间区域，标记图形位于中间区域与周边区域的交界 处；
29.第二处理机构，用于对第一图形进行周边曝光处理，去除与周边区域在正 投影方向重叠部分的第一图形；
30.第三处理机构，用于根据周边曝光处理后的第一图形的标记图形的图形特 征，确定周边曝光处理是否异常。
31.在一些实施例中，装置还包括：
32.传动机构，用于将显示基板母板在第一处理机构和第二处理机构之间传输。
附图说明
33.附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下 面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图 中：
34.图1为一种用于监控周边曝光的特征标记的结构示意图；
35.图2为本公开实施例提供的一种曝光检测方法的示意流程图；
36.图3为本公开实施例提供的一种第一图形的标记图形的结构示意图；
37.图4a、4b、4c为图3进行周边曝光处理后的第一图形标记图形的结构示 意图；
38.图5为本公开实施例提供的另一第一图形标记图形的结构示意图；
39.图6a、6b为图5进行周边曝光处理后的第一图形标记图形的关键尺寸的位 置示意图；
40.图7为本公开实施例提供的一种第二图形的标记图形的结构示意图；
41.图8为本公开实施例提供的一种曝光检测装置的结构示意图。
具体实施方式
42.以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此 处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
43.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开 实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所 描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的 本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所 有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
44.除非另作定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开 所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、
ꢀ“
第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区 分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词 前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不 排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理 的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、
ꢀ“
下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位 置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
45.在显示基板的制作过程中，可以先在大尺寸的显示基板母板的基底上形成 每个显示基板所需的导电件图形，之后，将显示基板母板切割，得到多个独立 的显示基板。其中，在显示基板母板的基底上形成导电件图形的过程一般是： 先在基底上形成导电层，再在导电层上涂敷光刻胶，通过掩模板对光刻胶层曝 光并显影，从而形成与导电件对应的光刻胶图形，然后对未被光刻胶图形覆盖 的导电层进行刻蚀，最终形成导电件图形。
46.上述过程所形成的导电件图形位于该基底的中间区域中，但经过上述曝光 显影后，在基底的边缘即周边区域还存在着光刻胶残留，这些光刻胶残留在后 续切割显示基板母板时会造成不良影响，例如产生静电。因此，在形成光刻胶 图形后，还需要对周边区域进行曝光(即周边曝光)，以去除周边区域的光刻 胶。在对周边区域进行曝光后，需要对周边区域的曝光效果进行监控。
47.在一些示例中，在形成每一层导电件的构图工艺中，在形成对应于导电件 的光刻胶图形的同时，还在周边区域形成了特征标记，该特征标记用于监控曝 光处理的效果。图1为一种用于监控周边曝光的特征标记的结构示意图，如图1 所示，特征标记可以为标尺形态，具体监控方式为在周边曝光结束后，通过观 测周边曝光区域与标尺上标记刻度的相对
位置，以判断是否存在周边曝光处理 异常现象。但上述检测方式，在周边曝光装置对周边区域进行曝光之后，标尺 上的标记刻度难以被检测，无法准备识别到周边曝光的区域，进而无法判别其 是否存在异常。
48.基于上述问题，本公开实施例提供一种曝光检测方法，该方法包括第一子 步骤和第二子步骤。具体地，第一子步骤包括在显示基板母板的基底上依次形 成第一导电层和第一光刻胶层，以形成第一图形，第一图形包括多个标记图形 和对应于第一目标导电件的第一光刻胶图形，第二子步骤包括在显示基板母板 的基底上依次形成第二导电层和第二光刻胶层，以形成第二图形，第二图形包 括多个标记图形和对应于第二目标导电件的第二光刻胶图形。
49.在一个示例中，上述第一目标导电件可以包括薄膜晶体管的栅极和栅线等 导电件，相应的，第一导电层可以是用于形成栅极和栅线的栅金属层；在一些 第二子步骤中的第二目标导电件可以包括氧化物的半导体层，相应地，第二导 电层可以是半导体材料层；在另一些第二子步骤中的第二目标导电件可以包括 薄膜晶体管的源漏电极，相应地，第二导电层可以为源漏金属层。本公开对此 均不做限定。
50.图2为本公开实施例提供的一种曝光检测方法的示意流程图，如图2所示， 本公开实施例提供一种曝光检测方法，包括第一子步骤，第一子步骤包括：
51.s1，在显示基板母板的基底上依次形成第一导电层和第一光刻胶层，并对 第一光刻胶层进行曝光，以形成第一图形，第一图形包括多个标记图形和对应 于第一目标导电件的第一光刻胶图形，显示基板母板包括中间区域和环绕中间 区域的周边区域，第一光刻胶图形位于中间区域，第一图形的标记图形位于中 间区域与周边区域的交界处。
52.其中，第一图形的标记图形用于在周边曝光处理后基于标记图形判断是否 过曝。
53.s2，对第一图形进行周边曝光处理，去除与周边区域在正投影方向重叠部 分的第一图形。
54.如上所述，由于周边区域的第一光刻胶层会影响到后续工艺，因此需要去 除周边区域的第一光刻胶层。在步骤s1中，已经对基板模板上的第一光刻胶层 进行了曝光处理，并形成第一图形，因此，在第二次曝光处理过程中，即在周 边曝光处理中，去除的光刻胶部分为与周边区域在正投影方向重叠的第一图形。
55.s3，根据周边曝光处理后的第一图形的标记图形的图形特征，确定周边曝 光处理是否异常。
56.其中，周边曝光处理异常至少包括过曝和未进行周边曝光两种情况。上述 过曝是指周边曝光处理时曝光区域过多，以至于将中间区域中的部分第一光刻 胶图形曝光去除掉的现象。而第一光刻胶图形是与第一目标导电件对应的图形， 去除该部分会影响基板的显示功能，因此需要在周边曝光处理后检测其是否存 在过曝现象。上述未进行周边曝光是指进行周曝处理前后的第一图形完全一致 的现象，而由于第一图形周边区域的光刻胶残留在后续切割显示基板母板时会 造成不良影响，因此需要在周边曝光处理后检测其曝光区域。
57.需要说明的是，上述过曝现象中指出的周边曝光区域过多可以是由于机器 误差等原因造成显示基板母板的放置位置存在偏差所导致的，也可以是由于进 行周边曝光的曝光装置精度不足或运行不稳定导致的，还可以是由于曝光灯存 在异常所导致，本公开对
此不作限定。
58.另外，标记图形的图形特征可以是指标记图形中的特定形状部分，或者标 记图形的图形面积等，本公开对此不做限定。
59.本公开实施例提供的曝光检测方法，将显示基板母板分为中间区域和环绕 中间区域的周边区域，在显示基板母板的基底上依次形成第一导电层和第一光 刻胶层，并对第一光刻胶层曝光形成第一图形后，再对第一图形进行周边曝光 处理，以去除与周边区域在正投影方向重叠的第一图形。由于在第一图形中设 置了多个标记图形，因此，可以根据周边曝光处理后的第一图形的标记图形的 图形特征，确定周边曝光处理是否异常。上述曝光检测方法中由于标记图形的 图形特征便于识别，因此可以准确识别到周边曝光处理的实际曝光区域，进行 判断周边曝光处理是否过曝或未曝光，有效实现周边曝光监控。
60.图3为本公开实施例提供的一种第一图形的标记图形的结构示意图。在一 些实施例中，如图3所示，中间区域1为矩形，多个标记图形包括位于中间区 域1每一角部的第一标记图形2(图中只示出其中一个角部的第一标记图形)；
61.第一标记图形2包括第一标记条21、第二标记条22和特征部23，第一标 记条21与第二标记条22交叉，第一标记条21上设置有第一凸部210，第一凸 部210位于第一标记条21沿其延伸方向的至少一侧，第二标记条22上设置有 第二凸部220，第二凸部220位于第二标记条22沿其延伸方向的至少一侧，特 征部23位于第一标记条21和第二标记条22靠近中间区域1一侧；第一凸部210 和第二凸部220均位于参考界线3靠近周边区域4一侧，并均与参考界线3相 接。
62.需要说明的是，上述参考界线为本领域工作人员按照经验所预先设置的分 界线，用于划分中间区域和周边区域。当周边曝光的曝光区域超过了该界线则 判定为过曝，在该界线划分的曝光区域范围内、且与形成第一图形的掩膜板上 的标准图案相同则判定为未进行周边曝光。因此，以该界线作为参考界线在显 示基板母板的基底上形成的第一图形中设置多个标记图形，进而能够根据标记 图形的图形特征确定周边曝光处理是否异常。
63.在一些实施例中，上述s3根据周边曝光处理后的标记图形的图形特征，确 定周边曝光处理是否异常，包括：
64.s31，根据周边曝光处理后的标记图形的残留形貌信息，确定周边曝光处理 是否异常，残留形貌信息包括：第一凸部和/或第二凸部的残留情况。
65.由于第一凸部和第二凸部均与参考界线相接，因此在确定周边曝光处理是 否过曝时，只需判断第一凸部和/或第二凸部在周边曝光处理后的第一图形中是 否还存在。
66.图4a、4b、4c为图3进行周边曝光处理后的第一图形标记图形的结构示 意图。
67.在一个示例中，如图4a所示，第一凸部210完整的被保留在周边曝光处理 后的第一图形上，以及第二凸部220的部分在周边曝光处理中被去除，但残留 有另一部分在第一图案上，因此图4a中所示的第一图形不存在过曝现象。
68.在一个示例中，如图4b所示，第一凸部210完整的或者只有部分被保留在 周边曝光处理后的第一图形上，但第二凸部220在周边曝光处理中被完全去除， 也就是说在第二标记条22的厚度方向上存在过曝现象。
69.在一个示例中，如图4c所示，第一凸部210和第二凸部220均在周边曝光 处理中被完全去除，也就是说在第一标记条21的延伸方向和第二标记条22的 延伸方向上均存在过
曝现象。
70.图5为本公开实施例提供的另一第一图形标记图形的结构示意图。如图5 所示，在一些实施例中，多个标记图形还包括位于中间区域每一边界的多个第 二标记图形5，第二标记图形5包括第三标记条51，第三标记条51与其所在的 中间区域的边界交叉，第三标记条上设置有第三凸部510，第三凸部510位于第 三标记条51沿其宽度方向的一侧；第三凸部510位于参考界线靠近周边区域4 一侧，并与参考界线3相接；残留形貌信息还包括：第三凸部510的残留情况。
71.在一个示例中，根据第三凸部510、第一凸部210和第二凸部220的残留情 况，确定周边曝光处理是否异常。具体地，分别对与参考界线的四条边界相接 的多个凸部进行检测，其中对每一边界的检测包括：对与同一延伸方向参考界 线相接的多个第三凸部510和两个目标凸部的残留情况进行检测，当识别上述 多个第三凸部510和两个目标凸部均有至少部分被保留在周边曝光处理后的第 一图形中，则确定周边曝光未过曝；以及在上述多个第三凸部510和两个目标 凸部完全被去除的情况下，确定周边曝光过曝。其中，目标凸部为与多个第三 凸部510相接的参考界线为同一延伸方向的第一凸部或第二凸部。
72.需要说明的是，上述第三凸部510的残留情况对周边曝光程度的影响，与 第一凸部210或第二凸部220的残留情况对周边曝光程度的影响原理相同，在 此不再赘述。
73.在一些实施例中，上述s31根据周边曝光处理后的标记图形的图形特征， 确定周边曝光处理是否异常，还包括：
74.s32，以特征部为参考点，获取第一标记条的关键尺寸的第一测量值和第二 标记条的关键尺寸的第二测量值；其中，残留形貌信息还包括：第一测量值和 第二测量值。
75.需要说明的是，将特征部23作为参考点，可以通过其准确捕捉到第一图形 中的标记图形，进一步获取标记图形的关键尺寸。
76.在一个示例中，将第一标记条21在参考界线3的中间区域侧的长度标记为 第一关键尺寸，并获取其对应的第一测量值a1，将第二标记条22在参考界线的 中间区域侧的长度标记为第二关键尺寸，并获取其对应的第二测量值a2。具体 地，在第一测量值a1小于第一预设测量值阈值b1，和/或所述第二测量值a2小 于第二预设测量值阈值b2的情况下，确定所述周边曝光处理存在过曝。
77.其中，第一预设测量值阈值b1为参考界线内，即参考界线中间区域侧的第 一标记条21的长度，以及第二预设测量值阈值b2为参考界线内的第二标记条 22的长度。
78.在另一个示例中，获取第一标记条21的标准长度a1和第二标记条22的标 准长度a2，上述标准尺寸是指在形成第一图形的掩膜板上所设计的第一标记条 21和第二标记条22的长度。在上述第一测量值a1与标准长度a1相等的情况下， 确定在第一标记条的延伸方向上未进行周边曝光处理，同理，在上述第二测量 值a2与标准长度a2相等的情况下，确定在第二标记条的延伸方向上未进行周 边曝光处理。
79.图6a、6b为图5进行周边曝光处理后的第一图形标记图形的关键尺寸的位 置示意图。
80.如图6a所示，第一关键尺寸的第一测量值a1大于第一预设测量值阈值b1， 第二关键尺寸的第一测量值a2大于第二预设测量值阈值b2，则说明周边曝光处 理后的标记图形的残留情况为标记图形在参考界线3外即参考界线的周边区域 侧仍有保留，因此确定周边
曝光处理未过曝。
81.如图6b所示，第一关键尺寸的第一测量值a1小于第一预设测量值阈值b1， 第二关键尺寸的第一测量值a2小于第二预设测量值阈值b2，则说明周边曝光处 理后的标记图形的残留情况为标记图形在周边曝光处理中被去除的部分以及超 过了参考界线3，因此确定周边曝光处理过曝。
82.如图4c所示，由于周边曝光处理过曝程度较大，已经完全将第一标记条和 第二标记条曝光去除掉，因此无法识别到关键尺寸，即无法获取第一测量值a1 和第二测量值a2。
83.在一些实施例中，本公开实施例提供的曝光检测方法的第一子步骤还包括：
84.在周边曝光处理后，根据残留形貌信息确定显示基板母板是否偏移。
85.在一个示例中，以特征部23为参考点，获取第三标记条的关键尺寸的第三 测量值；残留形貌信息还可以包括：第三测量值a3。
86.需要说明的是，第三测量值a3为第三标记条51在周边区域侧的边界与目 标标记条在中间区域侧的边界之间的长度，其中目标标记条为延伸方向与第三 标记条51厚度方向一致的第一标记条21或第二标记条22。
87.具体地，获取与同一延伸方向参考界线3相接的多个第三标记条51的第三 测量值a3，在多个a3的平均值大于预设平均值阈值，且多个a3的方差小于预 设方差阈值的情况下，确定周边曝光处理未过曝，否则确定其过曝。
88.上述根据多个第三测量值确定显示基板母板是否偏移的方法中，当其出现 了某一方向上的平移，与同一延伸方向参考界线相接的多个第三标记条的第三 测量值a3是相等的，因此，要对多个a3的平均值进行检测，在其平均值小于预 设平均值阈值的情况下，可以确定显示基板母板出现了平移现象；当显示基板 母板出现了整体偏移现象，与同一延伸方向参考界线相接的多个第三标记条的 第三测量值a3是成趋势性增加或趋势性减小的，因此，要对多个a3的方差进行 检测，在其方差小于预设方差阈值的情况下，可以确定显示基板母板出现了整 体偏移现象。
89.本公开实施例提供的曝光检测方法，能够通过多个第三标记条的位置及时 发现显示基板母板的偏移现象，进而进行曝光检测装置的调试，降低了检测装 置的宕机率，以及减少了人员工作量。
90.在一些实施例中，本公开实施例提供的曝光检测方法还包括至少一个第二 子步骤，第一子步骤执行于第二子步骤之前，第二子步骤包括：
91.在显示基板母板的基底上依次形成第二导电层和第二光刻胶层，并对第二 光刻胶层进行曝光，以形成第二图形，第二图形包括多个标记图形和对应于第 二目标导电件的第二光刻胶图形；对第二图形进行周边曝光处理，去除与周边 区域在正投影方向重叠部分的第二图形；根据第二图形的标记图形的图形特征， 确定周边曝光处理是否异常。
92.显示基板母板的制作过程中存在多层目标导电件，不同层的目标导电件的 形貌不同，即，不同层的目标导电件对应的光刻胶图形也不同。即第一图形区 别于第二图形，不同的第二子步骤中的第二图形的形貌也可以不同。
93.图7为本公开实施例提供的一种第二图形的标记图形的结构示意图。
94.如图7所示，第二图形6包括位于中间区域每一边界的多个第四标记条61 和第四凸部610，第四标记条61的延伸方向与第三标记条51的延伸方向相同， 第四凸部610位于第
四标记条61沿其宽度方向的一侧，第四凸部610位于参考 界线3靠近周边区域4一侧，并与参考界线3相接；第二图形6的标记图形的 图形特征包括：第四凸部610的残留情况；和/或，以特征部23为参考点所获得 的第四标记条61的关键尺寸的测量值。
95.在一个示例中，根据第四凸部610的残留情况确定周边曝光处理是否异常 具体可以包括：在对第二图形进行周边曝光处理后，检测第四凸部610的残留 情况；在第四凸部610完全被保留在第二图形中，或第四凸部610部分在周边 曝光处理中被去除的情况下，均可以确定周边曝光处理未过曝；在第四凸部610 完全在周边曝光处理中被去除的情况下，确定周边曝光处理过曝。
96.需要说明的是，以特征部23为参考点所获得的第四标记条61的关键尺寸 的测量值，确定周边曝光处理是否异常的具体实施方式，与上述以特征部23为 参考点，获取第三标记条51的关键尺寸的第三测量值，确定周边曝光处理是否 异常的具体实施方式原理相同，在此不再赘述。
97.在一些实施例中，第二子步骤还包括：在周边曝光处理后，根据第二图形 的标记图形的图形特征确定显示基板母板是否偏移。
98.上述根据第二图形的标记图形的图形特征确定显示基板母板是否偏移的具 体实施方式，与根据第一图形的标记图形的图形特征确定显示基板母板是否偏 移的具体实施方式原理相同，在此不再赘述。
99.图8为本公开实施例提供的一种曝光检测装置的结构示意图，在一些实施 例中，如图8所示，本公开实施例还提供一种曝光检测装置，应用上述曝光检 测方法，装置包括：第一处理机构81、第二处理机构82、第三处理机构83。
100.第一处理机构81用于在显示基板母板的基底上依次形成导电层和光刻胶层， 并对光刻胶层进行曝光，以形成第一图形，第一图形包括多个标记图形和对应 于目标导电件的光刻胶图形，显示基板母板包括中间区域和环绕中间区域的周 边区域，光刻胶图形位于中间区域，光刻胶图形位于中间区域，标记图形位于 中间区域与周边区域的交界处。
101.第二处理机构82用于对第一图形进行周边曝光处理，去除与周边区域在正 投影方向重叠部分的第一图形。
102.第三处理机构83用于根据周边曝光处理后的第一图形的标记图形的图形特 征，确定周边曝光处理是否异常。
103.在一些实施例中，曝光检测装置还包括：传动机构84，用于将显示基板母 板在第一处理机构81和第二处理机构82之间传输。
104.需要说明的是，传动机构84用于在第一处理机构81对显示基板母板基底 上的光刻胶层进行曝光形成第一图形后，将显示基板母板传送至第二处理机构 82中进行周边曝光处理。第三处理机构83还用于根据第一/二图形的标记图形 的图形特征确定第二处理机构82中的显示基板母板是否偏移。
105.当第三处理机构83根据显示基板母板的偏移数据，确定多个显示基板母板 存在趋势性偏移后，可以通过调整传动机构84的传动臂来改善甚至消除显示基 板母板放置位置的偏移情况。
106.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例 性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言， 在不脱离本公开
的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型 和改进也视为本公开的保护范围。