技术特征：
1.一种化合物，其具有不饱和双键和一个以上的卤素。2.根据权利要求1所述的化合物，其具有一个以上的亲水性基团或一个分解性基团。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其由下述式(1)表示，式(1)中，x各自独立地为i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述l1的醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基任选具有取代基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，r
a
、r
b
、及r
c
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、或碳酸酯基，所述z的烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、或碳酸酯基任选具有取代基，p为1以上的整数，m为1以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数。4.根据权利要求3所述的化合物，其由下述式(1a)表示，式(1a)中，x、l1、y、a、z、p、m、n、及r与式(1)中的定义相同。5.根据权利要求3所述的化合物，其由下述式(1b)表示，
式(1b)中，x、l1、y、a、z、p、m、n、及r与式(1)中的定义相同，r
a1
、r
b1
、及r
c1
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，r
a1
、r
b1
、及r
c1
中的至少任1者为i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团。6.根据权利要求3～5中任一项所述的化合物，其中，n r为1以上的整数。7.根据权利要求3～6中任一项所述的化合物，其中，y各自独立地为下述式(y-1)所示的基团，-l2r
2 (y-1)式(y-1)中，l2为通过酸或碱的作用而断裂的基团，r2为碳数1～30的直链、支链或环状的脂肪族基团；碳数1～30的芳香族基团；碳数1～30的直链、支链或环状的包含杂原子的脂肪族基团；碳数1～30的包含杂原子的芳香族基团，所述r2的脂肪族基团、芳香族基团、包含杂原子的脂肪族基团、包含杂原子的芳香族基团任选还具有取代基。8.根据权利要求3～7中任一项所述的化合物，其中，a为芳香环。9.根据权利要求3～7中任一项所述的化合物，其中，a为脂环结构。10.根据权利要求3～9中任一项所述的化合物，其中，a为杂环结构。11.根据权利要求3～10中任一项所述的化合物，其中，n为2以上。12.根据权利要求1～11中任一项所述的化合物，其包含能够通过酸或碱的作用提高其在碱显影液中的溶解性的官能团。13.根据权利要求3～12中任一项所述的化合物，其中，x为i，l1为单键。14.根据权利要求3～12中任一项所述的化合物，其中，x为芳香族基团，且为在该芳香族基团中导入1个以上的f、cl、br或i而成的基团。15.根据权利要求3～12中任一项所述的化合物，其中，x为脂环基团，且为在该脂环基中导入1个以上的f、cl、br或i而成的基团。16.一种组合物，其相对于权利要求1～15中任一项所述的化合物整体含有1质量ppm以上且10质量％以下的式(1c)所示的化合物，
式(1c)、式(1c1)、及式(1c2)中，x、l1、y、a、z、p、m、n、及r与式(1)中的定义相同，r
sub
表示式(1c1)或式(1c2)，r
a1
、r
b1
、及r
c1
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，r
a1
、r
b1
、及r
c1
中的至少任1者为i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，p-1为0以上的整数，*为与邻接的构成单元的键合部位。17.一种组合物，其特征在于，含有权利要求1～15所述的化合物和相对于该化合物为1质量ppm以上且10质量％以下的式(1d)所示的化合物，
式(1d)、式(1d1)、或式(1d2)中，x、l1、y、a、z、p、m、n、及r与式(1)中的定义相同，r
sub2
表示式(1d1)或式(1d2)，r
a1
、r
b1
、及r
c1
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，r
a1
、r
b1
、及r
c1
中的至少任1者为i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，n2表示0以上且4以下的整数，p-1为0以上的整数，*为与邻接的构成单元的键合部位。18.一种组合物，其相对于权利要求3～15中任一项所述的化合物含有1质量ppm以上且10质量％以下的式(1e)所示的化合物，
式(1e)中，
か
ii x各自独立地为f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述l1的醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基任选具有取代基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，r
a
、r
b
、及r
c
各自独立地为h、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，其中，x、l1、y、r
a
、r
b
、r
c
、a及z均不含i，p为1以上的整数，m’为0以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数。19.一种组合物，其包含权利要求1～15中任一项所述的化合物，包含k的杂质以元素换算计相对于所述化合物为1质量ppm以下。20.根据权利要求19所述的组合物，其中，过氧化物相对于所述化合物为10质量ppm以下。21.根据权利要求19或20所述的组合物，其中，包含选自由mn、al、si及li组成的组中的1种以上元素的杂质以元素换算计相对于所述化合物为1质量ppm以下。22.根据权利要求19～21中任一项所述的组合物，其中，含磷化合物相对于所述化合物为10质量ppm以下。23.根据权利要求19～22中任一项所述的组合物，其中，马来酸相对于所述化合物为10质量ppm以下。24.一种聚合物，其包含源自权利要求1～15中任一项所述的化合物的构成单元。25.根据权利要求24所述的聚合物，其还包含下述式(c6)所示的构成单元，
式(c6)中，x
c61
为羟基或卤素基团，r
c61
各自独立地为碳数1～20的烷基，*为与邻接的构成单元的键合部位。26.一种膜形成用组合物，其含有权利要求1～15中任一项所述的化合物或者权利要求24或25所述的聚合物。27.根据权利要求26所述的膜形成用组合物，其还包含产酸剂、产碱剂或碱化合物。28.一种抗蚀图案的形成方法，其包括：利用膜形成用组合物在基板上成膜为抗蚀膜的工序，所述膜形成用组合物包含权利要求1～15中任一项所述的化合物或者权利要求24或25所述的聚合物；对所述抗蚀膜进行图案曝光的工序；和所述曝光后对抗蚀膜进行显影处理的工序。29.一种绝缘膜的形成方法，其包括权利要求28所述的方法。30.下述式(0)所示化合物的制造方法，其包括对下述式(s1)所示的化合物向取代基q中导入不饱和双键的双键导入工序，式(s1)中，x0为碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，q为具有羟基、醛基、羧基或酮基的碳数1～30的有机基团，
p为1以上的整数，m’为0以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数，式(0)中，x各自独立地为i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，r
a
、r
b
、及r
c
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，p为1以上的整数，m’为0以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数。31.根据权利要求30所述的化合物的制造方法，其中，所述式(s1)所示的化合物为下述式(sa1)所示的化合物，所述制造方法包括下述a1所示的工序和下述a2所示的工序：a1)使用所述式(sa1)所示的化合物且使用下述式(rm1)所示的化合物或丙二腈来得到下述式(sa2)所示的化合物的工序；a2)使用式(sa2)和氟源来制成式(0)的工序，
式(sa1)、(rm1)及(sa2)中，x0、l1、y、a、z、p、m’、n、r与式(s1)、(0)中的定义相同，q1为醛或酮，lg为选自羟基、烷氧基、碳酸酯基、缩醛基、羧基中的基团，烷氧基、碳酸酯基、缩醛基、羧基包含碳数1～60的任选具有取代基的脂肪族基团或芳香族基团，r3为氢基、或碳数1～60的任选具有取代基的羧基、酯基，r4为氢基，r5、r6各自独立地为h、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，xa为选自氢基、卤素基团中的基团。32.根据权利要求31所述的化合物的制造方法，其中，所述a2所示的工序中，在100℃以下、使用所述氟源对式(sa2)所示的化合物进行脱碳酸反应。33.根据权利要求31或32所述的化合物的制造方法，其中，所述a1所示的工序中，还使用还原剂来得到所述式(sa2)所示的化合物。34.根据权利要求30～33中任一项所述的化合物的制造方法，其中，所述式(s1)中，a为
苯、甲苯、或杂芳香族环。35.下述式(1)所示化合物的制造方法，其包括：下述b1a所示的工序；利用经过下述b2a及b3a所示的工序中的至少一者而得到的下述式(sb2a)及下述式(sb3a)所示的化合物中的至少一者，形成下述式(sb1)所示的化合物的工序；以及向式(sb1)所示的化合物的取代基qb中导入不饱和双键的双键导入工序，b1a)准备下述基质sb1a的工序，所述基质sb1a包含1个以上的氨基且包含具有醛基或酮基的母核b，b2a)向所述母核b中导入碘而得到下述式(sb2a)所示的化合物的工序，b3a)通过桑德迈尔反应将氨基置换为卤素基团而得到式(sb3a)所示的化合物的工序，式(1)中，x各自独立地为i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述l1的醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基任选具有取代基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、
巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，r
a
、r
b
、及r
c
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、或碳酸酯基，所述z的烷氧基、酯基、缩醛基、羧基烷氧基、或碳酸酯基任选具有取代基，p为1以上的整数，m为1以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数，式(sb1a)、(sb2a)、(sb3a)、及(sb1)中，zb表示氢基或任选具有取代基的氨基，所述取代基包含碳数1～30的任选具有取代基的烃基，rb表示1以上的整数，qb、l
1b
、x
b1
、b、pb、mb’分别与式(1)的q、l、x、a、p、m含义相同，x
b2
表示i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团。36.根据权利要求35所述的制造方法，其特征在于，导入双键的工序使用有机磷化合物和碱。37.根据权利要求30所述的化合物的制造方法，其包括使卤化剂与所述式(s1)所示的化合物反应从而导入卤素原子的卤素导入工序。38.根据权利要求30～34中任一项所述的化合物的制造方法，其中，所述式(sa1)所示的化合物为经过下述b1a所示的工序且经过下述b2a及b3a所示的工序中的至少一者而得到的下述式(sb2a)及下述式(sb3a)所示的化合物中的至少一者，b1a)准备下述基质sb1a的工序，所述基质sb1a包含1个以上氨基且包含具有醛基或酮基的母核b，b2a)向所述母核b导入碘而得到下述式(sb2a)所示的化合物的工序，b3a)通过桑德迈尔反应将氨基置换为卤素基团而得到式(sb3a)所示的化合物的工序，式(sb1a)、(sb2a)、(sb3a)、及(sa1a)中，zb表示氢基或任选具有取代基的氨基，所述取代基包含碳数1～30的任选具有取代基
的烃基，rb表示1以上的整数，qb、l
1b
、x
b1
、b、pb、mb’分别与式(1)的q、l、x、a、p、m含义相同，x
b2
表示i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团。39.根据权利要求36所述的化合物的制造方法，其中，所述b2a所示的工序中，至少使用碘源和氧化剂来向所述母核b中导入碘。40.根据权利要求30所述的化合物的制造方法，其中，所述式(sa1)所示的化合物为通过下述b1b所示的工序且通过下述b2b及b3b所示的至少任一工序制造的化合物，b1b)准备下述基质sb1b的工序，所述基质sb1b包含1个以上的氨基且包含具有醛基或酮基的母核b，b2b)向母核b中导入碘而得到式(sb2b)所示的化合物的工序，b3b)将氨基置换为卤素基团而得到式(sb3b)所示的化合物的工序，式(sb1b)、(sb2b)、(sb3b)、及(sa1b)中，zb表示氢基或任选具有取代基的氨基，所述取代基包含碳数1～30的任选具有取代基的烃基，rb表示1以上的整数，qb、l
1b
、x
b1
、b、pb、mb分别与式(1)的q、l、x、a、p、m含义相同，x
b2
表示i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团。41.根据权利要求40所述的化合物的制造方法，其中，还包括下述b4a所示的工序，b4a)维蒂希工序。42.根据权利要求38或权利要求41所述的化合物的制造方法，其中，所述b2b所示的工序中，至少使用碘源和氧化剂来向所述母核b中导入碘。43.根据权利要求40～42中任一项所述的化合物的制造方法，其中，所述母核b含有任选具有杂原子的芳香环结构。44.下述式(1)所示化合物的制造方法，其特征在于，包括：使卤化剂与下述式(s1)所示的化合物反应从而导入卤素原子的卤素导入工序；和向取代基q中导入不饱和双键的双键导入工序，其中，导入双键的工序使用有机磷化合物和碱，
式(s1)中，x0为碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，q为具有羟基、醛基、羧基或酮基的碳数1～30的有机基团，p为1以上的整数，m’为0以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数，式(1)中，x各自独立地为i、f、cl、br、或具有1个以上且5个以下的选自由i、f、cl及br组成的组中的取代基的碳数1～30的有机基团，l1各自独立地为单键、醚基、酯基、硫醚基、氨基、硫酯基、缩醛基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，y各自独立地为羟基、烷氧基、酯基、缩醛基、碳酸酯基、硝基、氨基、羧基、巯基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、或磷酸基，所述y的烷氧基、酯基、碳酸酯基、氨基、醚基、硫醚基、膦基、膦酸基、氨基甲酸酯基、脲基、酰胺基、酰亚胺基、及磷酸基任选具有取代基，r
a
、r
b
、及r
c
各自独立地为h、i、f、cl、br、或任选具有取代基的碳数1～60的有机基团，a为碳数1～30的有机基团，z各自独立地为烷氧基、酯基、缩醛基、或碳酸酯基，p为1以上的整数，m为1以上的整数，n为0以上的整数，r为0以上的整数。45.一种含碘乙烯基单体的制造方法，其包括：a)准备具有式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序；和b)对所述含碘醇性基质进行脱水，得到具有式(1)所示的一般结构的含碘乙烯基单体的工序，
式(1-1)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘，r6～r
10
中的1者为oh或och3；式(1)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r8各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘。46.根据权利要求45所述的含碘乙烯基单体的制造方法，其中，所述准备具有式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序包括：c)准备具有式(1-2)所示的一般结构的含碘酮性基质的工序；和d)对所述含碘酮性基质进行还原，得到具有所述式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序，
式(1-2)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘。47.根据权利要求45所述的含碘乙烯基单体的制造方法，其中，所述准备具有式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序包括：e)准备具有式(1-3)所示的一般结构的醇性基质的工序；和f)向所述醇性基质中导入碘，得到具有所述式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序，式(1-3)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh，r6～r
10
中的1者为oh或och3。48.根据权利要求46所述的含碘乙烯基单体的制造方法，其中，所述准备具有式(1-2)所示的一般结构的含碘酮性基质的工序包括：g)准备具有式(1-4)所示的一般结构的酮性基质的工序；和h)向所述酮性基质中导入碘，得到具有式(1-2)所示的一般结构的含碘酮性基质的工序，
式(1-4)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh。49.根据权利要求47所述的含碘乙烯基单体的制造方法，其中，所述准备具有式(1-3)所示的一般结构的醇性基质的工序包括：i)准备具有式(1-4)所示的一般结构的酮性基质的工序；和j)对所述酮性基质进行还原，得到具有式(1-3)所示的一般结构的醇性基质的工序，式(1-4)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh。50.一种含碘乙酰化乙烯基单体的制造方法，其包括：k)准备具有式(1)所示的一般结构的含碘乙烯基单体的工序；和l)将所述含碘乙烯基单体乙酰化，得到具有式(2)所示的一般结构的含碘乙酰化乙烯基单体的工序，
式(1)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r8各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘，式(2)中，r
16
～r
20
各自独立地为h、oh、och3、oac、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r8各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
16
～r
20
中的至少1者为oac，r
16
～r
20
中的至少1者为碘。51.一种含碘醇性基质的制造方法，其包括：c)准备具有式(1-2)所示的一般结构的含碘酮性基质的工序；和d)对所述含碘酮性基质进行还原，得到具有式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序，式(1-2)中，
r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘，式(1-1)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘，r6～r
10
中的1者为oh或och3。52.一种含碘醇性基质的制造方法，其包括：e)准备具有式(1-3)所示的一般结构的醇性基质的工序；和f)向所述醇性基质中导入碘，得到具有式(1-1)所示的一般结构的含碘醇性基质的工序，式(1-3)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh，r6～r
10
中的1者为oh或och3，
式(1-1)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘，r6～r
10
中的1者为oh或och3。53.一种含碘酮性基质的制造方法，其包括：g)准备具有式(1-4)所示的一般结构的酮性基质的工序；和h)向所述酮性基质中导入碘，得到具有式(1-2)所示的一般结构的含碘酮性基质的工序，式(1-4)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh，式(1-2)中，r1～r5各自独立地为h、oh、och3、卤素或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r1～r5中的至少1者为oh，r1～r5中的至少1者为碘。54.一种醇性基质的制造方法，其包括：i)准备具有式(1-4)所示的一般结构的酮性基质的工序；和j)对所述酮性基质进行还原，得到具有式(1-3)所示的一般结构的醇性基质的工序，
式(1-4)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r7、r8及r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh，式(1-3)中，r
11
～r
15
各自独立地为h、oh、och3或者直链状或支链状烷基，r6～r
10
各自独立地为h、oh、och3、卤素或氰基，其中，r
11
～r
15
中的至少1者为oh，r6～r
10
中的1者为oh或och3。
技术总结
一种化合物，其具有不饱和双键和一个以上的卤素。一种含碘乙烯基单体的制造方法，其包括：a)准备具戊酰基有式(1-1)所示的一般结构(式(1-1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘醇性基质的工序；和b)对所述含碘醇性基质进行脱水，得到具有式(1)所示的一般结构(式(1)中的可变部分的定义如说明书所记载)的含碘乙烯基单体的工序。碘乙烯基单体的工序。碘乙烯基单体的工序。
技术研发人员：大松祯 片冈健太郎 松本正裕 新美结士 牧野岛高史 越后雅敏
受保护的技术使用者：三菱瓦斯化学株式会社
技术研发日：2020.08.07
技术公布日：2022/3/25
再多了解一些
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