半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：布线基板，包括：第一接合焊盘，与信号端子电连接；第二接合焊盘，与电源端子电连接；以及第三接合焊盘，与接地端子电连接；芯片层叠体，包括阶梯地层叠于所述布线基板之上的多个半导体芯片，所述半导体芯片各自具有第一连接焊盘、第二连接焊盘及第三连接焊盘，多个所述第一连接焊盘经由多个第一接合线而串联连接并且与所述第一接合焊盘串联连接，由此形成第一传输路径，多个所述第二连接焊盘经由多个第二接合线而串联连接并且与所述第二接合焊盘串联连接，由此形成第二传输路径，多个所述第三连接焊盘经由多个第三接合线而串联连接并且与所述第三接合焊盘串联连接，由此形成第三传输路径；以及至少一个终端电阻，是从由与所述第一传输路径及所述第二传输路径连接的第一终端电阻以及与所述第一传输路径及所述第三传输路径连接的第二终端电阻构成的组中选择的电阻，并且设置于所述芯片层叠体之上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一终端电阻的电阻值与所述第一传输路径的特性阻抗相匹配，所述第二终端电阻的电阻值与所述第一传输路径的特性阻抗相匹配。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个终端电阻包括所述第一终端电阻和所述第二终端电阻，所述第一终端电阻和所述第二终端电阻的并联合成电阻值与所述第一传输路径的特性阻抗相匹配。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一终端电阻包括第一芯片电阻器，该第一芯片电阻器具有与所述第一传输路径连接的第一电极焊盘及与所述第二传输路径连接的第二电极焊盘，所述第二终端电阻包含第二芯片电阻器，该第二芯片电阻器具有与所述第一传输路径连接的第三电极焊盘及与所述第三传输路径连接的第四电极焊盘。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一终端电阻包括第一布线，该第一布线具有与所述第一传输路径连接的一端及与所述第二传输路径连接的另一端，所述第二终端电阻包含第二布线，该第二布线具有与所述第一传输路径连接的一端及与所述第三传输路径连接的另一端。6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述多个半导体芯片各自不具有终端电阻。

技术总结
抑制了信号质量降低。半导体装置具备：布线基板，包括第一至第三接合焊盘；芯片层叠体，包含阶梯地层叠于布线基板之上的多个半导体芯片，半导体芯片分别具有第一、第二及第三连接焊盘，多个第一至第三连接焊盘分布经由多个第一至第三接合线而串联连接并且分布与第一至第三接合焊盘串联连接由此形成第一至第三传输路径；以及至少一个终端电阻，从由与第一及第二传输路径连接的第一终端电阻以及与第一及第三传输路径连接的第二终端电阻构成的组中选择，并且设置于芯片层叠体之上。并且设置于芯片层叠体之上。并且设置于芯片层叠体之上。


技术研发人员：大塚靖夫
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2021.02.22
技术公布日：2022/3/25