封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及一种封装结构，尤其涉及一种应用在光学雷达的激光二极管封装结构。


背景技术：

2.现有技术中，光学雷达(lidar)已被广泛应用各领域，例如自驾车、工业自动化、距离测量或立体图像感测等，但是用以构成光学雷达(lidar)的激光二极管封装结构仍存在若干缺陷，例如封装结构在切割过程中容易产生毛边，封装结构的强度及气密性不足，或是封装结构具有光效衰减问题..等等，使得激光二极管封装结构在结构设计上仍有改善的空间。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种封装结构。
4.为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是，提供一种封装结构，其包括一基板、至少一光电元件以及一封装体。至少一光电元件设置在基板上，至少一光电元件具有一出光面。封装体设置在基板上并且包覆至少一光电元件。出光面与封装体的一出光表面之间的水平距离与光电元件在出光面上的一出光位置的高度及光电元件在出光面的一出光角度之间具有一关系式，关系式为：
5.d≤h
×
cot(θ/2)；
6.其中，d为出光面与封装体的出光表面之间的水平距离，h为光电元件在出光面上的一出光位置的高度，θ为光电元件在出光面的一出光角度。
7.优选地，基板包括多个金属基材与填充在多个金属基材之间与周围的模塑材，多个金属基材分为并排设置的第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材，第二金属基材设置在第一金属基材与第三金属基材之间，模塑材填充于第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材之间。
8.优选地，填充在多个金属基材之间与周围的模塑材进一步向上延展而形成墙体，且墙体覆盖在第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材的部分上表面。
9.优选地，模塑材在填充于第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材的周围时会凸出于第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材并且覆盖第一金属基材的部分上表面、第二金属基材的部分上表面以及第三金属基材的部分上表面，进而形成一r角结构。
10.优选地，第二金属基材呈一t字型形状，包括相垂直的一第一延伸段与一第二延伸段，第一延伸段的底部外露于模塑材，第二延伸段的一端连接第一延伸段而另一端外露于模塑材。
11.优选地，第一延伸段在其两端的侧边缘各形成一凹槽，模塑材填满两个凹槽。
12.优选地，第一金属基材与第三金属基材呈一倒l型形状，第一金属基材与第三金属
基材分别具有一转折位置，且两个转折位置邻近第一延伸段与第二延伸段的连接处。
13.优选地，第二金属基材用以承载至少一光电元件，且至少一光电元件以打线方式分别电性连接至第一金属基材与第三金属基材的转折位置。
14.优选地，封装结构的对应光电元件的出光面的一侧壁具有形成一段差结构，且段差结构形成于封装体的一侧壁。
15.优选地，模塑材与封装体为一体成形结构。
16.为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的另外一技术方案是，提供一种封装结构，其包括一基板、至少一光电元件以及一封装体。至少一光电元件设置在基板上，至少一光电元件具有一出光面。封装体设置在基板上并且包覆至少一光电元件，封装体的一侧壁形成一段差结构，且段差结构对应出光面。
17.优选地，封装结构还包括一墙体，墙体设置在基板上并且包围部分的封装体，墙体包括一第一侧壁与一第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁沿着基板的边缘相对设置，以形成一容置空间用以容纳光电元件，封装体分别朝向两相反方向延伸，以形成两个钩状结构。
18.优选地，封装体形成的段差结构与基板的边缘具有一间距。
19.优选地，封装体形成段差结构的侧壁的表面为一弧状平滑表面。
20.为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的另外再一技术方案是，提供一种封装结构，其包括一基板、至少一光电元件以及一封装体。基板的一侧壁形成一段差结构。至少一光电元件设置在基板上，至少一光电元件具有一出光面，且出光面面向基板形成段差结构的一侧。封装体设置在基板上，封装体包覆至少一光电元件，以及包覆具有段差结构的基板。
21.为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的另外再一技术方案是，提供一种封装结构，其包括一基板、一模塑材、至少一光电元件以及一墙体。基板包括多个金属基材，多个金属基材分为并排设置的第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材，第二金属基材设置在第一金属基材与第三金属基材之间。模塑材填充于第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材之间，部分第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材外露于模塑材底部。至少一光电元件设置在第二金属基材上。墙体设置在基板上，提供一反射面，反射面与光电元件的出光面间隔设置。光电元件射出一光束，光束通过反射面向上反射而由封装结构的顶面射出。
22.优选地，第二金属基材呈一t字型形状，包括相垂直的一第一延伸段与一第二延伸段，第二延伸段的一端连接第一延伸段而另一端外露于胶体，第一金属基材与第三金属基材呈一倒l型形状，第一金属基材与第三金属基材分别具有一转折位置，且两个转折位置邻近第一延伸段与第二延伸段的连接处。
23.优选地，墙体区分为相对设置的第一墙体与第二墙体，第一墙体具有反射面，第一墙体具有一第一坡度角，第一坡度角介于40度至50度，第一墙体具有一第二坡度角，且第二坡度角大于或等于第一坡度角。
24.优选地，反射面涂覆一层反射材料，反射材料的厚度介于10nm至50 nm。
25.优选地，封装结构还包括一透镜元件，结合于墙体上，光束穿透透镜元件上的一对应区域，透镜元件的对应区域的透光率与透镜元件的其他区域的透光率不同。
26.优选地，墙体与光电元件的所述出光面之间的最短水平距离与光电元件在出光面
上的一出光位置的高度及光电元件在出光面的一出光角度之间具有一关系式，关系式为：
27.d’≤h
×
cot(θ/2)；
28.其中，d’为光电元件到墙体的最短水平距离，h为光电元件在出光面上的一出光位置的高度，θ为光电元件在出光面的一出光角度。
29.为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
30.图1为本实用新型第一实施例的封装结构的立体示意图。
31.图2为图1的ii-ii部分的剖面示意图。
32.图3为本实用新型第一实施例的封装结构的仰视示意图。
33.图4为本实用新型第二实施例的封装结构的立体示意图。
34.图5为图4的v-v部分的剖面示意图。
35.图6为本实用新型第二实施例的封装结构的仰视示意图。
36.图7为本实用新型第三实施例的封装结构的立体示意图。
37.图8为图7的viii-viii部分的剖面示意图。
38.图9为本实用新型第四实施例的封装结构的立体示意图。
39.图10为本实用新型第五实施例的封装结构的立体示意图。
40.图11为本实用新型第六实施例的封装结构的立体示意图。
41.图12为本实用新型第七实施例的封装结构的立体示意图。
42.图13为本实用新型第八实施例的封装结构的俯视示意图。
43.图14为图13的xiv-xiv部分的剖面示意图。
具体实施方式
44.以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。
45.应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
46.第一实施例
47.参阅图1至图3所示，第一实施例提供一种封装结构，其包括：一基板 1、至少一光电元件以及一封装体3。封装体3包覆基板1与至少一光电元件。在本实用新型的实施例中，至少一光电元件是以一个激光二极管2为例，然而本实用新型不以为限。封装结构还包括多
条金属导线7，如图1所示，激光二极管2以打线方式分别电性连接至基板1，图1中的多条金属导线7中的每一条金属导线7的两端分别连接激光二极管2与基板1，封装体3接着再包覆激光二极管2与多条金属导线7，本实用新型不以金属导线7的数量为限。举例来说，光电元件可以为光电半导体，特别是边射型激光二极管(edgeemitting laser diode)，边射型激光二极管的光线是由侧面发出，并形成椭圆型光束，波长介于850nm至1200nm。
48.举例来说，封装体3可由透光胶体材料组成，例如环氧树脂(epoxy)或硅氧树脂(silicone)，然而本实用新型不以为限。
49.基板1包括多个金属基材11，多个金属基材11可分为并排设置的第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113。第二金属基材112 设置在第一金属基材111与第三金属基材113之间。封装体3不仅包覆基板 1与至少一激光二极管2，还填充于第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113之间。
50.进一步来说，第二金属基材112是呈一t字型形状，包括相垂直的第一延伸段1121与第二延伸段1122。第一延伸段1121具有一段差结构，其包含两凹槽112c分别形成在两端的侧边缘，进一步来说，两凹槽112c与出光面 2a位于封装结构的同一侧，凹槽112c为两两相对呈弧状或球面状的向上凹口。封装体3填满两个凹槽112c，亦即封装体3包覆具有段差结构的基板1。第二延伸段1122的一端连接第一延伸段1121。第二金属基材112用以承载激光二极管2，而激光二极管2以打线方式通过多条金属导线7电性连接至第一金属基材111与第三金属基材113。第一金属基材111与第三金属基材 113大致上是呈一l型形状，两者以镜射对称的方式分别设置在第二金属基材112的两侧，第一金属基材111与第三金属基材113呈一倒l型形状，且分别具有一转折位置111p、113p(即l型形状的转折点位置)，且两个转折位置111p、113p邻近第一延伸段1121与第二延伸段1122的连接处。此外，如图2与图3所示，第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113的底部分别有一半蚀结构。进一步来说，基板1的正面与背面，除了第一金属基材111的底表面111b、第二金属基材112的底表面112b以及第三金属基材113的底表面113b是露出于封装结构的外表面外，第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113的其余部分皆被封装体3 所包覆。由此，本实用新型的封装结构能够通过表面111b、112b、113b去电性连接外部组件(例如ic载板)。
51.继续参阅图2所示，至少一光电元件(即激光二极管2)具有一出光面2a，出光面2a面向基板1形成该段差结构的一侧，使得出光面2a与该段差结构位于封装结构的同一侧。出光面2a与封装体3的一出光表面(即侧壁30 表面)之间的水平距离与激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度及激光二极管2在出光面2a的一出光角度之间具有一关系式，关系式为：
52.d≤h
×
cot(θ/2)；
53.其中，d为出光面2a与封装体3的出光表面之间的水平距离，h为激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度，θ为激光二极管2在出光面2a的一出光角度。借此，本实用新型能够通过调整出光面2a与封装体3 的出光表面之间的水平距离以及激光二极管2的出光位置的高度来获得最佳的出光角度，避免由激光二极管2所射出的光束直接打到基板1而造成不必要的光效衰减。甚者，出光面2a与该段差结构位于封装结构的同一侧，激光二极管2所射出的光束若入射或反射至基板1，可通过段差结构(例如两侧凹槽)的设置，有效减少杂散光。此外，所述出光位置的高度略低激光二极管2的顶表面。
54.较佳者，在本实用新型所示出的实施例中，θ约为60度。所述出光位置的高度实际上还须加上固晶胶(图未示出)的厚度，而所述出光位置是由激光二极管2的顶表面向下移约0.005mm的位置，激光二极管2的厚度约0.12 mm，固晶胶厚度约0.03mm，因此，出光位置的高度h约为 0.145mm(0.12mm-0.005mm 0.03mm)。
55.因此，将θ＝60度且h＝0.145mm套入上述关系式d≤h
×
cot(θ/2)，可获得出光面2a与封装体3的出光表面之间的水平距离d的范围为d≤0.28579 mm。较佳地，d可介于0.15mm至0.25mm。
56.第二实施例
57.参阅图4至图6所示，第二实施例提供一种封装结构，其包括：一基板 1、至少一光电元件(例如激光二极管2)以及一封装体3。基板1包括多个金属基材11与填充在多个金属基材11之间与周围的模塑材12。模塑材12不仅填充在多个金属基材11之间，还进一步向上延展而形成一墙体。封装体3 包覆至少一光电元件、多个金属基材11、模塑材12以及模塑材12向上延展所形成的墙体。墙体包括一第一侧壁121、一第二侧壁122以及一第三侧壁 123，第三侧壁123连接于第一侧壁121与第二侧壁122之间，第一侧壁121、第二侧壁122以及第三侧壁123沿着基板1的边缘设置，以形成一凹状结构以将激光二极管2包围在内，墙体的结构设计能够增强封装结构整体的结构强度。模塑材12可例如但不限于环氧树脂模制化合物(emc)或聚硅氧模制化合物(smc)。此外，多个金属基材11可分为并排设置的第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113，第二金属基材112设置在第一金属基材111与第三金属基材113之间，而模塑材12填充于第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113之间。进一步来说，当墙体形成时，墙体会覆盖在金属基材11上而仅露出部分的上表面。举例来说，墙体的第二侧壁122会覆盖在第一金属基材111上方而露出第一金属基材111的部分上表面，墙体的第一侧壁121会覆盖在第三金属基材113上方而露出第三金属基材113上方的部分上表面，这些露出的上表面可作为金属导线7的连接处。换言之，本实施例的第一侧壁121以及第二侧壁122具有不同肉厚分布 (内外表面之间的距离)。具体来说，第一侧壁121和第二侧壁122的前端亦覆盖第二金属基材112上方的部分上表面，并分别具有一凸出部，第一侧壁 121和第二侧壁122的凸出部分别往光电元件的出光面侧方向对称延伸凸出。第一侧壁121和第二侧壁122的中间段具有一对称凹部，对称凹部的设计能够在墙体覆盖在第一金属基材111和第三金属基材113上方时分别露出第三金属基材113和第一金属基材111的部分上表面。进一步的说，第一侧壁121以及第二侧壁122的内表面轮廓较佳为镜面对称。此外，墙体的第三侧壁123会覆盖在第二金属基材112上方而露出第二金属基材112上方的部分上表面，第三侧壁123亦可具有外厚内薄的不同肉厚分布，可增加墙体的凹状结构用来容置光电元件的空间，故可视需求置放体积较大、功率较高的光电元件。
58.第二金属基材112是呈一t字型形状，包括相垂直的第一延伸段1121 与第二延伸段1122。第一延伸段1121在其两端112e的侧边缘各形成一朝上的段差结构，例如凹槽112c，封装体3包覆段差结构、填满两个凹槽112c。由于第一延伸段1121的两端112e的阻隔，模塑材12并不会溢到凹槽112c 中。第一金属基材111与第三金属基材113皆呈一倒l型形状，两者以镜射对称的方式分别设置在第二金属基材112的两侧。
59.第三实施例
60.参阅图7与图8所示，第三实施例提供一种封装结构，其包括：一基板 1、至少一光
电元件(例如激光二极管2)以及一封装体3。激光二极管2设置在基板1上。封装体3包覆基板1与激光二极管2。基板1包括多个金属基材11与填充在多个金属基材11之间与周围的模塑材12。多个金属基材11 可分为并排设置的第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材 113。第三实施例与第二实施例具有相仿的结构及工艺材料，其相似之处在此不加赘述。进一步比较图4与图7可知，第三实施例与第二实施例的差异在于，第三实施例中的模塑材12并未有形成墙体。另外，值得一提的是，模塑材12与封装体3可为一体成形结构。
61.第四实施例
62.参阅图9所示，第四实施例提供一种封装结构，其包括：一基板1、至少一光电元件(例如激光二极管2)以及一封装体3。激光二极管2设置在基板 1上。封装体3设置在基板1上并且包覆基板1与激光二极管2。如图9所示，激光二极管2以打线方式分别电性连接至基板1，图1中的多条金属导线7中的每一条金属导线7的两端分别连接激光二极管2与基板1，封装体3接着再包覆激光二极管2与多条金属导线7。封装体3的一侧壁30形成一段差结构31，而激光二极管2具有一出光面2a对应段差结构31。具体来说，段差结构31是指在侧壁的中间处向外凸出，使侧壁成为一两段式结构，即段差结构31包括中间的台阶部31s以及两侧的底阶部31b。进一步来说，段差结构31与封装体3的顶表面之间的转折处以及台阶部31s与两侧的底阶部31b之间为圆角，因此台阶部31s与底阶部31b的表面实际上为略呈圆弧状。如图9所示，段差结构31的台阶部31s与基板1的边缘具有一间距h1，进一步来说，段差结构31具有一台阶部31s对应激光二极管2的出光面2a，而间距h1为基板1边缘与台阶部31s表面之间的距离，较佳地，间距h1的范围是介于0mm至0.062mm之间。换句话说，段差结构31的台阶部31s不会超出基板1，顶多台阶部31s的表面切齐基板1的边缘(即间距h1＝0mm)。在封装结构的制作过程中会通过切割工艺，而封装体3形成段差结构31的那一侧面正好为切割面，因此，通过段差结构31的形成，能够减少封装体3被切割到的面积(至多也仅有台阶部31s在切齐基板1时会被切割到，进而减少毛边产生。另外，值得一提的是，段差结构31的底阶部31b与基板1的边缘具有另一间距h2，间距h2的范围是介于0.637mm 至0.707mm之间。
63.基板1包括多个金属基材11与填充在多个金属基材11之间与周围的模塑材12。如图9所示，多个金属基材11可分为并排设置的第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113，第二金属基材112设置在第一金属基材111与第三金属基材113之间，而模塑材12填充于第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113之间。第一金属基材111与第三金属基材113皆呈一l型形状，两者以镜射对称的方式分别设置在第二金属基材112的两侧，第一金属基材111与第三金属基材113分别具有一转折位置 111p、113p(即l型形状的转折点位置)，且两个转折位置111p、113p邻近第一延伸段1121与第二延伸段1122的连接处。
64.第二金属基材112是呈一t字型形状，包括相垂直的第一延伸段1121 与第二延伸段1122。第一延伸段1121的底部112b外露于模塑材12，第一延伸段1121在其两端112e的侧边缘各形成一凹槽112c。第二延伸段1122 的一端连接第一延伸段1121而另一端外露于模塑材12。另外，第二金属基材112用以承载激光二极管2，而激光二极管2以打线方式通过多条金属导线7电性连接至第一金属基材111与第三金属基材113的转折位置111p、 113p。
65.此外，模塑材12填充于第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113的周围时会覆盖第一金属基材111的部分上表面、第二金属基材112的部分上表面以及第三
金属基材113的部分上表面，进而形成一r角结构12e。更确切地说，r角结构12e为模塑材12略凸出金属基材11后所定义的表面(如图9所示，r角结构12e可为一曲面)，其覆盖部分相邻两金属基材表面，即覆盖相邻的第一金属基材111与第二金属基材112的表面，以及覆盖相邻的第二金属基材112与第三金属基材113的表面，借以有效增强模塑材12与金属基材之间的结合强度延长水气路径。较佳地，r角结构 12e的宽度w为100um，r角结构12e能够有效增强模塑材12与金属基材之间的结合强度，并且延长水气路径，进而增加抗湿气的信赖性。
66.第五实施例
67.参阅图10所示，第五实施例提供一种封装结构，其包括：一基板1、至少一光电元件(例如激光二极管2)以及一封装体3。封装体3包覆基板1与激光二极管2。基板1包括多个金属基材11，多个金属基材11可分为并排设置的第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113。第二金属基材112设置在第一金属基材111与第三金属基材113之间。而激光二极管2以打线方式通过多条金属导线7电性连接至第一金属基材111与第三金属基材113。封装体3不仅包覆基板1与至少一激光二极管2，还填充于第一金属基材111、第二金属基材112以及第三金属基材113之间。第二金属基材112是呈一t字型形状，包括相垂直的第一延伸段1121与第二延伸段 1122。与第一实施例相比，第五实施例中的封装结构的第二金属基材112的第一延伸段1121并未有形成凹槽，且封装体3有形成段差结构31，包括中间的台阶部31s以及两侧的底阶部31b，关于段差结构31的具体架构可如第四实施例所中所述，在此不再赘述。
68.第六实施例
69.参阅图11所示。须说明的是，第六实施例的封装结构具有与第四实施例封装结构相仿的结构，具体的结构在此不再加以赘述。第六实施例的封装结构与第四实施例封装结构的不同之处在于，第六实施例的封装结构还包括一墙体4。墙体4设置在基板1上并且包围部分的封装体3。具体来说，在本实施例中，墙体4包括一第一侧壁41、一第二侧壁42以及一第三侧壁43，第三侧壁43连接于第一侧壁41与第二侧壁42之间，第一侧壁41、第二侧壁42以及第三侧壁43沿着基板1的边缘设置，以形成一凹状结构。其中，第一侧壁41以及第二侧壁42的为非平行设置的侧壁，较佳为镜面对称。进一步的说，凹状结构为外宽内窄的开口结构。此外，封装体3分别朝向基板 1的相对二侧的方向延伸(如图11的箭头n1、n2)，以形成两个钩状结构32，且每一钩状结构32黏接墙体4的第一侧壁42以及第二侧壁43。通过钩状结构32的设计，能够增强基板1与封装体3之间的结合强度，而墙体4也能够进一步增强封装结构整体的结构强度。
70.第七实施例
71.参阅图12所示，图12为第七实施例的封装结构的立体示意图。须说明的是，第七实施例的封装结构具有与第六实施例封装结构相同的结构，其相同的结构部分在此不再加以赘述。第七实施例的封装结构与第六实施例封装结构的不同之处在于，第七实施例的封装结构的墙体4型态与第六实施例不同。具体来说，第七实施例的封装结构的墙体4仅包括第一侧壁41与第二侧壁42，第一侧壁41与第二侧壁42沿着基板1的相对二侧边设置。也就是说，与第六实施例相比，第七实施例的封装结构的墙体4为两面结构(两个非平行设置的侧壁)，而非第二实施例的三面结构(凹状结构)，且墙体4朝向段差结构31一侧(该侧邻近光电元件的出光面)的部位相对较窄为佳。
72.值得一提的是，在上述实施例中，段差结构31的台阶部31s的表面皆为一弧状平滑表面，并且对应激光二极管2的出光面2a。继续参阅图9所示，出光面2a与台阶部31s的表面之间的水平距离与激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度及激光二极管2在出光面2a的一出光角度之间具有一关系式，关系式为：
73.d≤h
×
cot(θ/2)；
74.其中，d为出光面2a与台阶部31s的表面之间的水平距离，h为激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度，θ为所述光电元件在所述出光面的一出光角度。借此，本实用新型能够通过调整段差结构31以及激光二极管2的出光位置来获得最佳的出光角度，避免由激光二极管2所射出的光束直接打到基板1而造成不必要的光效衰减。
75.第八实施例
76.参阅图13与图14所示，图13为本实用新型第八实施例的封装结构的俯视示意图，图14为图13的xiv-xiv部分的剖面示意图。须说明的是，第八实施例的封装结构与上述实施例所述的封装结构相仿，其包括多个金属基材11、一模塑材12、至少一光电元件(例如激光二极管2)以及一墙体。多个金属基材11，多个金属基材分为并排设置的第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材(图13、14未示出)，第二金属基材设置在第一金属基材与第三金属基材之间，且模塑材12填充于第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材之间。部分第一金属基材、第二金属基材以及第三金属基材外露于模塑材12底部。激光二极管2设置在第二金属基材上。墙体设置在多个金属基材11与模塑材12上且提供一反射面4s，反射面4s与激光二极管2 的出光面2a间隔设置。激光二极管2射出一光束，光束通过反射面4s向上反射而由封装结构的顶面(即下述透镜组件5的顶面)射出。
77.具体来说，第八实施例的封装结构与上述实施例所述的封装结构的不同之处在于，第八实施例的封装结构省略了封装体3并且墙体的型态不同，以及增设一透镜组件5。具体来说，第八实施例的封装结构的墙体可以与基板 1一体成形，或是另外环绕成形于基板1上，并且提供一个凹槽容纳一侧向发光的激光二极管2。值得一提的是，本实施例中的墙体是面向激光二极管 2的出光面2a，因此，具体来说，本实施例中的墙体可进一步区分为面向出光面2a的第一墙体4a以及位于第一墙体4a的相对侧的第二墙体4b。第一墙体4a具有反射面4s，如图14所示，第一墙体4a与第二墙体4b分布在激光二极管2两侧位置的结构在坡度上有所不同。面向激光二极管2的出光面2a一侧的第一墙体4a的坡度较缓，而背向墙体4的出光面2a一侧的第二墙体4b的坡度较陡。第一墙体4a具有一第一坡度角θ1，第一坡度角θ1即是反射面4s与基板1之间的夹角。而第二墙体4b具有第二坡度角θ2，且θ2≧θ1。θ1介于40度至50度之间，较佳地，θ1为45度。较佳地，θ2介于60度至90度之间。反射面4s涂覆一层反射材料(图未示出)，反射材料可例如但不限于金(au)、银(ag)、铝(al)。此外，较佳地，反射材料的厚度介于10nm至50nm。透镜元件5结合于墙体4上。激光二极管2由出光面2a发出一光束，光束经过第一墙体4a的反射面4s向上反射(见图12 的箭头指向)，并垂直穿透透镜元件5上的一对应区域51而射出至外界，而提供一个可正面出光的激光封装结构。须说明的是，透镜元件5的对应区域 51的透光率与透镜元件5的其他区域的透光率不同。一般来说，对应区域 51具有较高的透光率。
78.第一墙体4a与激光二极管2之间的最短水平距离与激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度及激光二极管2在出光面2a的一出光角度之间θ具有一关系式，关系式
为：
79.d’≤h
×
cot(θ/2)；
80.其中，d’为激光二极管2的出光面2a到第一墙体4a的最短水平距离， h为激光二极管2在出光面2a上的一出光位置的高度，θ为激光二极管2 在出光面2a的一出光角度。借此，本实用新型能够通过调整为激光二极管 2到第一墙体4a的最短水平距离以及激光二极管2的出光位置的高度来获得最佳的出光角度，避免由激光二极管2所射出的光束直接打到基板1而造成不必要的光效衰减。
81.实施例的有益效果
82.本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的封装结构，其能通过“出光面与封装体的一出光表面之间的水平距离或第一墙体与光电元件之间的最短水平距离与光电元件在出光面上的一出光位置的高度及光电元件在出光面的一出光角度之间具有一关系式:d(或d’)≤h
×
cot(θ/2)”的技术方案，以获得最佳的出光角度，在不同的封装结构的出光型态下，可有效避免由光电元件所射出的光束直接打到基板1而造成不必要的光效衰减。
83.本实用新型的又一有益效果在于，本实用新型所提供的封装结构，其能通过“封装体的一侧壁形成一段差结构，且段差结构对应出光面”、“出光面面向基板形成段差结构的一侧”的技术方案，通过段差结构的设置，有效减少杂散光。
84.更进一步来说，本实用新型的封装结构通过段差结构的形成，能够减少封装体3被切割到的面积(至多也仅有台阶部在切齐基板时会被切割到，进而减少毛边产生。此外，本实用新型的封装结构通过墙体的设计增强基板1 与封装体3之间的结合强度，进而增强封装结构整体的结构强度。此外，本实用新型的封装结构通过模塑材形成一r角结构，有效增强模塑材与金属基材之间的结合强度，并且延长水气路径，进而增加抗湿气的信赖性。此外，本实用新型的封装结构通过钩状结构的设计，增强基板与封装体之间的结合强度，而墙体也能够进一步增强封装结构整体的结构强度。
85.以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的权利要求书的保护范围内。