一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线的制作方法

技术特征：
1.一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，包括接收装置，其特征在于，所述接收装置包括金属元表面共振器、所述金属元表面共振器为双电容，双回路金属结构；所述电容之间设有电光调制元件，且与右侧的电容的间距为5μm，所述金属原表面共振器下部设有二氧化硅缓冲层，以及铌酸锂基底。2.根据权利要求1所述的一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，其特征在于，所述电光调制元件的材料为铌酸锂，所述电光调制元件采用单模条件的脊型波导。3.根据权利要求2所述的一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，其特征在于，所述单模条件满足如下式：述单模条件满足如下式：其中，其中，4.根据权利要求1所述的一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，其特征在于，所述二氧化硅层缓冲厚度为400nm-500nm。5.根据权利要求1所述的一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，其特征在于，所述铌酸锂基底厚度700nm-900nm。6.根据权利要求3所述的一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，其特征在于，所述结构参数为h＝0.7μm，h＝0.68μm，w＝0.42μm，θ＝60
°
，n1＝n
o，e
＝2.21，2.14，n0＝n2＝1.5，b＝h/2λ。

技术总结
本发明公开了一种用于电光调制的共振增强的太赫兹天线，包括接收装置，所述接收装置包括金属元表面共振器、所述金属元表面共振器为双电容，双回路金属结构；所述电容之间设有电光调制元件，且与右侧的电容的间距为5μm，所述金属原表面共振器下部设有二氧化硅缓冲层，以及铌酸锂基底。所述电光调制元件的材料为铌酸锂，所述电光调制元件采用单模条件的脊型波导。本发明的有益效果是元表面金属RLC共振器的结构，使其共振频率位于232GHz，并在共振器电容结构中得到了局域增益电场，最终能够实现特定频段40倍的电场增强。实现特定频段40倍的电场增强。实现特定频段40倍的电场增强。


技术研发人员：田传山 苏雨聃 魏雨轩 罗谟杰
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2022/3/22