显示设备及制造该显示设备的方法与流程

显示设备及制造该显示设备的方法
1.本专利申请要求于2020年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0120020号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.一个或更多个实施例涉及一种包括具有改善的透射率的透射区域的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。


背景技术：

3.传统显示设备的应用已经多样化。此外，因为显示设备已经变得更薄且更轻，所以已经增大了它们的使用范围。
4.由显示设备的显示区域占据的面积已经增大，可以应用到或链接到显示设备的各种功能也已经添加到显示设备。为了增大由显示区域占据的面积并且也添加各种功能，已经对在显示区域内具有用于添加除了图像显示之外的各种功能的区域的显示设备进行了研究。


技术实现要素：

5.一个或更多个实施例包括一种显示设备和制造该显示设备的方法，该显示设备包括具有改善的透射率的作为用于在显示区域内添加各种功能的区域的透射区域。然而，一个或更多个实施例仅是示例，并且公开的范围不限于此。
6.额外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过实践公开的给出的实施例而获知。
7.根据一个或更多个实施例，显示设备包括：第一阻挡层，包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域和非显示区域；第一基体层，在第一阻挡层的下表面上，并且限定与第二显示区域叠置的第一开口；第二基体层，在第一阻挡层的上表面上，并且限定分别与透射区域叠置的第二开口；第二阻挡层，在第二基体层的上表面上，并且限定与第二开口叠置的第三开口；主像素电极，在第一显示区域中在第二阻挡层之上；以及辅助像素电极，在第二显示区域中在第二阻挡层之上。
8.显示设备还可以包括在辅助像素电极之上、与辅助像素电极叠置且限定与透射区域叠置的第四开口的第一辅助对电极。
9.第三开口的各个内侧表面可以比第二开口的相应的内侧表面向内突出。
10.当在与第一阻挡层的上表面垂直的方向上观看时，第三开口中的每个的面积可以比第二开口中的每个的面积小。
11.显示设备还可以包括在第一阻挡层上以与第四开口对应的第二辅助对电极。
12.显示设备还可以包括在主像素电极之上、与主像素电极叠置且与第一辅助对电极一体化的主对电极。
13.显示设备还可以包括在第一开口中在第一阻挡层的下表面上的透明层。
14.显示设备还可以包括覆盖主像素电极、辅助像素电极、第三开口的各个内侧表面和第二开口的各个内侧表面的封装层。
15.封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
16.第一基体层可以包括不透明材料。
17.通过以下对实施例、权利要求和附图的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解。
18.这些一般和具体实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
19.通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
20.图1a和图1b是根据一些实施例的显示设备的示意性透视图；
21.图2是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
22.图3是根据一些实施例的包括在显示设备中的显示面板的示意性平面图；
23.图4是根据一些实施例的包括在显示设备中的像素电路的等效电路图；
24.图5是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
25.图6是根据一些实施例的显示设备的显示区域的一部分的示意性放大平面图；
26.图7是根据一些实施例的显示设备的第一显示区域和第二显示区域的示意性平面图；
27.图8是根据一些实施例的沿图5的线ii-ii'的显示设备的一部分的示意性剖视图；
28.图9是根据一些实施例的沿图5的线ii-ii'的显示设备的一部分的示意性剖视图；
29.图10至图15是示出根据一些实施例的制造显示设备的方法的剖视图；
30.图16是根据一些实施例的包括在显示设备中的显示面板的示意性平面图；以及
31.图17是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
32.通过参照实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面及实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述对于本领域技术人员完整地理解本公开的方面而非必须的工艺、元件和技术。
33.除非另有说明，否则贯穿整个附图和书面描述，同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，为了使描述变得清楚，可能未示出与实施例的描述无关的部分。
34.在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大。另外，通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用以阐明相邻元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
35.这里参照作为实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示描述了各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。此外，为了描述根据本公开的构思的实施例的目的，这里公开的具体结构或功能性描述仅是说明性的。因此，这里公开的实施例不应被解释为限制于区域的特定示出的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。
36.例如，示出为矩形的注入区域在其边缘处通常将具有倒圆的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋区可以导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图进行限制。另外，如本领域技术人员将意识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
37.在详细描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等效布置的情况下可以实践各种实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知结构和装置，以避免不必要地模糊各种实施例。
38.为了易于解释，这里可以使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用中或在操作中的除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”可以包括上方和下方的两个方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这指示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于基于第二部分的在重力方向上的上侧。
39.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意为从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”意为观看通过从侧面垂直切割目标部分而形成的剖面。
40.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，所述元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一组件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一组件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接电连接或电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或结合到另一组件，而没有中间组件。同时，可以类似地解释诸如“在
……
之间”、“紧接在
……
之间”或“与
……
相邻”和“直接与
……
相邻”的描述在元件之间的关系的其它表述。另外，也应理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
41.为了本公开的目的，诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述当位于一列元件(要素)之后(或之前)时，修饰整列元件(要素)，而不修饰该列中的个别元件(要素)。例如，“x、y和z中的至少一个(种/者)”、“x、y或z中的至少一个(种/者)”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z、x、y和z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合(诸如以xyz、xyy、yz和zz为例)或者其任何变化。类似地，诸如“a和b中的至少一个(种/者)”的表述可以包括a、b或者a和b。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
42.将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下方讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
43.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
44.这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”也同样意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”和其变型当被用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
45.如这里使用的，术语“基本上/基本”、“约/大约”、“近似(大致)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到正在被谈及的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“约(大约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，当描述本公开的实施例时使用的“可以/可能”指“本公开的一个或更多个实施例”。
46.当可以不同地实现一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
47.根据这里描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或单独的ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基底上。
48.此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的工艺或线程，所述工艺或线程执行计算机程序指令并与其它系统组件交互以执行这里描述的各种功能。计算机程序指令存储在可以使用标准存储器装置(诸如以随机
存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现的存储器中。计算机程序指令也可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中(诸如以cd-rom、闪存驱动器等为例)。此外，本领域技术人员应当认识到，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布遍及一个或更多个其它计算装置。
49.除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景下的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
50.图1a和图1b是根据一些实施例的显示设备1的示意性透视图。
51.参照图1a，显示设备1可以包括显示区域da和在显示区域da外部的非显示区域nda。显示区域da可以包括第二显示区域da2以及围绕第二显示区域da2的至少一部分的第一显示区域da1。第二显示区域da2显示辅助图像，第一显示区域da1显示主图像，因此，第二显示区域da2和第一显示区域da1可以单独地或一起显示图像。非显示区域nda可以不包括显示器件。显示区域da可以完全被非显示区域nda围绕。显示设备1具有第一显示区域da1、第二显示区域da2和非显示区域nda可以被理解为显示设备1的基底100(见图2)具有第一显示区域da1、第二显示区域da2和非显示区域nda。
52.图1a示出了第一显示区域da1围绕一个第二显示区域da2的至少一部分。换句话说，第二显示区域da2的一个边缘(例如，外边缘或其一部分)可以与第一显示区域da1的一个边缘(例如，内边缘或其一部分)重合。根据其它实施例，显示设备1可以具有两个或更多个第二显示区域da2，并且两个或更多个第二显示区域da2可以具有不同的形状和不同的尺寸。当在与显示设备1的上表面大致垂直的方向上观看时，第二显示区域da2可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、或多边形形状(例如，矩形形状、星形形状或菱形形状)的各种形状中的任意一种。
53.图1a示出了当在与显示设备1的上表面大致垂直的方向上观看时，第二显示区域da2布置在具有大致矩形形状的第一显示区域da1(在 y方向上)的上部分的中心处。然而，其它实施例不限于此，并且第二显示区域da2可以布置在第一显示区域da1的一侧(例如，其右上侧或左上侧)处，或者可以布置在第一显示区域da1内以完全被第一显示区域da1围绕。例如，如图1b中所示，具有圆形形状的第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1内。
54.显示设备1可以包括布置在第一显示区域da1中的多个主子像素pm以及布置在第二显示区域da2中的多个辅助子像素pa。
55.显示设备1可以包括组件40(见图2)，该组件40是定位在与第二显示区域da2对应的显示面板下方的电子装置。组件40可以是使用光或声音的电子装置。例如，电子装置可以是测量距离的传感器(诸如接近传感器)，可以是识别用户的身体的一部分(诸如指纹、虹膜或面部)的传感器，可以是输出光的小灯，或者可以是捕获图像的图像传感器(诸如相机)。
56.使用光的电子装置可以使用诸如可见光、红外光和/或紫外光的各种波段中的光。使用声音的电子装置可以使用超声波或其它频率带的声音。根据一些实施例，组件40包括如光发射器和/或光接收器的子组件。光发射器和光接收器可以彼此集成，或者可以彼此物理分离，使得一对光发射器和光接收器可以构成一个组件40。为了使对组件40的功能的限
制减小或最小化，第二显示区域da2可以包括透射区域ta，透射区域ta能够透射从组件40输出到外部的光和/或声音，或者从外部朝向组件40传送的光和/或声音。
57.多个辅助子像素pa可以布置在第二显示区域da2中。辅助子像素pa中的每个可以发射光以提供特定图像。由第二显示区域da2显示的图像是辅助图像，因此可以具有比由第一显示区域da1显示的图像低的分辨率。换句话说，当第二显示区域da2包括能够透射光和声音的透射区域ta时，并且当子像素没有布置在透射区域ta中时，在第二显示区域da2中布置在单位面积上的辅助子像素pa的数量可以比在第一显示区域da1中布置在单位面积上的主子像素pm的数量少。
58.现在将示出并描述有机发光显示设备作为根据一些实施例的显示设备1。然而，根据其它实施例的显示设备不限于此。换句话说，根据一些实施例的显示设备1可以是无机发光显示器、量子点发光显示器等。例如，包括在显示设备1中的显示装置的发射层可以包括有机材料或者可以包括无机材料。显示设备1可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
59.图2是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性剖视图。参照图2，显示设备1可以包括显示面板10以及与显示面板10叠置的组件40。在一些实施例中，显示设备1还可以包括布置在显示面板10上方以保护显示面板10的盖窗。
60.显示面板10包括与组件40叠置的第二显示区域da2以及其中显示主图像的第一显示区域da1。显示面板10可以包括基底100、在基底100上的显示层disl、在显示层disl上方的功能层以及在基底100下方的面板保护构件pb。尽管图2中示出了触摸屏层tsl和光学功能层ofl作为功能层的示例，但是实施例不限于此。根据设计，可以布置各种功能层。
61.显示层disl可以包括电路层pcl、显示器件层edl和封装构件encm。电路层pcl可以包括薄膜晶体管tftm和tfta。显示器件层edl可以包括作为显示器件的主发光器件edm和辅助发光器件eda。封装构件encm可以包括封装层300，或者在一些实施例中可以包括封装基底。绝缘层il可以布置在显示层disl等内。
62.基底100可以包括诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
63.主发光器件edm和与其电连接的主像素电路pcm可以布置在显示面板10的第一显示区域da1中。主像素电路pcm可以包括至少一个主薄膜晶体管tftm，并且可以控制主发光器件edm的操作。主子像素pm可以包括主发光器件edm。
64.辅助发光器件eda和与其电连接的辅助像素电路pca可以布置在显示面板10的第二显示区域da2中。辅助像素电路pca可以包括至少一个辅助薄膜晶体管tfta，并且可以控制辅助发光器件eda的操作。辅助子像素pa可以包括辅助发光器件eda。
65.第二显示区域da2的布置有辅助发光器件eda的区域可以被限定为辅助显示区域，第二显示区域da2的没有布置辅助发光器件eda的区域可以被限定为透射区域ta。
66.透射区域ta可以透射由组件40发射的光/信号，或者可以透射入射在组件40上的光/信号，该组件40布置为与第二显示区域da2对应。辅助发光器件eda和透射区域ta可以在第二显示区域da2中彼此交替。换句话说，辅助发光器件eda中的每个可以在第二显示区域da2中的相应的透射区域ta之间。
67.如图2中所示，显示器件层edl可以被封装层300覆盖。例如，如图2中所示，封装层
300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图2示出了包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320的封装层300。
68.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括至少一种无机绝缘材料(诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno
x
，zno
x
可以是zno和/或zno2))，并且可以通过化学气相沉积(cvd)等形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括硅类树脂、丙烯酰类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以均一体地形成，以覆盖第一显示区域da1和第二显示区域da2。
69.然而，实施例不限于此，并且显示面板10可以包括在显示器件层edl上方的封装基底。在这种情况下，封装基底可以布置为面向基底100，并且显示器件层edl在基底100与封装基底之间。在封装基底与显示器件层edl之间可以存在间隙。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以在基底100与封装基底之间，并且可以布置在非显示区域nda中。布置在非显示区域nda中的密封剂可以围绕显示区域da，并且可以减小或防止湿气通过显示面板10的侧表面渗透。
70.触摸屏层tsl可以基于外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。触摸屏层tsl可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层tsl可以根据自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
71.触摸屏层tsl可以在封装层300上。可选择地，触摸屏层tsl可以单独设置在触摸基底上，然后可以经由粘合层(诸如光学透明粘合剂(oca))结合到封装层300的上表面。根据一些实施例，触摸屏层tsl可以直接设置在封装层300上。在这种情况下，在触摸屏层tsl与封装层300之间可以不存在粘合层。
72.光学功能层ofl可以包括抗反射层。抗反射层可以减小从外部源朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。例如，光学功能层ofl可以是偏振膜。光学功能层ofl可以具有与透射区域ta对应的开口ofl_op，使得可以改善透射区域ta的透光率。开口ofl_op可以用诸如光学透明树脂(ocr)的透明材料填充。可选择地，光学功能层ofl可以用包括黑矩阵和滤色器的滤波板来实现。
73.面板保护构件pb可以附着到基底100的下表面，并且可以支撑并保护基底100。面板保护构件pb可以具有与第二显示区域da2对应的开口pb_op。面板保护构件pb可以通过包括开口pb_op来改善第二显示区域da2的透光率。面板保护构件pb可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚酰亚胺(pi)。根据一些实施例，面板保护构件pb可以不具有开口pb_op。在其它实施例中，可以省略面板保护构件pb。
74.第二显示区域da2可以具有比布置有组件40的区域大的面积。因此，包括在面板保护构件pb中的开口pb_op的面积可以与第二显示区域da2的面积不同。尽管在图2中组件40定位在显示面板10(在-z方向上)的一侧上以与显示面板10间隔开，但是组件40的至少一部分可以插入到包括在面板保护构件pb中的开口pb_op中。
75.多个组件40可以布置在第二显示区域da2中。在这种情况下，多个组件40可以执行不同的功能。例如，多个组件40可以包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感
器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
76.图3是包括在如上所述的显示设备1中的显示面板10的示意性平面图。参照图3，构成显示面板10的各种组件布置在基底100上。
77.多个主子像素pm布置在第一显示区域da1中。主子像素pm中的每个可以使用诸如有机发光二极管oled的显示器件来实现。驱动主子像素pm的主像素电路pcm可以布置在第一显示区域da1中，并且可以与主子像素pm叠置。主子像素pm中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。第一显示区域da1可以被封装构件覆盖，因此可以被保护免受环境空气、湿气等的影响。
78.如上所述，第二显示区域da2可以定位在第一显示区域da1的一侧处，或者可以布置在显示区域da内并被第一显示区域da1围绕。多个辅助子像素pa布置在第二显示区域da2中。辅助子像素pa中的每个可以实现为诸如有机发光二极管oled的显示器件。驱动辅助子像素pa的辅助像素电路pca可以布置在第二显示区域da2中，并且可以与辅助子像素pa叠置。辅助子像素pa中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。第二显示区域da2可以与第一显示区域da1一起通过被封装构件覆盖而免受环境空气或湿气的影响。
79.如上所述，第二显示区域da2可以包括透射区域ta。透射区域ta中的每个可以布置为围绕多个辅助子像素pa，或者与多个辅助子像素pa相邻。可选择地，透射区域ta可以与多个辅助子像素pa一起以格子构造布置。因为第二显示区域da2具有透射区域ta，所以第二显示区域da2的分辨率可以比第一显示区域da1的分辨率低。例如，第二显示区域da2的分辨率可以是第一显示区域da1的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9和1/16中的一个。
80.分别驱动主子像素pm和辅助子像素pa的主像素电路pcm和辅助像素电路pca可以分别电连接到布置在非显示区域nda中的外部电路。第一扫描驱动电路sdr1、第二扫描驱动电路sdr2、端子单元pad、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以布置在非显示区域nda中。
81.第一扫描驱动电路sdr1和第二扫描驱动电路sdr2可以关于第一显示区域da1对称地布置。第一扫描驱动电路sdr1和第二扫描驱动电路sdr2可以经由扫描线sl向驱动主子像素pm的主像素电路pcm中的每个施加扫描信号。第一扫描驱动电路sdr1和第二扫描驱动电路sdr2可以经由发光控制线el向每个主像素电路pcm施加发光控制信号。第一显示区域da1的主子像素pm的一些主像素电路pcm可以电连接到第一扫描驱动电路sdr1，并且剩余的主像素电路pcm可以电连接到第二扫描驱动电路sdr2。
82.端子单元pad可以在基底100的一侧上。端子单元pad可以被暴露且不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到显示电路板30。显示驱动单元32可以在显示电路板30上。
83.显示驱动单元32可以生成传输到第一扫描驱动电路sdr1和第二扫描驱动电路sdr2的控制信号。显示驱动单元32可以生成数据信号，并且生成的数据信号可以经由扇出布线fw和连接到扇出布线fw的数据线dl传输到主像素电路pcm。
84.显示驱动单元32可以向驱动电压供应线11施加驱动电压elvdd(见图4)，并且可以向共电压供应线13施加共电压elvss(见图4)。可以经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线pl向主子像素pm和辅助子像素pa的像素电路pca和pcm施加驱动电压elvdd，并且共电压elvss可以施加到共电压供应线13，因此可以施加到每个显示元件的对电极。
85.驱动电压供应线11可以在x方向上延伸，并且可以定位在第一显示区域da1下方。
共电压供应线13可以具有其一侧敞开的环形形状，并且可以围绕或部分围绕第一显示区域da1的一部分。
86.尽管图3示出了单个的第二显示区域da2，但是显示面板10可以包括多个第二显示区域da2。在这种情况下，多个第二显示区域da2可以彼此间隔开，并且第一相机可以与一个第二显示区域da2对应地布置，并且第二相机可以与另一第二显示区域da2对应地布置。可选择地，相机可以与一个第二显示区域da2对应地布置，并且红外(ir)相机可以与另一第二显示区域da2对应地布置。多个第二显示区域da2可以具有不同的形状和不同的尺寸。
87.图4是可以包括在图1a和图1b的显示设备1中的像素电路的等效电路图。参照图4，辅助子像素pa包括辅助像素电路pca和连接到辅助像素电路pca的作为显示器件的有机发光二极管oled。主子像素pm可以包括：主像素电路pcm，与图4的辅助像素电路pca相同或相似；以及有机发光二极管oled，连接到主像素电路pcm的作为显示元件。
88.参照图4，辅助像素电路pca包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2连接到辅助扫描线sla和辅助数据线dla，并且根据经由辅助扫描线sla接收的扫描信号sn向驱动薄膜晶体管t1传输经由辅助数据线dla接收的数据信号dm。存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管t2且连接到辅助驱动电压线pla，并且存储与从开关薄膜晶体管t2接收的电压和供应到辅助驱动电压线pla的驱动电压elvdd之间的差对应的电压。
89.驱动薄膜晶体管t1连接到辅助驱动电压线pla和存储电容器cst，并且可以根据存储在存储电容器cst中的电压值控制从辅助驱动电压线pla流向有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以由于驱动电流而发射具有一定亮度的光。
90.虽然图4中示出了辅助像素电路pca包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是实施例不限于此。根据其它实施例，辅助像素电路pca可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。根据其它实施例，辅助像素电路pca可以包括两个或更多个存储电容器。
91.图5是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性平面图。
92.参照图5，多个主子像素pm可以布置在第一显示区域da1中，并且多个辅助子像素pa可以布置在第二显示区域da2中。如上所述，因为组件40与第二显示区域da2叠置，所以第二显示区域da2可以包括透射区域ta。
93.包括透射区域ta的第二显示区域da2的辅助子像素pa的密度可以与第一显示区域da1的主子像素pm的密度不同。例如，在相同的单位面积内，布置在第二显示区域da2中的像素的数量和/或其开口率可以比布置在第一显示区域da1中的像素的数量和/或其开口率小。
94.图6是根据一些实施例的显示设备1的显示区域da的一部分的示意性放大平面图(例如，可以对应于图5的部分a的放大视图)。图7是根据一些实施例的显示设备1的第一显示区域da1和第二显示区域da2的示意性平面图。
95.参照图6，第一显示区域da1和第二显示区域da2可以彼此相邻地布置，并且第二显示区域da2可以包括多个透射区域ta。多个主子像素pm(例如，主子像素pm的阵列)可以布置在第一显示区域da1中。多个辅助子像素pa(例如，辅助子像素pa的阵列)可以布置在第二显示区域da2中。尽管图6和图7示出了主子像素pm的阵列和辅助子像素pa的阵列，但是其它实施例不限于此。主子像素pm可以以各种阵列布置，辅助子像素pa可以以各种阵列布置。例
如，尽管图6和图7示出了其中主子像素pm和辅助子像素pa根据相同或相似的规则布置的情况，但是子像素可以不同布置在不同的显示区域中。
96.第二显示区域da2的辅助子像素pa可以包括彼此间隔开的像素组。像素组中的每个可以包括以特定图案布置的多个辅助子像素pa。每个透射区域ta可以在相邻像素组之间，并且可以在第一显示区域da1与第二显示区域da2的最接近第一显示区域da1的像素组之间。
97.多个透射区域ta可以布置在第二显示区域da2中。多个透射区域ta可以在第二显示区域da2中的辅助子像素pa之间。透射区域ta中的每个的至少一部分可以被辅助子像素pa围绕。尽管图6示出了透射区域ta中的每个在平面图中具有“ ”形状的情况，但是透射区域ta中的每个的形状不限于此。例如，在平面图中，透射区域ta中的每个可以根据设计具有各种形状。可以各种修改透射区域ta中的每个的平面面积。可以通过控制透射区域ta的形状、面积和布置来控制第二显示区域da2的大致透射率。
98.图8是根据一些实施例的沿图5的线ii-ii'的显示设备1的一部分的示意性剖视图。
99.基底100可以包括如上所述的各种材料，并且可以具有如图8中所示的多层结构。详细地，基底100可以包括依次堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。换句话说，基底100可以具有第一阻挡层102、在第一阻挡层102的下表面上的第一基体层101、在第一阻挡层102的上表面上的第二基体层103以及在第二基体层103的上表面上的第二阻挡层104。
100.第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素。
101.根据一些实施例，包括在第一基体层101和第二基体层103中的聚合物树脂可以是透明的。换句话说，第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括无色聚合物树脂。在这种情况下，与透射区域ta叠置的第一基体层101和第二基体层103包括透明材料，因此可以改善透射区域ta的透射率，并且不论光的波段如何，可以提供相对均匀的透射率。然而，无色聚合物树脂不易变形，因此可能降低尺寸稳定性，或者由于低热特性可能导致热电阻不足或不合适。
102.根据其它实施例，包括在第一基体层101和第二基体层103中的聚合物树脂可以是不透明的。换句话说，第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括有色聚合物树脂。在这种情况下，与透射区域ta叠置的第一基体层101和第二基体层103包括不透明材料，因此属于对应波段的光的透射率可以是相对低的。
103.根据稍后将描述的实施例，显示设备1可以包括形成在第一基体层101中的第一开口h1以及形成在第二基体层103中的第二开口h2。因此，虽然第一基体层101和第二基体层103包括不透明材料(例如，有色聚合物树脂)，
104.但是可以解决诸如由于包括不透明材料而导致的透射率劣化的问题。
105.详细地，第一基体层101可以具有与第二显示区域da2叠置的第一开口h1。第一开口h1可以与布置在第二显示区域da2中的图6的多个透射区域ta和多个辅助子像素pa叠置。换句话说，在一些实施例中，第一基体层101可以不布置在布置在第二显示区域da2中的多
个透射区域ta和多个辅助子像素pa下方。
106.第二基体层103可以具有与包括在第二显示区域da2中的透射区域ta叠置的第二开口h2。换句话说，在一些实施例中，第二基体层103可以不布置在布置在第二显示区域da2中的透射区域ta下方。
107.如上所述，因为第一基体层101和第二基体层103不与透射区域ta叠置，所以可以改善透射区域ta的透射率。因为透射区域ta的透射率不受包括在第一基体层101和第二基体层103(的省略部分)中的材料的透明度的影响，所以可以减小对用于形成第一基体层101和第二基体层103的材料的选择的限制。
108.第一阻挡层102和第二阻挡层104可以减小或防止外部异物的渗透。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均是包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机材料的单层或多层。
109.第二阻挡层104可以具有与透射区域ta叠置的第三开口h3。第二阻挡层104的第三开口h3分别与第二基体层103的第二开口h2彼此叠置，从而形成凹槽g。
110.根据一些实施例，凹槽g中的每个可以具有底切结构(或檐结构)。第二阻挡层104的第三开口h3的相对的内侧表面可以比第二基体层103的第二开口h2的相对的内侧表面向内突出。换句话说，第二阻挡层104的每个第三开口h3的内侧表面的边缘可以比第二基体层103的与第三开口h3对应或相邻的第二开口h2的内侧表面的边缘朝向第三开口h3的中心延伸。这里，“与
……
对应”可以指如在与第一阻挡层102的上表面垂直的方向上观看到的叠置。当在与第一阻挡层102的上表面垂直的方向上观看时，第三开口h3中的每个的面积可以比与第三开口h3中的每个对应的第二开口h2的面积小。
111.每个凹槽g的这种底切结构或檐结构可以将布置在第二阻挡层104之上的层中的至少一些或一部分断开或分离。换句话说，在不执行具体的掩模工艺的情况下，布置在第二阻挡层104之上的层中的至少一些可以在与透射区域ta对应的区域中断开或分离。例如，布置在第二阻挡层104之上的有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以被第二阻挡层104间断或分离。第一功能层222a和/或第二功能层222c可以由热沉积形成，并且在沉积期间，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以由于由第二开口h2和第三开口h3形成的底切结构而不连续地形成。
112.类似地，辅助对电极223a也可以由热沉积形成，并且可以由于由第二开口h2和第三开口h3形成的凹槽g的底切结构而不连续地形成。根据一些实施例，图8、图9和图13至图16示出了基于由第二开口h2和第三开口h3形成的底切结构中的第二阻挡层104而间断的第一功能层222a、第二功能层222c和/或辅助对电极223a。第二功能层222c和/或辅助对电极223a的一部分可以定位在作为由第二开口h2和第三开口h3形成的凹槽g的底表面的第一阻挡层102上。
113.根据一些实施例，缓冲层可以定位在第二阻挡层104上。缓冲层可以减小或防止异物、湿气或环境空气从基底100下方渗透，并且可以向基底100的上表面提供平坦表面。缓冲层可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。
114.包括辅助薄膜晶体管tfta和主薄膜晶体管tftm以及存储电容器cst的辅助像素电路pca和主像素电路pcm可以在第二阻挡层104上方。主像素电路pcm可以在第一显示区域
da1中，辅助像素电路pca可以在第二显示区域da2中。第一显示区域da1的主像素电路pcm和第二显示区域da2的辅助像素电路pca可以具有相同或相似的结构。
115.根据一些实施例，底部金属层可以在布置在第二显示区域da2中的辅助像素电路pca与基底100之间。底部金属层可以通过在连接到辅助像素电路pca的布线之间的窄间隙来减小或防止从组件40发射或者朝向组件40行进的光的衍射，并且可以改善辅助薄膜晶体管tfta的性能。底部金属层可以通过去除定位有包括金属材料的布线等的区域的反射率与其它区域的反射率之间的差异来改善反射率的均匀性。通过调节包括在底部金属层中的材料，底部金属层可以具有预设的反射率。例如，底部金属层可以包括钼(mo)、铜(cu)和/或钛(ti)。底部金属层可以是包括上述材料的单层或多层。例如，底部金属层可以具有mo/cu/mo、ti/cu/ti、ti/cu/ti/cu等的多层结构。
116.底部金属层可以不存在于透射区域ta中。例如，底部金属层可以具有与透射区域ta对应的开口。换句话说，底部金属层的开口可以限定或对应于第二显示区域da2的透射区域ta。底部金属层可以在第一阻挡层102和第二基体层103之间。在这种情况下，类似地，底部金属层可以具有与透射区域ta对应的开口。
117.定位在第一显示区域da1中的主像素电路pcm的主薄膜晶体管tftm可以包括主半导体层a1、与主半导体层a1的沟道区叠置的主栅电极g1以及分别连接到主半导体层a1的漏区和源区的源电极s1和漏电极d1。栅极绝缘层112可以在主半导体层a1与主栅电极g1之间，第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以在主栅电极g1与源电极s1之间和/或在主栅电极g1与漏电极d1之间。绝缘层il可以包括栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115。
118.存储电容器cst和主薄膜晶体管tftm可以彼此叠置。存储电容器cst可以包括彼此叠置的下电极ce1和上电极ce2。根据一些实施例，主薄膜晶体管tftm的主栅电极g1和存储电容器cst的下电极ce1可以是一体化的或是相同的。第一层间绝缘层113可以在下电极ce1与上电极ce2之间。
119.主半导体层a1可以包括多晶硅。根据一些实施例，主半导体层a1可以包括非晶硅。根据一些实施例，主半导体层a1可以包括选自由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)组成的组中的至少一种的氧化物。主半导体层a1可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
120.栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。
121.主栅电极g1或下电极ce1可以包括低电阻导电材料(包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti))，并且可以具有包括上述材料的多层或单多层结构。例如，主栅电极g1可以具有mo层/al层/mo层的三层结构。
122.第一层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。
123.上电极ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
124.第二层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并
且可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
125.源电极s1或漏电极d1可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极s1或漏电极d1可以具有ti层/al层/ti层的三层结构。
126.包括主薄膜晶体管tftm和存储电容器cst的主像素电路pcm可以电连接到定位在第一显示区域da1中的主像素电极221m。例如，如图8中所示，主像素电路pcm和主像素电极221m可以通过作为连接线的接触金属cm电连接到彼此。
127.接触金属cm可以在第一平坦化层117上，并且可以通过形成在第一平坦化层117中的接触孔连接到主像素电路pcm。接触金属cm可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
128.第一平坦化层117可以包括有机绝缘材料。第一平坦化层117可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机绝缘材料。第一平坦化层117的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
129.第二平坦化层118可以在接触金属cm上。第二平坦化层118可以包括有机绝缘材料。第二平坦化层118可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机绝缘材料。第二平坦化层118的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
130.主像素电极221m可以在第二平坦化层118上。主像素电极221m可以通过第二平坦化层118的接触孔连接到接触金属cm。
131.主像素电极221m可以包括反射层(包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或这些材料的混合物)。主像素电极221m可以包括包含所述材料的反射层以及布置在反射层的上方和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。根据一些实施例，主像素电极221m可以具有依次堆叠的ito/ag/ito层的三层结构。
132.尽管到目前为止已经描述了定位在第一显示区域da1中的主像素电路pcm和主像素电极221m，但是该描述可以同样应用于定位在第二显示区域da2中的辅助像素电路pca和辅助像素电极221a。换句话说，定位在第二显示区域da2中的辅助像素电路pca的辅助薄膜晶体管tfta可以具有与主像素电路pcm的主薄膜晶体管tftm相同或相似的结构，定位在第二显示区域da2中的辅助像素电极221a可以具有与主像素电极221m相同或相似的结构。图8示出了辅助像素电极221a通过作为连接线的接触金属cm'电连接到具有辅助半导体层和辅助栅电极的辅助薄膜晶体管tfta。接触金属cm的以上描述可以应用于接触金属cm'。
133.像素限定层119可以布置在主像素电极221m和辅助像素电极221a上。像素限定层119可以覆盖主像素电极221m和辅助像素电极221a的边缘，并且可以包括与主像素电极221m和辅助像素电极221a中的每个的中心叠置的开口119op。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hmdso)或苯酚树脂的有机绝缘材料。
134.第一功能层222a和第二功能层222c定位在像素限定层119、主像素电极221m和辅
助像素电极221a上。第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以覆盖第一显示区域da1和第二显示区域da2两者，但是可以被由透射区域ta中的第二开口h2和第三开口h3形成的凹槽g的底切结构间断或分开。第一功能层222a和第二功能层222c的一部分可以定位在透射区域ta中的第一阻挡层102上，并且可以具有孤立的形状。
135.第一功能层222a可以是单层或多层。例如，当第一功能层222a包括高分子有机材料时，第一功能层222a是具有单层结构的空穴传输层(htl)，并且可以包括聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(pedot)和/或聚苯胺(pani)。当第一功能层222a包括低分子量材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(hil)和/或空穴传输层(htl)。
136.第二功能层222c可以是可选的。例如，当第一功能层222a包括高分子有机材料时，第二功能层222c可以定位在第一功能层222a之上。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
137.主发射层222mb或辅助发射层222ab定位在第一功能层222a上，或者定位在第一功能层222a与第二功能层222c之间。主发射层222mb可以具有与主像素电极221m对应地图案化的形状，辅助发射层222ab可以具有与辅助像素电极221a对应地图案化的形状。主发射层222mb和辅助发射层222ab可以包括有机材料。主发射层222mb和辅助发射层222ab可以包括发射对应颜色的光的高分子有机材料或低分子有机材料。
138.作为辅助对电极223a的与辅助像素电极221a叠置的部分的第一辅助对电极定位在辅助发射层222ab之上，与主像素电极221m叠置的主对电极223m定位在主发射层222mb之上。作为辅助对电极223a的一部分的第一辅助对电极可以与主对电极223m一体化。
139.作为辅助对电极223a的一部分的第一辅助对电极可以具有与透射区域ta叠置的第四开口h4。相应的第四开口h4与第二开口h2和第三开口h3叠置。第四开口h4可以由于作为辅助对电极223a的一部分的第一辅助对电极被由第二开口h2和第三开口h3形成的凹槽g的底切结构间断而形成，因此第一辅助对电极不存在于透射区域ta中。作为辅助对电极223a的剩余部分的第二辅助对电极可以定位在第一阻挡层102上，以面向第四开口h4。作为辅助对电极223a的剩余部分的第二辅助对电极可以具有孤立的形状。第一辅助对电极和第二辅助对电极可以具有相同的层结构。
140.辅助对电极223a和主对电极223m可以包括具有相对低的逸出功的导电材料。例如，辅助对电极223a和主对电极223m可以包括(半)透明材料层(包括例如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或这些材料的合金)。可选择地，辅助对电极223a和主对电极223m还可以包括在包括上述材料中的任何一种的(半)透明材料层上的诸如ito、izo、zno或in2o3的层。根据一些实施例，辅助对电极223a和主对电极223m可以包括银(ag)和/或镁(mg)。
141.依次堆叠在彼此上的主像素电极221m、主发射层222mb和主对电极223m可以形成例如有机发光二极管(oled)的发光二极管。依次堆叠在彼此上的辅助像素电极221a、辅助发射层222ab和辅助对电极223a可以形成例如有机发光二极管(oled)的发光二极管。有机发光二极管(oled)可以发射红光(见图6的r)、绿光(见图6的g)或蓝光(见图6的b)，并且每个有机发光二极管(oled)的发光区域与像素对应。例如，主子像素pm与布置在第一显示区域da1中的有机发光二极管(oled)的发光区域对应，辅助子像素pa与布置在第二显示区域da2中的有机发光二极管(oled)的发光区域对应。因为像素限定层119的开口119op限定发
光区域的尺寸和/或宽度，所以主子像素pm的尺寸和/或宽度以及辅助子像素pa的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定层119的开口119op。
142.如上所述，有机发光二极管(oled)可以被封装层300(包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320)覆盖。详细地，封装层300可以连续地覆盖主像素电极221m、辅助像素电极221a、第三开口h3的各个的内侧表面和第二开口h2的各个的内侧表面。短语“连续地覆盖”指一体地形成而不断开。
143.参照图8的透射区域ta，基底100上的绝缘层中的每个可以包括分别形成在透射区域ta中的孔。例如，如图8中所示，栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115、第一平坦化层117、第二平坦化层118和像素限定层119可以包括定位在透射区域ta中并且彼此叠置的相应的孔。
144.图9是根据一些实施例的沿图5的线ii-ii'的显示设备1的一部分的示意性剖视图。在下文中，附图中的相同的附图标记指示相同的组件，并且将省略其重复描述。
145.参照图9，根据一些实施例的显示设备1还可以包括透明层105。
146.透明层105可以定位在第一阻挡层102的下表面上，并且可以与形成在第一基体层101中的第一开口h1对应。换句话说，透明层105可以填充第一开口h1并且可以定位为与第一开口h1叠置。根据一些实施例，透明层105可以使基底100的下表面平坦化。透明层105的下表面不会与第一基体层101的下表面形成台阶。详细地，从第一阻挡层102的下表面到透明层105的下表面的距离可以等于从第一阻挡层102的下表面到第一基体层101的下表面的距离。由于通过如上所述的透明层105使基底100的下表面平坦化，面板保护构件pb可以在显示设备1的制造期间更稳定地布置在基底100下方，在显示设备1的制造之后在显示设备1的使用期间可以改善基底100的下表面的耐久性。
147.图10至图15是示出根据一些实施例的制造显示设备1的方法的剖视图。
148.尽管图10至图14中未示出，但是基底100可以在其它实施例中布置在载体基底上以执行图10至图15中示出的工艺。在一些情况下，可以刚好在图15的工艺之前去除载体基底。
149.首先，如图10中所示，形成包括多层的基底100。详细地，依次形成第一基体层101、在第一基体层101上的第一阻挡层102、在第一阻挡层102上的第二基体层103以及在第二基体层103上的第二阻挡层104。
150.然后，如图11中所示，在基底100的第一显示区域da1的第二阻挡层104之上形成主像素电路pcm和与其电连接的主像素电极221m，并且在包括在基底100的第二显示区域da2中的透射区域ta之间的第二阻挡层104之上形成辅助像素电路pca和与其电连接的辅助像素电极221a。形成像素限定层119以限定第一显示区域da1和第二显示区域da2的发光区域。像素限定层119可以覆盖主像素电极221m和辅助像素电极221a的边缘，并且可以包括与主像素电极221m和辅助像素电极221a中的每个的中心叠置的开口119op。
151.然后，如图12中所示，形成第二基体层103的第二开口h2以与透射区域ta叠置，并且形成第二阻挡层104的第三开口h3以与第二开口h2叠置。凹槽g可以形成在第二开口h2与第三开口h3之间，并且可以均具有底切结构(或檐结构)。可以经由蚀刻(例如，各向同性蚀刻)形成凹槽g。详细地，通过对第二阻挡层104依次执行掩膜工艺和蚀刻工艺来去除第二阻
挡层104的与透射区域ta对应的部分。然后，由于通过使用第二阻挡层104作为掩模执行各向同性蚀刻来去除第二基体层103的与透射区域ta对应的部分。由于各向同性蚀刻，第二基体层103的与第二阻挡层104叠置的部分可以比第二阻挡层104被蚀刻的部分更多地被部分蚀刻，因此可以形成底切结构(或檐结构)。
152.然后，如图13中所示，在主像素电极221m之上形成与主像素电极221m叠置的主发射层222mb和主对电极223m。此时，可以在主像素电极221m与主发射层222mb之间插置第一功能层222a，可以在主发射层222mb与主对电极223m之间插置第二功能层222c。在辅助像素电极221a之上形成与辅助像素电极221a叠置的辅助发射层222ab和辅助对电极223a。此时，可以在辅助像素电极221a与辅助发射层222ab之间插置第一功能层222a，可以在辅助发射层222ab与辅助对电极223a之间插置第二功能层222c。
153.可以通过由第二开口h2和第三开口h3形成的凹槽g的底切结构使辅助对电极223a间断。换句话说，辅助对电极223a可以包括与辅助像素电极221a叠置且具有与透射区域ta叠置的第四开口h4的第一辅助对电极。辅助对电极223a可以包括定位在第一阻挡层102上以与第四开口h4对应的第二辅助对电极。
154.可以形成定位在第二显示区域da2中的第一功能层222a和第二功能层222c以与包括在辅助对电极223a中的第一辅助对电极和第二辅助对电极叠置。
155.然后，如图14中所示，形成封装层300以覆盖所有主对电极223m和辅助对电极223a。封装层300可以包括依次堆叠在彼此上的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
156.第一无机封装层310可以连续地覆盖主像素电极221m、辅助像素电极221a、第二阻挡层104的内侧表面和第二基体层103的内侧表面。详细地，定位在主对电极222m上的第一无机封装层310覆盖第四开口h4的各个内侧表面、第三开口h3的各个内侧表面、第二开口h2的各个内侧表面、凹槽g的各个底表面和辅助对电极223a的各个上表面，并且一体地形成。换句话说，与辅助对电极223a相比，第一无机封装层310可以不被凹槽g的底切结构断开，而是可以连续地覆盖凹槽g的各个内侧表面和各个底表面。为此，第一无机封装层310可以包括具有比辅助对电极223a高的台阶覆盖率的材料。
157.尽管图14中未示出，但是可以在封装层300上形成诸如触摸屏层tsl和光学功能层ofl的一个或更多个功能层。
158.然后，如图15中所示，形成第一基体层101的第一开口h1以与第二显示区域da2叠置。
159.根据一些实施例，可以使用激光工艺形成第一开口h1。详细地，通过将激光能量施加到第一基体层101的将要形成第一开口h1的区域来去除第一基体层101。此时，可以通过调节激光的强度，在激光工艺期间防止或减小对第一阻挡层102的损坏。例如，可以通过比包括无机材料的第一阻挡层102小的能量来去除包括有机材料的第一基体层101。因此，通过在用于去除包括有机材料的第一基体层101所需要的强度与用于去除包括无机材料的第一阻挡层102所需要的强度之间调节激光的强度，可以仅去除第一基体层101而不损坏第一阻挡层102。例如，可以施加(大致)340纳秒的激光或(大致)515纳秒的激光。
160.可以施加co2激光、yag激光、纳秒激光、飞秒激光、贝塞尔光束或高斯光束作为在这样的激光工艺中使用的激光，但是实施例不限于此。在一些情况下，可以去除载体基底以
执行上述激光工艺。
161.图16是根据一些实施例的包括在显示设备1中的显示面板10的示意性平面图，图17是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性剖视图。
162.虽然到目前为止已经描述了电连接到第二显示区域da2内的辅助子像素pa的辅助像素电路pca定位在第二显示区域da2内的情况，但是实施例不限于此。换句话说，如图16中所示，电连接到定位在第二显示区域da2内的辅助子像素pa的辅助像素电路pca可以定位在非显示区域nda中。辅助像素电路pca中的每个可以具有包括辅助半导体层a1和辅助栅电极g1的辅助薄膜晶体管tfta。
163.同样在这种情况下，多个主子像素pm布置在第一显示区域da1中。驱动主子像素pm的主像素电路pcm可以布置在第一显示区域da1中，并且可以与主子像素pm叠置。驱动第二显示区域da2的多个辅助子像素pa的辅助像素电路pca可以布置在与第二显示区域da2相邻的非显示区域nda中。详细地，电连接到主像素电极221m且均包括主半导体层a1和主栅电极g1的图8的主薄膜晶体管tftm可以定位在第一显示区域da1中的第二阻挡层104上，均包括辅助半导体层a1和辅助栅电极g1的图17的辅助薄膜晶体管tfta可以定位在非显示区域nda中的第二阻挡层104上。可以包括将辅助薄膜晶体管tfta电连接到辅助像素电极221a的图17的连接线twl。
164.如图16中，当第二显示区域da2布置在显示区域da的上部分(在 y方向上)中时，辅助像素电路pca可以布置在非显示区域nda中。辅助像素电路pca和实现辅助子像素pa的显示器件可以经由在一个方向(例如，y方向)上延伸的连接线twl彼此连接。尽管在图16中辅助像素电路pca定位在第二显示区域da2正上方，但是实施例不限于此。例如，辅助像素电路pca可以定位在第一显示区域da1(在-x方向上)的左侧或第一显示区域da1(在 x方向上)的右侧上。
165.当电连接到定位在第二显示区域da2中的辅助子像素pa的辅助像素电路pca定位在非显示区域nda中时，如上所述，辅助像素电极221a可以通过连接线twl连接到定位在非显示区域nda中的辅助像素电路pca。
166.根据一些实施例，参照图17，连接线twl可以包括与辅助像素电路pca的源电极s1相同的材料，并且可以具有与源电极s1相同的层结构。换句话说，可以通过将非显示区域nda中的源电极s1从非显示区域nda延伸到第二显示区域da2来形成连接线twl。连接线twl不限于上述示例，而是可以包括多条连接线。当多条连接线布置在不同层上时，多条连接线可以经由接触孔彼此连接。连接线twl可以包括与辅助像素电极221a不同的材料，并且可以具有与辅助像素电极221a不同的层结构。
167.根据如上所述的一些实施例，可以提供一种包括具有改善的透射率的透射区域的显示设备及制造该显示设备的方法。当然，公开的范围不限于此。
168.应当理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求以及将包括在此的其功能等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。