一种半导体功率芯片的清洗方法与流程

技术特征：
1.一种半导体功率芯片的清洗方法，设置于cp测试步骤前，其特征是：包括去除打火清洗步骤，所述去除打火清洗步骤具体为：步骤一：将半导体功率芯片置于a槽中的纯ekc清洗液中清洗；步骤二：将步骤一中在a槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于a1槽中的纯ekc清洗液中清洗；步骤三：将步骤二中在a1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于b槽中的纯ipa清洗液中清洗；步骤四：将步骤三中在b槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于b1槽中的纯ipa清洗液中清洗；步骤五：将步骤四中在b1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤一，半导体功率芯片在a槽纯ekc清洗液中清洗时长为5-10min。3.根据权利要求2所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤一，半导体功率芯片在a槽纯ekc清洗液中清洗时长为10min。4.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤二，半导体功率芯片在a1槽纯ekc清洗液中清洗时长为5-10min。5.根据权利要求4所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤二，半导体功率芯片在a1槽纯ekc清洗液中清洗时长为10min。6.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤三与步骤四，半导体功率芯片在b槽和b1槽纯ipa清洗液中清洗时长均为5min。7.一种半导体功率芯片的制作流程，包括如权利要求1-6中任一项所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：所述去除打火清洗前设置有s1前端工序、s2金属溅射、s3金属蚀刻、s4金属去胶ekc、s5正面合金、s6减薄；所述去除打火清洗后设置有s7背金前清洗、s8背金蒸发、s9 cp测试。8.根据权利要求7所述的一种半导体功率芯片的制作流程，其特征是：所述s4金属去胶ekc具体步骤为：s41：将s3金属蚀刻后的半导体功率芯片置于c槽中的纯ekc清洗液中清洗；s42：将s41中在c槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于c1槽中的纯ekc清洗液中清洗；s43：将s42中在c1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于d槽中的纯ipa清洗液中清洗；s44：将s43中在d槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于d1槽中的纯ipa清洗液中清洗；s45：将s44中在d1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。9.根据权利要求8所述的一种半导体功率芯片的制作流程，其特征是：s41与s42中，半导体功率芯片在c槽和c1槽纯ekc清洗液中清洗时长均为30min。10.根据权利要求8所述的一种半导体功率芯片的制作流程，其特征是：s43与s44中，半导体功率芯片在d槽和d1槽纯ipa清洗液中清洗时长均为5min。

技术总结
本发明公开了一种半导体功率芯片的清洗方法，涉及半导体清洗技术领域，解决了半导体功率芯片表面颗粒、表面污染物清洗不彻底，进行高压测试时，会造成电压击穿或尖端放电，造成管芯打火的异常现象的问题。其技术方案要点是：通过在CP测试步骤前增设去除打火清洗步骤，该步骤包括2次纯EKC清洗液清洗、2次纯IPA清洗液清洗，用水冲洗，达到了增强清洗半导体功率芯片表面的污染物和颗粒的清洗质量，进而提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。压击穿等带来的打火现象的目的。压击穿等带来的打火现象的目的。


技术研发人员：陈建鹏
受保护的技术使用者：四川广义微电子股份有限公司
技术研发日：2021.12.02
技术公布日：2022/3/18