阴极、有机发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种用于有机发光二极管的阴极，其特征在于，所述阴极为由多层石墨烯片层堆叠而成的石墨烯叠层，每层所述石墨烯片层的厚度范围为0.332nm至0.357nm中的任意一个数值，所述石墨烯片层堆叠而成的层数为35层至55层中的任意一个整数，所述阴极的功函数为2.5ev至3ev中的任意一个数值。2.如权利要求1所述的用于有机发光二极管的阴极，其特征在于，所述阴极的厚度选自15nm至20nm中的任意一个数值。3.一种用于有机发光二极管的阴极的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：采用氧化还原法制备石墨烯材料；对所述石墨烯材料进行沉积，得到由多层石墨烯片层堆叠而成的石墨烯叠层，以作为有机发光二极管的阴极；其中，每层所述石墨烯片层的厚度范围为0.332nm至0.357nm中的任意一个数值，所述石墨烯片层堆叠而成的层数为35层至55层中的任意一个整数，所述阴极的功函数为2.5ev至3ev中的任意一个数值。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯材料的制备方法包括如下步骤：将天然石墨与氧化剂反应生成氧化石墨，经过超声分散后制成单层氧化石墨，加入还原剂以去除所述单层氧化石墨表面的含氧基团，得到所述石墨烯材料。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氧化剂包括强氧化性物质和强酸；所述强氧化性物质包括：高锰酸钾、过氧化氢或kclo4；所述强酸包括：浓硫酸或发烟hno3；和/或所述还原剂包括：二甲基肼、水合肼、硼氢化钠或氢碘酸；和/或所述含氧基团包括羧基、环氧基和羟基。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述阴极的厚度选自15nm至20nm中的任意一个数值。7.一种有机发光二极管，其特征在于，其包括：从下至上依次设置的基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和封盖层；其中，所述阴极层为由多层石墨烯片层堆叠而成的石墨烯叠层，每层所述石墨烯片层的厚度范围为0.332nm至0.357nm中的任意一个数值，所述石墨烯片层堆叠而成的层数为35层至55层中的任意一个整数，所述阴极的功函数为2.5ev至3ev中的任意一个数值。8.如权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阳极层的厚度为25nm至55nm的范围内的任意一个数值；和/或所述空穴注入层的厚度范围为20nm至40nm中的任意一个数值；和/或所述空穴传输层的厚度范围为15nm至35nm中的任意一个数值；和/或所述发光层的厚度为12nm至45nm的范围内的任意一个数值；和/或所述电子传输层的厚度范围为3nm至15nm中的任意一个数值；和/或所述阴极层的厚度选自15nm至20nm中的任意一个数值。9.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：从下至上依次形成基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层；在惰性气氛中，将石墨烯材料逐层沉积于所述电子传输层的上表面，每沉积一层便形成一层石墨烯片层，依次沉积多层石墨烯片层，得到由多层石墨烯片层堆叠而成的阴极层；
在所述阴极层上形成封盖层，封装后，得到有机发光二极管；其中，每层所述石墨烯片层的厚度范围为0.332nm至0.357nm中的任意一个数值，所述石墨烯片层堆叠而成的层数为35层至55层中的任意一个整数，所述阴极层的功函数为2.5ev至3ev中的任意一个数值。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述阴极的厚度选自15nm至20nm中的任意一个数值。

技术总结
本申请的一些实施例公开了一种阴极、有机发光二极管及其制备方法。该阴极为石墨烯阴极。石墨烯具有较高的透光率、较佳的可折叠性、抗水氧腐蚀性以及较高的导电性，作为叠层石墨烯阴极后，本申请的各个实施例中的有机发光二极管的出光效果、抗弯折性和导电性均优于现有技术的仅采用纯金属阴极或者金属合金阴极的有机发光二极管，故本申请的各个实施例的阴极特别适用于有机顶发光二极管。特别适用于有机顶发光二极管。特别适用于有机顶发光二极管。


技术研发人员：李鑫
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2022/3/18