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功能器件以及功能器件的制造方法与流程

2022-03-19 18:42:56 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种功能器件,具备:隔堤,在表面部具有疏液部以及与所述疏液部相比疏液性小的低疏液部;第1功能层,位于由所述隔堤规定的区域,并且与所述疏液部相接;和第2功能层,与所述低疏液部相接,并且覆盖所述第1功能层。2.根据权利要求1所述的功能器件,其中,所述疏液部的氟原子的浓度比所述低疏液部的氟原子的浓度高。3.根据权利要求2所述的功能器件,其中,所述疏液部的氟原子的浓度为5atom%以上且10atom%以下,所述低疏液部的氟原子的浓度为0atom%以上且低于5atom%。4.根据权利要求1所述的功能器件,其中,所述疏液部的硅原子的浓度比所述低疏液部的硅原子的浓度高。5.根据权利要求4所述的功能器件,其中,所述疏液部的硅原子的浓度为5atom%以上且10atom%以下,所述低疏液部的硅原子的浓度为0atom%以上且低于5atom%。6.根据权利要求1至5中任一项所述的功能器件,其中,所述疏液部相对于作为所述第1功能层的材料的墨液的接触角为20度以上且70度以下,所述低疏液部相对于作为所述第2功能层的材料的墨液的接触角为0度以上且30度以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功能器件,其中,所述低疏液部的表面的粗糙度比所述疏液部的表面的粗糙度大。8.根据权利要求1至7中任一项所述的功能器件,其中,所述第1功能层包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及有机半导体层之中的一个以上的层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的功能器件,其中,所述第2功能层包含电极层、密封层以及保护层之中的一个以上的层。10.一种功能器件的制造方法,包括:在基板形成隔堤的步骤;形成第1功能层的步骤,所述第1功能层位于由所述隔堤规定的区域,并且与所述隔堤的表面部的疏液部相接;在所述表面部的一部分形成低疏液部的步骤,所述低疏液部与所述疏液部相比疏液性相对小;和形成第2功能层的步骤,所述第2功能层与所述低疏液部相接,并且覆盖所述第1功能层。11.根据权利要求10所述的功能器件的制造方法,其中,所述疏液部包含含有氟原子或者硅原子的疏液性成分,形成所述低疏液部的步骤是使所述疏液部中包含的疏液性成分的浓度减少而由所述疏液部的一部分生成所述低疏液部的步骤。12.根据权利要求11所述的功能器件的制造方法,其中,
形成所述低疏液部的步骤是对所述疏液部的一部分进行等离子照射的步骤。13.根据权利要求11所述的功能器件的制造方法,其中,形成所述低疏液部的步骤是对所述疏液部的一部分进行紫外光的照射的步骤。14.根据权利要求11所述的功能器件的制造方法,其中,形成所述隔堤的步骤包含在所述表面部形成所述疏液部的步骤,形成所述低疏液部的步骤是将形成了所述隔堤以及所述第1功能层的所述基板容纳于容纳部,并对所述隔堤进行加热且减小容纳部的真空度的步骤。15.根据权利要求10所述的功能器件的制造方法,其中,形成所述隔堤的步骤包含在所述表面部形成所述疏液部的步骤,形成所述低疏液部的步骤是削去所述疏液部的一部分而使所述隔堤的内部露出的步骤。16.根据权利要求15所述的功能器件的制造方法,其中,形成所述低疏液部的步骤是通过喷砂来削去所述疏液部的一部分的步骤。17.根据权利要求15所述的功能器件的制造方法,其中,形成所述低疏液部的步骤是通过机械研磨来削去所述疏液部的一部分的步骤。

技术总结
本发明提供一种功能器件以及功能器件的制造方法。功能器件(100)具备:隔堤(130),在表面部(131)具有疏液部(132)以及与所述疏液部(132)相比疏液性小的低疏液部(134);第1功能层(140),位于由所述隔堤(130)规定的区域,并且与所述疏液部(132)相接;和第2功能层(150),与所述低疏液部(134)相接,并且覆盖所述第1功能层(140)。能层(140)。能层(140)。


技术研发人员:中谷修平 吉田英博
受保护的技术使用者:松下知识产权经营株式会社
技术研发日:2021.08.18
技术公布日:2022/3/18
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