一种提升DUV光源的波段选择性的产生方法与流程

技术特征：
1.一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤一：通过抽真空组件对石英管(1)内部进行抽真空,充气组件对抽真空后的石英管(1)内部进行填充气体；步骤二：打开高压脉冲电源，在高压电极(2)上形成脉冲电压和强电场，强电场将石英管(1)内的气体分子或原子激发；步骤三：气体分子或原子激发形成一道高速移动的电离波并向低压电极(3)端运动形成等离子体区域；步骤四：等离子体区域中的激发态分子在退激过程中会形成大量的光辐射，从而形成duv光源。2.根据权利要求1所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述石英管(1)两端分别设置有高压电极(2)和低压电极(3)，石英管(1)上连接有抽真空组件和充气组件。3.根据权利要求2所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述抽真空组件包括真空泵(17)，真空泵(17)通过出气总管(7)与石英管(1)的出气口(5)相连通。4.根据权利要求3所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述出气总管(7)上设置有控制管路通断的气阀(16)。5.根据权利要求2所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述充气组件包括第一气罐(10)和第二气罐(11)，第一气罐(10)和第二气罐(11)均通过进气总管(6)与石英管(1)的进气口(4)相连通。6.根据权利要求2所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述石英管(1)外侧设置有连接同轴电缆的外层屏蔽网的外屏蔽层(18)。7.根据权利要求6所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述外屏蔽层(18)内侧均匀分布有用于温度调控的电热管(19)。8.根据权利要求2所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述高压电极(2)和低压电极(3)结构相同。9.根据权利要求8所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述低压电极(3)包括电极座(31)，电极座(31)一端设置有与石英管(1)相连的铜芯(32)，电极座(31)另一端设置有安装孔(33)。10.根据权利要求9所述的一种提升duv光源的波段选择性的产生方法，其特征在于，所述安装孔(33)上设置有用于锁紧与电源连接接头的锁紧组件(34)。

技术总结
本发明公开了一种提升DUV光源的波段选择性的产生方法，包括以下步骤:步骤一：将生产DUV的产生装置组装完成；步骤二：通过抽真空组件对石英管内部进行抽真空；步骤三：通过充气组件对石英管内部进行填充气体步骤四：打开高压脉冲电源，在高压电极上形成脉冲电压和强电场；步骤五：强电场将管内的气体分子或原子激发，形成一道高速移动的电离波并向低压端运动；步骤六：电离波在运动的过程中，形成含有大量激发态分子原子和离子的等离子体区域；步骤七：等离子体区域中的激发态分子在退激过程中会形成大量的光辐射，从而形成DUV光源；本发明可以极大的减少试错成本，提升DUV光源的波段选择性。选择性。选择性。


技术研发人员：朱益飞
受保护的技术使用者：中国人民解放军空军工程大学
技术研发日：2021.11.11
技术公布日：2022/3/18