阻气膜和阻气膜的制造方法与流程

1.本发明涉及阻气膜和阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜适用于食品、药品、精密电子部件等的包装。
2.本技术要求基于2019年8月2日在日本提出的特愿2019-143284号的优先权，其内容援引在此。


背景技术：

3.在食品、非食品、药品等的包装所使用的包装材料中，从抑制内容物的变质并保持它们的功能和性质的观点来看，要求其具有阻气性，即阻挡透过包装材料的氧、水蒸气、其他使内容物变质的气体。
4.作为具有阻气性的包装材料，已知有：使用受温度、湿度等影响小的铝等金属箔作为阻气层的阻气膜。
5.作为阻气膜的其他构成，已知有：通过真空蒸镀或溅射等，在由高分子材料形成的基材膜上形成氧化硅、氧化铝等无机氧化物蒸镀膜而成的膜(例如参照专利文献1)。这些阻气膜具有透明性以及对氧、水蒸气等的气体阻挡性。
6.作为基材膜，经常使用由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)制成的膜。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开昭60-49934号公报


技术实现要素：

10.发明所要解决的课题
11.近年来，从抑制对环境的负荷的观点来看，对使用了聚丙烯(pp)或聚乙烯(pe)制基材膜的阻气膜的需求不断增加。专利文献1也记载了可以使用pp或pe制的基材膜。
12.但是，根据发明人的研究表明，仅在pp或pe制基材膜上形成阻隔层的阻气膜实际上可能对煮沸或蒸煮等热水处理不具有足够的耐受性。
13.鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种对热水处理的耐受性高且环境负荷也得以抑制了的阻气膜及其制造方法。
14.用于解决课题的手段
15.本发明的第一方式涉及的阻气膜具备：以聚乙烯或聚丙烯为主要成分的基材；形成在基材上的阻气层；以及形成在所述阻气层上的被覆层，在所述基材中，形成所述阻气层的一侧的表面的氧与碳的元素构成比o/c为0.03以上。
16.在本发明的第二方式涉及的阻气膜的制造方法中，对以聚乙烯或聚丙烯为主要成分的基材的表面进行处理，以使所述表面中的氧与碳的元素构成比o/c为0.03以上，在所述表面上形成阻气层，并且在所述阻气层上形成被覆层。
17.发明效果
18.根据本发明，可以提供一种对热水处理的耐受性高且环境负荷也得以抑制了的阻气膜。
附图说明
19.[图1]为本发明的一个实施方式涉及的阻气膜的示意性剖面图。
[0020]
[图2]为本发明的实施例和比较例的c1s光谱。
[0021]
[图3]为本发明的实施例和比较例的o1s光谱。
具体实施方式
[0022]
以下，参照图1对本发明的一个实施方式进行说明。
[0023]
图1为本实施方式涉及的阻气膜1的示意性剖面图。阻气膜1具备：基材10、阻气层30、被覆层40、粘接剂层50、以及密封剂层60。
[0024]
为了抑制环境负荷，基材10以pp、pe、及聚苯乙烯(ps)中的任一者为主要成分。这3种树脂可以单独使用，也可以使用2种以上。
[0025]
从赋予耐热性、机械强度、尺寸稳定性等观点来看，形成基材10的合成树脂优选为单独聚合而得的均聚物。此外，从赋予基材10热封性和柔软性的观点来看，也可以使用使乙烯或1-丁烯等共聚而得的共聚物或三元共聚物。
[0026]
基材10可以是未拉伸膜、拉伸膜中的任一者。在使用拉伸膜的情况下，对拉伸倍率没有特别的限制。
[0027]
对基材10的厚度没有特别的限制。考虑到包装材料的用途等，基材10可以是单层膜或者将不同性质的膜层叠而得的多层膜等。当考虑形成阻气层30、被覆层40等时的加工性时，在实际应用中，基材10的厚度优选在3～200μm的范围内、特别优选在6～30μm的范围内。
[0028]
形成在基材10上的后述的阻气层30和被覆层40等各层可以形成在基材10的一个面上，也可以形成在基材10的两面上。各层可以形成在基材10的单面上，并在相反侧的表面上涂布已知的各种添加剂或稳定剂，例如抗静电剂、防紫外线剂、增塑剂、润滑剂等。
[0029]
在基材10中，通过表面处理，使得至少在形成阻气层30一侧的表面10a(以下也称为第1表面10a)上氧与碳的元素构成比o/c为0.03以上。在以上述材料为主要成分的基材10中，在不进行表面处理的情况下，o/c至少小于0.03，并且几乎为零，但是通过进行表面处理，o/c成为0.03以上。
[0030]
发明人发现：当将基材10表面的o/c设为0.03以上之后形成阻气层30时，基材10与阻气层30的密合性表现出对热水处理的高耐受性。对于该详细情况将在后面进行叙述。
[0031]
基材10表面的o/c可以通过使用x射线光电子能谱的测定(xps测定(x-ray photoelectron spectroscopy))来进行测定。xps测定可以分析距被测物质表面数nm深度区域内的原子种类和浓度、与被测物质的原子结合的原子种类和结合状态，从而可以求出元素比率、官能团比率等。
[0032]
在本实施方式涉及的阻气膜中，在存在厚度为5～100nm的阻气层30的状态下，无法对基材10的表面进行xps测定。可以考虑通过氩离子蚀刻除去阻气层后进行测定，但是由于基材10的表面也会被刮掉，因此测定结果很可能是无意义的。
[0033]
因此，在本发明的o/c测定中，通过其他方法除去阻气层30后进行xps测定。即，当将阻气膜1浸渍在含有弱碱性胺类的处理水中时，可以在不削掉基材10的表面的情况下除去阻气层30。
[0034]
处理水中所含的水没有特别的限制，可以是自来水、离子交换水、蒸馏水等任意一者。作为弱碱性胺类，可以示例出：氨、三乙醇胺、三甲醇胺、二乙醇胺、三乙胺、三甲胺等，也可以包含这些中的2种以上。弱碱性胺类的浓度优选在0.01％～10％的范围内。当小于0.01％时，需要较长的时间除去阻气层30。当超过10％时，可能会污染基材10的表面，破坏丙烯结构。
[0035]
浸渍条件例如可以设为50℃以上、5分钟。
[0036]
阻气层30是含有无机物、无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物中的至少一者的层，是对氧、水蒸气等预定气体表现出阻隔性的层。作为成为阻气层30的材料的无机物，可以示例出：铝、硅、镁、锆、钛、铌等。此外，阻气层30也可以含有铝、氧化铝、氧化硅、或含碳的氧化硅中的任一者。
[0037]
阻气层30可以是透明的，也可以是不透明的。
[0038]
阻气层30的厚度根据所使用的无机化合物的种类/构成/成膜方法而不同，但是通常在3～300nm的范围内适当设定。当阻气层30的厚度小于3nm时，可能无法获得均匀的膜或者膜厚可能不足，从而无法充分地发挥作为阻气层的功能。当阻气层30的厚度超过300nm时，阻气层30变硬，成膜后因弯曲、拉伸等外部因素，可能会在阻气层30中产生龟裂而失去阻隔性。因此，阻气层30的厚度优选在6～150nm的范围内。
[0039]
对阻气层30的形成方法没有限制，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、离子束法、等离子体气相沉积法(cvd)等。当将等离子体辅助法和离子束辅助法等进行组合时，形成致密的阻气层，从而可以提高阻隔性和密合性。
[0040]
通过被覆层40可以进一步提高阻气层30的阻隔性。被覆层40是通过使用以包含(1)1种以上的金属醇盐或其水解物、以及(2)水溶性高分子的水溶液或水/醇混合溶液为主剂的涂布剂而形成的。例如，在用水系(水或水/醇混合)溶剂溶解水溶性高分子而得的溶液中直接混合金属醇盐或者混合使金属醇盐预先进行水解等处理而得的醇盐以制备涂布剂。将该涂布剂涂布在阻气层30上后进行干燥，可以形成被覆层40。
[0041]
对用于形成被覆层40的涂布剂中所包含的各成分进行更详细地说明。
[0042]
作为涂布剂所使用的水溶性高分子，可以示例出：聚乙烯醇(pva)、聚乙烯吡咯烷酮、淀粉、甲基纤维素、羧甲基纤维素、海藻酸钠等。特别是，当使用pva时，可以获得优异的阻气性，因此优选。pva通常是将聚乙酸乙烯酯皂化而得到的。残留有几十％的乙酸基的所谓的部分皂化pva、仅残留有几％的乙酸基的完全pva均可以用作pva。也可以使用两者中间的pva。
[0043]
涂布剂所使用的金属醇盐是由通式m(or)n(m：si、al金属、r：ch3、c2h5等烷基)表示的化合物。具体而言，可以示例出：四乙氧基硅烷{si(oc2h5)4}、三异丙氧基铝al{och(ch3)2}3等。作为硅烷偶联剂，可以示例出：3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷等具有环氧基的化合物、3-氨基丙基三甲氧基硅烷等具有氨基的化合物、3-巯基丙基三甲氧基硅烷等具有巯基的化合物、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等具有异氰酸酯基的化合物、三-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)异氰脲酸酯等。
[0044]
对涂布剂的涂布方法没有限制，可以适当地选择通常所使用的浸渍法、辊涂法、丝网印刷法、喷涂法、凹版印刷法等常规已知的方法。
[0045]
被覆层40的厚度没有特别的限制，根据涂布剂的组成和涂布条件等而不同。但是，在被覆层40干燥后的膜厚为0.01μm以下的情况下，无法形成均匀的涂膜，从而可能无法获得充分的阻气性。在干燥后的膜厚超过50μm的情况下，在被覆层40中容易产生裂纹。因此，被覆层40的合适厚度在(例如)0.01～50μm的范围内。被覆层40的最佳厚度在(例如)0.1～10μm的范围内。
[0046]
密封剂层60是在使用阻气膜1形成袋状包装体等时通过热熔接而接合的层。作为密封剂层60的材料，可以示例出：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物以及它们的金属交联物等树脂材料。密封剂层60的厚度可以根据目的来确定，但是例如在15～200μm的范围内。
[0047]
粘接剂层50将密封剂层60与被覆层40接合在一起。通过使用粘接剂层50，可以通过干式层压法将作为密封剂层60的树脂膜与形成有阻气层30和被覆层40的基材10粘合在一起。作为粘接剂层50的材料，可以示例出二液固化型聚氨酯类粘接剂。
[0048]
可以将印刷层、中间膜、密封剂层等层叠在被覆层40上以作为包装材料。
[0049]
对具有上述构成的本实施方式的阻气膜1的制造方法进行说明。
[0050]
首先，对基材10的一个表面(第1表面10a)进行表面处理，以使处理面的o/c为0.03以上(第一工序)。通过第一工序，在基材10的处理面上形成大量的co键、coo键等含氧键。
[0051]
接着，通过适当的方法在处理面上形成阻气层30(第二工序)。在第二工序中，作为阻气层30的材料的无机化合物与存在于基材10的处理面上的含氧键牢固地结合在一起。其结果，阻气层30与基材10表现出高的密合性。
[0052]
接着，将上述涂布剂涂布在阻气层30上并干燥，以在阻气层上形成被覆层40(第三工序)。
[0053]
进一步，在被覆层40上涂布粘接剂，并贴合作为密封剂层60的树脂膜(第四工序)，阻气膜1完成。
[0054]
在如上述那样构成的阻气膜1中，由于在基材10的表面(第1表面10a)上存在羟基或羧基等，基材10与阻气层30之间形成氢键或共价键等化学键，因此即使进行热水处理后密合性也难以降低。其结果，良好地保持了基材10与阻气层30的密合状态。
[0055]
使用实施例和比较例进一步对本实施方式的阻气膜进行说明。本发明不受实施例和比较例的具体内容的任何限制。
[0056]
(实施例1)
[0057]
使用由均聚物制成的聚丙烯膜(厚度20μm)作为基材10。在真空装置内，通过辉光放电(功率230w)对基材10的一个表面(第1表面10a)进行等离子体处理。气氛设为氧气(10pa)。
[0058]
接下来，在同一真空装置内，一边导入氧气一边蒸发铝，通过电子束蒸镀法形成由氧化铝制成的阻气层30(厚度10nm)。
[0059]
至此制作了多个样品膜，在80℃下将其中一个浸渍在添加有1.0wt％的三乙醇胺的蒸馏水中5分钟，除去阻气层后，对基材的处理面(第1表面10a)进行xps测定(后述)。
[0060]
在其余的样品膜的阻气层30上，通过凹版涂布法涂布将下述(1)液和(2)液以6:4的重量比混合而得的涂布剂并干燥，从而形成了厚度为0.4μm的被覆层40。
[0061]
(1)液：在10.4g四乙氧基硅烷中加入89.6g盐酸(0.1n)，搅拌30分钟使其水解后的固体成分为3wt％(sio2换算)的水解溶液
[0062]
(2)液：3wt％聚乙烯醇溶液(溶剂为水/异丙醇(水：异丙醇重量比为90：10))
[0063]
最后，使用二液固化型聚氨酯类粘接剂，通过干式层压法将作为密封剂层60的未拉伸聚丙烯膜(厚度70μm)贴合在被覆层40上，从而得到了实施例1的阻气膜。
[0064]
(实施例2)
[0065]
除了将蒸镀材料设为sio、并且形成了含有氧化硅的厚度为30nm的阻气层30以外，与实施例1同样地制作了实施例2的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0066]
(实施例3)
[0067]
除了将蒸镀材料设为六甲基二硅氧烷(hmdso)、并且通过等离子体形成了含有含碳氧化硅的厚度为30nm的阻气层30以外，与实施例1同样地制作了实施例3的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0068]
(实施例4)
[0069]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为350w以外，与实施例1同样地制作了实施例4的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0070]
(实施例5)
[0071]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为350w以外，与实施例2同样地制作了实施例5的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0072]
(实施例6)
[0073]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为350w以外，与实施例3同样地制作了实施例6的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0074]
(实施例7)
[0075]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为470w以外，与实施例1同样地制作了实施例7的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0076]
(实施例8)
[0077]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为470w以外，与实施例2同样地制作了实施例8的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0078]
(实施例9)
[0079]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为470w以外，与实施例3同样地制作了实施例9的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0080]
(实施例10)
[0081]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为930w以外，与实施例1同样地制作了实施例10的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0082]
(实施例11)
[0083]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为930w以外，与实施例2同样地制作了实施例11的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0084]
(实施例12)
[0085]
除了将表面处理中的等离子体处理的功率设为930w以外，与实施例3同样地制作了实施例12的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0086]
(实施例13)
[0087]
除了使用含有乙烯的聚丙烯膜(共聚物)作为基材以外，与实施例1同样地制作了实施例13的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0088]
(实施例14)
[0089]
除了使用含有乙烯的聚丙烯膜(共聚物)作为基材以外，与实施例2同样地制作了实施例14的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0090]
(实施例15)
[0091]
除了使用含有乙烯的聚丙烯膜(共聚物)作为基材以外，与实施例3同样地制作了实施例15的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0092]
(实施例16)
[0093]
除了使用含有乙烯和1-丁烯的聚丙烯膜(三元共聚物)作为基材以外，与实施例1同样地制作了实施例16的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0094]
(实施例17)
[0095]
除了使用含有乙烯和1-丁烯的聚丙烯膜(三元共聚物)作为基材此外，与实施例2同样地制作了实施例17的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0096]
(实施例18)
[0097]
除了使用含有乙烯和1-丁烯的聚丙烯膜(三元共聚物)作为基材以外，与实施例3同样地制作了实施例18的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0098]
(实施例19)
[0099]
除了使用低密度聚乙烯膜(厚度25μm)作为基材以外，与实施例2同样地制作了实施例19的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0100]
(实施例20)
[0101]
除了使用高密度聚乙烯膜作为基材以外，与实施例19同样地制作了实施例20的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0102]
(实施例21)
[0103]
除了使用含有1-丁烯的高密度聚乙烯膜(共聚物)作为基材以外，与实施例19同样地制作了实施例20的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0104]
(比较例1)
[0105]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例1同样地制作了比较例1的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0106]
(比较例2)
[0107]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例2同样地制作了比较例2的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0108]
(比较例3)
[0109]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例3同样地制作了比较例3的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0110]
(比较例4)
[0111]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例13同样地制作了比较例4的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0112]
(比较例5)
[0113]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例14同样地制作了比较例5的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0114]
(比较例6)
[0115]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例15同样地制作了比较例6的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0116]
(比较例7)
[0117]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例16同样地制作了比较例7的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0118]
(比较例8)
[0119]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例17同样地制作了比较例8的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0120]
(比较例9)
[0121]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例18同样地制作了比较例9的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0122]
(比较例10)
[0123]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例19同样地制作了比较例10的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0124]
(比较例11)
[0125]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例20同样地制作了比较例11的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0126]
(比较例12)
[0127]
除了不对基材进行表面处理以外，与实施例21同样地制作了比较例12的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0128]
(比较例13)
[0129]
除了在不含氧的氩气气氛下对基材进行表面处理以外，与实施例10同样地制作了比较例13的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0130]
(比较例14)
[0131]
除了在不含氧的氩气气氛下对基材进行表面处理以外，与实施例11同样地制作了比较例14的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0132]
(比较例15)
[0133]
除了在不含氧的氩气气氛下对基材进行表面处理以外，与实施例12同样地制作了比较例15的阻气膜。xps测定也以相同的步骤进行。
[0134]
关于包含xps测定的各评价项目的内容如下所述。
[0135]
(基材表面的xps测定)
[0136]
通过x射线光电子能谱装置对各样品的基材10的第1表面10a进行测定。使用日本电子株式会社制造的jps-9010mx作为x射线光电子能谱装置。x射线源使用非单色mg kα
(1253.6ev)，功率设为100w(10kv-10ma)。
[0137]
在定量分析中，使用o1s下的2.28、c1s下的1.00的相对灵敏度因子进行计算。使用高斯函数和洛伦兹函数的混合函数对c1s波形进行波形分离分析，通过将来自苯环的c-c键峰值设为285.0ev来进行带电校正。
[0138]
在所得到的o1s光谱中，画出连接529ev和536ev处的曲线的基线，计算出光谱和基线所包围的部分的面积。在c1s光谱中，画出连接282ev和288ev处的曲线的基线，计算出光谱和基线所包围的部分的面积。基于各个的面积值计算出各例的o/c比。
[0139]
xps测定都是在除去了阻气层后露出的表面上进行的。
[0140]
图2示出实施例1和比较例1的c1s光谱，图3示出实施例1和比较例1的o1s光谱。
[0141]
(热水处理后的阻气层密合性评价)
[0142]
将2张各例子的阻气膜以密封剂层60相对的方式重叠，通过热熔接将三边接合，从而制作了各例的小袋(包装容器)。将水作为内容物填充在各例子的小袋中，然后通过热熔接来密封开口的一边。然后，作为热水处理，进行蒸煮杀菌处理(121℃ 30分钟)或煮沸处理(98℃ 30分钟)。
[0143]
热水处理后，根据jis z1707从与各例子的小袋中的内容物接触的部位切下试验片，使用
“オリエンテック
社
テンシロン”
万能试验机rtc-1250进行测定，测定了基材10与阻气层30的剥离强度作为密合性的指标。分别在常态(dry)和测定部位湿润(wet)的状态下进行t形剥离和180
°
剥离2种测定。
[0144]
(热水处理后的阻气性能评价)
[0145]
制作通过上述步骤所制作的各例子的小袋并进行热水处理后，打开小袋以评价阻气膜的氧透过率(单位：cc/m2·
天
·
atm、测定条件：30℃-70％rh)、以及水蒸气透过率(单位：g/m2·
天、测定条件：40℃-90％rh)。
[0146]
结果示于表1。
[0147][0148]
实施例的阻气膜的处理面的o/c均为0.03以上，即使进行热水处理后也保持基材与阻气层的高密合性。更详细而言，即使在98℃以上的温度下进行30分钟以上的热水处理后，在常态(dry)和测定部位湿润(wet)状态下，基材与阻气层的剥离强度(t形剥离的剥离
强度和180
°
剥离的剥离强度)也为1n/15mm以上，表明该2层之间具有高密合性。此外，即使在热水处理后也表现出良好的阻气性能。
[0149]
另一方面，比较例的阻气膜的基材表面的o/c均小于0.03。在任何测定条件下，比较例的阻气膜的基材与阻气层的剥离强度都小于1n/15mm，热水处理后的阻气层与基材的密合性显著降低，从而容易产生分层。热水处理后的阻气性能也普遍较低。
[0150]
通常认为，当基材的表面粗糙度增加时，与其上所形成的阻气层的密合性因锚定效应而得以提高。但是，在比较例13至15中，尽管通过等离子体处理增加了基材的表面粗糙度，但是也无法抑制热水处理后的阻气层的密合性的降低。
[0151]
由此可以看出，在使用如本实施方式的基材那样的对环境负荷小的基材来形成阻气膜的情况下，基材表面的含氧键对基材与阻气层的密合性以及阻气性的热水处理耐受性起到了重要的作用。这是本发明首次明确的发现。
[0152]
以上，对本发明的一个实施方式和实施例进行了说明，但是具体的构成不限于该实施方式，还包括在不脱离本发明的主旨范围内的构成的改变、组合等。
[0153]
例如，在本发明的阻气膜中，阻气层和被覆层也可以设置在基材的两侧。在这种情况下，在基材两侧的表面上，氧与碳的元素构成比o/c可以为0.03以上。
[0154]
此外，在本发明的阻气膜中，可以在适当的位置设置印刷层。此外，可以在被覆层上设置中间膜以赋予阻气膜耐针孔性、耐寒性、耐热性、耐落袋性、耐撕裂性等所期望的物性。
[0155]
进一步，在本发明的阻气膜中，粘接层或密封剂层不是必需的。即，考虑到阻气膜的具体用途等，根据需要设置粘接层或密封剂层即可。
[0156]
符号说明
[0157]
1 阻气膜
[0158]
10 基材
[0159]
10a 表面(第1表面)
[0160]
30 阻气层
[0161]
40 被覆层
[0162]
50 粘接剂层
[0163]
60 密封剂层