驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种驱动电路，用于驱动激光二极管，其特征在于，具备：gan-fet，所述gan-fet的源极与所述激光二极管的阳极连接，所述gan-fet的漏极与所述激光二极管的电力源连接；栅极驱动电路，具有正侧电压端口、负侧电压端口、输入端口以及输出端口，在规定电平的信号输入到所述输入端口的情况下，从所述输出端口输出向所述正侧电压端口输入的输入电压，所述输出端口、所述负侧电压端口分别与所述gan-fet的栅极、所述gan-fet的源极连接；电容器，配置在所述栅极驱动电路的所述正侧电压端口与所述负侧电压端口之间；二极管，以切断从所述正侧电压端口流向输出小于所述gan-fet的vgs耐压的电压的vdd电源的电流的方向插入到将所述栅极驱动电路的所述正侧电压端口与所述vdd电源连接的电源线；以及半导体开关，用于导通或断开所述gan-fet的源极与接地之间的连接。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还具备控制电路，所述控制电路在进行了用于使所述半导体开关仅在第一规定时间的期间导通的控制之后，仅在第二规定时间的期间向所述栅极驱动电路的所述输入端口供给所述规定电平的信号。

技术总结
驱动电路(1)具备：GaN-FET(FET#1)，源极(S)与LD(31)的阳极连接，漏极(D)与LD(31)的电力源(25)连接；栅极驱动电路(11)，在输入规定电平的信号时，从输出端口(11o)输出向正侧电压端口(11p)输入的输入电压，输出端口(11o)、负侧电压端口(11n)分别与GaN-FET(FET#1)的栅极(G)、源极(S)连接；电容器(13)，配置在栅极驱动电路(11)的正侧电压端口(11p)与负侧电压端口(11n)之间；二极管(15)，以切断从正侧电压端口(11p)流向输出小于GaN-FET(FET#1)的Vgs耐压的电压的VDD电源的电流的方向插入到将栅极驱动电路(11)的正侧电压端口(11p)与上述VDD电源连接的电源线；以及半导体开关(FET#2)，配置在GaN-FET(FET#1)的源极(S)与接地之间。FET(FET#1)的源极(S)与接地之间。FET(FET#1)的源极(S)与接地之间。


技术研发人员：矢和田将贵 宫原千纮
受保护的技术使用者：欧姆龙株式会社
技术研发日：2020.07.28
技术公布日：2022/3/18