高介电常数5G波导用微波介质陶瓷及其制备方法和应用与流程

技术特征：
1.一种高介电常数5g波导用微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷是由以下摩尔百分比的氧化物组分组成：bao 10％～15％、tio
2 60％～70％、sm2o35％～10％、bi2o
3 5％～10％、la2o
3 5％～10％和mno
2 0.5％～1％；该微波介质陶瓷包括基础晶相和降烧晶相，所述基础晶相的组成表达式为ba
6-3x
(sm
y
la
1-y
)
8 2x
(ti
z
mn
1-z
)
18
o
54
，降烧晶相的组成表达式为bi4ti3o
12
，基础晶相的摩尔百分含量为95～99％，降烧晶相的摩尔百分含量为1～5％；基础晶相的组成表达式中的x、y、z分别代表摩尔比，其值由氧化物组分的摩尔百分比确定。2.根据权利要求1所述的一种高介电常数5g波导用微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷的介电常数为85～95，q
×
f值大于7000ghz，谐振频率温度系数为-5～5ppm/℃。3.一种如权利要求1或2所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照摩尔百分比对baco3、tio2、sm2o3、la2o3、bi2o3、mno2进行配料，混合充分后进行球磨，球磨后烘干、过筛，然后放入刚玉坩埚中进行保温预烧，得到粉料基材；(2)将步骤(1)得到的粉料基材进行充分球磨，球磨后烘干、造粒、过筛；(3)将过筛后的混合粉料压制成型，最后烧结得到该高介电常数5g波导用微波介质陶瓷。4.根据权利要求3所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的保温预烧过程是在1000～1100℃下保温焙烧3～5小时。5.根据权利要求3所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中的烧结温度为1300～1350℃。6.根据权利要求3所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的造粒是将烘干后的粉体与聚乙烯醇水溶液混合，然后制成微米级的球形颗粒。7.根据权利要求3所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，过筛后的混合粉料被压制成直径为10mm、高度为6mm的圆柱体。8.权利要求1或2所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷在制备微波器件中的应用。9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述微波器件为滤波器或谐振器。10.一种微波器件，其特征在于，包括权利要求1或2所述的高介电常数5g波导用微波介质陶瓷。

技术总结
本发明公开了一种高介电常数5G波导用微波介质陶瓷及其制备方法和应用；该微波介质陶瓷是由以下摩尔百分比的氧化物组分组成：BaO 10％～15％、TiO


技术研发人员：吉岸 王晓慧 金镇龙
受保护的技术使用者：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/3/15