半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法与流程

技术特征：
1.一种半导体处理装置，其特征在于：其包括：具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间；第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体；其中上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室的凸起部分毗邻第二支撑区并朝下腔室延伸，晶圆的中心轴垂直于晶圆的上表面，第二支撑区的中心轴垂直于上腔室的下表面，晶圆的上表面平行于第二支撑区的下表面。3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括围绕晶圆外端设计成圈状的弯曲部分，并且凸起部分均匀地抵靠在晶圆的边缘外端区域，使晶圆的中心轴与第二个支撑区的中心轴重叠。4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括多个突块，其呈环状均匀分布在晶圆外端周围，用于均匀地抵靠在晶圆边缘的外端区域。5.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括与所述第二支撑区的中心轴成一定角度倾斜的内表面，该内表面抵靠在晶圆的边缘外端区域。6.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凸起部分包括面向第二支撑区中心轴的内角，该内角抵靠在晶圆的边缘外端区域。7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，其中第一槽道位于下腔室的边缘区域，并提供流动一种或多种化学流体的第一槽道空间，同时在上腔室和下腔室之间形成一个过道，该过道连接第一空间和第一槽道空间，使得一种或多种化学流体通过该过道从第一空间流入第一槽道空间。8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，其中第二槽道形成在上腔室的边缘区域并位于第一槽道上方。9.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，第一槽道与第二槽道之间设置有弹性部件，该弹性部件用于阻挡一种或多种化学流体从第一空间流向第一槽道空间。10.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其中所述弹性部件是o形圈。11.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，第二支撑区的边缘区域形成第一通道，并且一种或多种化学流体通过位于上腔室的第一通孔在第一空间和装置外部之间流通。12.根据权利要求11所述的半导体处理装置，其特征在于，其中第一支撑区的边缘区域形成第二通道，提供第二空间来流通用于腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体。13.根据权利要求12所述的半导体处理装置，其特征在于，下腔体提供第二通孔用来实现一种或多种化学流体在下腔体的第二空间与装置外部之间的流通。14.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，第一支撑区的边缘区域构成第一通道，下腔室包括第一通孔，一种或多种化学流体通过位于下腔室的第一通孔在第一空间和装置外部流通。
15.一种半导体处理系统，包括：一种半导体处理装置，包括：具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；具有第二支撑区的上腔室，其中上腔室与下腔室闭合，可使晶圆被固定在第一支撑区和第二支撑区之间；在第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间来让用于腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体流通；上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐；一种连接到所述半导体处理装置的材料存储装置，所述材料存储装置用于存储并于半导体处理装置交换转移一种或多种化学流体。16.根据权利要求15所述的半导体处理系统，其中：所述凸起部分毗邻第二支撑区并朝下腔室方向延伸，晶圆的中心轴垂直于晶圆的上表面，第二支撑区的中心轴垂直于上腔室的下表面，晶圆的上表面平行于第二支撑区的下表面，凸起部分包含围绕晶圆边缘外端设计的闭环部分，凸起部分均匀地抵靠晶圆的边缘外端区域，使晶圆的中心轴与第二个支撑区的中心轴重叠。17.根据权利要求15所述的半导体处理系统，其中：所述凸起部分毗邻第二支撑区并朝下腔室方向延伸，晶圆的中心轴垂直于晶圆的上表面，第二支撑区的中心轴垂直于上腔室的下表面，晶圆的上表面平行于第二支撑区的下表面；凸起部分包含多个突块，其成环状均匀分布在晶圆边缘外端周围，用于均匀地抵靠晶圆的边缘外端区域。18.根据权利要求15所述的半导体处理系统，其中：第一槽道位于下腔室的边缘区域，并提供可通过一种或多种化学流体的第一槽道空间，同时在上腔室和下腔室之间形成一个过道，该过道连接第一空间和第一槽道空间，使得一种或多种化学流体通过该过道从第一空间流入第一槽道空间，第二槽道形成在上腔室的边缘区域并位于第一槽道上方，第一槽道与第二槽道之间设计安放有弹性部件，该弹性部件用于阻挡一种或多种化学流体从第一空间流向第一槽道空间。19.一种半导体边缘处理方法，包括：将晶圆放置于半导体处理装置的下腔室的第一支撑区；将半导体处理装置的上腔室与下腔室闭合，使晶圆固定在第一支撑区和第二支撑区之间；在第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成第一通道，其中第一通道提供第一空间；使用凸起部分，抵靠晶圆的边缘并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐；和将一种或多种化学流体注入第一空间以腐蚀晶圆的边缘区域。

技术总结
本发明提供了一种半导体晶圆边缘表面处理装置，其包括含具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室，具有第二支撑区的上腔室以及第一支撑区、第二支撑区及其边缘区域形成的第一通道。上腔室与下腔室闭合，使得晶圆被放置在第一支撑区和第二支撑区之间。第一通道提供第一空间来流动一种或多种化学流体用于腐蚀晶圆边缘区域。上腔室包括凸起部分，用于抵靠晶圆的边缘外端并使晶圆的中心轴与第二支撑区的中心轴对齐。本发明能够实现对半导体晶圆外缘的处理。理。理。


技术研发人员：温子瑛
受保护的技术使用者：无锡华瑛微电子技术有限公司
技术研发日：2021.09.14
技术公布日：2022/3/15