包括场阻止区的功率半导体二极管的制作方法

1.本公开涉及半导体器件，具体地涉及包括场阻止区的功率半导体二极管。


背景技术：

2.在半导体二极管中，移动电荷载流子可以充满半导体区且可以形成密集电荷载流子等离子体，所述密集电荷载流子等离子体产生半导体二极管的低正向电阻。在器件变成阻断模式时的关断时段期间去除电荷载流子等离子体。关断过程导致半导体二极管的动态开关损耗。通常，去饱和机制可以在开关二极管之前衰减电荷载流子等离子体，以便减少动态开关损耗。当关断二极管时，不均匀的载流子注入可能导致电流细丝，所述电流细丝可能局部地加热并损坏二极管。希望提供具有改善的开关特性的半导体二极管。


技术实现要素：

3.本公开的示例涉及功率半导体二极管。该功率半导体二极管包括半导体本体，该半导体本体具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面。功率半导体二极管还包括第一导电类型的阳极区。功率半导体二极管还包括第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布包括最大峰。功率半导体二极管还包括第一导电类型的注入区。注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围为从200nm至1500nm。
4.本公开的另一示例涉及一种制造功率半导体器件的方法。该方法包括提供具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体本体。该方法还包括在半导体本体中形成第一导电类型的阳极区。该方法还包括形成第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。该方法还包括形成第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布包括最大峰。该方法还包括形成第一导电类型的注入区。注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。该方法还包括形成第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围为从200nm至1500nm。
5.本领域技术人员在阅读以下详细描述并查看附图时将认识到附加特征和优点。
附图说明
6.附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了半导体二极管（例如垂直功率半导体二极管）的实施例并且与描述一起用于解释实施例的原理。在以下详细描述和权利要求中描述其他实施例。
7.图1是用于示出垂直功率半导体二极管的示例的示意截面图。
8.图2和图3是用于示出图1的功率半导体二极管的示例性掺杂剂浓度分布c沿垂直方向y的示意图。
9.图4是用于示出功率半导体二极管的第二主表面处的阴极接触区和注入区的示例性设计的示意截面图。
10.图5是用于示出用于形成图1的功率半导体二极管的场阻止区的工艺的示例性部分的示意截面图。
具体实施方式
11.在以下详细描述中，参考附图，所述附图形成了详细描述的一部分并且在所述附图中作为说明示出了可以实践本发明的具体实施例。要理解，在不偏离本发明范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑上的改变。例如，针对一个实施例示出或描述的特征可以用在其他实施例上或与其他实施例结合使用，以产生又一实施例。旨在本发明包括这样的修改和变化。使用具体语言描述了这些示例，所述语言不应被解释为限制所附权利要求的范围。附图没有按比例绘制，并且仅用于说明性目的。为了清楚起见，如果没有另外陈述，则在不同的附图中相同的元件由相应的附图标记表示。
12.术语“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是开放的，并且术语指示所陈述的结构、元件或特征的存在，但不排除附加元件或特征的存在。冠词“一”、“一个”和“该”旨在包括复数以及单数，除非上下文另有明确指示。
13.术语“电连接”描述电连接的元件之间的永久性低电阻连接，例如相关元件之间的直接接触或经由金属和/或重掺杂半导体材料的低电阻连接。术语“电耦合”包括一个或多个适于信号和/或功率传输的中间元件可以连接在电耦合的元件之间，例如，可控制以在第一状态中临时提供低电阻连接和在第二状态中临时提供高电阻电去耦的元件。欧姆接触是具有线性或几乎线性的电流-电压特性的非整流电学结。
14.物理尺寸的给定范围包括边界值。例如，参数y从a到b的范围写为a≤y≤b。具有至少c的值的参数y写为c≤y，而具有至多d的值的参数y写为y≤d。
15.术语“在
……
上”不要被解释为仅意味着“直接在
……
上”。相反，如果一个元件位于另一元件“上”（例如，一层在另一层“上”或在衬底“上”），则另一组件（例如，另一层）可以位于两个元件之间（例如，如果一层在衬底“上”，则另一层可以位于该层和所述衬底之间）。
16.功率半导体二极管的示例可以包括半导体本体，该半导体本体具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面。功率半导体二极管还可以包括第一导电类型的阳极区。功率半导体二极管还可以包括第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。功率半导体二极管还可以包括第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括最大峰。功率半导体二极管还可以包括第一导电类型的注入区。注入区可以布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。功率半导体二极管还可以包括第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区可以布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围可以从200nm至1500nm。
17.功率半导体二极管可以是垂直功率半导体二极管，其具有在第一主表面处的第一
负载端子和在与第一主表面相对的第二主表面处的第二负载端子之间的负载电流流动。垂直功率半导体二极管可以被配置成传导大于1a或大于10a或甚至大于30a的电流，并且还可以被配置成阻断负载端子之间的电压，例如阴极和阳极之间的电压，该电压在几百上至几千伏特的范围内，例如400v、650v、1.2kv、1.7kv、3.3kv、4.5kv、5.5kv、6kv、6.5kv。例如，阻断电压可以对应于在功率半导体器件的数据表中指定的电压等级。
18.半导体本体可以包括来自iv族元素半导体、iv-iv化合物半导体材料、iii-v化合物半导体材料或ii-vi化合物半导体材料的半导体材料或由来自iv族元素半导体、iv-iv化合物半导体材料、iii-v化合物半导体材料或ii-vi化合物半导体材料的半导体材料组成。来自iv族元素半导体的半导体材料的示例尤其包括硅（si）和锗（ge）。iv-iv化合物半导体材料的示例尤其包括碳化硅（sic）和硅锗（sige）。iii-v族化合物半导体材料的示例尤其包括砷化镓（gaas）、氮化镓（gan）、磷化镓（gap）、磷化铟（inp）、氮化铟镓（ingan）和砷化铟镓（ingaas）。ii-vi化合物半导体材料的示例尤其包括碲化镉（cdte）、碲镉汞（cdhgte）和碲镁镉（cdmgte）。例如，半导体本体可以是磁直拉（mcz）或浮置区带（fz）或外延沉积的硅半导体本体。
19.第一主表面可以是在半导体本体和在第一侧（例如半导体本体的前侧）处半导体本体上方的布线区域之间的界面处的水平面。第二主表面可以是在半导体本体和在第二侧（例如半导体本体的后侧或背侧）处半导体本体上方的接触之间的界面处的水平面。
20.阳极区可以是在半导体本体的第一主表面处电连接到阳极端子的p掺杂区。阳极区可以由一个或多个阳极子区形成。阳极子区可以关于掺杂剂种类、掺杂浓度分布、垂直延伸中的至少一个彼此不同。例如，阳极子区可以彼此重叠并形成连续的阳极区。例如，可以通过具有后续驱入步骤的离子注入工艺来形成阳极区。阳极子区可以通过具有后续驱入步骤的多个离子注入工艺形成，所述后续驱入步骤具有不同的离子注入能量和/或离子注入剂量。例如，阳极区可以邻接第一主表面处的接触。
21.例如，阳极端子可以是接触区域并且由布线层的全部或部分形成。例如，布线层可以对应于第一主表面上方的布线区域的一个布线层，其中，在多个布线层的情况下，布线区域的一个布线层可以位于最靠近第一主表面。布线区域可以包括一个或多于一个，例如两个、三个、四个或甚至更多布线层。每个布线层可以由单个导电层（例如，金属层）或导电层的堆叠形成。例如，可以光刻图案化布线层。在堆叠的布线层之间，可以布置中间电介质。可以在中间电介质中的开口中形成（一个或多个）接触插塞或（一个或多个）接触线，以将不同布线层的部分（例如金属线或接触区域）彼此电连接。例如，阳极端子的接触区域可以通过布置在阳极区和阳极端子的接触区域之间的接触插塞而电连接到半导体本体中的阳极区。
22.例如，漂移区中的杂质浓度可以至少在其垂直延伸的部分中随着到第一主表面的增加距离而逐渐地或逐步地增加或减小。根据其他示例，漂移区中的杂质浓度可以是近似均匀的。对于基于硅的功率半导体二极管，漂移区中的平均杂质浓度可以在2
×
10
12
cm-3
至1
×
10
15
cm-3
之间，例如在5
×
10
12
cm-3
至2
×
10
14
cm-3
的范围内。在基于sic的功率半导体二极管的情况下，漂移区中的平均杂质浓度可以在5
×
10
14
cm-3
至1
×
10
17
cm-3
之间，例如在1
×
10
15
cm-3
至2
×
10
16
cm-3
的范围内。漂移区的垂直延伸可以取决于垂直功率半导体器件的电压阻断要求，例如指定的电压等级。当在电压阻断模式中操作垂直功率半导体二极管时，空间电荷区可以取决于施加到垂直功率半导体器件的阻断电压而部分或全部垂直地延伸通过
漂移区。当在指定的最大阻断电压或接近指定的最大阻断电压下操作垂直功率半导体二极管时，空间电荷区可以到达场阻止区或穿透到场阻止区中。
23.场阻止区被配置为防止空间电荷区进一步到达在半导体本体的第二主表面处的阴极接触。以这种方式，可以使用期望的低掺杂水平并且以期望的厚度形成漂移区，同时实现由此形成的半导体二极管的软开关。
24.由于场阻止区的目的在于防止空间电荷区在半导体二极管的最大指定电压阻断能力时或在其附近在电压阻断模式中到达在半导体本体的第二主表面处的阴极接触，因此场阻止层中的平均净杂质浓度可以比漂移区中的平均净杂质浓度高例如至少一个数量级。此外，场阻止层中的平均净杂质浓度可以比阴极接触区中的杂质浓度低例如至少一个数量级。
25.阴极接触区可以在第二主表面处提供到阴极接触的欧姆接触，并且还可以通过在功率半导体二极管的正向偏置操作模式中将第二导电类型的电荷载流子例如电子注入到漂移区中来促成二极管功能。场阻止区与第二主表面之间的注入区具有与阴极接触区不同的导电类型。注入区的平均掺杂浓度范围可以从10
17
cm-3
至10
20
cm-3
，或从10
18
cm-3
至10
19
cm-3
。注入区可以被配置成通过在关断过程期间将空穴注入到二极管的漂移区带而改善二极管开关行为的软度。
26.由p掺杂注入区、n掺杂场阻止区带和前侧p掺杂发射极形成的晶体管的部分晶体管增益alpha
pnp
可以通过使形成于空间电荷层与p掺杂注入区之间的中性区带最小化来增强，从而产生高的输送因数。例如，这可以允许改善在功率半导体器件的关断时段期间注入区的空穴注入，从而抑制在功率半导体器件的关断时段期间过高的电流减小并且借此抑制在关断期间的有害过电压。
27.例如，场阻止区的掺杂剂浓度分布可以沿朝向第一主表面的垂直方向从最大峰减小到在到pn结的第二垂直距离处的最大峰的一半。第二垂直距离与第一垂直距离之间的比率范围可以从1.42至2.2。由于最大峰附近的掺杂剂提供使注入区偏置的电流路径的横向导电性的主要贡献，所以掺杂剂浓度分布允许将横向导电路径定位成靠近注入区。这可以改善二极管开关行为的软度。
28.例如，硅基器件的场阻止区的掺杂剂剂量小于1
×
10
13
cm-2
。场阻止区的掺杂剂剂量可以对应于每单位面积注入和电激活的掺杂剂数量（原子/cm2）。例如，质子注入之后可以是在从360℃至420℃的温度范围内热退火达范围从30分钟至5小时的时段以电激活氢相关施主。可以通过沿场阻止区的垂直延伸对注入和电激活的掺杂剂浓度分布进行积分来确定剂量。例如，场阻止区的掺杂剂分布可以通过使用二次离子质谱术（经典的动态sims和tof（飞行时间）-sims）、扩展电阻剖析（srp）或用于2d剖析的扫描探针技术的掺杂剂和污染物的深度剖析中的一个或多个来确定。
29.例如，场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括单峰。例如，可以通过单个离子注入工艺来形成单峰。例如，通过以恒定或几乎恒定的离子注入能量但不同的倾斜角和/或离子注入剂量执行多个离子注入工艺，可以实现掺杂剂浓度分布的加宽。这可以使单峰加宽，从而形成具有平台的基本上盒状分布，该平台具有例如至少300nm或至少500nm的垂直延伸。例如，单峰可以与第二主表面之间的垂直距离可以在例如1200nm至3000nm、或1500nm至2500nm的范围内。
30.例如，场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括第二峰。最大峰可以位于第二峰和第二主表面之间。虽然最大峰可以促成改善功率半导体二极管的开关特性，但是第二峰可以允许减小泄漏电流，并且可以因此促成例如减小功率半导体二极管的能量耗散。
31.例如，场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括最大峰与第二峰之间的最小值。在最小值和第二峰之间的掺杂剂浓度比率可以在0.7至0.95的范围内。
32.例如，功率半导体二极管还可以具有在最大峰和第二主表面之间的第三垂直距离，以及在最大峰和第二峰之间的第四垂直距离。第四垂直距离与第三垂直距离之间的比率可以在0.5至2.0的范围内。这可以允许改善的关断软度并且借此避免在关断过程期间由向二极管的漂移区中的有效空穴注入而引起的过大电压过冲。
33.例如，第三垂直距离可以小于2.5μm。
34.例如，场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括至少一个最小值。所述至少一个最小值的掺杂剂浓度可以是所述漂移区的平均掺杂剂浓度的至少十倍。漂移区的平均掺杂剂浓度可以是沿漂移区的垂直延伸进行平均（例如从场阻止区到阳极区进行平均）的掺杂剂浓度。
35.例如，注入区的最大掺杂剂浓度与最大峰之间的掺杂剂浓度比率可以大于10，或大于100。例如，注入区的最大掺杂剂浓度与最大峰之间的掺杂剂浓度比率可以小于50000，或者小于10000。例如，注入区的最大掺杂剂浓度与最大峰之间的掺杂剂浓度比率可以例如在10至50000、或100至10000的范围内。
36.例如，阴极接触区的最大掺杂剂浓度可以是注入区的最大掺杂剂浓度的至少5倍。这可以允许在二极管关断期间在用作电子发射极区的阴极接触区和用作空穴发射极的注入区的二极管功能之间平衡。
37.例如，功率半导体二极管可以具有在第二主表面和pn结之间的第五垂直距离。第五垂直距离的范围可以从200nm到500nm。
38.例如，场阻止区可以包括氢相关施主。氢相关施主可以通过如下步骤来形成：一个或多个质子注入工艺，随后进行用于电激活氢相关施主的热处理，例如在360℃至420℃的温度范围内退火达30分钟至5小时之间。
39.例如，注入区的最大横向延伸的范围可以从10-17
cm4乘以最大峰的掺杂剂浓度至10-14
cm4乘以最大峰的掺杂剂浓度。通过适当地调整最大横向延伸，可以调节由沿场阻止区中的横向电流路径的电压降引起的注入区的偏置，并且因此可以调整注入区的空穴注入。
40.例如，功率半导体器件还可以具有在最大峰与在场阻止区和阴极接触区之间的界面之间的第六垂直距离。第一垂直距离可以小于第六垂直距离。这可以允许减少相邻阴极接触区中的空穴复合，并且因此提高通过注入区的空穴注入效率。
41.例如，阴极接触区（电子注入区）的掺杂剂（例如电活性掺杂剂）的剂量可以小于1
×
10
15
cm-2
。这可以允许避免带隙变窄，并且还可以允许提高n发射极效率以及允许在给定正向电压vf下提高p型注入区的总面积。这可以导致在关断期间改善的软度。
42.制造功率半导体二极管的方法的示例可以包括提供具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体本体。该方法还可以包括在半导体本体中形成第一导电类型的阳极区。该方法还可以包括形成第二导电类型的漂移区，其中，漂移区被布置在阳极
区与第二主表面之间。该方法还可以包括形成第二导电类型的场阻止区，其中，场阻止区被布置在漂移区与第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布可以包括最大峰。该方法还可以包括形成第一导电类型的注入区，其中，注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。该方法还可以包括形成第二导电类型的阴极接触区，其中，阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围可以从200nm到1500nm。
43.可以通过如下步骤来形成阳极区：例如穿过第一主表面通过（一个或多个）离子注入工艺和/或（一个或多个）扩散工艺，将第一导电类型的掺杂剂（例如p型掺杂剂）引入到半导体本体中。例如，阳极区可以是包括多个重叠的阳极子区的连续阳极区。
44.例如，漂移区可以形成为半导体衬底（例如晶片）的一部分，和/或由沉积在半导体衬底上的一个或多个外延层形成。
45.场阻止区、注入区和阴极接触区中的每一个可以通过如下步骤来形成：例如穿过第二主表面通过（一个或多个）离子注入工艺和/或（一个或多个）扩散工艺，将对应导电类型的掺杂剂引入到半导体本体中。
46.例如，形成场阻止区可以包括至少一个质子注入工艺，并且其中，至少一个质子注入工艺的最小质子注入能量是150 kev。
47.例如，形成场阻止区可以包括至少一个质子注入工艺，并且其中，所述至少一个质子注入工艺的倾斜角的范围是从30
°
至80
°
。当以不同倾斜角但相同或相似的离子注入能量执行多个质子注入工艺时，例如可以实现加宽的掺杂剂浓度分布，例如具有平台的分布。
48.可以组合以上和以下描述的示例和特征。
49.关于以上示例描述的功能和结构细节应当同样适用于各图中示出的和以下进一步描述的示例性示例。
50.可以组合以上和以下描述的示例和特征。
51.下面，结合附图解释功率半导体二极管的其他示例。关于以上示例描述的功能和结构细节应当同样适用于各图中示出的和以下进一步描述的示例性实施例。
52.图1示意性地和示例性地以截面图示出功率半导体器件100的一部分。
53.功率半导体二极管包括半导体本体102，其具有沿垂直方向y彼此相对的第一主表面104和第二主表面106。
54.p掺杂阳极区108邻接第一主表面104。n-掺杂漂移区110被布置在阳极区108和第二主表面106之间。n掺杂场阻止区布置在漂移区110与第二主表面106之间。场阻止区112沿垂直方向y的掺杂剂浓度分布包括在相对于第二主表面106的垂直水平面处的最大峰pm。例如，场阻止区112可以掺杂有氢相关施主。
55.p

掺杂注入区116布置在场阻止区112和第二主表面106之间并且邻接第二主表面106。pn结118形成在注入区116和场阻止区112之间。
56.n

掺杂阴极接触区120布置在场阻止区112和第二主表面106之间。pn结118和最大峰之间的第一垂直距离d1的范围可以从200nm至1500nm。
57.注入区116的最大横向延伸lmax的范围可以从10-17
cm4乘以最大峰pm的掺杂剂浓度至10-14
cm4乘以最大峰pm的掺杂剂浓度。
58.第二主表面106和pn结118之间的垂直距离在图1中标识为第五垂直距离d5。第五
垂直距离d5例如可以在200nm至500nm的范围内。
59.注入区116的最大掺杂剂浓度与最大峰pm之间的掺杂剂浓度比率可以大于10且小于50000。
60.阴极接触区120的最大掺杂剂浓度可以是注入区116的最大掺杂剂浓度的至少5倍。
61.阳极区108电连接到阳极端子l1，例如功率半导体二极管100的第一负载端子。图1中的阳极端子l1的图示被简化。例如，阳极端子l1可以包括如下导电材料或导电材料的组合或由如下导电材料或导电材料的组合组成：例如掺杂半导体材料（例如简并掺杂半导体材料）诸如掺杂多晶硅、金属或金属化合物。阳极端子l1还可以包括这些材料（例如衬里或粘合材料和电极材料）的组合。例如，示例性接触材料包括氮化钛（tin）和钨（w）、铝（al）、铜（cu）、铝或铜的合金（例如alsi、alcu或alsicu）、镍（ni）、钛（ti）、钨（w）、钽（ta）、银（ag）、金（au）、铂（pt）、钯（pd）中的一种或多种。阳极端子l1可以构成在半导体本体102上形成的布线区域或是该布线区域的一部分。布线区域可以包括一个、两个、三个或甚至更多布线层，其可以包括图案化或未图案化的金属层和在图案化或未图案化的金属层之间布置的层间电介质。例如，通孔可以电互连不同的布线层。阳极端子l1的一部分，例如（一个或多个）接触插塞，可以在第一表面104处直接邻接半导体本体102。
62.阴极接触区120和注入区116在第二主表面106处电连接到阴极端子l2。以上关于阳极端子l1提供的细节（例如示例性材料）同样适用于阴极端子l2。
63.图2的示意图示出图1的功率半导体二极管100沿垂直方向y的示例性掺杂剂浓度分布c。场阻止区112沿垂直方向y的掺杂剂浓度分布c包括单峰，并且沿朝向第一主表面104的垂直方向y从最大峰pm减小到在到pn结118的第二垂直距离d2处的最大峰的一半pm/2。第二垂直距离d2和第一垂直距离d1之间的比率可以在1.42至2.2的范围内。场阻止区112的掺杂剂的剂量可以小于1
×
10
13
cm-2
，并且可以通过沿场阻止区112的垂直延伸对分布c进行积分来确定。
64.图3的示意图示出图1的功率半导体二极管100沿垂直方向y的另一示例性掺杂剂浓度分布c。场阻止区112沿垂直方向y的掺杂剂浓度分布c包括第二峰p2，且最大峰pm位于第二峰p2与第二主表面106之间。场阻止区112沿垂直方向y的掺杂剂浓度分布c包括在最大峰pm与第二峰p2之间的最小值v。最小值v和第二峰p2之间的掺杂剂浓度比率可以在0.7至0.95的范围内。
65.最大峰pm和第二主表面106之间的垂直距离在图3中被标识为第三垂直距离d3，并且最大峰pm和第二峰之间的垂直距离在图3中被标识为第四垂直距离d4。第四垂直距离d4和第三垂直距离d3之间的比率可以在0.5至2.0的范围内。第三垂直距离d3可以小于2.5μm。
66.最小值v的掺杂剂浓度可以是漂移区110的平均掺杂剂浓度的至少十倍。
67.在图4的示意截面图中，最大峰pm与在场阻止区112和阴极接触区120之间的界面122之间的垂直距离被标识为第六垂直距离d6。第一垂直距离d1小于第六垂直距离d6。在一些其他示例中，d1=d6或d1》d6可以是有效的。
68.将会明白，虽然以上和以下将该方法描述为一系列步骤或事件，但是所描述的这些步骤或事件的排序不要以限制性含义被解释。相反，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除以上和以下描述的那些之外的其他步骤或事件同时发生。
69.在图5的示意截面图中示出了制造功率半导体二极管100的示例性方法。
70.图5的视图示出通过至少一个质子注入工艺形成场阻止区112的工艺的一部分，其中，所述至少一个质子注入工艺的倾斜角的范围为α1=30
°
至α2=80
°
。除了使用α1至α2之间的倾斜角的质子注入工艺之外，还可以使用其他非倾斜离子注入工艺来形成场阻止区112。在一些示例中，场阻止区112可以在形成注入区116和阴极接触区120之后形成。
71.连同先前描述的示例和图中的一个或多个一起提及和描述的方面和特征也可以与其他示例中的一个或多个组合，以便替换其他示例的类似特征或者以便向其他示例额外地引入该特征。
72.尽管本文已经示出和描述了具体实施例，但是本领域普通技术人员将会明白，在不偏离本发明范围的情况下，可以用各种替代和/或等同实施方式来替代所示出和描述的具体实施例。本技术旨在覆盖本文讨论的具体实施例的任何修改或变化。因此，旨在本发明仅由权利要求及其等同物限制。