半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的若干栅极结构；位于所述基底上的第一介质层，所述第一介质层还位于所述栅极结构的侧壁面；位于所述第一介质层内的若干隔断结构，每个所述隔断结构位于栅极结构的一侧或两侧。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构表面的栅极保护结构，所述第一介质层还位于所述栅极保护结构侧壁面。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层内还具有若干互连开口，且至少1个所述互连开口暴露出所述基底表面及隔断结构的侧壁面。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述互连开口内的互连结构。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔断结构的材料包括：非金属化合物的介电材料、半导体材料、金属材料和金属化合物中的一种或多种。6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极保护结构的材料包括介电材料。7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成若干栅极结构、以及覆盖栅极结构侧壁面的第一介质层；在所述第一介质层内形成若干隔断结构，每个所述隔断结构位于栅极结构的一侧或两侧。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成若干所述隔断结构的方法包括：在所述第一介质层表面和栅极结构表面形成隔断掩膜层，所述隔断掩膜层内具有若干隔断掩膜开口，每个所述隔断掩膜开口暴露出栅极结构一侧或两侧的第一介质层表面；以所述隔断掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，直至在第一介质层内形成若干所述隔断开口；在所述隔断开口内形成隔断结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔断结构的方法还包括：在所述第一介质层表面、栅极结构表面以及隔断开口内形成隔断结构材料层；平坦化所述隔断结构材料层，直至暴露出所述第一介质结构表面。10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成隔断结构前，在所述栅极结构表面形成栅极保护结构，所述第一介质层还位于所述栅极保护结构侧壁面。11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成隔断结构后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干互连开口，且至少1个所述互连开口暴露出所述基底表面及隔断结构的侧壁面。12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述互连开口的方法包括：在所述隔断结构和第一介质层表面形成互连掩膜层，所述互连掩膜层内具有若干横跨隔断结构的互连掩膜开口，所述互连掩膜开口暴露出部分第一介质层以及隔断结构表面；以所述互连掩膜层和隔断结构为掩膜，刻蚀所述第一介质层，直至暴露出所述基底表
面。13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第一介质层和隔断结构的刻蚀选择比在5:1以上。14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述互连开口内形成互连结构。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述互连结构后，去除所述隔断结构；在去除所述隔断结构后，在所述隔断开口内形成第二介质层，所述第二介质层还位于所述互连结构侧壁面。16.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底、以及位于衬底上的若干鳍部结构，所述栅极结构横跨所述鳍部结构。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干栅极结构、以及覆盖栅极结构侧壁面的第一介质层；在所述第一介质层内形成若干隔断结构，每个所述隔断结构位于栅极结构的一侧或两侧。从而，降低了形成半导体结构的工艺的难度。低了形成半导体结构的工艺的难度。低了形成半导体结构的工艺的难度。


技术研发人员：郑二虎
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.09.15
技术公布日：2022/3/14