一种薄膜体声波谐振器及应用其的滤波器的制作方法

技术特征：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括基底(1)和器件结构，所述器件结构设于所述基底(1)上；所述基底(1)上与所述器件结构连接的一面设有反射镜(2)；所述反射镜(2)为空腔结构或布拉格反射器；所述器件结构包括第一电极层(3)、压电薄膜层(4)和第二电极层(5)，所述第一电极层(3)、所述压电薄膜层(4)和所述第二电极层(5)依次层叠连接；所述第二电极层(5)上设有第一声阻抗调谐结构(6)，所述第一声阻抗调谐结构(6)包括第一外部谐振区域(61)和第一内部谐振区域(62)，所述第一外部谐振区域(61)和所述第一内部谐振区域(62)的声阻抗不同；所述第一内部谐振区域(62)设于所述第二电极层(5)上与所述反射镜(2)相对应的区域内。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一外部谐振区域(61)包括至少两个第一单元，所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元具有对应的周期和占空比；所述第一内部谐振区域(62)包括至少两个第二单元，所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元具有对应的周期和占空比；所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元对应的周期及占空比均相同；所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元对应的周期和占空比均相同；所述第二单元对应的占空比与所述第一单元对应的占空比不同；所述第二单元对应的周期与所述第一单元对应的周期相同。3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述器件结构还包括支撑层(7)，所述支撑层(7)包括相对应的第一面和第二面，所述支撑层(7)的第一面与所述基底(1)层叠连接，所述支撑层(7)的第二面与所述第一电极层(3)层叠连接。4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括第二声阻抗调谐结构(8)；所述第二声阻抗调谐结构(8)设于所述支撑层(7)的第一面、所述第一电极层(3)上与所述支撑层(7)连接的一面或所述压电薄膜层(4)上与所述第一电极层(3)连接的一面；所述第二声阻抗调谐结构(8)包括第二内部谐振区域和第二外部谐振区域；所述第二内部谐振区域和所述第二外部谐振区域的占空比不同；所述第二内部谐振区域位于所述所述支撑层(7)的第一面、所述第一电极层(3)上与所述支撑层(7)连接的一面或所述压电薄膜层(4)上与所述第一电极层(3)连接的一面上与所述反射镜(2)对应的区域内。5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二声阻抗调谐结构(8)与所述第一声阻抗调谐结构(6)结构相同，且与所述第一声阻抗调谐结构(6)的位置相对应。6.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二声阻抗调谐结构(8)与所述第一声阻抗调谐结构(6)的对位差值为所述第一外部谐振区域(61)中其中一个单元对应周期的正整数倍。7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一外部谐振区域(61)包括至少两个第一单元，所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元具有对应的周期和
占空比；所述第一内部谐振区域(62)包括至少两个第二单元，所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元具有对应的周期和占空比；所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元与所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元对应的周期均相同；所述第一内部谐振区域(62)中每个第二单元的占空比均相同，从所述第一外部谐振区域(61)中从最外侧的第一单元至所述第一内部谐振区域(62)中最外侧的第二单元对应的占空比呈渐变规律。8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一外部谐振区域(61)包括至少两个第一单元，所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元具有对应的周期和占空比；所述第一内部谐振区域(62)包括至少两个第二单元，所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元具有对应的周期和占空比；所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元与所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元对应的占空比均相同；所述第一内部谐振区域(62)中的每个第二单元对应的周期相同；从所述第一外部谐振区域(61)中从最外侧的第一单元至所述第一内部谐振区域(62)中最外侧的第二单元对应的周期呈渐变规律；或；所述第一外部谐振区域(61)中的每个第一单元对应的周期均相同，任一所述第一单元与任一所述第二单元对应的周期不同。9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一声阻抗调谐结构(6)为亚波长声学微结构；所述第一声阻抗调谐结构(6)为在所述第二电极层(5)上设置凹凸结构形成。10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述薄膜体声波谐振器。

技术总结
本申请提供一种薄膜体声波谐振器及应用其的滤波器，该薄膜体声波谐振器包括基底和器件结构，器件结构设于基底上；基底上与器件结构连接的一面设有反射镜；器件结构包括第一电极层、压电薄膜层和第二电极层，第一电极层、压电薄膜层和第二电极层依次层叠连接；第二电极层上设有第一声阻抗调谐结构，第一声阻抗调谐结构包括第一内部谐振区域和第一外部谐振区域，第一外部谐振区域和第一内部谐振区域的声阻抗不同；第一内部谐振区域设于第二电极层上与反射镜相对应的区域内。通过调整第一外部谐振区域和第一内部谐振区域的占空比及周期，能够形成多层横向声波的反射界面，限制声波能量从谐振器边缘处泄漏，提高谐振器的品质因数Q值。值。值。


技术研发人员：马宏
受保护的技术使用者：觉芯电子（无锡）有限公司
技术研发日：2020.09.15
技术公布日：2022/3/14