半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，具备：半导体封装，该半导体封装具有：n型沟道常断晶体管，具有第一电极、第二电极和第一控制电极；常通晶体管，具有电连接于所述第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极；第一二极管，具有电连接于所述第二控制电极的第一阳极和电连接于所述第三电极的第一阴极；以及齐纳二极管，具有电连接于所述第一电极的第二阳极和电连接于所述第二电极的第二阴极；第一端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一电极；多个第二端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一电极，分别排列于第一方向上；第三端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第四电极；多个第四端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一控制电极，分别排列于第一方向上；以及多个第五端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第二控制电极，分别排列于第一方向上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有第六端子和第七端子的贴片电阻或贴片铁氧体磁珠的所述第六端子电连接于所述多个第二端子中的任一个，所述第七端子电连接于所述多个第五端子中的任一个。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二端子中的任一个和所述多个第五端子中的任一个通过布线电连接。4.一种半导体装置，具备：半导体封装，该半导体封装具有：p型沟道常断晶体管，具有第一电极、第二电极和第一控制电极；以及常通晶体管，具有电连接于所述第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极，第一端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一电极；第二端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第二电极或所述第三电极，排列于第一方向上；第三端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第四电极；第四端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一控制电极，排列于所述第一方向上；以及第五端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第二控制电极，排列于所述第一方向上。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，还具备第一二极管，该第一二极管具有电连接于所述第二控制电极的第一阳极和电连接于所述第一电极的第一阴极。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述半导体封装具有所述第一二极管。7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体封装还具有齐纳二极管，该齐纳二极管具有电连接于所述第一电极的第二阳极和电连接于所述第二电极的第二阴极。

技术总结
一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。向上。向上。


技术研发人员：杉山亨 吉冈启 洪洪 矶部康裕 小林仁 大野哲也 细川直范 小野村正明 岩井正明
受保护的技术使用者：东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：2021.01.11
技术公布日：2022/3/10