一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于所述晶圆衬底的一侧，所述滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成封闭的容纳腔；所述叉指换能结构位于所述容纳腔内；金属无源器件层，位于所述封装绝缘层内且与所述电极电接触；所述金属无源器件层包括多个连接端子，所述封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。2.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装绝缘层包括：第一封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述第一封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述叉指换能结构不接触；第二封装绝缘层，位于所述第一封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧；所述第二封装绝缘层覆盖所述第一封装绝缘层且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成所述容纳腔，所述容纳腔与所述叉指换能结构不接触；第三封装绝缘层；所述金属无源器件层位于所述第三封装绝缘层与所述第二封装绝缘层之间，所述第三封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。3.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属无源器件层包括多个无源器件图形；所述无源器件图形与所述连接端子一体成型。4.根据权利要求3所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述无源器件图形包括螺旋形电感图形；所述螺旋形电感图形的螺旋方向位于所述金属无源器件层所在的平面内。5.根据权利要求4所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述螺旋形电感图形的厚度的数量级为微米级别；所述螺旋形电感图形的线宽和线间距的数量级均为微米级别。6.根据权利要求2所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一封装绝缘层的厚度为5μm至50um；所述第二封装绝缘层的厚度为5um至100um；所述第三封装绝缘层的厚度为5μm至50um。7.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：金属再布线层；所述金属再布线层位于所述封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧且覆盖所述绝缘层；所述金属再布线层包括多个焊盘；所述焊盘与所述连接端子电接触且与所述连接端子一一对应。8.根据权利要求7所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：阻焊层和焊球；所述阻焊层位于金属再布线层远离所述封装绝缘层的一侧且覆盖所述金属再布线层；所述阻焊层完全或者不完全暴露所述焊盘；所述焊球位于所述焊盘远离所述阻焊层的一侧，所述焊球与所述焊盘电接触且与所述
焊盘一一对应。

技术总结
本实用新型实施例公开了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构。集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于晶圆衬底的一侧，滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层，位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子，据此，在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。成本化。成本化。


技术研发人员：陈崧 杨佩佩 朱其壮 金科 吕军
受保护的技术使用者：苏州科阳半导体有限公司
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2022/3/8