一种高发光效率的硅基发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种高发光效率的硅基发光器件，包括硅基发光器件本体(1)，其特征在于，所述硅基发光器件本体(1)的内部设置有p区(2)，且硅基发光器件本体(1)的内部设置有n区(3)，所述p区(2)和n区(3)的底部外壁设置有pn结，所述硅基发光器件本体(1)的内部设置有挖槽(7)，且挖槽(7)将pn结周围挖空，所述硅基发光器件本体(1)的内部设置有负极(4)，且硅基发光器件本体(1)的内部设置有正极(5)。2.根据权利要求1所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述挖槽(7)的深度和有源区深度相当，且挖槽(7)的外壁与水平方向的夹角范围为45
°
～63
°
。3.根据权利要求2所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述挖槽(7)的内部填充有sio2填充料(6)，且sio2填充料(6)为透明材料。4.根据权利要求3所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述pn结为周期性排列，为n区(3)和p区(2)交替分布的周期性排列，且pn结的有源区表面设置有底层金属(8)。5.根据权利要求4所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述底层金属(8)将p区(2)和n区(3)排列相连，且属排列为纵向排列。6.根据权利要求1所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述负极(4)位于相邻的两个p区(2)之间，且负极(4)位于sio2填充料(6)的上方。7.根据权利要求1所述的一种高发光效率的硅基发光器件，其特征在于，所述正极(5)位于相邻的两个n区(3)之间，且正极(5)位于sio2填充料(6)的上方。

技术总结
本实用新型属于发光器件技术领域，尤其是一种高发光效率的硅基发光器件，现提出以下方案，包括硅基发光器件本体，所述硅基发光器件本体的内部设置有P区，且硅基发光器件本体的内部设置有N区，所述P区和N区的底部外壁设置有PN结，所述硅基发光器件本体的内部设置有挖槽，且挖槽将PN结周围挖空，所述硅基发光器件本体的内部设置有负极，且硅基发光器件本体的内部设置有正极。本实用新型通过设置有挖槽，PN结通过挖槽变成立体器件之后，结区面积被有效扩大了,让PN结增加了侧面发光区域，提高了发光效率,同时，通过增加A-A’方向挖槽的数量，可以大幅度增加侧面空间电荷区的数量，进一步提高PN结的发光效率。提高PN结的发光效率。提高PN结的发光效率。


技术研发人员：陈艳军
受保护的技术使用者：成都普瑞德半导体有限公司
技术研发日：2021.07.15
技术公布日：2022/3/8