一种抗静电高排气PU保护膜及其制备方法与流程

一种抗静电高排气pu保护膜及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及电子材料和膜材料技术领域，尤其是一种抗静电高排气pu保护膜及其制备方法。


背景技术：

2.在精密电子制造领域，保护膜有广泛的用途。在生产制造许多环节都会有静电产生，静电危害极大，严重的情况会使产品功能失效，故静电防护在生产制造环节尤为重要。
3.常用的涂胶类保护膜主要有亚克力保护膜、硅胶保护膜、pu保护膜，对于玻璃、触摸屏、ito膜等所需要的的保护膜，亚克力保护膜胶层一般酸碱性，并且排气性差，不太适合碱性玻璃的表面；硅胶保护膜耐高温、排气性好，但是易残留，会有小分子成分转移，影响膜面光学性能，在手机玻璃盖板的制程工艺中，需要抗静电并且排气性好的保护膜，常用的pu保护膜添加抗静电剂会导致排气性差，pu保护膜的排气时间直接影响生产效率。
4.为此，我们提出一种抗静电高排气pu保护膜及其制备方法解决上述问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种抗静电高排气pu保护膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种抗静电高排气pu保护膜，包括所述保护膜自上而下依次为硬化层、抗静电层、基材层、抗静电胶层、离型层，其中硬化层为光固化丙烯酸树脂、聚氨酯树脂中的一种或多种；抗静电层为添加抗静电剂的底涂层，抗静电剂为聚噻吩、双三氟甲基磺酰基亚胺锂、三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐、碳纳米管中的一种或多种；基材为pet（聚对苯二甲酸乙二醇酯）膜、pi（聚酰亚胺）膜、pp（聚丙烯）膜中的一种或多种；抗静电胶层由a、b两个组分组成，其中a组分包含：ppg-3000 10~30%、htpb10~30%、hdi三聚体3~10%、hpa2~10%、二月桂酸二丁基锡0.5~1.5%、乙酸乙酯30~60%。b组分包括：醚化三聚氰胺树脂5~20%、碳纳米管0.5~2%、三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐1~3%、乙酸乙酯50~80%、丁酮10~30%。a组分：b组分=1:0.1~0.5；离型层为离型膜、离型纸中的一种或多种。
7.在进一步的实施例中，所述硬化层的厚度为0.1~10μm。
8.在进一步的实施例中，所述抗静电层的厚度为1~5μm。
9.在进一步的实施例中，所述基材层厚度为5~125μm。
10.在进一步的实施例中，所述抗静电胶层的厚度为5~35μm。
11.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明所述的保护膜，具备抗静电性和高排气性，贴于玻璃盖板表面排气泡时间小于3秒，利用抗静电聚氨酯胶水，优化pu保护膜的结构，得到抗静电又能提高排气性的保护膜，提高玻璃盖板制程生产效率。
附图说明
12.图1为一种抗静电保护膜的一具体实施例结构示意图。
具体实施方式
13.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
14.请参阅图1，一种抗静电高排气pu保护膜，抗静电高排气pu保护膜自上而下依次为硬化层、抗静电层、基材层、抗静电胶层、离型层，其中硬化层为光固化丙烯酸树脂、聚氨酯树脂中的一种或多种；抗静电层为添加抗静电剂的底涂层；基材层为pet膜、pi膜、pp膜中的一种或多种。
15.抗静电胶层由a、b两个组分并按照a组分：b组分=1:0.1~0.5组成；a组分的制备方法如下：将ppg-3000，htpb，hdi三聚体，乙酸乙酯加入到三口烧瓶中，混合均匀，在氮气保护下升温至60℃，加入二月桂酸二丁基锡，恒温2h，升温至70℃，加入hpa，恒温3h，降温后补加乙酸乙酯调配固含量为30%得到a组分；b组分配制过程如下：将碳纳米管，三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐，乙酸乙酯，丁酮混合均，然后加入醚化三聚氰胺树脂，混合均匀后所得溶液为b组分；将a组分和b组分按一定比例混合后，将其涂于膜材表面，烘干后得到抗静电胶层，然后复合离型膜，在55℃熟化48h之后得到pu保护膜；本发明的保护膜，具备抗静电性和高排气性，贴于玻璃盖板表面排气泡时间小于3秒。
16.本发明对所有原料的来源并没有特殊限制，为本领域技术人员熟知的即可：其中，本发明中，抗静电层优选为聚噻吩，更优选为碳纳米管；作为技术方案的进一步改进，抗静电层厚为0.1-10μm，优选厚度为3μm，更优选厚度为2μm；硬化层优选为光固化聚氨酯树脂，更优选为光固化丙烯酸树脂。硬化层的厚度为0.1~10μm，优选厚度为5μm，更优选厚度为3μm；基材优选为pp膜，更优选为pet膜，基材厚度为5~125μm，优选厚度为100μm，更优选厚度为50μm，再优选厚度为75μm；抗静电胶层厚度为5~35μm，优选厚度为25μm，更优选厚度为30μm，再优选厚度为20μm。
17.下面以实际的制备流程为例对抗静电高排气聚氨酯保护膜的制备方法做具体说明：实施例11、第一种制备流程：1.1、将聚噻吩溶液加入到底涂剂中，涂于厚度为50μm的pet基材上，烘干后得到抗静电层，厚度为2μm；1.2、在抗静电层表面涂uv硬化涂层，厚度3μm，硬度2h；
1.3、将20gppg-3000，25ghtpb，4.5ghdi三聚体，50g乙酸乙酯加入到三口烧瓶中，混合均匀，在氮气保护下升温至60℃，加入0.8g二月桂酸二丁基锡，恒温2h，升温至70℃，加入5ghpa，恒温3h，降温后补加乙酸乙酯调配固含量为30%得到a组分；将0.7g碳纳米管，1.5g三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐，60g乙酸乙酯，20g丁酮混合均，然后加入6g醚化三聚氰胺树脂，混合均匀后所得溶液为b组分；将a组分和b组分按1:0.3混合后，将其涂于1.2膜材另一面，120℃烘干后得到抗静电胶层，厚度20μm；1.4、将离型膜离型面复合于1.3膜材，在55℃熟化48h之后得到pu保护膜；1.5、对1.4膜材进行180
°
剥离测试，剥离力为23g/inch；1.6、对1.4膜材进行测试，面电阻为3.0
×
108ω；1.7、将1.4膜材贴于10
×
10cm玻璃表面，自动排除气泡所用时间为2s。
18.实施例22、第二种制备流程2.1、将聚噻吩溶液加入到底涂剂中，涂于厚度为75μm的pet基材上，烘干后得到抗静电层，厚度为3μm；2.2、在抗静电层表面涂uv硬化涂层，厚度3μm，硬度3h；2.3、将20gppg-3000，30ghtpb，5ghdi三聚体，55g乙酸乙酯加入到三口烧瓶中，混合均匀，在氮气保护下升温至60℃，加入0.9g二月桂酸二丁基锡，恒温2h，升温至70℃，加入6ghpa，恒温3h，降温后补加乙酸乙酯调配固含量为30%得到a组分；将0.8g碳纳米管，1.8g三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐，50g乙酸乙酯，20g丁酮混合均，然后加入8g醚化三聚氰胺树脂，混合均匀后所得溶液为b组分；将a组分和b组分按1:0.2混合后，将其涂于2.2膜材另一面，120℃烘干后得到抗静电胶层，厚度25μm；2.4、将离型膜离型面复合于2.3膜材，在55℃熟化48h之后得到pu保护膜；2.5、对2.4膜材进行180
°
剥离测试，剥离力为35g/inch；2.6、对2.4膜材进行测试，面电阻为8.0
×
107ω；2.7、将2.4膜材贴于10
×
10cm玻璃表面，自动排除气泡所用时间为1s。
19.实施例33、第三种制备流程3.1、将聚噻吩溶液加入到底涂剂中，涂于厚度为100μm的pet基材上，烘干后得到抗静电层，厚度为2.5μm；3.2、在抗静电层表面涂uv硬化涂层，厚度5μm，硬度2h；3.3、将30gppg-3000，20ghtpb，6ghdi三聚体，60g乙酸乙酯加入到三口烧瓶中，混合均匀，在氮气保护下升温至60℃，加入1.0g二月桂酸二丁基锡，恒温2h，升温至70℃，加入7ghpa，恒温3h，降温后补加乙酸乙酯调配固含量为30%得到a组分；将0.6g碳纳米管，1.4g三正丁基甲胺双（三氟甲基磺酰基）亚胺盐，50g乙酸乙酯，15g丁酮混合均，然后加入10g醚化三聚氰胺树脂，混合均匀后所得溶液为b组分；将a组分和b组分按1:0.15混合后，将其涂于3.2膜材另一面，120℃烘干后得到抗静电胶层，厚度25μm；
3.4、将离型膜离型面复合于3.3膜材，在55℃熟化48h之后得到pu保护膜；3.5、对3.4膜材进行180
°
剥离测试，剥离力为15g/inch；3.6、对3.4膜材进行测试，面电阻为3
×
108ω；3.7、将3.4膜材贴于10
×
10cm玻璃表面，自动排除气泡所用时间为1.5s。
20.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
21.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。