一种LED晶圆的分选方法与流程

一种led晶圆的分选方法
技术领域
1.本技术涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种led晶圆的分选方法。


背景技术：

2.led晶圆在完成电性、光学特性测试后，分选设备根据待分选晶粒的等级来将led晶圆上的晶粒一粒一粒地抓取至新的蓝膜上。具体的，待分选晶粒也是放置在蓝膜上的，分选设备在分选时，需要顶针将蓝膜上的待分选晶粒顶起来，然后通过抓取机构将待分选晶粒抓取至新的蓝膜上。其中，顶针每次只顶一颗晶粒。
3.但随着晶粒的尺寸越来越少，一般晶圆上的晶粒数量可高达150000颗，分选设备需要6-7小时来完成分选，不利于大批量作业。
4.此外，由于相同尺寸晶圆上的晶粒数量变多，分选设备的顶针的顶起次数也增多，因此容易导致蓝膜被顶变形，而抓取机构则容易抓错晶粒。


技术实现要素：

5.本技术所要解决的技术问题在于，提供一种led晶圆的分选方法，分选效率高，成本低，适用于大批量生成。
6.本技术所要解决的技术问题在于，提供一种led晶圆的分选方法，分选精度高，有效解决漏抓、错抓的问题。
7.本技术还要解决的技术问题在于，提供一种led晶圆的分选方法，包括：
8.将led晶圆分成若干个区块，所述区块上的led晶粒分为保留晶粒和抓取晶粒，所述保留晶粒的光电性能和晶粒数量符合预设要求，所述抓取晶粒的光电性能和晶粒数量不符合预设要求，其中，所述保留晶粒的晶粒数量比所述抓取晶粒的晶粒数量多，同一个区块上的保留晶粒的光电性能在同一个等级，不同区块上的保留晶粒的光电性能在不同的等级；
9.去除所述区块上的抓取晶粒；
10.将所述区块上的保留晶粒转移，以形成成品方片。
11.作为上述方案的改进，将led晶圆分成若干个区块的方法包括：
12.对所述led晶圆上完成光电测试的led晶粒进行分级，得到分选文档；
13.获取led晶粒的位置信息；
14.根据所述分选文档和位置信息将所述led晶圆进行分区以形成所述区块。
15.作为上述方案的改进，所述分选文档包括光电参数信息、等级分类信息和分选等级信息，所述光电参数信息至少包括led晶粒的波长参数、电压参数和亮度参数，所述等级分类信息包括等级的数量和每个等级对应的led晶粒数量；其中，
16.光电参数信息在同一个预设范围的led晶粒分为同一个等级，所述led晶粒有多个等级，不同等级的led晶粒的光电参数信息在不同的预设范围；
17.同一个等级的led晶粒的数量为若干颗。
18.作为上述方案的改进，根据led晶粒的数量从多个等级中选出若干个保留等级，其中，为所述保留等级的led晶粒的数量达到预设值，所述区块的数量等于保留等级的数量。
19.作为上述方案的改进，每个区块上只有一个保留等级，所述保留等级对应的led晶粒为保留晶粒，其余的led晶粒为抓取晶粒。
20.作为上述方案的改进，所述分选等级信息包括分bin信息，其中，将保留等级的led晶粒设置为151bin或以上，将其他led晶粒设置为1～150bin中的任意一个或几个。
21.作为上述方案的改进，根据xy轴坐标设置所述led晶粒的位置，以获得所述led晶粒的位置信息。
22.作为上述方案的改进，去除所述区块上的抓取晶粒的方法包括：
23.通过分选设备将所述抓取晶粒抓取出来。
24.作为上述方案的改进，去除所述区块上的抓取晶粒后，将所述区块上的保留晶粒翻膜到基材上，以形成所述成品方片。
25.作为上述方案的改进，所述成品方片上的led晶粒属于同一个等级。
26.实施本技术，具有如下有益效果：
27.本技术改变传统的分选方法，根据led晶粒的光电性能和晶粒数量将led晶圆分成若干个区块，将每个区块上光电性能不符合要求以及数量少的抓取晶粒挑走，将光电性能和数量多的保留晶粒保留下来，与一颗一颗将光电参数符合要求的led晶粒抓取至新蓝膜上的方法相比，本技术分区后的保留晶粒可以直接转移至不同的蓝膜以形成成品方片，不需要抓取机构抓取排列至新蓝膜上，有效减少分选设备的抓取次数，提高分选效率。
28.本技术的分选方法是一种全新的分选方法，将一张led晶圆分成若干份，可以同时将多种等级的led晶粒作为保留晶粒保留下来，进一步提高分选效率和降低成本。
29.本技术将数量多的led晶粒保留下来，抓取数量少的led晶粒至新的蓝膜上，这样可以减少顶针的顶起次数，提高抓取机构的抓取精度，从而提高分选精度，解决漏抓、错抓的问题。
30.本技术的分选逻辑可以实现多种出货需求，实现快速流水，达到少分选设备，高产出的要求。
附图说明
31.图1是本技术实施例中led晶圆的结构示意图；
32.图2是本技术实施例中led晶圆的第一种区块划分示意图；
33.图3是本技术实施例中led晶圆的第二种区块划分示意图；
34.图4是图2中的区块去除抓取晶粒后的示意图；
35.图5是图3中的区块去除抓取晶粒后的示意图。
具体实施方式
36.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。
37.本技术提供的一种led晶圆的分选方法，包括以下步骤：
38.s1、将led晶圆分成若干个区块，所述区块上的led晶粒分为保留晶粒和抓取晶粒，
所述保留晶粒的光电性能和晶粒数量符合预设要求，所述抓取晶粒的光电性能和晶粒数量不符合预设要求，其中，所述保留晶粒的晶粒数量比所述抓取晶粒的晶粒数量多，同一个区块上的保留晶粒的光电性能在同一个等级，不同区块上的保留晶粒的光电性能在不同的等级；
39.具体的，将led晶圆分成若干个区块的方法，包括以下步骤：
40.s11、对所述led晶圆上完成光电测试的led晶粒进行分级，得到分选文档；
41.所述分选文档包括光电参数信息、等级分类信息和分选等级信息，所述光电参数信息至少包括led晶粒的波长参数、电压参数和亮度参数，所述等级分类信息包括等级的数量和每个等级对应的led晶粒数量；其中，光电参数信息在同一个预设范围的led晶粒分为同一个等级，所述led晶粒有多个等级，不同等级的led晶粒的光电参数信息在不同的预设范围；同一个等级的led晶粒的数量为若干颗。
42.根据led晶粒的数量从多个等级中选出若干个保留等级，其中，为所述保留等级的led晶粒的数量达到预设值，所述区块的数量等于保留等级的数量。
43.具体的，每个区块上只有一个保留等级，所述保留等级对应的led晶粒为保留晶粒，其余的led晶粒为抓取晶粒。
44.所述分选等级信息包括分bin信息，其中，将保留等级的led晶粒设置为151bin或以上，将其他led晶粒设置为1～150bin中的任意一个或几个。
45.现有的分选设备只能设置150个bin，其中，一个bin为一个分选等级，若将分选等级设置为151bin，则分选设备对151bin及以上的led晶粒不进行抓取，151bin及以上的led晶粒保留在led晶圆上，1～150bin的led晶粒则抓取至新的蓝膜上。
46.例如，led晶圆完成光电测试后，所述led晶粒根据光电参数分成150个等级，其中，等级1、等级2、等级3、等级4的晶粒数量大于预设值(例如100颗)，则选取等级1、等级2、等级3、等级4为保留等级，保留等级的数量为4，则对应将led晶圆分成4个区块，其中，区块1上等级1的led数量最多，则等级1是区块1上的保留等级，在区块1上等级1的led晶粒为保留晶粒，其余的led晶粒为抓取晶粒。此外，区块2上等级2的led数量最多，则等级2是区块2上的保留等级，在区块2上等级2的led晶粒为保留晶粒，其余的led晶粒为抓取晶粒，其中，等级1的led晶粒在区块1上虽然是保留晶粒，但在区块2上却是抓取晶粒。
47.s12、获取led晶粒的位置信息；
48.根据xy轴坐标设置所述led晶粒的位置，以获得所述位置信息。
49.s13、根据所述分选文档和位置信息将所述led晶圆进行分区以形成所述区块。
50.参见图1，图1中led晶圆经过光电测试后，led晶粒分成5个等级，包括：
51.等级1，晶粒数为97颗，光电参数为：波长462-466nm，亮度3.0-3.4，vf2.9-3.4；
52.等级2，晶粒数为75颗，光电参数为：波长466-470nm，亮度3.0-3.4，vf2.9-3.4；
53.等级3，晶粒数为85颗，光电参数为：波长466-470nm，亮度3.4-3.8，vf2.9-3.4；
54.等级4，晶粒数为57颗，光电参数为：波长462-466nm，亮度3.4-3.8，vf2.9-3.4；
55.等级5，晶粒数为22颗，不良等级。
56.不良等级是指led晶粒为不良晶粒，存在漏电、缺陷等问题。
57.设定保留等级的晶粒数量为50颗，其中，等级1、等级2、等级3和等级4的led晶粒的数量分别大于等于50颗，则选取等级1、等级2、等级3、等级4为保留等级，并根据xy轴坐标设
置led晶粒的位置，并将led晶圆分成4个区块，包括区块1、区块2、区块3和区块4，如图2所示；其中，区块1上等级1的led晶粒的数量最多，区块2上等级2的led晶粒的数量最多，区块3上等级3的led晶粒的数量最多，区块4上等级4的led晶粒的数量最多，其中，部分等级1的led晶粒可以分布在区域2、区块3和区块4上，等级1的led晶粒在区块上作为保留晶粒，但在区块2、区块3和区块4上是作为抓取晶粒。
58.现有的分选设备只能设置150个bin，其中，一个bin为一个分选等级，若将分选等级设置为151bin，则分选设备对151bin的led晶粒不进行抓取，151bin的led晶粒保留在led晶圆上。
59.本技术将区块1上的等级1设置为151bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级2设置为157bin，等级3设置为156bin，等级4设置为155bin。同样地，将区块2上的等级2设置为152bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级1设置为154bin，等级3设置为156bin，等级4设置为155bin。同样地，将区块3上的等级3设置为153bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级1设置为154bin，等级2设置为157bin，等级4设置为155bin。同样地，将区块4上的等级4设置为154bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级1设置为154bin，等级2设置为157bin，等级3设置为156bin。
60.在本技术的其他实施例中，若led晶粒的等级还包括：
61.等级6，光电参数为：波长470-472nm，亮度3.0-3.4，vf 2.9-3.4；
62.等级7，光电参数为：波长470-472nm，亮度3.4-3.8，vf 2.9-3.4；
63.等级8，光电参数为：波长472-475nm，亮度3.0-3.4，vf 2.9-3.4；
64.且等级6、等级7和等级8的led晶粒的数量小于100颗，则将等级6、等级7和等级8对应的led晶粒为抓取晶粒，并将上述等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级6设置为1bin，等级7设置为2bin，等级8设置为3bin等。
65.具体的，所述分选等级信息为分bin信息。
66.上述例子中，若设定保留等级的晶粒数量为70颗，其中，等级1、等级2和等级3的led晶粒的数量分别大于等于70颗，则选取等级1、等级2和等级3为保留等级，并根据xy轴坐标设置led晶粒的位置，并将led晶圆分成3个区块，包括区块1、区块2和区块3，如图3所示；其中，区块1上等级1的led晶粒的数量最多，区块2上等级2的led晶粒的数量最多，区块3上等级3的led晶粒的数量最多，其中，部分等级1的led晶粒可以分布在区域2和区块3，等级1的led晶粒在区块上作为保留晶粒，但在区块2和区块3上是作为抓取晶粒。
67.本技术将区块1上的等级1设置为151bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级2设置为157bin，等级3设置为156bin，等级4设置为155bin。同样地，将区块2上的等级2设置为152bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级1设置为154bin，等级3设置为156bin，等级4设置为155bin。同样地，将区块3上的等级3设置为153bin，不良等级设置为149bin，其他等级设置为1～148bin中的任意bin，如等级1设置为154bin，等级2设置为157bin，等级4设置为155bin。
68.s2、去除所述区块上的抓取晶粒；
69.具体的，去除所述区块上的抓取晶粒的方法包括：通过分选设备将所述抓取晶粒抓取出来。
70.分选设备根据分选文档和位置信息来抓取led晶圆上的抓取晶粒，并对所述抓取晶粒进行分选。
71.优选的，分选设备按区块来抓取晶粒。例如，先抓取区块1上的抓取晶粒，然后依次抓取区块2上的抓取晶粒、区块3上的抓取晶粒和区块4上的抓取晶粒。又如，先抓取区块4上的抓取晶粒，然后依次抓取区块1上的抓取晶粒、区块2上的抓取晶粒和区块3上的抓取晶粒。
72.上述例子中，将图2中区块1上的等级4的led晶粒抓取至新的蓝膜1，将等级3的led晶粒抓取至新的蓝膜2，将等级2的led晶粒抓取至新的蓝膜3，将不良晶粒led抓取至新的蓝膜4，所有抓取晶粒被抓取后，区块1上剩余的led晶粒为等级1的led晶粒，即为保留晶粒；同样的，区块2上剩余的led晶粒为等级2的led晶粒，区块3上剩余的led晶粒为等级3的led晶粒，区块4上剩余的led晶粒为等级4的led晶粒，如图4所示。
73.上述例子中，将图3中区块1上的等级4的led晶粒抓取至新的蓝膜，将等级3的led晶粒抓取至另一蓝膜，将不良晶粒led抓取至另一蓝膜，所有抓取晶粒被抓取后，区块1上剩余的led晶粒为等级1的led晶粒，即为保留晶粒；同样的，区块2上剩余的led晶粒为等级2的led晶粒，区块3上剩余的led晶粒为等级3的led晶粒，如图5所示。
74.s3、将所述区块上的保留晶粒转移，以形成成品方片。
75.具体的，去除所述区块上的抓取晶粒后，将所述区块上的保留晶粒翻膜到基材上，以形成所述成品方片。所述成品方片上的led晶粒等级相同。
76.所述基材优选为蓝膜。在本技术的其他实施例中，所述基材还可以为其他薄膜，如塑料薄膜、金属薄膜等。
77.在这个步骤中，区块2上等级1的led晶粒作为抓取晶粒抓取至新的蓝膜上，该蓝膜上为等级1的led晶粒也可以通过翻膜将led晶粒转移到为等级1的led晶粒的成品方片上。
78.现有的分选方法是将led晶圆上的led晶粒按等级一颗一颗地抓取到蓝膜上，以形成所述成品方片。
79.本技术改变传统的分选方法，按将数量多的led晶粒保留下来，抓取数量少的led晶粒至新的蓝膜上，不用抓取所有的led晶粒，这样可以减少分选设备的抓取次数，提高分选效率。
80.本技术的分选方法是一种全新的分选方法，将一张led晶圆分成若干份，可以同时将多种等级的led晶粒作为保留晶粒保留下来，进一步提高分选效率和降低成本。
81.本技术将数量多的led晶粒保留下来，抓取数量少的led晶粒至新的蓝膜上，这样可以减少顶针的顶起次数，提高抓取机构的抓取精度，从而提高分选精度，解决漏抓、错抓的问题。
82.本技术的分选逻辑可以实现多种出货需求，实现快速流水，达到少分选设备，高产出的要求。
83.以上所揭露的仅为本技术一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，因此依本技术权利要求所作的等同变化，仍属本技术所涵盖的范围。