显示装置和制造显示装置的方法与流程

显示装置和制造显示装置的方法
1.本技术要求于2020年9月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0113644号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的一个或更多个实施例涉及一种显示装置以及一种制造该显示装置的方法。


背景技术：

3.显示设备的重要性已经随着多媒体的发展而增加。因此，已经使用了各种类型(或种类)的显示装置，诸如有机发光显示器(oled)和/或液晶显示器(lcd)。
4.显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如发光显示面板和/或液晶显示面板的显示面板。在它们之中，发光显示面板可以包括诸如发光二极管(led)的发光元件。发光二极管(led)的示例可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。


技术实现要素：

5.本公开的实施例的一个或更多个方面指向一种显示装置，该显示装置不另外包括用于使发光元件对准的电极，而是通过使用包括外部对准电极的对准掩模施加用于使发光元件对准的电信号来操作。
6.本公开的实施例的一个或更多个方面指向一种制造显示装置的方法，在该方法中，通过使用包括外部对准电极的对准掩模施加用于使发光元件对准的电信号来执行使发光元件对准的工艺而减少掩模的数量。
7.在一个或更多个实施例中，显示装置包括：基底；数据导电层，在基底上并且包括第一电压线；过孔层，在数据导电层上；发光元件，在过孔层上；第一接触电极，在发光元件上并接触发光元件的一端；以及第二接触电极，在发光元件上并接触发光元件的另一端，其中，第二接触电极通过穿透过孔层的第一接触孔电结合到第一电压线。
8.在一个或更多个实施例中，第二接触电极与第一电压线直接接触。
9.在一个或更多个实施例中，显示装置包括在基底与数据导电层之间的晶体管，其中，第一接触电极电结合到晶体管。
10.在一个或更多个实施例中，数据导电层还包括电结合到晶体管的第一电极的第一导电图案，并且第一接触电极通过穿透过孔层的第二接触孔电结合到第一导电图案。
11.在一个或更多个实施例中，第一接触电极与第一导电图案直接接触。
12.在一个或更多个实施例中，发光元件在过孔层的一个表面上。
13.在一个或更多个实施例中，第一接触电极和第二接触电极在过孔层的通过发光元件暴露的一个表面上。
14.在一个或更多个实施例中，显示装置包括在发光元件上的第一绝缘层，其中，第一
接触电极和第二接触电极在第一绝缘层上。
15.在一个或更多个实施例中，数据导电层还包括对准标记。
16.在一个或更多个实施例中，显示装置包括在过孔层上的堤，其中，堤在基底的厚度方向上不与发光元件叠置，并且第一接触电极和第二接触电极在堤上。
17.在一个或更多个实施例中，第一接触电极和第二接触电极直接在堤的侧表面上。
18.在一个或更多个实施例中，过孔层包括具有第一厚度的第一区域和具有比第一厚度大的第二厚度的第二区域，并且发光元件在过孔层的第一区域上。
19.在一个或更多个实施例中，过孔层的第二区域在基底的厚度方向上不与发光元件叠置，并且过孔层的第二区域的侧表面与从发光元件的第一端和第二端中选择的一端彼此面对。
20.在一个或更多个实施例中，第一接触电极和第二接触电极在过孔层的通过发光元件暴露的第二区域上。
21.在一个或更多个实施例中，过孔层的一个表面包括凹槽，在凹槽中，过孔层的一个表面在过孔层的厚度方向上凹陷。
22.在一个或更多个实施例中，发光元件在凹槽中。
23.根据一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：将墨水喷射到目标基底上，墨水包括溶剂和分散在溶剂中的发光元件；以及使用包括彼此间隔开的第一对准电极和第二对准电极的对准掩模来使发光元件对准。
24.在一个或更多个实施例中，发光元件的对准步骤包括：将对准掩模放置在目标基底上；以及将对准信号施加到对准掩模的第一对准电极和第二对准电极以形成电场。
25.在一个或更多个实施例中，在第一对准电极与第二对准电极之间形成电场，并且发光元件通过电场在目标基底上的第一对准电极与第二对准电极之间被对准。
26.在一个或更多个实施例中，目标基底包括第一基底、在第一基底上的导电层以及在导电层上的过孔层，并且发光元件被对准为直接在过孔层的一个表面上。
27.然而，本公开的实施例不限于这里阐述的实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更明显。
28.根据一个或多个实施例的显示装置不另外包括用于使发光元件对准的电极，而是通过使用包括外部对准电极的对准掩模施加用于使发光元件对准的电信号来操作。
29.在根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法中，可以通过使用包括外部对准电极的对准掩模施加用于使发光元件对准的电信号来执行使发光元件对准的工艺。因此，显示装置不另外包括用于使发光元件对准的电极，使得减少了在显示装置的制造中使用的掩模工艺，从而改善了显示装置的制造工艺效率。
30.尽管已经出于说明性目的公开了本公开的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离如所附权利要求及其等同物中公开的本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。
附图说明
31.通过参照附图更详细地描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面和特征将
变得更明显，在附图中：
32.图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性平面图；
33.图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的平面图；
34.图3是沿着图2的线qa-qa'、qb-qb'和qc-qc'截取的显示装置的剖视图；
35.图4是根据一个或更多个实施例的发光元件的示意性透视图；
36.图5是示出根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的流程图；
37.图6至图11是根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图和平面图；
38.图12是示出发光元件的对准工艺的另一示例的剖视图；
39.图13是示出发光元件的对准工艺的又一示例的剖视图；
40.图14是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
41.图15是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
42.图16是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
43.图17是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
44.图18是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
45.图19是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；以及
46.图20是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
47.现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本技术的范围。
48.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上(而在该层与所述另一层或基底之间没有任何中间层)，或者也可以存在中间层。贯穿说明书，相同的附图标记指示相同的组件。
49.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。相似地，第二元件也可以被称为第一元件。
50.如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
51.还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
52.如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”、及其变型同义。
53.如这里所使用的，诸如
“……
中的至少一个(种/者)”、
“……
中的一个(种/者)”和“从
……
中选择”的表述在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列的个别元件。
54.如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
55.此外，在描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更能多个实施例”。
56.为了易于描述，这里可以使用诸如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语以描述如图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同的方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在
……
下方”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以以另外被定位(旋转90度或处于其他方位)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。
57.如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和相似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
58.这里叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同的数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低的数值限度，并且本说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高的数值限度。因此，申请人保留修改本说明书和权利要求书的权利，以明确地叙述包含在这里明确地叙述的范围内的任何子范围。
59.在下文中，将参照附图来描述本公开的实施例。
60.图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性平面图。
61.参照图1，显示装置10显示移动(例如，运动)图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何合适的电子装置。显示装置10的非限制性示例可以包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板pc)、电子手表、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航器、游戏机、数码相机和摄像机。
62.显示装置10包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的非限制性示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，将描述无机发光二极管显示面板用作显示面板的情况作为示例，但是本公开不限于此。可以应用其他合适的显示面板，只要相同的技术精神是可应用的即可。
63.在附图中，限定了第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3。第一方向dr1和第二方向dr2可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第三方向dr3可以是与第一方向dr1和第二方向dr2位于其中的平面垂直的方向。第三方向dr3与第一方向dr1和第二方向dr2中的每者垂直。在说明显示装置10的实施例中，第三方向dr3表示显示装置10的厚度方向。
64.显示装置10可以在平面图中具有其中第一方向dr1比第二方向dr2长的矩形形状。在平面图中，显示装置10的长边与短边交会的拐角可以是直角的，但是不限于此，并且可以具有圆形(或倒圆的)弯曲形状。显示装置10的形状不限于所例示的形状，并且可以被适当
地不同地改变。例如，显示装置10可以在平面图中具有诸如正方形、具有圆角(顶点)的矩形、多边形或圆形的形状。
65.显示装置10的显示表面可以定位在作为厚度方向的第三方向dr3的一侧处。在显示装置10的描述中，除非在实施例中另外陈述，否则术语“上”指朝向第三方向dr3上的一侧的显示方向，同样地，术语“上表面”指面对在第三方向dr3上的一侧的表面。术语“下”指朝向在第三方向dr3上的另一侧的与显示方向相反的方向，并且术语“下表面”指面对在第三方向dr3上的所述另一侧的表面。此外，术语“左”、“右”、“上”和“下”指当在平面上观看显示面板时的方向。例如，术语“右”指第一方向dr1，术语“左”指与第一方向dr1相反的方向，术语“上”(关于显示面板的描述)指第二方向dr2，术语“下”(关于显示面板的描述)指与第二方向dr2相反的方向。
66.显示装置10可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da是显示图像的区域，非显示区域nda是不显示图像的区域。显示区域da可以被称为有效区域，并且非显示区域nda可以被称为无效区域。
67.显示区域da的形状可以遵循显示装置10的形状。例如，显示区域da可以具有与显示装置10的整体形状相似的平面矩形形状。显示区域da通常可以占据显示装置10的中心。
68.显示区域da可以包括多个像素px。多个像素px可以在矩阵方向(例如，矩阵方位)上布置。像素px中的每个的形状在平面图中可以是矩形或正方形，但是不限于此。像素px中的每个也可以具有其每侧相对于一个方向倾斜的菱形形状。各个像素px可以以条纹图案或图案(是三星显示有限公司拥有的注册商标)交替地布置。
69.非显示区域nda可以在显示区域da周围。非显示区域nda可以完全或部分地围绕显示区域da。在一个或更多个实施例中，显示区域da可以具有矩形形状，并且非显示区域nda可以与显示区域da的四条边相邻。非显示区域nda可以构成显示装置10的边框。非显示区域nda可以设置有线、电路驱动器和/或其上安装有外部装置的焊盘单元。
70.图2是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一个像素的平面图。
71.参照图2，显示装置10的一个像素px可以包括多个子像素(spx：spx1、spx2、spx3)。例如，像素px可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。第一子像素spx1可以发射第一颜色的光，第二子像素spx2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素spx3可以发射第三颜色的光。在一个或更多个实施例中，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以发射相同的颜色的光。尽管在图2中示出了一个像素px包括三个子像素spx1、spx2和spx3，但是本公开不限于此，一个像素px可以包括更大数量的子像素spx。
72.每个子像素spx可以包括发光区域ema和在发光区域ema周围的非发光区域。
73.发光区域ema是其中设置有发光元件ed以发射特定(或设定)波段的光的区域，并且非发光区域可以是其中不设置发光元件ed或者从发光元件ed发射的光不到达而因此不发光的区域。
74.发光区域ema可以包括其中定位有发光元件ed的区域。发光区域ema还可以包括其中从发光元件ed发射的光被发射的区域作为与其中定位有发光元件ed的区域相邻的区域。
发光区域ema还可以包括其中从发光元件ed发射的光被另一构件反射或折射并向外发射的区域。多个发光元件ed设置在每个子像素spx中，并且可以形成包括其中定位有多个发光元件ed的区域以及与该区域相邻的区域的发光区域ema。
75.非发光区域与相邻的另一子像素spx的非发光区域接触(而与子像素spx是否在同一像素px中无关)。相邻的子像素spx的非发光区域可以彼此连接。在一个或更多个实施例中，所有子像素spx的非发光区域可以连接到至少一个另一非发光区域，但是本公开不限于此。相邻的子像素spx中的每个的发光区域ema可以被非发光区域划分。
76.图3是沿着图2的线qa-qa'、qb-qb'和qc-qc'截取的剖视图。
77.参照图2和图3，根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括第一基底sub1、第一基底sub1上的电路元件层和电路元件层上的发光元件层。电路元件层包括布置在第一基底sub1上的下金属层110、缓冲层161、半导体层120、多个导电层130、140、150、多个绝缘层162、163和164以及过孔层165。发光元件层可以在电路元件层的过孔层165上，并且可以包括第一堤200、第二堤300、发光元件ed、第一接触电极410、第二接触电极420和多个绝缘层510和540。
78.第一基底sub1可以是绝缘基底。第一基底sub1可以包括透明材料。例如，第一基底sub1可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂。第一基底sub1可以是刚性基底，但是也可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
79.在下文中，将更详细地描述第一基底sub1上的电路元件层的剖面结构。
80.驱动子像素spx的电路元件层可以在第一基底sub1上。电路元件层可以在发光元件层与第一基底sub1之间。电路元件层包括布置在第一基底sub1上的下金属层110、缓冲层161、半导体层120、栅极导电层130、第一数据导电层140和第二数据导电层150、多个绝缘层162、163和164以及过孔层165。
81.下金属层110可以在第一基底sub1上。下金属层110可以包括阻光层bml。阻光层bml可以用于保护半导体层120的半导体图案act免受外部光的影响。阻光层bml可以包括阻光材料。例如，阻光层bml可以由阻挡或基本上减少光透射的不透明金属材料形成。
82.阻光层bml具有图案化形状。阻光层bml可以覆盖显示装置10的在阻光层bml上方的晶体管的半导体图案act的至少沟道区，并且可以覆盖晶体管的整个半导体图案act。然而，本公开不限于此，并且可以省略阻光层bml。
83.缓冲层161可以在下金属层110上。缓冲层161可以覆盖第一基底sub1的其上定位有下金属层110的整个表面。缓冲层161可以用于保护晶体管免受湿气穿透通过易受湿气渗透的影响的第一基底sub1的影响。缓冲层161可以由交替地堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层161可以形成为其中交替地堆叠有包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层的多层。
84.半导体层120可以在缓冲层161上。半导体层120可以包括晶体管的半导体图案act。半导体图案act可以与阻光层bml叠置。
85.半导体层120可以包括多晶硅、氧化物半导体等。在一个或更多个实施例中，当半导体层120包括多晶硅时，半导体层120可以通过使非晶硅晶化而形成。在另一实施例中，半导体层120可以包括氧化物半导体。氧化物半导体的非限制性示例可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓
锡(igto)以及氧化铟镓锌锡(igzto)。
86.栅极绝缘层162可以在半导体层120上。栅极绝缘层162可以在其上定位有半导体图案act的缓冲层161上。栅极绝缘层162可以用作晶体管的栅极绝缘层。栅极绝缘层162可以由包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)的无机材料的无机层形成，或者可以以其堆叠结构形成。
87.栅极导电层130可以在栅极绝缘层162上。栅极导电层130可以包括晶体管的栅电极ge和存储电容器的第一电容器电极cse1。
88.栅电极ge可以在第三方向dr3上与晶体管的半导体图案act的沟道区叠置。第一电容器电极cse1可以在第三方向dr3上与将在下文中描述的第二电容器电极cse2叠置。第一电容器电极cse1可以在第三方向dr3上与第二电容器电极cse2叠置，以在第一电容器电极cse1与第二电容器电极cse2之间形成存储电容器。在一些实施例中，第一电容器电极cse1和栅电极ge可以一体地形成。一体层的一部分可以包括栅电极ge，并且一体层的另一部分可以包括第一电容器电极cse1。
89.栅极导电层130可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或其合金的单层或多层。然而，本公开不限于此。
90.层间绝缘层163在栅极导电层130上。层间绝缘层163可以在其上形成有栅极导电层130的栅极绝缘层162上。层间绝缘层163可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
91.第一数据导电层140在层间绝缘层163上。第一数据导电层140可以包括晶体管的第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2、存储电容器的第二电容器电极cse2以及数据线dtl。
92.第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2可以通过穿透层间绝缘层163和栅极绝缘层162的接触孔电连接到晶体管的半导体图案act的两个端部区(例如，晶体管的半导体图案act的掺杂区)。此外，晶体管的第二源/漏电极sd2可以通过穿透层间绝缘层163、栅极绝缘层162和缓冲层161的接触孔电连接到阻光层bml。
93.数据线dtl可以将数据信号施加到包括在显示装置10中的另一晶体管。在一个或更多个实施例中，数据线dtl可以连接到另一晶体管的源/漏电极。
94.第二电容器电极cse2可以在层间绝缘层163上，以在第三方向dr3上与第一电容器电极cse1叠置。如上所述，第二电容器电极cse2可以在第三方向dr3上与第一电容器电极cse1叠置且层间绝缘层163在第二电容器电极cse2与第一电容器电极cse1之间，并且可以在第二电容器电极cse2与第一电容器电极cse1之间形成存储电容器。在一些实施例中，第二电容器电极cse2和第二源/漏电极sd2可以一体地形成。一体层的一部分可以包括第二电容器电极cse2，并且一体层的另一部分可以包括第二源/漏电极sd2。
95.第一数据导电层140可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任何一种或其合金的单层或多层。然而，本公开不限于此。
96.钝化层164在第一数据导电层140上。钝化层164覆盖并保护第一数据导电层140。钝化层164可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
97.第二数据导电层150在钝化层164上。第二数据导电层150包括第一电压线vl2、第
二电压线vl1和第一导电图案cdp。
98.可以将高电位电压(或第一电源电压)供应到第二电压线vl1，并且可以将比供应到第二电压线vl1的高电位电压(或第一电源电压)低的低电位电压(或第二电源电压)供应到第一电压线vl2。
99.第一电压线vl2可以电连接到第二接触电极420，以将低电位电压(第二电源电压)供应到在下文中将描述的第二接触电极420。
100.第一导电图案cdp可以通过穿透钝化层164的接触孔电连接到与晶体管的第二源/漏电极sd2成一体的第二电容器电极cse2。第一导电图案cdp可以通过在下文中将描述的第一接触孔ct1电连接到第一接触电极410，以传输从第二电压线vl1施加的第一电源电压。
101.第二数据导电层150可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或其合金的单层或多层。然而，本公开不限于此。
102.过孔层165在第二数据导电层150上。过孔层165可以在其上形成有第二数据导电层150的钝化层164上。过孔层165可以执行使由电路元件层中包括的下构件形成的台阶变平的表面平坦化功能。
103.过孔层165可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚酰亚胺(pi)的有机材料。
104.在下文中，将更详细地描述在电路元件层上的发光元件层的结构。
105.参照图2和图3，发光元件层可以包括布置在过孔层165上的第一堤200、第二堤300、发光元件ed、第一接触电极410、第二接触电极420和多个绝缘层510和540。
106.第一堤200可以在过孔层165上。第一堤200在平面图中具有在第二方向dr2上延伸的形状，但是可以具有其中第一堤200的两端在一个子像素spx中终止使得它们不延伸到在第二方向dr2上相邻的另一子像素spx的形状。
107.第一堤200可以定位在发光区域ema和非发光区域中。第一堤200可以在沿第一方向dr1相邻的其他子像素spx之上。例如，第一堤200不仅可以在第一方向dr1上相邻的各个子像素spx的发光区域ema中，而且可以在发光区域ema的边界处。
108.在一个子像素spx中，第一堤200可以在平面图中在一个子像素spx的左侧和右侧处，并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。由在子像素spx的左侧和右侧处彼此间隔开的第一堤200形成的空间可以是其中定位有将在下文中描述的发光元件ed的空间。
109.在剖视图中，第一堤200可以直接在过孔层165上。第一堤200可以直接在过孔层165的一个表面上。在剖视图中，第一堤200可以包括其中第一堤200的至少一部分从过孔层165的上表面突出的结构。第一堤200中的每个可以包括上表面、下表面和侧表面。第一堤200的下表面放置在过孔层165的上表面上。第一堤200的上表面和下表面中的每者放置在一个平面上，并且第一堤200的上表面所位于的平面和第一堤200的下表面所位于的平面基本上平行，使得第一堤200的总厚度可以是均匀的。
110.第一堤200中的每个可以包括倾斜的侧表面。当第一堤200包括倾斜的侧表面时，从发光元件ed发射并朝向第一堤200的侧表面行进的光的行进方向可以改变为向上方向(例如，显示方向)。因此，第一堤200可以提供其中定位有多个发光元件ed的空间，并且可以用作将从发光元件ed发射的光的行进方向改变为显示方向的反射分隔壁。
111.尽管在附图中示出了第一堤200的每个侧表面以线性形状倾斜，但是本公开不限于此。例如，第一堤200的每个侧表面可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。
112.第一堤200可以包括包含感光材料的有机材料。例如，第一堤200可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但其材料不限于此。
113.第二堤300可以设置在非发光区域中。对于每个子像素spx，第二堤300可以在非发光区域中，以围绕发光区域ema。第二堤300可以横跨各个子像素spx的边界定位，以区分相邻的子像素spx。通过在平面图中包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分，第二堤300可以在显示区域da的整个表面上呈网格图案。
114.第二堤300可以直接在第一堤200和/或过孔层165上。在一个或更多个实施例中，第二堤300的在第二方向dr2上延伸的部分可以在第一堤200上。第二堤300的在第二方向dr2上延伸的部分可以在沿第一方向dr1相邻的子像素spx的边界处的第一堤200上。第二堤300的在第一方向dr1上延伸的部分可以在过孔层165上。第二堤300的在第一方向dr1上延伸的部分可以在通过第一堤200暴露的过孔层165上。
115.第二堤300可以直接在第一堤200的一个表面上。第二堤300可以直接在通过第一堤200暴露的过孔层165的一个表面上。
116.第二堤300可以执行防止或减少在制造显示装置10的工艺中的喷墨印刷工艺中墨水溢出到相邻的子像素spx的功能。第二堤300可以分离针对每个子像素spx的不同的发光元件ed，使得分散在墨水中的发光元件彼此不混合。第二堤300可以用于支撑对准掩模900，使得在使将在下文描述的发光元件ed对准的工艺中安装对准掩模900(参照图8)。
117.第二堤300可以包括包含感光材料的有机材料。例如，第二堤300可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但是其材料不限于此。
118.发光元件ed可以设置在一个子像素spx中的第一堤200之间。发光元件ed可以在一个子像素spx中在第一堤200的彼此面对的侧表面之间。
119.多个发光元件ed可以布置为沿着第一堤200延伸的第二方向dr2彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。彼此间隔开的发光元件ed之间的距离不受特别地限制。此外，发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。第一堤200的延伸方向和发光元件ed的延伸方向可以彼此交叉(例如，基本上彼此垂直)。然而，本公开不限于此，发光元件ed可以定位为与第一堤200延伸的方向成角度，而不与第一堤200延伸的方向垂直。
120.发光元件ed可以在第一堤200之间的空间中在过孔层165上。发光元件ed可以直接在过孔层165的一个表面上。发光元件ed的两端可以面对第一堤200的侧表面。
121.第一绝缘层510可以在发光元件ed上。第一绝缘层510可以部分地在发光元件ed上。第一绝缘层510可以部分地围绕发光元件ed的外表面，因此可以不覆盖发光元件ed的一端和另一端。在平面图中，第一绝缘层510可以在发光元件ed上形成在一个子像素spx中的线性或岛状图案。第一绝缘层510可以用于保护发光元件ed，并且可以用于固定发光元件ed，以防止或降低在制造显示装置10的工艺期间发光元件ed的丢失的风险。
122.第一接触电极410和第二接触电极420可以分别在第一堤200、第二堤300和过孔层165上。第一接触电极410和第二接触电极420可以在通过发光元件ed暴露的过孔层165上。
123.第一接触电极410和第二接触电极420可以在平面图中具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一接触电极410和第二接触电极420可以在第一方向dr1上彼此间隔开并且彼此面对。第一接触电极410和第二接触电极420可以形成每个子像素spx中的条纹图案。第一接触电极410和第二接触电极420可以在第三方向dr3上与第一堤200的一部分和第二堤300的
一部分叠置。
124.第一接触电极410可以在第二方向dr2上延伸，并且可以与通过第一堤200暴露的过孔层165部分地叠置。第一接触电极410可以通过穿透过孔层165的第一接触孔ct1而与第一导电图案cdp接触。第一接触电极410可以通过第一导电图案cdp电连接到晶体管。此外，第一接触电极410可以与第一导电图案cdp直接接触。
125.第二接触电极420可以在第二方向dr2上延伸，并且可以与通过第一堤200暴露的过孔层165部分地叠置。第二接触电极420可以通过穿透过孔层165的第二接触孔ct2接触第一电压线vl2。例如，第二接触电极420可以通过第二接触孔ct2电连接到第一电压线vl2。此外，第二接触电极420可以与第一电压线vl2直接接触。
126.尽管在附图中示出了第一接触孔ct1和第二接触孔ct2在发光区域ema中，但是本公开不限于此。例如，第一接触孔ct1和第二接触孔ct2可以与第二堤300叠置。
127.第一接触电极410和第二接触电极420可以分别在一个子像素spx的左侧和右侧处的第一堤200和第二堤300上。第一接触电极410和第二接触电极420可以在第一堤200和第二堤300上，以覆盖第一堤200和第二堤300的外表面。具体地，第一接触电极410和第二接触电极420可以在第一堤200上的第二堤300的上表面和侧表面上，并且可以在第二堤300上向外(例如，沿着第一方向dr1)延伸，因此可以在通过第二堤300暴露的第一堤200的上表面和侧表面上。第一接触电极410和第二接触电极420可以从第一堤200的侧表面向外(例如，沿着第一方向dr1)延伸，因此也可以在过孔层165的上表面的一部分上。
128.第一接触电极410可以与发光元件ed的一端接触。第二接触电极420可以与发光元件ed的另一端接触。在一个或更多个实施例中，第一接触电极410可以与发光元件ed的通过第一绝缘层510暴露的一端接触，并且第二接触电极420可以与发光元件ed的通过第一绝缘层510暴露的另一端接触。第一接触电极410和第二接触电极420可以在第一绝缘层510上彼此间隔开。第一接触电极410和第二接触电极420可以彼此电绝缘。
129.第一接触电极410的一部分可以通过第一接触孔ct1来与第一导电图案cdp接触，并且第一接触电极410的另一部分可以与发光元件ed的一端接触。发光元件ed的一端可以通过第一接触电极410电连接到晶体管。
130.第二接触电极420的一部分可以通过第二接触孔ct2来与第一电压线vl2接触，并且第二接触电极420的另一部分可以与发光元件ed的另一端接触。发光元件ed的另一端可以通过第二接触电极420电连接到第一电压线vl2。
131.第一接触电极410和第二接触电极420可以分别与发光元件ed的一端和另一端接触，以施加预定(或设定)电压，使得发光元件ed发光。例如，第一接触电极410和第二接触电极420可以分别通过第一导电图案cdp和第一电压线vl2接收电信号，并且可以将电信号传输到发光元件ed。
132.第一接触电极410和第二接触电极420可以包括导电材料。例如，第一接触电极410和第二接触电极420可以包括ito、izo、itzo和/或铝(al)。作为示例，第一接触电极410和第二接触电极420可以包括透明导电材料，但是其材料不限于此。
133.第二绝缘层540可以完全在第一基底sub1上。第二绝缘层540可以用于保护第一基底sub1上的构件免受外部环境的影响。
134.第一绝缘层510和第二绝缘层540中的每者可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘
材料。在一个或更多个实施例中，第一绝缘层510或第二绝缘层540均可以独立地包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)和/或氮化铝(aln)。在一个或更多个实施例中，第一绝缘层510或第二绝缘层540均可以独立地包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯和/或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于此。
135.图4是根据一个或更多个实施例的发光元件的示意性透视图。
136.发光元件ed可以是发光二极管。例如，发光元件ed可以是具有微米或纳米尺寸并且包括无机材料的无机发光二极管。当在彼此面对的两个电极之间在特定(或设定)方向上形成电场时，无机发光二极管可以在形成在无机发光二极管上的具有极性的两个电极之间对准。发光元件ed可以通过在两个电极上形成的电场而在电极之间对准。
137.根据一个或更多个实施例的发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ed可以具有诸如棒、线和/或管的形状。在一个或更多个实施例中，发光元件ed可以是圆柱形和/或棒状的。然而，发光元件ed的形状不限于此，并且发光元件ed可以具有诸如规则立方体、长方体或多边形柱(诸如六边形柱)的形状，或者可以具有在一个方向上延伸并具有部分地倾斜的外表面的形状。即，发光元件ed可以具有各种合适的形状。发光元件ed中包括的将在下文中描述的多个半导体层可以具有其中它们沿着一个方向顺序地布置或堆叠的结构。
138.发光元件ed可以包括掺杂有任何导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过从外部电源施加的电信号的传输来发射特定(或设定)波段的光。
139.参照图4，发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘层38。
140.第一半导体层31可以是n型半导体层。例如，当发光元件发射蓝色波段的光时，第一半导体层31可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。半导体材料可以是均掺杂有n型杂质的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，例如，n型掺杂剂可以是si、ge和/或sn。在一个或更多个实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。
141.第二半导体层32在将在下文中将描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体层。例如，当发光元件ed发射蓝色波段的光时，第二半导体层32可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是均掺杂有p型杂质的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，例如，第二掺杂剂可以是mg、zn、ca、se和/或ba。在一个或更多个实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。
142.同时，尽管在图4中示出了第一半导体层31和第二半导体层32中的每者形成为一个层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第一半导体层31和第二半导体层32中的每者还可以根据发光层36的材料而包括较大数量的层，例如，包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
143.发光层36在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱
结构或多量子阱结构的材料。当发光层36包括多量子阱结构的材料时，发光层36可以具有其中量子层和阱层交替地层叠的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的复合发光。例如，当发光层36发射蓝色波段的光时，发光层36可以包括诸如algan和/或algainn的材料。例如，当发光层36具有其中量子层和阱层交替地层叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如algan和/或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan和/或alinn的材料。在一个或更多个实施例中，发光层36包括均包含algainn的量子层和均包含alinn的阱层，因此发光层36可以发射具有约450nm至约495nm的中心波段的蓝光。
144.然而，本公开不限于此，发光层36可以具有其中具有高带隙能量的半导体材料和具有低带隙能量的半导体材料交替地层叠的结构，并且可以根据光的波段而包括其他iii族至v族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波段的光，在一些情况下，发光层36可以发射红色或绿色波段的光。
145.同时，从发光层36发射的光不仅可以发射到发光元件ed在长度方向上的外表面，而且可以发射到在长度方向上的其两个侧表面。
146.电极层37可以是欧姆接触电极。然而，本公开不限于此，电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。尽管在图4中示出了发光元件ed包括一个电极层37，但是本公开不限于此。在一些实施例中，发光元件ed可以包括较大数量的电极层37，或者可以省略电极层37。即使电极层37的数量改变或者发光元件ed包括其他结构，稍后将描述的发光元件ed的描述也可以同样应用。
147.在根据一个或更多个实施例的显示装置10中，当发光元件ed电连接到上述第一接触电极410和第二接触电极420时，电极层37可以减小发光元件ed与第一接触电极410和第二接触电极420之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少一种。电极层37可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料，并且可以包括彼此不同的材料，但是本公开不限于此。
148.绝缘层38可以围绕多个半导体层和电极层37的外表面。在一个或更多个实施例中，绝缘层38可以至少围绕发光层36的外表面，并且可以在发光元件ed延伸的一个方向上延伸。绝缘层38可以用于保护上述构件。例如，绝缘层38可以形成为围绕构件的侧表面，并且可以形成为使得发光元件ed在长度方向上的两端暴露。
149.尽管在附图中示出了绝缘层38在发光元件ed的长度方向上延伸以覆盖第一半导体层31至电极层37的侧表面，但是本公开不限于此。绝缘层38可以仅覆盖包括发光层36的半导体层中的一些的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以使每个电极层37的外表面部分地暴露。在一个或更多个实施例中，绝缘层38可以在与发光元件ed的至少一端相邻的区域中在剖面中具有圆形的上表面。
150.绝缘层38的厚度可以在约10nm至约1.0μm的范围内，但是不限于此，例如，绝缘层38的厚度可以为约40nm。
151.绝缘层38可以包括具有绝缘性质的材料，例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln)和/或氧化铝(al2o3)。因此，绝缘层38可以防止或减少当发光层36与电信号通过其传输到发光元件ed的电极直接接触时会发生的电短路的发生。此外，因
为绝缘层38保护发光元件ed的外表面以及发光层36，所以能够防止或减少发光效率的劣化。
152.在一些实施例中，绝缘层38的外表面可以是经表面处理的。发光元件ed可以通过以它们分散在预定(或特定)墨水中的状态被喷射到电极上来对准。这里，绝缘层38的表面可以被疏水或亲水处理，以将发光元件ed保持在分散状态，而不与墨水中的其他相邻的发光元件ed聚集。
153.发光元件ed可以具有约1μm至约10μm或约2μm至约6μm的长度h，例如，约3μm至约5μm。此外，发光元件ed可以具有约300nm至约700nm的直径，并且可以具有约1.2至100的纵横比。然而，本公开不限于此，包括在显示装置10中的多个发光元件ed可以根据发光层36的组分的差异而具有彼此不同的直径。例如，发光元件可以具有约500nm的直径。
154.图5是示出根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的流程图。图6至图11是根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图和平面图。
155.参照图5，根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法可以包括以下步骤：准备目标基底并且在目标基底上形成第一堤和第二堤(s100)；将墨水喷射到目标基底上，墨水包括发光元件和分散有发光元件的溶剂(s200)；使用包括外部对准电极的对准掩模使发光元件对准(s300)；以及形成多个绝缘层以及第一接触电极和第二接触电极(s400)。
156.首先，准备目标基底1000并且在目标基底1000上形成第一堤200和第二堤300(图5的s100)。
157.具体地，参照图5和图6，目标基底1000可以包括第一基底sub1和在第一基底sub1上的电路元件层。在一个或更多个实施例中，目标基底1000可以包括第一基底sub1和多个电路元件，多个电路元件包括在第一基底sub1上的多个导电层和多个绝缘层。可以在过孔层165中形成穿透过孔层165以使第一导电图案cdp的一部分和第一电压线vl2的一部分暴露的第一接触孔ct1和第二接触孔ct2。
158.可以在目标基底1000的过孔层165上形成第一堤200和第二堤300。可以在目标基底1000上限定多个像素px和多个子像素spx。第一堤200可以定位为横跨在第一方向dr1上相邻的子像素spx，以提供其中设置发光元件ed的空间，并且第二堤300可以在子像素spx的边界处，以在下文将描述的喷墨工艺中防止或减少墨水溢出到相邻的子像素spx。
159.可以通过常规(例如，任何合适的)沉积工艺或常规(例如，任何合适的)掩模工艺来形成第一堤200和第二堤300。如上已经描述了第一堤200和第二堤300的结构和布置。在下文中，将不提供每个构件的结构和/或布置关系的冗余描述，并且将更详细地描述其形成顺序。
160.随后，将包括发光元件ed和分散有发光元件ed的溶剂sv的墨水i喷射到目标基底1000上(图5的s200)。
161.具体地，参照图5和图7，在由第二堤300围绕的区域中，将包括发光元件ed和分散有发光元件ed的溶剂sv的墨水i喷射到目标基底1000上。溶剂sv可以是丙酮、水、醇、甲苯等。溶剂sv可以是在室温下或通过加热蒸发或挥发的材料。
162.在一个或更多个实施例中，可以通过使用喷墨印刷设备的印刷工艺将墨水i喷射到目标基底1000上。喷射到目标基底1000上的发光元件ed可以在子像素spx中安装在由第一堤200和第二堤300限定的区域中。
163.随后，使用设置有外部对准电极rmt的对准掩模900来使发光元件ed对准(图5的s300)。
164.参照图5和图8至图10，可以使用设置有外部对准电极rmt的对准掩模900来执行使发光元件ed对准的工艺。对准掩模900可以用于在由第一堤200和第二堤300限定的区域中产生电场。
165.在一个或更多个实施例中，对准掩模900可以在目标基底1000之上。可以将对准掩模900安装在目标基底1000上的第二堤300的上表面上。然而，本公开不限于此，可以通过单独的支撑件将对准掩模900定位在第二堤300上。
166.参照图9，对准掩模900可以包括基体基底sub2以及在基体基底sub2的一个表面上的外部对准电极rmt和第一对准标记amk1。
167.基体基底sub2可以是印刷电路板或柔性电路板，或者可以是包括诸如聚酰亚胺(pi)的绝缘材料的绝缘基底。
168.在平面图中，基体基底sub2可以具有包括在第一方向dr1上的长边和在第二方向dr2上的短边的矩形形状。然而，本公开不限于此，基体基底sub2的平面形状可以取决于显示装置10的第一基底sub1的平面形状。
169.外部对准电极rmt和第一对准标记amk1可以在基体基底sub2的一个表面上。
170.外部对准电极rmt可以用于形成子像素spx中的电场，以使发光元件ed对准。例如，外部对准电极rmt可以在目标基底1000上产生电场iel，以使发光元件ed对准。当向外部对准电极rmt供应电力并且电流流过外部对准电极rmt时，产生电磁波以在外部对准电极rmt上形成具有等位面的电场iel。如此，外部对准电极rmt可以是对其施加用于使喷射在目标基底1000上的发光元件ed对准的对准信号的电极。
171.外部对准电极rmt可以由诸如银(ag)和/或铜(cu)的导电材料形成。
172.外部对准电极rmt可以包括第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2。
173.第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2中的每者可以在平面图中具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2可以在基体基底sub2的一个表面上在第一方向dr1上彼此间隔开。
174.当对第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2施加对准信号时，可以在第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间形成电场iel。当将发光元件ed放置在形成在第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间的电场iel中时，发光元件ed可以接收由于电场iel而引起的介电泳力。经受介电泳力的发光元件ed可以安装在第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间的区域中，同时发光元件ed的对准方向和位置被改变。
175.至少一个第一对准标记amk1可以在基体基底sub2的一个表面上的基体基底sub2的边缘上。在一个或更多个实施例中，第一对准标记amk1可以形成在基体基底sub2的拐角处。尽管在图9中示出了四个第一对准标记amk1分别形成在基体基底sub2的四个拐角处，但是本公开不限于此。尽管在图9中示出了第一对准标记amk1具有正方形平面形状，但是本公开不限于此。例如，第一对准标记amk1的平面形状可以用各种合适的形状代替。
176.参照图8和图10，在使用对准掩模900使发光元件ed对准的工艺中，为了使发光元件ed在特定(或设定)位置(例如，在子像素spx中的彼此面对的第一堤200之间的区域中)对准，对准掩模900的外部对准电极rmt与目标基底1000的子像素spx之间的相对布置关系可
以是重要的。
177.可以使用第一对准标记amk1将对准掩模900设置在目标基底1000上。可以将对准掩模900设置为使得基体基底sub2的其上形成有外部对准电极rmt的一个表面面对目标基底1000的第一基底sub1的上表面。
178.可以将对准掩模900定位为使得第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2在每个子像素spx的发光区域ema中。在平面图中，第一对准电极rmt1可以在第三方向dr3上与在子像素spx的左侧处的第一堤200叠置。在平面图中，第二对准电极rmt2可以在第三方向dr3上与在子像素spx的右侧处的第一堤200叠置。在一个子像素spx中，第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间的空间可以与其中定位发光元件ed的区域叠置。
179.第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间在第一方向dr1上的距离d可以比发光元件ed在延伸方向上的长度h大。因为第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间在第一方向dr1上的距离d比发光元件ed在延伸方向上的长度h大，所以可以通过在第一对准电极rmt1与第二对准电极rmt2之间形成的电场iel来放置发光元件ed。
180.当对准掩模900在第二堤300上时，对准信号可以被施加到第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2。ac电力或dc电力可以被施加为对准信号。可以通过对准信号在第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2上形成电场iel。因为对准掩模900定位为使得过孔层165面对基体基底sub2的其上形成有第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2的一个表面，所以可以在喷射在目标基底1000上的墨水i中产生电场。因此，分散在墨水i的溶剂sv中的发光元件ed通过电场iel接收电力(吸引力和排斥力)，使得可以控制发光元件ed的对准方向。
181.随后，参照图11，当使发光元件ed在第一堤200之间对准时，可以通过去除墨水i的溶剂sv将发光元件ed安装在过孔层165上。可以通过常规或任何合适的热处理或光照射工艺来执行去除溶剂sv的工艺。可以执行热处理或光照射工艺到这样的程度：可以在其中不损坏发光元件ed的范围内选择性地去除仅溶剂sv。
182.随后，参照图3，可以在发光元件ed上形成第一绝缘层510。第一绝缘层510可以用于固定布置在第一堤200之间的发光元件ed。在后续工艺中，其上形成有第一绝缘层510的发光元件ed可以不改变它们的初始对准位置。
183.随后，可以在第一绝缘层510上形成第一接触电极410和第二接触电极420。可以通过同一掩模工艺通过图案化来形成第一接触电极410和第二接触电极420。然而，本公开不限于此，可以通过单独的掩模工艺形成第一接触电极410和第二接触电极420。
184.通过该工艺，第一接触电极410的一部分可以通过穿透过孔层165的第一接触孔ct1而与第一导电图案cdp接触以电连接到晶体管，并且第一接触电极410的另一部分可以与发光元件ed的一端接触以电连接到发光元件ed。此外，第二接触电极420的一部分可以通过穿透过孔层165的第二接触孔ct2而与第一电压线vl2接触以电连接到晶体管，并且第二接触电极420的另一部分可以与发光元件ed的另一端接触以电连接到发光元件ed。
185.随后，可以在第一基底sub1的整个表面上形成第二绝缘层540，以制造显示装置10。
186.制造显示装置10的方法可以包括使发光元件ed(例如，多个发光元件ed)在一个子像素spx中的特定(或设定)位置对准的工艺。在根据本实施例的制造显示装置10的方法中，可以使用设置有外部对准电极rmt的对准掩模900来执行使发光元件ed对准的工艺。因为使
用设置有第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2的对准掩模900来执行使发光元件ed对准的工艺，所以可以不需要用于使显示装置10中的发光元件ed对准的单独的对准电极。因为显示装置10不包括单独的对准电极，所以可以省略用于形成对准电极的单独的掩模工艺，因此可以改善显示装置10的工艺效率。
187.图12是示出发光元件的对准工艺的一个或更多个其他实施例的剖视图。
188.参照图12，本实施例与图8的实施例的不同之处在于：在使发光元件ed对准的工艺中，在显示装置10之上和下面设置对准掩模。
189.可以使用第一对准掩模910和第二对准掩模920来执行使发光元件ed对准的工艺。因为第一对准掩模910和第二对准掩模920中的每者与图8的上述对准掩模900基本上相同，所以将不提供其结构的详细描述。
190.第一对准掩模910可以在目标基底1000之上，并且第二对准掩模920可在目标基底1000下面。
191.在第一对准掩模910中，基体基底sub2的其上形成有第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2的一个表面可以面对目标基底1000的第一基底sub1的上表面。例如，形成在第一对准掩模910上的第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2可以面对过孔层165的上表面。
192.在第二对准掩模920中，基体基底sub2的其上形成有第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2的一个表面可以面对目标基底1000的第一基底sub1的下表面。例如，形成在第二对准掩模920上的第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2可以面对过孔层165的下表面。
193.在本实施例中，因为第一对准掩模910和第二对准掩模920分别在目标基底1000之上和下面，所以可以通过第一对准掩模910从目标基底1000的上部形成第一电场iel1，并且可以通过第二对准掩模920从目标基底1000的下部形成第二电场iel2。因此，由于第一电场iel1和第二电场iel2引起的介电泳力可以增大。因此，较大的介电泳力被施加到发光元件ed，使得可以改善发光元件ed的对准的程度。
194.图13是示出发光元件的对准工艺的一个或更多个其他实施例的剖视图。
195.参照图13，在根据本实施例的使发光元件ed(例如，多个发光元件ed)对准的工艺中使用的对准掩模900_1中，包括在对准掩模900_1中的第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1中的每者的形状可以与包括在图8中示出的对准掩模900中的第一对准电极rmt1和第二对准电极rmt2中的每者的形状不同。外部对准电极rmt_1包括第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1。
196.在一个或更多个实施例中，形成在根据本实施例的对准掩模900_1的基体基底sub2的一个表面上的第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1中的每者在第三方向dr3上的长度可以比第二堤300的厚度大。此外，第一对准电极rmt1_1与第二对准电极rmt2_1之间在第一方向dr1上的距离可以比一个子像素spx中的第一堤200之间的距离小。因此，当对准掩模900_1在目标基底1000上时，第一对准电极rmt1_1的一部分和第二对准电极rmt2_1的一部分可以在彼此间隔开的第一堤200之间的空间中。
197.因为第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1中的每者在第三方向dr3上的长度比第二堤300的厚度大，所以第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1可以与目标基底1000的过孔层165相邻。因此，因为第一对准电极rmt1_1和第二对准电极rmt2_1与将定位发光元件ed的区域相邻以形成电场iel_1，所以可以改善发光元件ed的对准的程度。
198.图14是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
199.参照图14，本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：反射层600还形成在第一堤200的侧表面上。
200.这里，反射层600形成在第一堤200的面对发光元件ed的两端的侧表面上。反射层600可以覆盖第一堤200的整个侧表面。尽管在图14中示出了反射层600覆盖第一堤200的侧表面，但是本公开不限于此。例如，反射层600也可以在第一堤200的侧表面上和在第一堤200的上表面的一部分上。
201.反射层600可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层600可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、镍(ni)或其合金、ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)和/或itzo(氧化铟锡锌)的材料，但是其材料不限于此。反射层600可以直接被沉积或被施用在第一堤200的侧表面上。
202.从发光元件ed发射并朝向第一堤200的侧表面行进的光的一部分可以被反射层600反射并在显示装置10的显示方向上(例如，在第三方向dr3上)行进。例如，反射层600可以用于将从发光元件ed发射并朝向第一堤200的侧表面行进的光的方向改变为显示装置10的显示方向，例如，第三方向dr3。
203.在本实施例的情况下，因为通过反射层600进行反射，所以从发光元件ed发射的光在显示装置10的显示方向上行进，使得可以改善显示装置10的发光效率。
204.图15是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
205.参照图15，本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：本实施例的显示装置10包括对于与图3的第一堤200和第二堤300对应的每个区域具有不同的高度的第三堤220。
206.例如，本实施例的显示装置10可以包括在过孔层165上的第三堤220。第三堤220可以包括对于每个区域具有不同的高度的台阶结构。第三堤220可以包括具有第一高度的第一区域221和具有比第一高度大(高)的第二高度的第二区域222。可以从与第一基底sub1的一个表面相同的参考表面测量第三堤220的高度。第三堤220的每个区域可以具有基本上平坦的表面，而与下面的图案的形状或存在无关。第三堤220可以在每个区域的边界处具有台阶结构。
207.第三堤220的第一区域221可以在与发光区域ema中的发光元件ed相邻的区域中。第三堤220的第一区域221可以与图3的上述第一堤200起到相同的作用。例如，第三堤220的第一区域221可以用于提供其中定位有多个发光元件ed的空间，并且同时(或并发地)可以用作用于将从发光元件ed发射的光的行进方向改变为显示方向的反射分隔壁。
208.第三堤220的第二区域222可以在非发光区域中横跨各个子像素spx的边界设置。第三堤220的第二区域222可以与图3的上述第二堤300起到相同的作用。例如，第三堤220的第二区域222可以执行防止或减少在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺中墨水溢出到相邻的子像素spx的功能。
209.第三堤220可以包括包含感光材料的有机材料。例如，第三堤220可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但是其材料不限于此。在这种情况下，可以在施用用于第三堤220的有机材料层之后通过曝光和显影来形成第三堤220。可以使用多色调掩模或狭缝掩模来形成对于每个区域(例如，对于每个台阶)具有不同的高度的第三堤220。
210.第一接触电极410和第二接触电极420可以在第三堤220上。第一接触电极410和第二接触电极420可以覆盖第三堤220的整个第一区域221，并且可以形成在第三堤220的第二区域222的一部分上。
211.当通过一个工艺使用多色调掩模或狭缝掩模将第三堤220的分别与第一堤200和第二堤300对应的第一区域221和第二区域222形成为对于每个区域具有不同的高度的第三堤220时，不需要用于形成第一堤200和第二堤300的单独工艺，使得可以改善显示装置10的工艺效率。
212.图16是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
213.参照图16，本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：本实施例的显示装置10包括过孔层165_1，该过孔层165_1对于与图3的过孔层165以及第一堤200和第二堤300对应的每个区域具有不同的高度。
214.例如，根据本实施例的过孔层165_1可以包括对于每个区域具有不同的厚度(例如，高度)的台阶结构。过孔层165_1可以包括具有第一厚度(例如，高度)的第一台阶部165a、具有比第一厚度大的第二厚度(例如，高度)的第二台阶部165b以及具有比第二厚度高(大)的第三厚度(例如，高度)的第三台阶部165c。
215.过孔层165_1的第一台阶部165a、第二台阶部165b和第三台阶部165c可以分别与以上参照图3描述的过孔层165、第一堤200和第二堤300基本上相同。
216.在本实施例的情况下，通过一个工艺将分别与图3的过孔层165、第一堤200和第二堤300对应的区域形成为具有台阶结构的过孔层165_1，使得可以改善显示装置10的工艺效率。
217.图17是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
218.参照图17，本实施例与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：过孔层165_2具有凹槽165hm。
219.例如，根据本实施例的过孔层165_2可以具有在过孔层165_2的厚度方向上(例如，在与第三方向dr3相反的方向上)从过孔层165_2的上表面凹陷的凹槽165hm。在一个或更多个实施例中，凹槽165hm的剖面形状可以是其宽度随着其在第三方向dr3上前进而增大的梯形形状。然而，本公开不限于此。
220.在一个或更多个实施例中，形成在过孔层165_2的上表面中的凹槽165hm可以具有在一个子像素spx内沿着第二方向dr2延伸的形状。然而，本公开不限于此，可以在过孔层165_2的上表面中形成沿着第二方向dr2彼此间隔开的多个凹槽165hm。凹槽165hm可以在一个子像素spx中形成在彼此间隔开的第一堤200之间。
221.发光元件ed可以在过孔层165_2的凹槽165hm中。过孔层165_2的凹槽165hm的深度可以比发光元件ed的直径小。因此，定位在凹槽165hm中的发光元件ed可以在第三方向dr3上从过孔层165_2突出。过孔层165_2的凹槽165hm可以形成在第一堤200之间，使得过孔层165_2的上表面凹陷，从而提供其中定位发光元件ed的空间。例如，过孔层165_2的凹槽165hm可以用于在使发光元件ed对准的工艺中引导应该放置发光元件ed的区域。
222.凹槽165hm在第一方向dr1上的宽度w可以比发光元件ed在其延伸方向上的长度h大。在凹槽165hm的剖面形状的宽度随着其在第三方向dr3上行进而改变的一个或更多个实施例中，凹槽165hm在第一方向dr1上的最小宽度w可以比发光元件ed在其延伸方向上的长
度h大。因为凹槽165hm在第一方向dr1上的宽度w比发光元件ed在其延伸方向上的长度h大，所以发光元件ed可以容易地在过孔层165_2的凹槽165hm中放置且对准。
223.在本实施例的情况下，在第一堤200之间的空间中形成过孔层165_2的上表面的通过第一堤200暴露的一部分在其中凹陷的凹槽165hm，因此在使发光元件ed对准的工艺中，发光元件ed可以容易地放置在凹槽165hm中。在制造显示装置10的工艺期间，在使发光元件ed对准的工艺中，凹槽165hm可以引导发光元件ed放置在第一堤200之间。因此，过孔层165_2的上表面的一部分在其中凹陷的凹槽165hm可以被设计并形成在其中将放置并对准发光元件ed的区域中，从而改善发光元件ed的对准程度。
224.图18是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
225.参照图18，本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：本实施例的显示装置10还包括在第一接触电极410上的第三绝缘层520，并且第二接触电极420在第三绝缘层520上。
226.例如，第三绝缘层520可以在第一接触电极410上。第三绝缘层520可以在第一接触电极410上以完全覆盖第一接触电极410。第三绝缘层520也可以部分地在第一绝缘层510的通过第一接触电极410暴露的上表面上。第三绝缘层520可以在第一绝缘层510上，并且可以使发光元件ed的另一端暴露，使得第二接触电极420接触发光元件ed的另一端。
227.第二接触电极420可以在第三绝缘层520上。第二接触电极420可以部分地在定位在第一绝缘层510上的第三绝缘层520上。
228.本实施例与图3的实施例的不同之处在于：第一接触电极410和第二接触电极420不形成在同一层上，并且第三绝缘层520置于第一接触电极410与第二接触电极420之间，以使它们彼此绝缘。因此，将不提供与结合图3描述的特征相同的特征的重复描述。
229.图19是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
230.参照图19，本实施例与图3的实施例的不同之处在于：第一接触孔ct1_1和第二接触孔ct2_1设置为在第三方向dr3上与第一堤200和第二堤300叠置。
231.例如，根据本实施例的第一接触孔ct1_1和第二接触孔ct2_1可以在第三方向dr3上与第一堤200和第二堤300叠置。因此，第一接触孔ct1_1和第二接触孔ct2_1可以形成为穿透第一堤200、第二堤300和过孔层165。在这种情况下，第一接触电极410和第二接触电极420可以在第二堤300上，并且可以通过穿透第一堤200、第二堤300和过孔层165的第一接触孔ct1_1和第二接触孔ct2_1分别与第一导电图案cdp和第一电压线vl2接触。
232.图20是根据一个或更多个其他实施例的显示装置的剖视图。
233.参照图20，本实施例的显示装置10与图3的实施例的显示装置10的不同之处在于：本实施例的显示装置10包括在非显示区域nda中的第二对准标记amk2。
234.例如，根据本实施例的显示装置10可以包括在非显示区域nda中的第二对准标记amk2。第二对准标记amk2可以形成为电路元件层的多个导电层中的一个。在一个或更多个实施例中，第二对准标记amk2可以包括在第二数据导电层150中，并且可以与上述第一电压线vl2和第二电压线vl1形成在同一层上。然而，本公开不限于此，第二对准标记amk2可以形成为包括在第一数据导电层140或栅极导电层130中。
235.第二对准标记amk2可以用于在使用对准掩模900使发光元件ed对准的工艺中使对准掩模900和第一基底sub1对准。在一个或更多个实施例中，在将显示装置10的第二对准标
记amk2和对准掩模900的第一对准标记amk1对准为在第三方向dr3上彼此叠置之后，可以使用对准掩模900来使发光元件ed对准。
236.在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离如权利要求及其等同物中阐述的本公开的原理的情况下，可以对这里描述的实施例进行许多变化和修改。因此，本公开的所公开的实施例仅以一般和描述性意义使用，而不是出于限制的目的。