一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种绝缘保护的倒装led芯片结构，其特征在于：在芯片衬底（1）上生长led芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及n、p焊盘区（5），在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层（6），绝缘保护层（6）包裹覆盖在芯片结构上除n、p焊盘区（5）外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。2.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装led芯片结构，其特征在于：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层（6）做图形化处理，芯片单元背面形成粗化表面，粗化形貌为半球形、梯台形、圆锥形或不规则形状。3.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装led芯片结构，其特征在于：芯片单元倒置与封装基板（8）结合，芯片单元的背面向上。4.根据权利要求3所述的绝缘保护的倒装led芯片结构，其特征在于：绝缘保护层（6）还覆盖在封装基板（8）上。5.根据权利要求1所述的绝缘保护的倒装led芯片结构，其特征在于：绝缘保护层（6）是al2o3、aln、sin、sio2、alon薄膜中的一种或多种。6.一种绝缘保护的倒装led芯片结构的制作方法，其特征在于：至少包括以下步骤：步骤s1：在芯片衬底（1）上生长led芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及n、p焊盘区（5）；步骤s2：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜（7）上或者与封装基板（8）结合，芯片单元的背面向上，芯片单元的正面朝下，对上述结构沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层（6），绝缘保护层（6）包裹覆盖在芯片结构上除n、p焊盘区（5）外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。7.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装led芯片结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤s3：对倒置的芯片单元背面的绝缘保护层（6）做图形化处理，形成粗化表面，进一步提高出光效率。8.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装led芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤s1进一步包括：在芯片衬底（1）上生长led芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及n、p金属导电层（4），在芯片结构上沉积致密的绝缘薄膜，再利用正胶光刻技术进行蚀刻，得到芯片整面的绝缘层图形，然后对芯片结构的n、p金属导电层（4）制作n、p焊盘区（5）。9.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装led芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤s2进一步包括：将切割后的芯片单元翻模置于耐高温蓝膜（7）上时，芯片单元的n、p焊盘区（5）与蓝膜（7）贴合接触。10.根据权利要求6所述的绝缘保护的倒装led芯片结构的制作方法，其特征在于：步骤s2进一步包括：将切割后的芯片单元倒置与封装基板（8）结合时，芯片单元的n、p焊盘区（5）与封装基板（8）结合接触，绝缘保护层（6）还覆盖在封装基板（8）上。

技术总结
本发明公开了一种绝缘保护的倒装LED芯片结构及其制作方法，其中所述绝缘保护的倒装LED芯片结构在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，制作芯片电流分层结构以及N、P焊盘区，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，绝缘保护层包裹覆盖在芯片结构上除N、P焊盘区外的位置，包括芯片单元的正面、背面及侧面。本发明采用包围式绝缘保护的LED芯片结构，在切片后的芯片单元上沉积致密的绝缘薄膜作为绝缘保护层，能够降低漏电率，提升芯片的良率，同时增强出光效率，增强器件长期使用的可靠性，抑制水汽侵蚀。抑制水汽侵蚀。抑制水汽侵蚀。


技术研发人员：张秀敏
受保护的技术使用者：普瑞（无锡）研发有限公司
技术研发日：2021.11.03
技术公布日：2022/3/7