集成电容滤波器和具有变阻器功能的集成电容滤波器的制作方法

技术特征：
1.一种具有变阻器功能的集成电容滤波器，包括：具有多个电容元件的分立的多端子多层陶瓷电容器器件，包括具有包括电极层的协作的多个层的主体，所述电极层继而形成集成电容结构；第一对电容器器件端子，其在所述主体外部并具有相反极性；第二对电容器器件端子，其在所述主体外部并具有相同极性；所述电极层的第一区域，所述第一区域形成两个相应的电容器；以及所述电极层的第二区域，所述第二区域形成在所述第一对端子之间串联连接所接收的多层陶瓷电容器；以及分立的变阻器，所述分立的变阻器包括具有一对变阻器端子的主体，所述一对变阻器端子在所述变阻器主体外部并具有相反极性，其中所述变阻器与和所述第一对电容器器件端子接触的所述多端子多层陶瓷电容器器件堆叠，使得所述变阻器与所述多端子多层陶瓷电容器器件为并联关系。2.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一对电容器器件端子和所述第二对电容器器件端子中的至少一个与所述第一区域的所述两个相应的电容器相应地并联连接。3.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中：所述电极层的所述第一区域形成所述两个相应的电容器的分离馈通型构造；并且所述电极层的所述第二区域形成所述多层陶瓷电容器的重叠型构造。4.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，还包括：第一引线和第二引线，第一引线和第二引线分别附接于所述第一对电容器器件端子和所述一对变阻器端子；以及第三引线，所述第三引线附接于所述第二对电容器器件端子中的至少一个。5.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中将所述变阻器和所述多端子多层陶瓷电容器器件组合以形成所述滤波器的表面安装器件(smd)配置。6.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述电极层的所述第一区域至少包括位于与总体上交叉形状层相对的一对层，所述总体上交叉形状层具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘，并且具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘。7.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一层中的所述一对层分别具有与所述第一层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积，使得为所述第一区域的所述相应电容器得出不同电容值。8.根据权利要求7所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，还包括：所述电极层的第三区域，所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造，所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层；其中所述第三层中的所述一对层分别具有与所述第三层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积，使得为所述第三区域的所述相应附加的电容器得出不同电容值。9.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一区域的一对层是t形的。10.根据权利要求6所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述主体具有一对相对侧表面并且所述第二对端子分别形成在所述一对相对侧表面上，并且其中所述第一区
域的一对层分别沿着所述主体的一对相对侧表面与所述第一对端子连接。11.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。12.根据权利要求11所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第二区域的成对的交替层是t形的。13.根据权利要求11所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述主体具有一对相对侧表面，并且所述第二对端子分别形成在所述一对相对侧表面上，并且其中所述第二区域的成对的交替层分别延伸至所述主体的一对相对侧表面，并且其中所述第二区域的成对的交替层分别沿着所述主体的一对相对侧表面与所述第一对端子连接。14.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一区域的所述两个相应的电容器彼此串联，并且都与所述第二区域的所述多层陶瓷电容器并联。15.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，还包括：所述电极层的第三区域，所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造；其中所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子相应地与所述第三区域的所述附加的两个相应的电容器并联连接。16.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述电极层的所述第二区域在所述电极层的所述第一区域和第三区域之间。17.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中：所述主体具有一对相对细长侧和一对相对较短侧；所述第一对端子分别驻留在所述一对相对细长侧上；并且所述第二对端子分别驻留在所述一对相对较短侧上。18.根据权利要求1所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第二区域的所述电极层包括相对扩大的面积，以形成相对增加的电容值重叠型多层陶瓷电容器。19.一种提供具有变阻器功能的集成电容滤波器的方法，包括：提供具有多个电容元件的多端子多层陶瓷器件，其中提供具有多个电容元件的多端子多层陶瓷器件包括：提供具有包含用于形成集成电容结构的电极层的协作的多个层的主体；在所述电极层的指定第一区域中形成两个相应的电容器的分离馈通型构造；在所述电极层的指定第二区域中形成多层陶瓷电容器的重叠型构造；在所述主体的一对相应的相对侧外部施加第一对端子，并且所述第二区域电容器串联连接在所述第一对端子之间；以及施加第二对端子，所述第二对端子在所述主体中的另一对相应的相对侧的至少部分的外部并具有相同极性，并且所述第二对端子的至少一个和所述第一对端子相应地与所述第一区域的所述两个相应电容器并联连接，使得将多个电容元件集成在单个封装体器件中；以及相对于所述多端子多层陶瓷堆叠具有一对外部端子的分立的变阻器，使得所述变阻器与所述第一对端子接触并与所述多端子多层陶瓷电容器器件为并联关系。
20.根据权利要求19所述的方法，其中：所述电极层的所述第一区域至少包括位于与总体上交叉形状层相对的一对层，所述总体上交叉形状层具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘，并且具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘；并且所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。21.根据权利要求20所述的方法，还包括为所述第一层中的所述一对层分别提供与所述第一层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积，使得为所述第一区域的所述相应电容器得出不同电容值。22.根据权利要求19所述的方法，还包括在所述电极层的指定第三区域中形成两个相应电容器的另一个分离馈通型构造，其中所述第三区域的所述两个对应电容器分别相对于所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子并联连接。23.根据权利要求19所述的方法，还包括在所述电极层的指定第三区域中形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造，所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层。24.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一引线和第二引线分别附接于所述变阻器的所述一对外部端子。25.根据权利要求19所述的方法，还包括将所述变阻器和所述多端子多层陶瓷电容器器件组合以形成所述滤波器的表面安装器件(smd)配置。26.一种具有多个电容元件的多端子多层陶瓷器件，包括：主体，所述主体具有包含电极层的协作的多个层，以形成集成电容结构；所述电极层的第一区域，所述第一区域形成两个相应的电容器的分离馈通型构造；所述电极层的第二区域，所述第二区域形成多层陶瓷电容器的重叠型构造；第一对端子，所述第一对端子在所述主体外部并具有相反极性；以及第二对端子，所述第二对端子在所述主体外部并具有相同极性；其中所述第一对端子与所述第二区域电容器串联连接，并且其中所述电极层的所述第一区域包括具有分别接触所述第二对端子的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的交叉形状层，使得将多个电容元件集成在单个封装体器件中。27.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。28.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述第一区域的所述两个相应的电容器彼此串联，并且都与所述第二区域的所述多层陶瓷电容器并联。29.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述第一对端子和第二对端子位于所述主体的侧的相应相对侧对上，并且相应地从其环绕到所述主体的指定底侧，以形成所述器件的表面安装器件(smd)配置。30.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，还包括：
所述电极层的第三区域，所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造；其中所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子相应地与所述第三区域的所述附加的两个相应的电容器并联连接。31.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述电极层的所述第二区域在所述电极层的所述第一区域和第三区域之间。32.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中：所述主体具有一对相对细长侧和一对相对较短侧；所述第一对端子分别驻留在所述一对相对细长侧上；并且所述第二对端子分别驻留在所述一对相对较短侧上。33.根据权利要求27所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述第一层中的所述一对层分别具有与所述第一层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积，使得为所述第一区域的所述相应电容器得出不同电容值；所述多端子多层陶瓷器件优选还包括：所述电极层的第三区域，所述第三区域形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造，所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层；其中所述第三层中的所述一对层分别具有与所述第三层的所述总体上交叉形状层不同的重叠面积，使得为所述第三区域的所述相应附加的电容器得出不同电容值。34.根据权利要求26所述的多端子多层陶瓷器件，其中所述第二区域的所述电极层包括相对扩大的面积，以形成相对增加的电容值重叠型多层陶瓷电容器。35.一种具有变阻器功能的集成电容滤波器，包括具有多个电容元件的分立的多端子多层陶瓷电容器器件，包括具有包括电极层的协作的多个层的主体，所述电极层继而形成集成电容结构；第一对电容器器件端子，其在所述主体外部并具有相反极性；第二对电容器器件端子，其在所述主体外部并具有相同极性；所述电极层的第一区域，所述第一区域形成两个相应的电容器的分离馈通型构造；以及所述电极层的第二区域，所述第二区域形成在所述第一对端子之间串联连接所接收的多层陶瓷电容器；分立的变阻器，所述分立的变阻器包括具有一对变阻器端子的主体，所述一对变阻器端子在所述变阻器主体外部并具有相反极性；第一引线和第二引线，所述第一引线和所述第二引线分别附接于所述第一对电容器器件端子和所述一对变阻器端子；以及第三引线，所述第三引线附接于所述第二对电容器器件端子中的至少一个。36.根据权利要求35所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一对电容器器件端子和所述第二对电容器器件端子中的至少一个与所述第一区域的所述两个相应的电容器相应地并联连接，并且其中所述电极层的所述第二区域形成所述多层陶瓷电容器的重叠型构造。37.根据权利要求35所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述第一区域的一对层是t形的。38.根据权利要求35所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述主体具有一
对相对侧表面并且所述第二对端子分别形成在所述一对相对侧表面上，并且其中所述第一区域的一对层分别沿着所述主体的一对相对侧表面与所述第一对端子连接。39.根据权利要求35所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中，并且其中所述第二区域的成对的交替层是t形的。40.根据权利要求35所述的具有变阻器功能的集成电容滤波器，其中所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中，其中所述主体具有一对相对侧表面并且所述第二对端子分别形成在所述一对相对侧表面上，并且其中所述第二区域的成对的交替层分别延伸至所述主体的一对相对侧表面，并且其中所述第二区域的成对的交替层分别沿着所述主体的一对相对侧表面与所述第一对端子连接。41.一种提供具有多个电容元件的多端子多层陶瓷器件的方法，包括提供具有包含用于形成集成电容结构的电极层的协作的多个层的主体；在所述电极层的指定第一区域中形成两个相应的电容器的分离馈通型构造；在所述电极层的指定第二区域中形成多层陶瓷电容器的重叠型构造；在所述主体的一对相应的相对侧外部施加第一对端子，并且所述第二区域电容器串联连接在所述第一对端子之间；以及施加第二对端子，所述第二对端子在所述主体中的另一对相应的相对侧的至少部分的外部并具有相同极性，并且所述第二对端子的至少一个和所述第一对端子相应地与所述第一区域的所述两个相应电容器并联连接，使得将多个电容元件集成在单个封装体器件中。42.根据权利要求41所述的方法，其中：所述电极层的所述第一区域至少包括位于与总体上交叉形状层相对的一对层，所述总体上交叉形状层具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘，并且具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘；并且所述电极层的所述第二区域至少包括成对的交替层，所述成对的交替层处于其中相应的延伸部分与所述第一对端子的相应的端子接触的重叠配置中。43.根据权利要求41所述的方法，其中所述第一对端子和第二对端子分别环绕到所述主体的指定底侧，以形成所述器件的表面安装器件(smd)配置。44.根据权利要求41所述的方法，还包括：在所述电极层的指定第三区域中形成两个相应电容器的另一个分离馈通型构造，其中所述第三区域的所述两个对应电容器分别相对于所述第二对端子中的至少一个和所述第一对端子并联连接。45.根据权利要求41所述的方法，还包括：在所述电极层的指定第三区域中形成附加的两个相应的电容器的分离馈通型构造，所述第三区域至少包括具有相应地与所述第二对端子接触的相应的前延伸边缘和后延伸边缘、并具有相应地与所述第一对端子接触的侧延伸边缘的一对层。46.根据权利要求41所述的方法，还包括将第一引线和第二引线分别附接于所述第一对端子，以及将第三引线附接于所述第二对端子中的至少一个，所述方法优选还包括相对
于所述器件堆叠具有一对外部端子的分立的变阻器，其中所述第一引线和所述第二引线分别附接于所述变阻器的所述一对外部端子，使得所述器件和所述分立的变阻器并联连接。

技术总结
公开了提供具有三个或更多个电容元件的集成的多端子多层陶瓷器件的设备和方法。这样的电容元件中的两个可以是串联，与第三电容元件并联。集成的器件可以封装为包覆模制的三个引线元件，或可以安装为SMD(表面安装器件)。集成的器件还可以在引线组件的堆叠布置下与分离的变阻器组合。离的变阻器组合。离的变阻器组合。


技术研发人员：M.柯克 M.贝罗里尼
受保护的技术使用者：京瓷AVX元器件公司
技术研发日：2018.02.05
技术公布日：2022/3/4