一种拉伸型屏蔽罩的制作方法

1.本实用新型涉及屏蔽设备技术领域，具体为一种拉伸型屏蔽罩。


背景技术：

2.屏蔽罩是手机等通讯电子设备上不可或缺的零件，主要起屏蔽干扰作用，优化射频环境。随着4g、5g通讯技术的兴起，手机整体集成化越来越高，手机空间逐步压缩，这对于要求较大空间的射频部分有一定难点，在小空间内尽量减少芯片等器件对射频的干扰，是必须要解决的事情，行业对屏蔽罩的效果提出了更高的要求。
3.但是传统的屏蔽罩基本是采用折弯成型，受限于工艺成型原因，在罩体和竖边以及竖边和竖边之间的拐角处容易存在细小的缝隙，从而使得这些缝隙易对射频造成一定的干扰。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的就是实用新型的目的就是针对背景技术中存在的问题，提出一种无缝隙免干扰的一种拉伸型屏蔽罩。
5.本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
6.一种拉伸型屏蔽罩，包括罩体和竖边，所述竖边连接在罩体的一周，所述罩体和竖边之间连接处形成倒角设计，所述竖边的底端连接有翻边，所述罩体、竖边、倒角设计和翻边之间为一体设计。
7.上述方案进一步包括：
8.进一步地，所述罩体、竖边、倒角设计和翻边的材质为c，所述罩体、竖边、倒角设计和翻边利用拉伸原理成型。
9.进一步地，所述倒角设计不小于r0.5。
10.进一步地，所述翻边的宽度不小于0.2mm。
11.进一步地，所述竖边的高度不小于0.7mm。
12.与现有技术相比，本实用新型具备以下有益效果：
13.本实用新型通过采用拉伸原理而制成一体化设计的罩体、竖边、倒角设计和翻边，使得罩体和竖边以及竖边和竖边之间没有缝隙，从而使得射频泄露少，同时能更好地屏蔽干扰信号，避免器件影响射频。
附图说明
14.图1为本实用新型一种实施例的立体结构示意图；
15.图2为本实用新型一种实施例的底部结构示意图。
16.图中：1、罩体；2、竖边；3、倒角设计；4、翻边。
具体实施方式
17.下面结合附图和具体实施例，对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，以便对本实用新型的技术方案更完整的理解。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他等同实施例，都属于本实用新型保护的范围。
18.实施例
19.如图1和2所示，本实用新型提出的一种拉伸型屏蔽罩，包括罩体1和竖边2，竖边2连接在罩体1的一周，罩体1和竖边2之间连接处形成倒角设计3，竖边2的底端连接有翻边4，罩体1、竖边2、倒角设计3和翻边4之间为一体设计。
20.罩体1、竖边2、倒角设计3和翻边4的材质为c7521，罩体1、竖边2、倒角设计3和翻边4利用拉伸原理成型。
21.倒角设计3不小于r0.5。
22.翻边4的宽度不小于0.2mm。
23.竖边2的高度不小于0.7mm。
24.具体的，罩体1、竖边2、倒角设计3和翻边4一体设计，将原材料c7521置于模具上，一步步将屏蔽罩整个形状拉出，c7521比较柔软，可以有效的利用拉伸原理成型原理使得罩体1和竖边2之间不会出现缝隙，避免由于缝隙影响射频；倒角设计3的设计不小于r0.5，可以有效的利于模具作用原材料上时能够拉出成型；竖边2的高度不小于0.7mm，可以有效的包装罩体1的高度；翻边4的宽度不小于0.2mm，且翻边4和罩体1与竖边2一体，可以使得装置在接触cb板的焊接面没有毛刺，smt贴片时焊得更加牢固，不容易出现假焊，所以泄露少，能更好地屏蔽干扰信号。


技术特征：
1.一种拉伸型屏蔽罩，包括罩体(1)和竖边(2)，其特征在于：所述竖边(2)连接在罩体(1)的一周，所述罩体(1)和竖边(2)之间连接处形成倒角设计(3)，所述竖边(2)的底端连接有翻边(4)，所述罩体(1)、竖边(2)、倒角设计(3)和翻边(4)之间为一体设计。2.根据权利要求1所述的一种拉伸型屏蔽罩，其特征在于：所述罩体(1)、竖边(2)、倒角设计(3)和翻边(4)的材质为c7521，所述罩体(1)、竖边(2)、倒角设计(3)和翻边(4)利用拉伸原理成型。3.根据权利要求2所述的一种拉伸型屏蔽罩，其特征在于：所述倒角设计(3)不小于r0.5。4.根据权利要求3所述的一种拉伸型屏蔽罩，其特征在于：所述翻边(4)的宽度不小于0.2mm。5.根据权利要求4所述的一种拉伸型屏蔽罩，其特征在于：所述竖边(2)的高度不小于0.7mm。

技术总结
本实用新型涉及屏蔽设备技术领域，具体为一种拉伸型屏蔽罩。包括罩体和竖边，所述竖边连接在罩体的一周，所述罩体和竖边之间连接处形成倒角设计，所述竖边的底端连接有翻边，所述罩体、竖边、倒角设计和翻边之间为一体设计。本实用新型通过采用拉伸原理而制成一体化设计的罩体、竖边、倒角设计和翻边，使得罩体和竖边以及竖边和竖边之间没有缝隙，从而使得射频泄露少，同时能更好地屏蔽干扰信号，避免器件影响射频。影响射频。影响射频。


技术研发人员：史荣彬
受保护的技术使用者：上海荣瀚电子科技有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/3/1