显示面板、显示面板的制备方法及显示装置与流程

1.本技术涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。


背景技术：

2.柔性显示面板具有折叠、大角度弯曲、卷曲等特殊产品形态，从而得到越来越多的应用。例如，折叠式显示面板，在显示面板展平状态下，可以获得较大的显示面积；在显示面板折叠状态下，可以使得具有该显示面板的显示装置体积较小，便于携带，从而得到广泛的关注。
3.相关技术中，显示面板包括弯折区和两个平面区，两个平面区通过弯折区连接。其中，平面区的显示面板可以处于平面状态，弯折区的显示面板可以被弯折，从而实现显示面板的折叠功能。
4.然而，上述弯折区内显示面板在弯折过程中受到较大的弯折应力，导致显示面板的各功能膜层之间容易剥离，影响显示面板的显示效果。


技术实现要素：

5.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，能够降低弯折区的显示面板的弯折应力，从而降低弯折区的显示面板中各个功能膜层之间的剥离风险，以保证显示面板和显示装置的显示效果。
6.为了实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
7.本技术实施例的第一方面提供一种显示面板，包括弯折区和至少两个平面区，相邻两个平面区通过弯折区连接，显示面板包括阵列基板、oled发光层和micro led发光层；
8.oled发光层分布于位于平面区的阵列基板上，micro led发光层分布于位于弯折区的阵列基板上；
9.位于弯折区内的显示面板的弯折应力小于位于平面区内的显示面板的弯折应力。
10.本技术实施例提供的显示面板，显示面板的平面区采用oled发光层，而显示面板的弯折区采用micro led发光层。在弯折时，micro led制成的显示面板可以比oled制成的显示面板受到的弯折应力更低。在弯折区采用micro led发光层，平面区采用oled发光层，能够使得弯折区的显示面板的弯折应力小于平面区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐弯折性能，以保证显示面板及显示装置的显示效果。另外，平面区采用oled发光层，仅在弯折区小面积的采用micro led发光层，无需大面积转移micro led，可以摆脱micro led的巨量转移良率低下的困境。
11.在一种可能的实现方式中，还包括封装层，封装层包括第一封装层和第二封装层，第一封装层位于oled发光层的远离阵列基板的一侧，第二封装层位于micro led发光层的远离阵列基板的一侧；
12.第二封装层的弯折应力小于第一封装层的弯折应力。
13.这样，第二封装层的弯折应力较小，可以降低弯折区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能，保证显示面板及显示装置的显示效果。
14.在一种可能的实现方式中，micro led发光层包括阵列排布的多个micro led发光单元，oled发光层包括阵列排布的多个oled发光单元，micro led发光层中的micro led发光单元的分布密度，小于oled发光层中的oled发光单元的分布密度；
15.可以实现的是，第一封装层和oled发光层的厚度之和，大于第二封装层和micro led发光层的厚度之和。
16.这样，第二封装层和micro led发光层的厚度之和较小，可降低弯折区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能，以保证显示面板及显示装置的显示效果。
17.在一种可能的实现方式中，还包括盖板和偏光层，盖板位于第一封装层和第二封装层的远离阵列基板的一侧；
18.偏光层位于盖板和第一封装层之间。
19.这样，第二封装层与盖板之间未设置偏光层，可以减小弯折区的显示面板的厚度，以降低弯折区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能。
20.在一种可能的实现方式中，还包括透光填充层，透光填充层位于盖板和第二封装层之间；
21.和/或，
22.盖板包括相互连接的第一盖板部和第二盖板部，第一盖板部的厚度不大于第二盖板部的厚度，且第一盖板部和第二盖板部的远离阵列基板的一侧的面齐平；
23.第一盖板部位于第一封装层的远离阵列基板的一侧，第二盖板部位于第二封装层的远离阵列基板的一侧。
24.这样，显示面板的表面平整度较好，显示效果较好。
25.在一种可能的实现方式中，盖板的整体厚度一致，位于弯折区的盖板的靠近阵列基板一侧的面贴合第二封装层；
26.位于弯折区的盖板的远离阵列基板一侧的面，低于位于平面区的盖板的远离阵列基板一侧的面。
27.这样，弯折区的显示面板整体较薄，其弯折应力较小。其中，盖板的整体厚度一致，且盖板的制作工艺较为简单。
28.在一种可能的实现方式中，阵列基板包括衬底和设置在衬底上的多个驱动单元，多个驱动单元呈阵列排布；
29.位于平面区的驱动单元内的金属走线的排布密度，大于位于弯折区的驱动单元内的金属走线的排布密度；
30.可以实现的是，位于平面区的驱动单元的栅极信号线的宽长比，大于位于弯折区的驱动单元的栅极信号线的宽长比。
31.这样，可以减小弯折区的阵列基板在弯折时受到的弯折应力，从而避免弯折区内的阵列基板在弯折时发生层间剥离的问题，提高阵列基板结构的稳定性。
32.在一种可能的实现方式中，位于弯折区的驱动单元包括第一极连接线、第二极连接线和发光信号线和公共线，第一极连接线的第一端与发光信号线连接，第一极连接线的第二端与micro led发光层的第一极连接，第二极连接线的第一端与公共线连接，第二极连
接线的第二端与micro led发光层的第二极连接。
33.这样，实现了micro led发光层与驱动单元之间电性连接。
34.本技术实施例的第二方面提供一种显示面板的制备方法，显示面板包括弯折区和至少两个平面区，相邻两个平面区通过弯折区连接；
35.显示面板的制备方法包括：
36.提供阵列基板；阵列基板包括衬底和设置在衬底上的多个驱动单元，多个驱动单元呈阵列排布；
37.在弯折区内的阵列基板上形成micro led发光层，并在micro led发光层的远离阵列基板的一侧形成第二封装层；micro led发光层与弯折区内的驱动单元电性连接；
38.在平面区内的阵列基板上形成oled发光层；oled发光层与平面区内的驱动单元电性连接；
39.在oled发光层的远离阵列基板的一侧形成第一封装层；第一封装层的弯折应力大于第二封装层的弯折应力；
40.在第一封装层的远离阵列基板的一侧形成偏光层；
41.在偏光层和第二封装层的远离阵列基板的一侧形成盖板。
42.本实施例提供的显示面板的制备方法，制备时显示面板的平面区采用oled发光层，而显示面板的弯折区采用micro led发光层。在弯折时，micro led制成的显示面板可以比oled制成的显示面板受到的弯折应力更低。在弯折区采用micro led发光层，平面区采用oled发光层，能够使得弯折区的显示面板的弯折应力小于平面区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能，以保证显示面板及显示装置的显示效果。另外，平面区采用oled发光层，仅在弯折区小面积的采用micro led发光层，无需大面积转移micro led，可以摆脱巨量转移良率低下的困境。
43.本技术实施例的第三方面提供一种显示装置，包括上述第一方面中的显示面板。
44.本实施例提供的显示装置，包括显示面板，显示面板的平面区采用oled发光层，而显示面板的弯折区采用micro led发光层。在弯折时，micro led制成的显示面板可以比oled制成的显示面板受到的弯折应力更低。在弯折区采用micro led发光层，平面区采用oled发光层，能够使得弯折区的显示面板的弯折应力小于平面区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能，以保证显示面板及显示装置的显示效果。另外，平面区采用oled发光层，仅在弯折区小面积的采用micro led发光层，无需大面积转移micro led，可以摆脱巨量转移良率低下的困境。
45.本技术的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
46.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
47.图1为弯折区的显示面板中各功能膜层在弯折时的结构示意图；
48.图2为本技术实施例提供的显示面板中发光层的俯视图；
49.图3为本技术实施例提供的显示面板的剖视图；
50.图3a为本技术实施例提供的显示面板中未设第二封装层的剖视图；
51.图4为本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
52.图4a为本技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
53.图5为本技术实施例提供的micro led发光层的结构示意图；
54.图6为本技术实施例提供的一种盖板的结构示意图；
55.图7为本技术实施例提供的另一种盖板的结构示意图；
56.图8为本技术实施例提供的另一种盖板结构示意图；
57.图9为本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；
58.图10为本技术实施例提供的显示面板的制备方法中完成步骤s10后的结构示意图；
59.图11为本技术实施例提供的显示面板的制备方法中完成步骤s20后的结构示意图；
60.图12为本技术实施例提供的显示面板的制备方法中完成步骤s30后的结构示意图；
61.图13为本技术实施例提供的显示面板的制备方法中完成步骤s40后的结构示意图；
62.图14为本技术实施例提供的显示面板的制备方法中完成步骤s50后的结构示意图。
63.附图标记说明：
64.100-显示面板；
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100a-弯折区；
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100b-平面区；
65.11-内膜层；
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12-中性膜层；
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13-外膜层；
66.20-阵列基板；
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21-衬底；
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22-薄膜晶体管；
67.221-栅极信号线；
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231-第一极连接线；
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232-第二极连接线；
68.241-发光信号线；
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242-公共线；
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25-电容结构；
69.26-绝缘层；
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27-平坦化层；
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30-发光层；
70.31-像素限定层；
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311-像素开口；
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312-连接孔；
71.32-oled发光层；
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321-有机发光单元；
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322-阳极层；
72.323-发光材料层；
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324-阴极层；
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33-micro led发光层；
73.331-led晶粒；
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40-封装层；
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41-第一封装层；
74.42-第二封装层；
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421-第一有机层；
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422-第二有机层；
75.423-中间绝缘层；
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50-盖板；
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51-第一盖板部；
76.52-第二盖板部；
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60-偏光层；
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70-透光填充层。
具体实施方式
77.相关技术中，有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称为oled)显示面板包括弯折区和两个平面区，两个平面区通过弯折区连接。显示面板在折叠过程中，两个平面区相向运动，且两个平面区处于平面状态，而弯折区则被弯折。如图1所示，弯折区被
弯折时，位于弯折区的显示面板中的各个功能膜层将受到弯折应力。例如，弯折区的功能膜层可以包括内膜层11，中性膜层12和外膜层13，内膜层11指弯折时处于弯折内侧的功能膜层，外膜层13指弯折时处于弯折外侧的功能膜层，中性膜层12位于内膜层11和外膜层13之间。在弯折时，内膜层11受到挤压应力f1、外膜层13受拉伸应力f2，中性膜层12上的挤压应力和拉伸应力相互抵消而不受应力作用。
78.然而，由于弯折区的弯折半径较小，而oled面板较厚，导致弯折区的显示面板在弯折时，外膜层13受到较大的拉伸应力，内膜层11受到较大的挤压应力，功能膜层之间容易剥离，引发功能膜层的失效，对显示面板及显示装置的显示效果造成影响。
79.申请人在研究过程中发现，微发光二级管(micro light emitting diode，简称为micro led或μled)，micro led与oled的不同之处在于其led部分的材料组成。oled在发光层中使用有机材料形成发光单元，有机材料对水氧较为敏感，其封装层中的无机膜层较多，以保证对水氧的隔离性能。而micro led则使用的无机材料形成发光单元，从而可以降低对封装层的要求，micro led的封装层可以主要采用有机封装膜层进行封装。有机封装膜层较为柔软，可以缓解micro led显示面板受到的弯折应力，从而使得micro led显示面板的弯折应力小于oled显示面板。
80.但是，micro led最大的生产挑战在于如何把巨量的微米等级的led晶粒，通过高精准度的设备，将之布置在目标基板或者电路板上，而此程序被称为巨量转移(mass transfer)。巨量转移技术良品率低、焊接精准程度要求极高、因此难以大面积商用。
81.基于上述的问题，本实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，显示面板的平面区采用oled发光层，而显示面板的弯折区采用micro led发光层。在弯折时，micro led制成的显示面板可以比oled制成的显示面板受到的弯折应力更低。在弯折区采用micro led发光层，平面区采用oled发光层，能够使得弯折区的显示面板的弯折应力小于平面区的显示面板的弯折应力，提升显示面板的耐折叠性能，以保证显示面板及显示装置的显示效果。另外，平面区采用oled发光层，仅在弯折区小面积的采用micro led发光层，无需大面积转移micro led，可以摆脱巨量转移良率低下的困境。
82.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
83.本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板100。显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、超级个人计算机、导航仪等具有显示面板100的移动或固定终端。
84.以下将结合附图对本技术实施例提供的显示面板100进行详细的说明。
85.如图2和图3所示，本实施例提供一种显示面板100，该显示面板100可以应用于显示装置。该显示面板100包括弯折区100a和至少两个平面区100b，相邻两个平面区100b通过弯折区100a连接。
86.一些示例中，显示面板100包括一个弯折区100a和两个平面区100b，两个平面区100b通过弯折区100a连接。这样，显示面板100可以进行对折。另一些示例中，显示面板100包括两个以上的平面区100b，相邻两个平面区100b通过一个弯折区100a连接。这样，显示面
板100可以进行多折，显示面板在折叠后的面积更小。本实施例对平面区100b和弯折区100a的数量不做限制，以为用户提供更多的选择。
87.本技术以显示面板100包括一个弯折区100a和两个平面区100b为例进行详细说明。
88.需要说明的是，显示面板100的状态可以包括展平状态和折叠状态。显示面板100的展平状态和折叠状态也是显示装置的展平状态和折叠状态。
89.如图2所示，展平状态是指显示面板100的各个部分大致处于同一平面的状态。此时，两个平面区100b和弯折区100a大致处于同一平面上，相邻两个平面区100b之间的夹角为大致呈180度。在展平状态下，显示面板100的显示面积较大，以保证较好用户体验。
90.折叠状态是指显示面板100的弯折区100a被弯折，弯折区100a分别与两个平面区100b连接的两端被折叠，且在显示面板100的厚度方向上相互重叠。此时，两个平面区100b在显示面板100的厚度方向上相互重叠，两个平面区100b之间的夹角大致为0度。在折叠状态下，显示面板100，以及具有该显示面板100的显示装置的体积较小，方便显示装置的收纳和携带。
91.可以理解的是，当用户在使用显示装置时，显示面板100可以是处于折叠状态、展平状态以及两者之间的任意状态，本实施例对此并不加以限制。
92.如图3所示，显示面板100包括阵列基板20，以及位于阵列基板20上发光层30。阵列基板20中设置有多个驱动单元(未示出)，多个驱动单元成阵列排布，且驱动单元与发光层30电性连接，驱动单元用于为发光层30提供驱动电流。
93.其中，发光层30包括oled发光层32和micro led发光层33，oled发光层32分布于位于平面区100b的阵列基板20上，micro led发光层33分布于位于弯折区100a的阵列基板20上。
94.相当于，弯折区100a采用micro led显示面板，而平面区100b采用oled显示面板。在弯折时，micro led制成的显示面板比oled制成的显示面板受到的弯折应力更低。在弯折区100a采用micro led发光层33，平面区100b采用oled发光层32，能够使得弯折区100a的显示面板的弯折应力小于位于平面区100b的显示面板的弯折应力，从而降低弯折区100a的显示面板100中各功能膜层受到的应力，提升显示面板100的耐折叠性能，以保证显示面板100及显示装置的显示效果。另外，平面区100b采用oled发光层32，仅在弯折区100a小面积的采用micro led发光层33，无需大面积的转移micro led，可以摆脱巨量转移良率低下的困境。
95.继续如图3所示，显示面板100还可以包括封装层40，封装层40覆盖在oled发光层32和micro led发光层33上，封装层40用于阻隔水氧，对发光层30起到保护作用。
96.其中，封装层40可以包括第一封装层41，第一封装层41位于oled发光层32的远离阵列基板20的一侧，第一封装层41用于保护oled发光层32。第一封装层41可以采用薄膜封装(thin film encapsulation，简称为tfe)技术对oled发光层32进行封装，tfe可以采用无机层/有机层/无机层交叠的膜层结构。无机层用于有效阻隔水氧，有机层则用于缓冲无机层内的应力，以增强oled显示面板的柔性。
97.另外，封装层40可以包括第二封装层42，第二封装层42位于micro led发光层33的远离阵列基板20的一侧，第二封装层42用于保护micro led发光层33。相比于oled发光层32使用有机材料形成发光单元，micro led发光层33则使用的无机材料形成发光单元，从而可
以降低对第二封装层42的阻隔水氧的封装要求，第二封装层42可以主要选择弹性较大的有机层形成第二封装层42。因此，第二封装层42的可以缓冲micro led发光层33受到的弯折应力，以降低弯折区100a的显示面板100的弯折应力，提升显示面板100的耐折叠性能，保证显示面板100及显示装置的显示效果。
98.一些实施例中，由于对第二封装层42的阻隔水氧的封装要求较低，还可以将第二封装层42制备得更薄，膜层数量更少。相当于第一封装层41和oled发光层32的厚度之和，大于第二封装层42和micro led发光层33的厚度之和。这样，第二封装层42和micro led发光层33的厚度之和较小，可降低弯折区100a的显示面板100的弯折应力，提升显示面板100的耐折叠性能，以保证显示面板100及显示装置的显示效果。
99.需要说明的是，第一封装层41和oled发光层32的厚度之和，还可以小于等于第二封装层42和micro led发光层33的厚度之和。由于第二封装层42主要为有机材料形成，第二封装层42可以缓冲micro led发光层33受到的弯折应力，因此，micro led发光层33和第二封装层42的总的弯折应力较小。
100.一些实施例中，如图3a所示，micro led发光层33的远离阵列基板20的一侧还可以不设置第二封装层42，即micro led发光层33无需进行封装。仅在oled发光层32的远离阵列基板20的一侧设置第一封装层41。这样，可以减小弯折区100a的显示面板的厚度，从而降低弯折区100a的显示面板100的弯折应力，提升显示面板100的耐折叠性能，以保证显示面板100及显示装置的显示效果。
101.一些实施例中，结合图2所示，micro led发光层33中的发光单元的分布密度，小于oled发光层32中的发光单元的分布密度。micro led发光层33中的发光单元为micro led发光单元，即led晶粒331。oled发光层32中的发光单元为oled发光单元，即有机发光单元321。led晶粒331的分布密度，小于有机发光单元321的分布密度。这样，弯折区100a中的led晶粒331和驱动单元的数量均较少，能够减小弯折区100a的显示面板100在弯折时受到的应力。其中，“分布密度”是指单位面积的显示面板中发光单元的数量。
102.本实施例中，如图3所示，显示面板100还可以包括盖板50，盖板50位于第一封装层41和第二封装层42的远离阵列基板20的一侧，盖板50对显示面板100起到保护作用。
103.如图3所示，发光层30中还包括像素限定层31，弯折区100a和平面区100b的发光层30除了共用阵列基板20，还可以共用像素限定层31。这样，制备工艺较为简单。
104.如图3所示，oled发光层32和micro led发光层33中均包括多个发光单元，oled发光层32中的发光单元为有机发光单元321。
105.有机发光单元321包括依次层叠设置的阳极层322、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层323、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层324等，本技术实施例对此不做限制。图4和图4a中仅示出了阳极层322、发光材料层323和阴极层324。平面区100b中的像素限定层31中具有多个像素开口311，发光材料层323和至少部分阴极层324位于像素开口311中。其中，结合图4和图4a，oled发光层32的阳极层322位于阵列基板20和像素限定层31之间，阴极层324覆盖在像素限定层31背离阵列基板20的一侧。
106.如图4所示，阵列基板20可以包括衬底21以及位于衬底21上的多个驱动单元，驱动单元包括薄膜晶体管22(thin film transistor，简称为tft)和电容结构25。驱动单元用于产生驱动发光层30发光的驱动电流。多个驱动单元呈阵列排布，其中，一个驱动单元对应电
性连接并驱动一个发光单元。
107.例如，薄膜晶体管22可以为低温多晶硅(low temperature polycrystalline，简称为ltps)薄膜晶体管，或者，低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide，简称为ltpo)薄膜晶体管，本技术实施例对此不做限制。
108.具体的，衬底21可以为聚酰亚胺(polyimide，简称为pi)、苯二甲酸与乙二醇的缩聚物(polyethylene terephthalate，简称为pet)等透明的材料制成，或者还可以是其他弹性较大的材质形成，以减小衬底21的刚性，使得衬底21在弯折时受到的应力较小。衬底21可为后续设置的其余结构层提供支撑。
109.其中，micro led发光层33中的发光单元则为微米等级的led晶粒331，led晶粒331位于阵列基板20背离衬底21的一侧。led晶粒331包括第一极和第二极，第一极可以为led晶粒331的阳极，第二极可以为led晶粒331的阴极。
110.如图4和图5所示，在弯折区100a中，驱动单元包括第一极连接线231、第二极连接线232和发光信号线241和公共线242。发光信号线241和公共线242设置在阵列基板20和像素限定层31之间，驱动单元通过发光信号线241向led晶粒331提供驱动电流。像素限定层31中设置有连接孔312，连接孔312的其中一端的孔口位于像素限定层31背离衬底21一侧的面上，连接孔312的另一端的孔口位于像素限定层31朝向衬底21一侧的面上，连接孔312沿像素限定层31的厚度方向贯穿像素限定层31。部分发光信号线241和公共线242裸露在连接孔312处，以便于发光信号线241与led晶粒331的第一极通过第一极连接线231连接，公共线242与led晶粒331的第二极通过第二极连接线232连接。
111.具体的，第一极连接线231、第二极连接线232分别位于不同的连接孔312中，第一极连接线231的第一端与发光信号线241连接，第一极连接线231的第二端与led晶粒331的第一极连接；第二极连接线232的第一端与公共线242连接，第二极连接线232的第二端与led晶粒331的第二极连接。其中，连接线的第一端为靠近阵列基板20的一端，连接线的第二端为远离阵列基板20的一端。
112.继续如图3所示，显示面板100中还可以包括偏光层60，偏光层60位于盖板50和第一封装层41之间。由于oled发光层32中的阴极层324具有反射光线的特点，环境光照射到阴极层324上，会被阴极层324反射，影响显示面板100的显示效果。在oled发光层32的背离衬底21的一侧覆盖偏光层60，可以使得环境入射的光线不再通过反射射出，避免反射光对显示面板100的显示效果的影响。
113.由于发光信号线241和公共线242被像素限定层31覆盖，像素限定层31可以为吸光材料形成，像素限定层31能够吸收入射的环境光，从而避免环境光照射到被像素限定层31覆盖的发光信号线241和公共线242上，防止发光信号线241和公共线242对环境光的反射，从而避免环境光反射对显示面板100的显示效果造成影响。这样，弯折区100a的显示面板100无需设置偏光层60，减小弯折区100a的显示面板100的厚度，以降低弯折区100a的显示面板100的弯折应力，提升显示面板100的耐折叠性能。
114.另外，由于micro led的发光效率高、亮度高，micro led发光层33的开口率可以小于oled发光层32的开口率，micro led发光层33在开口区中暴露出的各种金属走线将更少，micro led发光层33的非开口区的面积更大，非开口区处可以覆盖吸光材料层，因此，micro led发光层33的对光线的反射较少，从而无需设置偏光片60。
115.如图2和图5所示，多个led晶粒331阵列设置阵列基板20上，第二封装层42可以包括第一有机层421，第一有机层421位于相邻的led晶粒331之间，以使相邻的led晶粒331之间绝缘。另外，第一有机层421还位于相邻的第一极连接线231和第二极连接线232之间，以使相邻的第一极连接线231和第二极连接线232之间绝缘。其中，第一有机层421可以为较为柔软的弹性材料形成，从而可以缓冲弯折区100a的显示面板100受到的弯折应力。例如，第一有机层421可以为弹性的吸光材料(如黑色树脂)形成，从而在缓冲弯折应力的同时，还可以防止相邻的led晶粒331之间串色。
116.第二封装层42还可以包括第二有机层422，第二有机层422位于第一有机层421的背离阵列基板20的一侧，第二有机层422与相邻两个led晶粒331之间的区域相对设置。其中，第二有机层422可以为较为柔软的弹性材料形成，从而可以缓冲弯折区100a的显示面板100受到的弯折应力。例如，第二有机层422可以为弹性的吸光材料(如黑色树脂)形成，从而在缓冲弯折应力的同时，还可进一步避免相邻的led晶粒331之间串色问题。其中，第一有机层421和第二有机层422的材质可以相同，也可以不同。
117.第二封装层42还可以包括中间绝缘层423，中间绝缘层423可以位于第一有机层421与第二有机层422之间，中间绝缘层423可以为透光材料形成，led晶粒331光可以穿过中间绝缘层423而正常发光。一些示例中，还可以将第二有机层422嵌入在中间绝缘层423上，第二有机层422的背离阵列基板20一侧的面与中间绝缘层423的背离阵列基板20一侧的面齐平，这样，可以将第二有机层422和中间绝缘层423总厚度设置得更薄。其中，中间绝缘层423可以为无机材质，例如氮化硅，其厚度可以较薄，以降低第二封装层42的弯折应力。
118.一些实施例中，如图3所示，显示面板100还可以包括透光填充层70，透光填充层70位于盖板50和第二封装层42之间。透光填充层70可以为弹性材料形成，可以将透光填充层70设置的较为柔软，以缓冲弯折区100a的显示面板100受到的弯折应力。例如，透光填充层70可以为透明有机胶形成。
119.一些实施例中，如图3、图6和图7所示，位于弯折区100a的盖板50的远离阵列基板20一侧的面，与位于平面区100b的盖板50的远离阵列基板20一侧的面齐平。这样，显示面板100的表面平整度较好，显示效果较好。
120.盖板50可以包括相互连接的第一盖板部51和第二盖板部52，位于平面区100b的盖板50为第一盖板部51，位于弯折区100a的盖板50为第二盖板部50。
121.一些示例中，如图3所示，第一盖板部51的厚度等于第二盖板部52的厚度，第二盖板部52和第二封装层42之间设置有透光填充层70，透光填充层70对第二盖板部52起到支撑作用。
122.另一些示例中，如图6和图7所示，第一盖板部51的厚度小于第二盖板部52的厚度，第二盖板部52伸入到相邻的两个平面区100b的偏光层60之间，以填充第二盖板部52与第二封装层42之间的空间。如图6所示，第二盖板部52朝向阵列基板20的一侧可以与第二封装层42贴合，此时，无需设置透光填充层70，第二盖板部52与第二封装层42之间的膜层较少，制备工艺较为简单。
123.如图7所示，第二盖板部52与第二封装层42之间也可以设置透光填充层70，第二盖板部52朝向阵列基板20一侧的面与透光填充层70贴合。这样，可以通过设置透光填充层70和第二盖板部52的厚度，以满足弯折区100a对不同弯折应力的需求。
124.一些实施例中，如图8所示，位于弯折区100a的盖板50的远离阵列基板20一侧的面，低于位于平面区100b的盖板50的远离阵列基板20一侧的面。即可以通过将位于弯折区100a的盖板50朝向阵列基板20的一侧弯折，以使位于弯折区100a的盖板50的靠近阵列基板20一侧的面贴合第二封装层42。这样，弯折区100a的显示面板100整体较薄，其弯折应力较小。其中，盖板50的整体厚度一致，这样，盖板50的制作工艺较为简单。
125.另外，micro led继承了无机led的高效率、高亮度等特点，在相同亮度的情况下，micro led比oled所需的驱动电流更小，其驱动单元内的金属走线的排布密度比oled低，从而能够降低显示面板的刚性。
126.例如，平面区100b可以采用7t1c的驱动单元(t代表tft，c代表电容结构)，而弯折区100a可以采用2t1c或3t1c的驱动单元，位于弯折区100a的驱动单元内的金属走线的排布密度，小于位于平面区100b的驱动单元内的金属走线的排布密度。这样，可以减小弯折区100a的阵列基板20在弯折时受到的弯折应力，从而减小弯折区100a的显示面板100在弯折时受到的应力。
127.一些示例中，驱动单元中的薄膜晶体管22可以包括栅极信号线221、源极和漏极。其中，位于平面区100b的驱动单元的栅极信号线221的宽长比，大于位于弯折区100a的驱动单元的栅极信号线221的宽长比。所需的驱动电流越小，栅极信号线221的宽长比越小。即可以将弯折区100a的栅极信号线221设置得更小，以减小弯折区100a的栅极信号线221的布线面积，从而降低弯折区100a的显示面板100的弯折应力。
128.以下将对本技术实施例提供的显示面板100的制备方法进行详细的说明。
129.如图9所示，本技术提供的显示面板100的制备方法可以包括：
130.s10：提供阵列基板；阵列基板包括衬底和设置在衬底上的多个驱动单元，多个驱动单元呈阵列排布。
131.如图10所示，提供阵列基板20，阵列基板20是指形成有驱动单元的基板，驱动单元可以包括薄膜晶体管22和电容结构25。驱动单元用于驱动显示面板100中发光层30发光。阵列基板20包括衬底21，驱动单元设置在衬底21上，衬底21用于承载驱动单元。
132.驱动单元可以是由两个以上的薄膜晶体管22和一个以上的电容结构25形成。例如，平面区100b的驱动单元为7t1c结构，弯折区100a的驱动单元为2t1c或3t1c结构。这样，弯折区100a的驱动单元的金属走线的排布密度，小于平面区100b的驱动单元的金属走线的排布密度，以降低弯折区100a的阵列基板20在弯折时受到的弯折应力。
133.一些示例中，还可以通过将驱动单元中的薄膜晶体管22的栅极信号线221的宽长比进行调整，以调整驱动单元的金属走线排布密度。例如，弯折区100a中的薄膜晶体管22的栅极信号线221的宽长比，小于平面区100b的薄膜晶体管22的栅极信号线221的宽长比。
134.薄膜晶体管22可以包括栅极信号线221，源极、漏极以及和源/漏极连接的有源层组成。
135.如图4所示，阵列基板20还包括依次层叠设置在衬底21上的多个绝缘层26和平坦化层27。在薄膜晶体管22的各层金属走线上均覆盖有绝缘层26，绝缘层26用于将不同层的金属走线之间电性绝缘。平坦化层27用于实现阵列基板20的平坦化，减少显示不良。其中，弯折区100a和平面区100b的平坦化层27以下的结构膜层均可以共用，这样，制备工艺较为简单。
136.s20：在弯折区内的阵列基板上形成micro led发光层，并在micro led发光层的远离阵列基板的一侧形成第二封装层；micro led发光层与弯折区内的驱动单元电性连接。
137.如图11所示，micro led发光层33中包括多个led晶粒331，led晶粒331可以先制备在半导体衬底上，然后通过转移技术将led晶粒331转移到弯折区100a的阵列基板20上。led晶粒331与弯折区100a的驱动单元一一对应的焊接相连。
138.然后对弯折区100a的micro led发光层33进行封装。由于led晶粒331为无机材质形成，第二封装层42可以制备的较薄、较简单，从而使得弯折区100a的显示面板100的弯折应力较小。
139.s30：在平面区内的阵列基板上形成oled发光层；oled发光层与平面区内的驱动单元电性连接。
140.如图12所示，micro led发光层33封装完毕后，继续对平面区100b进行蒸镀，以形成oled发光层32。其中，oled发光层32中包括多个有机发光单元321，有机发光单元321与平面区100b中的驱动单元一一对应的电性连接。
141.如图4所示，oled发光层32包括位于平坦化层27和像素限定层31之间的阳极层322、以及依次层叠是在阳极层322上的发光材料层323和阴极层324等。阴极层324位于有机发光单元321的上方且覆盖像素限定层31。阳极层322通过贯穿平坦化层27的接触孔与驱动单元的源极/漏极接触，以实现电连接。
142.s40：在oled发光层的远离阵列基板的一侧形成第一封装层；第一封装层的弯折应力大于第二封装层的弯折应力。
143.如图13所示，在形成阴极层324后，可形成覆盖阴极层324的第一封装层41，第一封装层41位于平面区100b中。具体的，第一封装层41可以为薄膜封装层。其中，第二封装层42的厚度小于第一封装层41的厚度，另外，第二封装层42可以主要采用有机层。这样，弯折区100a的显示面板100的弯折应力较小。
144.s50：在第一封装层的远离阵列基板的一侧形成偏光层。
145.如图14所示，在平面区100b设置偏光层60，而不在弯折区100a设置偏光层60，能够减少弯折区100a的显示面板100的厚度。
146.s60：在第一封装层和第二封装层的远离阵列基板的一侧形成盖板。
147.如图8所示，在第一封装层41和第二封装层42的远离阵列基板20的一侧形成盖板50。在弯折区100a覆盖盖板50之前，可以在第二封装层42的远离阵列基板20的一侧形成透光填充层70，再将弯折区100a的盖板50覆盖在透光填充层70的背离阵列基板20的一侧。
148.当然的，也可以将弯折区100a的盖板50直接设置在第二封装层42背离阵列基板20一侧的面上。
149.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。