发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备。


背景技术：

2.oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)显示技术的发展，oled显示装置得到广泛应用。oled(有机发光二极管)屏幕具有自发光、对比度高、轻薄、响应速度快、视角宽、功耗低、适用温度范围大、成本低、制造工艺简单等特点，近年来已在车载显示器、电脑显示器、电视机屏幕、手机屏幕等领域得到了越来越广泛的应用，具有广阔的应用前景。
3.但是，目前的蓝光oled的发光层效率较低或使用寿命较短。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备，用以解决现有技术存在的蓝光oled的发光层效率较低或使用寿命较短的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种发光单元，包括：依次叠层的电子阻挡层和发光层；所述发光层包括主体材料和掺杂材料；所述主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与所述掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值，所述电子阻挡层的最高占据轨道能级在第一设计能级范围内；或者，所述主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与所述掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值大于所述第一设计值、且不大于第二设计值，所述电子阻挡层的最高占据轨道能级在第二设计能级范围内，所述电子阻挡层的三线态能级不小于第三设计值，且所述电子阻挡层的材料包括咔唑结构。
6.可选地，发光单元至少包括以下一项：所述主体材料的最高占据轨道能级不小于
‑
6.2电子伏特、且不大于
‑
5.6电子伏特；所述掺杂材料的最高占据轨道能级不小于
‑
5.8电子伏特，并且不大于
‑
5.2电子伏特；所述第一设计值为0.3电子伏特；所述第一设计能级范围为不小于
‑
5.5电子伏特、且不大于
‑
5.2电子伏特。
7.可选地，发光单元至少包括以下一项：所述主体材料的最高占据轨道能级不小于
‑
6.2电子伏特、且不大于
‑
5.6电子伏特；所述掺杂材料的最高占据轨道能级不小于
‑
5.8电子伏特，并且不大于
‑
5.2电子伏特；所述第一设计值为0.3电子伏特；所述第二设计值为0.8电子伏特；所述第三设计值为2.5电子伏特；所述第二设计能级范围为不小于
‑
5.3电子伏特、且不大于
‑
5.7电子伏特。
8.可选地，所述电子阻挡层的三线态能级不大于2.9电子伏特。
9.可选地，所述主体材料与所述掺杂材料的质量比为9：1～119：1。
10.可选地，所述咔唑结构的结构通式如下：
[0011][0012]
其中，r1，r2、r3、ar1和ar2均包括氢，碳原子数在2
‑
30的烷基，碳原子数在6
‑
30的芳基和碳原子数在5
‑
30的杂芳基中的一种。
[0013]
第二个方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括本技术实施例第一方面提供的所述的发光单元。
[0014]
第三个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括本技术实施例第二方面提供的所述的发光单元。
[0015]
第四个方面，本技术实施例提供了一种发光单元的制备方法，包括：制备最高占据轨道能级在第一设计能级范围内的电子阻挡层；在所述电子阻挡层的一侧，同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值的主体材料和掺杂材料，得到发光层。
[0016]
第五个方面，本技术实施例提供了一种发光单元的制备方法，包括：制备最高占据轨道能级在第二设计能级范围内、三线态能级不小于第三设计值、以及包括咔唑结构的电子阻挡层；在所述电子阻挡层的一侧，同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不小于所述第一设计值、且不大于第二设计值的主体材料和掺杂材料，得到发光层。
[0017]
本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0018]
根据发光层的主体材料和掺杂材料在最高占据轨道能级的绝对值的差值的范围，与具有不同最高占据轨道能级或具有最高占据轨道能级、三线态能级、以及材料结构的电阻阻挡层进行搭配，使得电子阻挡层材料体系的无序度在设计范围内，以将发光层的空穴和电子迁移率维持在较为接近的水平，使激子复合区域内的电子均匀分布在发光层，以改变蓝光发光层的传输性，进而提高发光层效率或延长使用寿命。
[0019]
本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0020]
本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0021]
图1为本技术实施例提供的一种发光单元的主体材料、掺杂材料、以及电子阻挡层的能级图；
[0022]
图2为本技术另一实施例提供的一种发光单元的主体材料、掺杂材料、以及电子阻挡层的能级图；
[0023]
图3为本技术实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
[0024]
图4为本技术实施例提供的第一单空穴载流子发光单元、本技术实施例的器和本
申请实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线图；
[0025]
图5为本技术实施例提供的第一单空穴载流子发光单元、本技术实施例的器和本技术实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压电流密度与电压关系曲线图；
[0026]
图6为本技术实施例提供第二个具体实施例中的电子阻挡层材料包括的咔唑结构的示意图；
[0027]
图7为本技术实施例提供的第二单空穴载流子发光单元、本技术另一实施例的器和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线图；
[0028]
图8为本技术实施例提供的第二单空穴载流子发光单元、本技术另一实施例的器和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压关系电流密度与电压关系曲线图；
[0029]
图9为本技术实施例提供的一种发光单元的制备方法的流程示意图；
[0030]
图10为本技术另一实施例提供的一种发光单元的制备方法的流程示意图。
[0031]
附图标记说明：
[0032]
10
‑
发光层；
[0033]
20
‑
电子阻挡层；21
‑
主体材料；22
‑
掺杂材料；
[0034]
l1
‑
第一单空穴载流子发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0035]
l2
‑
本技术实施例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0036]
l3
‑
本技术实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0037]
l4
‑
第一单空穴载流子发光单元的电流密度与电压的关系曲线；
[0038]
l5
‑
本技术实施例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线；
[0039]
l6
‑
本技术实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线；
[0040]
l7
‑
第二单空穴载流子发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0041]
l8
‑
本技术另一实施例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0042]
l9
‑
本技术另一实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线；
[0043]
l10
‑
第二单空穴载流子发光单元的电流密度与电压的关系曲线；
[0044]
l11
‑
本技术另一实施例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线；
[0045]
l12
‑
本技术另一实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线。
具体实施方式
[0046]
下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
[0047]
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0048]
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
[0049]
本技术的发明人进行研究发现，蓝光发光层的主体材料本身的电子迁移率高于空穴迁移率，激子复合区域内的电子会向电子阻挡层靠近，并攻击电子阻挡层，并且会在电子阻挡层和发光层界面处堆积空穴，会降低蓝色放光层的效率或缩短使用寿命。
[0050]
本技术提供的发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备，旨在解决现有技术中存在的发光层效率较低或使用寿命较短的技术问题。
[0051]
下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
[0052]
本技术实施例提供了一种发光单元，该发光单元结构如图1
‑
3所示，主要包括依次叠层的电子阻挡层和发光层。发光层包括主体材料和掺杂材料；主体材料的最高占据轨道(homo，highest occupied molecular orbital)能级的绝对值与掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值，电子阻挡层的最高占据轨道能级在第一设计能级范围内；或者，主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值大于第一设计值、且不大于第二设计值，电子阻挡层的最高占据轨道能级在第二设计能级范围内，电子阻挡层的三线态能级不小于第三设计值，且电子阻挡层的材料包括咔唑结构。
[0053]
具体的，通过主体材料的最高占据轨道能级的绝对值与掺杂材料的最高占据轨道能级的绝对值的差值与电子阻挡层的搭配，使掺杂材料掺杂之后的发光层，增加的无序度在一定范围。
[0054]
本实施例中，根据发光层的主体材料和掺杂材料在最高占据轨道能级的绝对值的差值的范围，与具有不同最高占据轨道能级或具有最高占据轨道能级、三线态能级、以及材料结构的电阻阻挡层进行搭配，使得电子阻挡层材料体系的无序度在设计范围内，以将发光层的空穴和电子迁移率维持在较为接近的水平，使激子复合区域内的电子均匀分布在发光层，以改变蓝光发光层的传输性，进而提高发光层效率或延长使用寿命。
[0055]
在一些实施例中，发光单元至少包括以下一项：主体材料的最高占据轨道能级不小于
‑
6.2电子伏特、且不大于
‑
5.6电子伏特；掺杂材料的最高占据轨道能级不小于
‑
5.8电子伏特，并且不大于
‑
5.2电子伏特；第一设计值为0.3电子伏特；第一设计能级范围为不小于
‑
5.5电子伏特、且不大于
‑
5.2电子伏特。
[0056]
具体的，主体材料的最高占据轨道能级在
‑
5.6电子伏特至
‑
6.2电子伏特之间，掺杂材料的最高占据轨道能级为
‑
5.2电子伏特至
‑
5.8电子伏特之间。当主体材料与掺杂材料之间的最高占据轨道能级差不大于0.3电子伏特时，为保证发光层中的掺杂材料不会明显引起空穴迁移率降低，同时使激子在整个发光层当中分布较为均匀，主体材料与掺杂材料的体系相比于主体材料本身引起的无序度增加量应不大于0.3电子伏特，需要搭配的电子阻挡层材料的最高占据轨道能级应不小于
‑
5.5电子伏特、且不大于
‑
5.2电子伏特。本技术的实施例中所有范围值均可取范围值的端值。
[0057]
在一些实施例中，至少包括以下一项：主体材料的最高占据轨道能级不小于
‑
6.2电子伏特、且不大于
‑
5.6电子伏特；掺杂材料的最高占据轨道能级不小于
‑
5.8电子伏特，并且不大于
‑
5.2电子伏特；第一设计值为0.3电子伏特；第二设计值为0.8电子伏特；第三设计值为2.5电子伏特；第二设计能级范围为不小于
‑
5.3电子伏特、且不大于
‑
5.7电子伏特。
[0058]
具体的，当主体材料与掺杂材料之间的最高占据轨道能级差不小于0.3电子伏特，且不大于0.8电子伏特时，为防止发光层中掺杂材料会引起较大的空穴陷阱，激子分布靠近电子阻挡层一侧，主体材料与掺杂材料的体系引起的无序度增加为0.3电子伏特到0.6电子伏特之间，搭配的电子阻挡层材料的最高占据轨道能级不小于
‑
5.3电子伏特、且不大于
‑
5.7电子伏特，电子阻挡层的三线态能级不小于2.5电子伏特，且电子阻挡层材料的核心结构包括有咔唑结构，该咔唑结构能够同时提高三线态能级和电子的稳定性。
[0059]
在一些实施例中，电子阻挡层的三线态能级不大于2.9电子伏特。
[0060]
具体的，电子阻挡层的三线态能级不小于2.5电子伏特，且不大于2.9电子伏特。可选地，电子阻挡层的三线态能级为2.6电子伏特。
[0061]
在一些实施例中，主体材料与掺杂材料的质量比为9：1～119：1。
[0062]
具体的，掺杂材料重量比的比例不小于0.5％，且不大于10％。可选地，主体材料与掺杂材料的质量比为10:1。
[0063]
在一些实施例中，咔唑结构的结构通式包括：
[0064][0065]
其中，r1，r2、r3、ar1和ar2均包括氢，碳原子数在2
‑
30的烷基，碳原子数在6
‑
30的芳基和碳原子数在5
‑
30的杂芳基中的一种。
[0066]
具体的，电子阻挡层包括有咔唑
‑
芳胺化合物，该咔唑
‑
芳胺化合物包括有上述结构通式。咔唑
‑
芳胺化合物可通过市场采购直接获得。r3与r1不连接的氮元素通过单键，碳原子数在6
‑
30的芳基或碳原子数在5
‑
30的杂芳基。这样设置能能够提高电子阻挡层材料的稳定性，以提高发光单元的使用寿命。
[0067]
在一些实施例中，主体材料包括蓝光主体材料；掺杂材料包括蓝光掺杂剂。
[0068]
具体的，可以通过蓝光主体材料和蓝光掺杂剂制备蓝光发光层、包括蓝光发光层的显示面板以及包括蓝光发光层的显示装置。
[0069]
在第一个具体的实施例中，使用一种选择蓝光主体材料和两种不同的蓝光掺杂剂，两种蓝光掺杂剂包括第一蓝光掺杂剂和第二蓝光掺杂剂。
[0070]
蓝光主体材料的最高占据轨道能级为
‑
5.93电子伏特，第一蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级为
‑
5.72电子伏特，蓝光主体材料与蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为0.21电子伏特。第二蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为
‑
5.34电子伏特，蓝光主体材料与蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为0.59电子伏特。
[0071]
制备三个单空穴载流子发光单元制备，并通过制备单载流子发光单元获得发光层的无序度和空穴迁移率。
[0072]
制备第一单空穴载流子发光单元的步骤包括：将导电玻璃基板进行清洗并烘干；在导电玻璃基板的一侧依次蒸镀形成空穴注入层，空穴传输层、电子阻挡层、包括蓝光主体材料的发光层以及阴极。本实施例中，电子阻挡层的最高占据轨道能级为
‑
5.3电子伏特。
[0073]
本技术实施例的发光单元的制备步骤与制备第一单空穴载流子发光单元不同的是：制备包括蓝光主体材料和第一蓝光掺杂剂的发光层。蓝光主体材料与第一蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0074]
本技术实施例作为对比例的发光单元的制备步骤与制备第衣单空穴载流子发光单元不同的是：制备包括蓝光主体材料和第二蓝光掺杂剂的发光层。蓝光主体材料与第二蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0075]
将三个单空穴载流子发光单元分别在温度为25摄氏度，35摄氏度，55摄氏度，85摄氏度下进行iv测试，以获得三个单空穴载流子发光单元在不同温度下的iv特性以及对电流密度与电压曲线进行空间电荷限制电流法计算得到三个单空穴载流子发光单元在不同温度下的迁移率。
[0076]
如图4所示，利用高斯无序模型的计算公式，获得0电场下迁移率与温度的关系，并进行对数作图，得到二者呈线性关系。图中，l1表示第一单空穴载流子发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，l2表示本技术实施例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，l3表示本技术实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，hod表示单空穴载流子发光单元，μ为迁移率，e＝0表示电场为0，纵坐标含义是0电场下迁移率的对数，横坐标表示温度的平方的倒数。曲线的斜率是与无序度有关的数值，根据拟合曲线斜率，得到无序度，斜率越大，无序度越大。由图可知，l1和l2接近，表示第一单空穴载流子发光单元和本技术实施例的发光单元的无序度接近，l3的倾斜度大于l1的倾斜度和l2的倾斜度，表示本技术实施例作为对比例的发光单元的无序度高于第一单空穴载流子发光单元和本技术实施例的发光单元的无序度。
[0077]
第一单空穴载流子发光单元、本技术实施例的器和本技术实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压电流密度与电压关系曲线图，如图5所示，图中，l4表示第一单空穴载流子发光单元的电流密度与电压的关系曲线，l5表示本技术实施例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线；l6表示本技术实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线。由图可知，第一单空穴载流子发光单元和本技术实施例的发光单元的迁移率接近，本技术实施例作为对比例的发光单元的迁移率低于发光单元第一单空穴载流子发光单
元和本技术实施例的发光单元。
[0078]
通过本实施例可知，无序度增加，会迁移率降低，第一蓝光掺杂剂对体系无序度影响不大，空穴迁移率无明显变化，而第二蓝光掺杂剂会明显增加无序度。
[0079]
在第二个具体的实施例中，使用第一个具体实施例中的蓝光主体材料和蓝光掺杂剂。
[0080]
制备三个蓝光oled发光单元，制备第一蓝光oled发光单元的过程包括：将导电玻璃基板进行清洗并烘干；在导电玻璃基板的一侧依次蒸镀形成阳极、空穴注入层，电子阻挡层、包括蓝光主体材料的发光层、空穴阻挡层、电子注入层以及阴极。本实施例中，电子阻挡层的最高占据轨道能级为
‑
5.45电子伏特。
[0081]
第二蓝光oled发光单元与第一蓝光oled发光单元的制备过程不同的是：制备得到包括主体材料和第一蓝光掺杂剂的发光层。蓝光主体材料与第一蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0082]
蓝光oled发光单元3与第一蓝光oled发光单元的制备过程不同的是：在蒸镀电子阻挡层材料后，将主体材料和第二蓝光掺杂剂共蒸。蓝光主体材料与第二蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0083]
对三个蓝光oled发光单元进行iv测试，电流密度为15毫安/平方厘米时，得到蓝光oled发光单元的电压，效率和寿命的百分比数据。
[0084]
表1电流密度为15毫安/平方厘米时得到的电压，效率和寿命的百分比
[0085][0086]
由表1可知，第一蓝光oled发光单元的效率最低，原因包括主体材料的荧光量子产率低，而导致第一蓝光oled发光单元的效率低。在蓝光掺杂剂材料之后，效率明显提高。对比第二蓝光oled发光单元和第三蓝光oled发光单元的数据可知，第二蓝光oled发光单元的寿命最长，原因包括掺杂第一蓝光掺杂剂材料后，无序度几乎不变，空穴迁移率与主体材料本征材料接近，因此在发光层中空穴电子更加平衡，再搭配最高占据轨道能级较浅的电子阻挡层材料，并不是造成发光单元失效。而第三蓝光oled发光单元寿命非常低，原因包括掺杂的第二蓝光掺杂剂，由于掺杂进去之后，无序度增加，导致空穴迁移率降低。而电子迁移率是无变化，这样会使得在发光层中的电子空穴传输比例增大，激子复合区域偏向电子阻挡层一侧。如果此时再搭配浅最高占据轨道能级的电子阻挡层，会造成空穴和激子都集中在电子阻挡层和发光层界面，造成界面破坏，从而发光单元的寿命降低。
[0087]
在第三个具体的实施例中，使用一种选择蓝光主体材料和两种不同的蓝光掺杂剂，两种蓝光掺杂剂包括第三蓝光掺杂剂和第四蓝光掺杂剂。
[0088]
蓝光主体材料的最高占据轨道能级为
‑
5.93电子伏特，第三蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级为
‑
5.37电子伏特，蓝光主体材料与蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为0.56电子伏特。第四蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为
‑
5.78电子伏特，蓝光主体材料与蓝光掺杂剂的最高占据轨道能级差为0.15电子伏特。
[0089]
制备三个单空穴载流子发光单元制备，并通过制备单载流子发光单元获得发光层的无序度和空穴迁移率。
[0090]
制备第二单空穴载流子发光单元的步骤包括：将导电玻璃基板进行清洗并烘干；在导电玻璃基板的一侧依次蒸镀形成空穴注入层，空穴传输层、电子阻挡层、包括蓝光主体材料的发光层以及阴极。
[0091]
本实施例中，如图6所示，电子阻挡层材料包括有咔唑结构，电子阻挡层的最高占据轨道能级为
‑
5.45电子伏特、以及三线态能级为2.63电子伏特。
[0092]
本技术另一实施例的发光单元的制备步骤与制备第二单空穴载流子发光单元不同的是，在空穴传输层远离空穴注入层的一侧蒸镀蓝光主体材料与第三蓝光掺杂剂，得到发光层。蓝光主体材料与第三蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0093]
本技术另一实施例作为对比例的发光单元的制备步骤与制备第二单空穴载流子发光单元不同的是，在在空穴传输层远离空穴注入层的一侧蒸镀蓝光主体材料与第四蓝光掺杂剂，得到发光层。蓝光主体材料与第四蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0094]
将三个单空穴载流子发光单元分别在温度为25摄氏度，35摄氏度，55摄氏度，85摄氏度进行iv测试，以获得三个单空穴载流子发光单元在不同温度下的iv特性，并对电流密度与电压曲线进行空间电荷限制电流法计算得到三个单空穴载流子发光单元在不同温度下的迁移率。
[0095]
如图7所示，利用高斯无序模型的计算公式，获得0电场下的迁移率与温度的关系，并进行对数作图，得知二者呈线性关系。图中，l7表示第二单空穴载流子发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，l8表示本技术另一实施例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，l9表示本技术另一实施例作为对比例的发光单元的迁移率的对数与温度的平方的倒数的关系曲线，μ表示迁移率，ln表示以e为底数取对数(即取自然对数)，e＝0表示电场为0，纵坐标含义是0电场下迁移率的对数，横坐标表示温度的平方的倒数。曲线的斜率是与无序度有关的数值，根据拟合曲线斜率，得到无序度，斜率越大，无序度越大。由图可知，l7与l8接近，表示第二单空穴载流子发光单元和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的无序度接近，l9的倾斜度大于l7的倾斜度和l8的倾斜度，表示本技术另一实施例的发光单元的无序度高于第二单空穴载流子发光单元和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的无序度。
[0096]
第二单空穴载流子发光单元、本技术另一实施例的器和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压关系电流密度与电压关系曲线图，如图8所示，图中，l10表示第二单空穴载流子发光单元的电流密度与电压的关系曲线，l11表示本技术另一实施例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线，l12表示本技术另一实施例作为对比例的发光单元的电流密度与电压的关系曲线。由图可知，第二单空穴载流子发光单元和本技术另一实施例作为对比例的发光单元的迁移率接近，本技术另一实施例的发光单元的迁移率低于发光单元第二单空穴载流子发光单元和本技术另一实施例作为对比例的发光单元。
[0097]
在第四个具体的实施例中，使用第三个具体的实施例中的蓝光主体材料和蓝光掺杂剂。
[0098]
制备三个蓝光oled发光单元，制备第四蓝光oled发光单元的过程包括：将导电玻璃基板进行清洗并烘干；在导电玻璃基板的一侧依次蒸镀阳极材料、空穴注入层材料，电子阻挡层材料、蓝光主体材料、空穴阻挡层材料、电子注入层材料以及阴极材料。本实施例中，电子阻挡层的最高占据轨道能级为
‑
5.45电子伏特。
[0099]
第五蓝光oled发光单元与第四蓝光oled发光单元的制备过程不同的是：在蒸镀电子阻挡层材料后，将主体材料和第三蓝光掺杂剂共蒸。蓝光主体材料与第三蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0100]
第六蓝光oled发光单元与第四蓝光oled发光单元的制备过程不同的是：在蒸镀电子阻挡层材料后，将主体材料和第四蓝光掺杂剂共蒸。蓝光主体材料与第四蓝光掺杂剂质量比为97：3。
[0101]
对三个发光单元进行ivl测试，在电流密度为15毫安/平方厘米时得到的电压，效率和寿命的百分比数据。
[0102]
表2在电流密度为15毫安/平方厘米时得到的电压，效率和寿命的百分比
[0103][0104]
由表2可知，第四蓝光oled发光单元的效率最低，第五蓝光oled发光单元效率寿命均表现最好，原因是掺杂第三蓝光掺杂剂材料后，虽然空穴迁移率降低，但是此时搭配较深的电子阻挡层材料，使得从电子阻挡层到主体材料的空穴注入是顺畅的，因此弥补了迁移率的降低。同时搭配的电子阻挡层材料使用较高的三线态能级，可以将激子限制在发光层中，提高效率。同时使用的咔唑结构，有利于提高电子阻挡层材料的电子稳定性，使得发光单元的寿命提高。但是第六蓝光oled发光单元中，发光层的空穴迁移率并未降低，同时使用深最高占据轨道能级的电子阻挡层材料，使得注入发光层的空穴顺畅，使得发光层中空穴过剩，效率降低。第六蓝光oled发光单元虽有较长寿命，但是效率偏低。
[0105]
在一些实施例中，无序度的测试方法，包括但不限于变温迁移率测试。
[0106]
本实施例中的主体材料与掺杂材料体系无序度变化，是相对于纯主体材料本身的无序度的增加值。
[0107]
基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种显示面板，包括本技术实施例第一方面提供的发光单元。
[0108]
在可能的实施例中，显示面板包括有蓝光发生单元。
[0109]
基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种显示装置，包括本技术实施例第二
方面提供的发光单元。
[0110]
在可能的实施例中，显示装置的显示面板包括有蓝光发生单元。
[0111]
基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种发光单元的制备方法，如图9所示，主要包括步骤s1和s2：
[0112]
步骤s1：制备最高占据轨道能级在第一设计能级范围内的电子阻挡层。
[0113]
步骤s2：在电子阻挡层的一侧，同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不大于第一设计值的主体材料和掺杂材料，得到发光层。
[0114]
基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种发光单元的制备方法，如图10所示，主要包括步骤s3和s4：
[0115]
步骤s3：制备最高占据轨道能级在第二设计能级范围内、且不小于第三设计值、以及包括咔唑结构的电子阻挡层；
[0116]
步骤s4：在电子阻挡层的一侧，同时制备最高占据轨道能级的绝对值的差值不小于第一设计值、且不大于第二设计值的主体材料和掺杂材料，得到发光层。
[0117]
应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
[0118]
根据发光层的主体材料和掺杂材料在最高占据轨道能级的绝对值的差值的范围，与具有不同最高占据轨道能级或具有最高占据轨道能级、三线态能级、以及材料结构的电阻阻挡层进行搭配，使得电子阻挡层材料体系的无序度在设计范围内，以将发光层的空穴和电子迁移率维持在较为接近的水平，使激子复合区域内的电子均匀分布在发光层，以改变蓝光发光层的传输性，进而提高发光层效率或延长使用寿命。
[0119]
本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
[0120]
在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0121]
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0122]
在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0123]
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0124]
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是
这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0125]
以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。