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反冲噪声的补偿的制作方法

2022-03-01 23:08:58 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种设备,其包括:存储器阵列,其包括一或多个组件;调节器,其与所述存储器阵列耦合且经配置以至少部分地基于参考信号来生成用于所述存储器阵列的信号,所述调节器包括:输入电路,其经配置以在输入节点处接收所述参考信号;偏置电路,其与所述输入节点耦合且经配置以至少部分地基于所述参考信号对所述调节器进行偏置;以及启用电路,其通过第一节点与所述输入电路耦合且通过第二节点与所述偏置电路耦合,所述启用电路经配置以启用所述调节器的操作,且经配置以减小所述输入节点处至少部分地基于所述调节器的所述操作被启用的噪声。2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:信号生成器,其与所述调节器耦合且经配置以生成全局参考信号;以及低通滤波器,其与所述调节器的所述输入节点和所述信号生成器耦合且经配置以滤除所述全局参考信号中的瞬变以获得所述参考信号。3.根据权利要求2所述的设备,其中所述低通滤波器包括至少部分地基于与所述输入电路和所述偏置电路耦合的所述启用电路的电容器和电阻器。4.根据权利要求3所述的设备,其中:所述电容器具有7皮法、8皮法、9皮法、10皮法、11皮法或在7皮法与11皮法之间的电容;以及所述电阻器具有在1欧与15千欧之间的电阻。5.根据权利要求1所述的设备,其中:所述输入电路包括第一晶体管,所述第一晶体管具有与所述调节器的所述输入节点耦合的栅极;所述偏置电路包括第二晶体管,所述第二晶体管具有与所述调节器的所述输入节点耦合的栅极;以及所述启用电路包括第三晶体管,所述第三晶体管具有与所述调节器的启用节点耦合的栅极、与所述第三晶体管的漏极耦合的源极以及与所述第一晶体管的所述源极和所述第二晶体管的所述源极耦合的漏极。6.根据权利要求5所述的设备,其中所述第三晶体管在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的位置经配置以在所述第三晶体管被解除激活且在所述输入节点处接收到所述参考信号时使所述第一节点偏置到第一电压且使所述第二节点偏置到第二电压。7.根据权利要求6所述的设备,其中所述启用电路进一步经配置以接收激活所述第三晶体管的启用信号且使所述第一节点和所述第二节点偏置到在所述第一电压与所述第二电压之间的第三电压。8.根据权利要求6所述的设备,其中所述启用电路进一步经配置以接收启用信号,所述启用信号使第一电荷量穿过所述第一晶体管的栅极且使第二电荷量在与所述第一电荷量相反的方向穿过所述第二晶体管的栅极。9.根据权利要求8所述的设备,其中所述调节器进一步包括:电阻器,其与所述输入节点和所述第二晶体管的所述栅极耦合,其中所述电阻器的电
阻经配置以使第三电荷量而非所述第二电荷量穿过所述第二晶体管的所述栅极,所述第一电荷量与所述第三电荷量之间的差与因所述调节器被启用而引起的噪声量相关联,所述噪声量低于阈值。10.根据权利要求8所述的设备,其中所述第二晶体管包括经配置以使第三电荷量而非所述第二电荷量穿过所述第二晶体管的所述栅极的尺寸,所述第一电荷量与所述第三电荷量之间的差与因所述调节器被启用而引起的噪声量相关联,所述噪声量低于阈值。11.根据权利要求1所述的设备,其中所述输入电路包括:第一晶体管,其具有与所述调节器的所述输入节点耦合的栅极,以及源极;以及第二晶体管,其具有与所述调节器的输出节点耦合的栅极以及与所述第一晶体管的所述源极耦合的源极。12.根据权利要求11所述的设备,其中所述偏置电路包括:第三晶体管,其具有与所述调节器的所述输入节点耦合的栅极,以及源极;以及电阻器,其耦合于所述第三晶体管的所述源极与电压源之间,其中所述电阻器的电阻经配置以至少部分地基于所述参考信号的电压来对所述调节器进行偏置。13.根据权利要求12所述的设备,其中所述启用电路包括:第四晶体管,其具有与所述调节器的启用节点耦合的栅极、与所述第三晶体管的漏极耦合的源极以及与所述第一晶体管的所述源极和所述第二晶体管的所述源极耦合的漏极。14.一种设备,其包括:存储器阵列,其包括多个存储器区段;多个调节器,其与所述多个存储器区段耦合,其中所述多个调节器中的调节器包括:第一晶体管,其与输入节点耦合且经配置以接收参考信号;第二晶体管,其与所述输入节点耦合且经配置以至少部分地基于所述参考信号来对所述调节器进行偏置;以及第三晶体管,其通过第一节点与所述第一晶体管耦合且通过第二节点与所述第二晶体管耦合,所述第三晶体管经配置以至少部分地基于在所述第三晶体管的栅极处接收到启用信号而启用所述调节器的操作。15.根据权利要求14所述的设备,其中:所述多个存储器区段中的存储器区段包括与一或多个存储器单元耦合的一或多个感测组件,且所述多个调节器中的所述调节器与所述存储器区段耦合且经配置以生成用于所述一或多个感测组件的电力信号。16.根据权利要求14所述的设备,其进一步包括:信号生成器,其经配置以生成用于所述多个调节器的全局参考信号;以及多个低通滤波器,其与所述多个调节器和所述信号生成器耦合,其中所述多个低通滤波器经配置以接收所述全局参考信号。17.根据权利要求16所述的设备,其中所述多个低通滤波器进一步经配置以生成用于所述多个调节器的多个局部参考信号,所述多个低通滤波器中的每一低通滤波器经配置以生成用于所述多个调节器中的相应调节器的局部参考信号。18.根据权利要求16所述的设备,其中所述多个低通滤波器进一步经配置以保护所述
全局参考信号免受多个局部参考信号中的瞬变影响以及保护所述多个局部参考信号免受所述全局参考信号中的瞬变影响。19.一种方法,其包括:向包括存储器阵列和调节器的存储器装置供电,所述调节器具有用于接收参考信号的第一晶体管、用于对所述调节器进行偏置的第二晶体管和用于启用所述调节器的操作的第三晶体管,其中至少部分地基于所述存储器装置被供电以及所述第三晶体管被解除激活,与所述第一晶体管和所述第三晶体管耦合的第一节点的电压具有第一电平,且与所述第二晶体管和所述第三晶体管耦合的第二节点的电压具有第二电平;至少部分地基于所述存储器装置被供电而接收命令以激活所述存储器阵列中与所述调节器耦合的区段;以及至少部分地基于所述命令来激活所述第二晶体管,其中至少部分地基于激活所述第二晶体管,所述第一节点的所述电压和所述第二节点的所述电压具有在所述第一电平与所述第二电平之间的第三电平,且所述调节器生成用于所述存储器阵列中的所述区段中的一或多个感测组件的电力信号。20.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括:至少部分地基于所述第二晶体管被激活,感测与所述一或多个感测组件耦合的存储器单元所存储的逻辑状态。21.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括:至少部分地基于所述存储器装置被供电,将所述参考信号施加于所述调节器的输入。22.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括:至少部分地基于所述存储器装置被供电,将所述参考信号施加于与所述调节器耦合的低通滤波器,其中所述低通滤波器将所述参考信号的经滤波版本输出到所述调节器的输入。23.根据权利要求19所述的方法,其中:至少部分地基于所述第一节点的所述电压从所述第一电平转变到所述第三电平,第一电荷量穿过所述第一晶体管的栅极,至少部分地基于所述第二节点的所述电压从所述第二电平转变到所述第三电平,第二电荷量在与所述第一电荷量相反的方向穿过所述第二晶体管的栅极。24.一种设备,其包括:存储器阵列,其包括一或多个感测组件;调节器,其与所述存储器阵列耦合且经配置以至少部分地基于与所述一或多个感测组件相关联的参考信号而生成用于所述一或多个感测组件的电力信号,所述调节器包括:差分输入电路,其经配置以接收所述参考信号和所述调节器的输出,偏置电路,其经配置以在操作状态下对所述调节器进行偏置,启用电路,其与所述差分输入电路和所述偏置电路耦合且经配置以至少部分地基于用于所述调节器的启用信号而将所述差分输入电路与所述偏置电路耦合,其中所述调节器的第一节点与所述差分输入电路和所述启用电路耦合,且所述调节器的第二节点与所述偏置电路和所述启用电路耦合;以及控制器,其与所述调节器耦合且经配置以使所述设备进行以下操作:
为所述调节器供电,从而使所述第一节点的电压具有第一电平且所述第二节点的电压具有第二电平;以及至少部分地基于所述调节器被供电而激活所述启用电路,从而使所述第一节点的所述电压和所述第二节点的所述电压具有处于所述第一电平与所述第二电平之间的第三电平。25.根据权利要求24所述的设备,其中所述差分输入电路包括第一输入节点,且其中所述控制器进一步经配置以使得所述设备进行以下操作:至少部分地基于所述调节器被供电,将所述参考信号施加到所述调节器的所述第一输入节点。26.根据权利要求24所述的设备,其中所述差分输入电路包括:第一晶体管,其具有栅极和源极,所述第一晶体管的所述栅极经配置以接收所述参考信号;以及第二晶体管,其具有栅极和源极,所述第二晶体管的所述栅极经配置以接收由所述调节器输出的信号,且所述第二晶体管的所述源极与所述第一晶体管的所述源极和所述调节器的所述第一节点耦合,其中所述调节器经配置以使施加在所述第二晶体管的所述栅极处的输出信号的电压与施加在所述第一晶体管的所述栅极处的所述参考信号的电压匹配。27.根据权利要求26所述的设备,其中所述偏置电路包括:第三晶体管,其具有经配置以接收所述参考信号的栅极;以及电阻器,其与所述第三晶体管的源极和电压轨耦合,其中至少部分地基于所述启用电路被激活,第一电荷量穿过所述第一晶体管的所述栅极且第二电荷量在与所述第一电荷量相反的方向穿过所述第三晶体管的所述栅极。28.根据权利要求27所述的设备,其中所述偏置电路进一步包括:第二电阻器,其定位在所述第一晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极之间且经配置以减小所述第二电荷量。29.根据权利要求27所述的设备,其中所述第二晶体管的宽度和长度经配置以使得所述第一电荷量与所述第二电荷量之间的差与因所述调节器被启用而引起的噪声量相关联,所述噪声量低于阈值。30.根据权利要求24所述的设备,其进一步包括:低通滤波器,其与所述调节器耦合且包括与所述差分输入电路和电压轨耦合的电容器,所述低通滤波器经配置以滤除所述参考信号中的瞬变。31.根据权利要求24所述的设备,其进一步包括:电压源;以及晶体管,其具有漏极和源极,所述晶体管的所述漏极与所述差分输入电路耦合且所述源极与电压轨耦合,所述电压轨与所述电压源耦合,其中为了使所述设备为所述调节器供电,所述控制器经配置以使所述设备激活所述电压源。32.一种设备,其包括:存储器装置,其包括:存储器阵列,其具有多个区段,和调节器,其与包含在所述多个区段中的区段中的一或多个感测组件耦合且包括用于接收参考信号的第一晶体管、用于对所述调节器进行偏置的第二晶体管、用于启用所述调节
器的操作的第三晶体管、与所述第一晶体管和所述第三晶体管耦合的第一节点以及与所述第二晶体管和所述第三晶体管耦合的第二节点;以及控制器,其与所述存储器装置耦合且经配置以使所述设备进行以下操作:为所述存储器装置供电,其中所述第一节点的电压转变成第一电平,且所述第二节点的电压转变成第二电平;接收命令以激活所述存储器阵列中与所述调节器耦合的所述区段;以及至少部分地基于所述命令激活所述调节器的所述第二晶体管,其中至少部分地基于激活所述第二晶体管,所述第一节点的所述电压和所述第二节点的所述电压转变成处于所述第一电平与所述第二电平之间的第三电平,且所述调节器生成用于所述一或多个感测组件的电力信号。33.根据权利要求32所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使得所述设备进行以下操作:至少部分地基于所述第二晶体管被激活,感测与所述一或多个感测组件耦合的存储器单元所存储的逻辑状态。34.根据权利要求32所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使得所述设备进行以下操作:至少部分地基于所述存储器装置被供电,将所述参考信号施加到所述调节器的输入。

技术总结
本发明涉及反冲噪声的补偿。描述了用于对反冲噪声进行补偿的方法、系统和装置。调节器可包含输入电路、偏置电路和启用电路。所述调节器可经配置以使得所述启用电路定位在所述输入电路与所述偏置电路之间。平衡电阻器可包含在所述调节器的输入与偏置晶体管中包含的所述偏置晶体管的栅极之间的路径中。所述平衡电阻器的大小可基于由所述偏置晶体管在激活事件期间汲取的电荷量。所述偏置晶体管的尺寸可基于由所述偏置晶体管在激活事件期间汲取的电荷量而修改。的电荷量而修改。的电荷量而修改。


技术研发人员:褚炜路 潘栋
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2021.05.19
技术公布日:2022/2/28
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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