半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分，其中，过孔部分包括阻挡图案和位于阻挡图案上的导电图案，其中，阻挡图案包括：第一阻挡层，位于导电图案与第二层间绝缘层之间；以及第二阻挡层，位于导电图案与下互连线之间，其中，第一阻挡层的电阻系数比第二阻挡层的电阻系数大，并且其中，第一阻挡层中的氮的浓度比第二阻挡层中的氮的浓度大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一阻挡层中的氮的浓度在10at％至60at％的范围内，并且其中，第二阻挡层中的氮的浓度小于5at％。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，下互连线包括上表面，所述上表面包括被蚀刻停止层覆盖的第一部分以及与过孔部分接触的第二部分，并且其中，相对于基底，第二部分比第一部分低。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，下互连线的上表面包括由下互连线的上表面的第二部分限定的凹部，并且其中，第二阻挡层位于凹部中并覆盖第一阻挡层的底表面。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二阻挡层包括第二底表面，并且其中，第二底表面覆盖下互连线的上表面的第二部分的至少80％。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一阻挡层包括第一底表面，第一底表面覆盖下互连线的上表面的第二部分的至少一部分，并且其中，第二底表面覆盖下互连线的上表面的第二部分的未被第一底表面覆盖的剩余部分。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一阻挡层包括与下互连线的上表面的第二部分间隔开的第一底表面。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一阻挡层包括氮化钽层、氮化钛层和/或氮化锰层，并且其中，第二阻挡层包括钽、钛、钨、镍、钴、铂和/或石墨烯。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，导电图案包括位于阻挡图案上的第一导电层和位于第一导电层上的第二导电层，并且其中，第一导电层和第二导电层包括不同的金属，并且包括铜、钴、钌、钨、钼、铝、银和/或金。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一阻挡层的厚度比第二阻挡层的厚度大。
11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分，其中，过孔部分包括阻挡图案和位于阻挡图案上的导电图案，其中，阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡部分以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡部分，其中，阻挡图案的第一阻挡部分具有第一氮浓度，阻挡图案的第二阻挡部分具有第二氮浓度，并且第一氮浓度比第二氮浓度大，并且其中，阻挡图案的第一阻挡部分具有第一厚度，阻挡图案的第二阻挡部分具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度大。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，第一氮浓度在10at％至60at％的范围内，并且其中，第二氮浓度小于5at％。13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，阻挡图案的第一阻挡部分包括第一阻挡层，并且阻挡图案的第二阻挡部分包括第二阻挡层。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，下互连线的上表面包括被蚀刻停止层覆盖的第一部分和接触过孔部分的第二部分，其中，相对于基底，第二部分比第一部分低，并且下互连线的上表面包括由下互连线的上表面的第二部分限定的凹部，并且其中，第二阻挡层位于凹部中并与下互连线的上表面的第二部分接触。15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第一阻挡层包括氮化钽层、氮化钛层和/或氮化锰层，并且其中，第二阻挡层包括钽、钛、钨、镍、钴、铂和/或石墨烯。16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括有源区；器件隔离层，在有源区上限定有源图案，其中，器件隔离层覆盖有源图案中的每个有源图案的下部分的侧壁，并且有源图案中的每个有源图案的上部分突出到器件隔离层上方；成对的源极/漏极图案，位于有源图案中的每个有源图案的上部分中；沟道图案，位于所述成对的源极/漏极图案之间；栅电极，与沟道图案交叉，并且沿第一方向延伸；栅极间隔件，分别位于栅电极的背对的侧壁上，并且沿第一方向延伸；栅极介电图案，位于栅电极与沟道图案之间以及栅电极与栅极间隔件之间；栅极覆盖图案，位于栅电极的顶表面上，并且沿第一方向延伸；
第一层间绝缘层，位于栅极覆盖图案上；有源接触件，延伸通过第一层间绝缘层，并且电连接到所述成对的源极/漏极图案中的至少一个；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层上；第一金属层，位于第二层间绝缘层中；第三层间绝缘层，位于第二层间绝缘层上；第二金属层，位于第三层间绝缘层中；以及蚀刻停止层，位于第二层间绝缘层与第三层间绝缘层之间，其中，第一金属层包括电连接到有源接触件的下互连线，其中，第二金属层包括位于下互连线上的上互连线，其中，上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分，其中，过孔部分包括阻挡图案和位于阻挡图案上的导电图案，其中，阻挡图案包括位于导电图案与第三层间绝缘层之间的第一阻挡部分以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡部分，其中，阻挡图案的第一阻挡部分具有第一氮浓度，并且阻挡图案的第二阻挡部分具有第二氮浓度，并且其中，第一氮浓度比第二氮浓度大。17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，阻挡图案的第一阻挡部分具有第一厚度，并且阻挡图案的第二阻挡部分具有第二厚度，并且其中，第一厚度比第二厚度大。18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，第一氮浓度在10at％至60at％的范围内，并且其中，第二氮浓度小于5at％。19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，阻挡图案的第一阻挡部分包括第一阻挡层，并且阻挡图案的第二阻挡部分包括第二阻挡层，其中，下互连线的上表面包括被蚀刻停止层覆盖的第一部分和接触过孔部分的第二部分，其中，下互连线的上表面的第二部分比下互连线的上表面的第一部分低，并且下互连线的上表面包括由下互连线的上表面的第二部分限定的凹部，并且其中，第二阻挡层位于凹部中并与下互连线的上表面的第二部分接触。20.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，下互连线包括：一对第一下互连线，被构造为分别接收漏极电压和源极电压；以及第二下互连线，位于所述一对第一下互连线之间，并且沿第一方向彼此间隔开，其中，所述半导体装置包括单个逻辑单元，单个逻辑单元包括所述一对第一下互连线中的每条第一下互连线的一部分以及第二下互连线。

技术总结
提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。二阻挡层中的氮浓度大。二阻挡层中的氮浓度大。


技术研发人员：李钟振 金京旭 金洛焕 刘承勇 郑恩志
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.05.17
技术公布日：2022/2/28