一种低压差线性稳压电路的制作方法

技术特征：
1.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，所述低压差线性稳压电路包括放大单元、输出单元、反馈单元和参考电压产生单元；所述放大单元包括第一输入端、第二输入端和输出端；所述放大单元的第一输入端与所述参考电压产生单元的输出端连接，所述放大单元的第二输入端与所述反馈单元的输出端连接，所述反馈单元输入端与所述输出单元的输出端连接，所述输出单元的输入端与所述放大单元的输出端连接；所述参考电压产生单元包括第一电流源、第二电流源、第一晶体管和至少两个第二晶体管和第三晶体管；所述第一电流源连接于第一电源和所述第一晶体管的第一极之间，至少两个所述第二晶体管依次串联，并连接于所述第一晶体管的第二极和第二电源之间；其中，第一个所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，最后一个所述第二晶体管的第二极连接所述第二电源，所述第一晶体管的栅极以及各所述第二晶体管栅极连接所述第一晶体管的第一极；所述第一晶体管的衬底以及各所述第二晶体管衬底连接最后一个所述第二晶体管的第二极；所述第二电流源连接于所述第三晶体管的第一极和所述第一电源之间，所述第三晶体管的栅极和第二极均连接所述第一晶体管的第二极，所述第三晶体管的第一极作为所述参考电压产生单元的输出端。2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述参考电压产生单元包括三个所述第二晶体管；所述第一晶体管的第一极和栅极连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端连接所述第一电源；第一个所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，后一个所述第二晶体管的第二极连接前一个所述第二晶体管的第一极，最后一个所述第二晶体管的第二极连接所述第二电源。3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管为n型管，所述第三晶体管为p型管。4.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，各所述第二晶体管的尺寸相同或者不同。5.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第一晶体管的第二极的电压与工艺角无关，且为正温度系数的电压。6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述放大单元包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第三电流源；所述第四晶体管与所述第五晶体管的栅极连接，并作为所述放大单元的第一输入端；所述第四晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极连接，所述第四晶体管的第二极与所述第八晶体管的第二极连接，并作为所述放大单元的输出端；所述第五晶体管的第一极与所述第三电流源的第一端连接；所述第六晶体管与所述第七晶体管的栅极连接，并作为所述放大单元的第二输入端；所述第六晶体管的第一极与所述第七晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极与所述第九晶体管的第二极连接，所述第七晶体管的第一极与所述第三电流源的第一端连接；所述第八晶体管的栅极与所述第九晶体管的栅极以及所述第九晶体管的第二极连接，
所述第八晶体管的第一极以及所述第九晶体管的第一极与所述第一电源连接；所述第三电流源的第二端与所述第二电源连接。7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第三电流源的电流大于所述第一电流源的电流和所述第二电流源的电流的3倍。8.根据权利要求6所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管为n型管；所述第八晶体管和所述第九晶体管为p型管。9.根据权利要求6所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述反馈单元包括电容，所述电容的第一极连接所述第四晶体管的第二极，所述电容的第二极连接所述低压差线性稳压电路的输出端和所述第六晶体管的栅极。10.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述输出单元包括第十晶体管；所述第十晶体管的第一极连接所述第一电源，所述第十晶体管的栅极连接所述放大单元的输出端，所述第十晶体管的第二极连接所述低压差线性稳压电路的输出端。

技术总结
本发明实施例公开了一种低压差线性稳压电路。该低压差线性稳压电路包括放大单元、输出单元、反馈单元和参考电压产生单元；放大单元包括第一输入端、第二输入端和输出端；放大单元的第一输入端与参考电压产生单元的输出端连接，放大单元的第二输入端与反馈单元的输出端连接，反馈单元输入端与输出单元的输出端连接，输出单元的输入端与放大单元的输出端连接；参考电压产生单元包括第一电流源、第二电流源、第一晶体管和至少两个第二晶体管和第三晶体管。与现有技术相比，本发明实施例的技术方案电路结构简单，消耗电路面积小，参考电压受温度及工艺角影响甚微，其温度特性可以根据需求调整。需求调整。需求调整。


技术研发人员：王涵阳
受保护的技术使用者：上海坤锐电子科技有限公司
技术研发日：2021.11.09
技术公布日：2022/2/28