具有减小的像素间距的微测辐射热计的制作方法

技术特征：
1.一种包括像素阵列的微测辐射热计，每个像素包括一个或多个检测单元，每个检测单元包括吸收层(210、530)，其中：-所述检测单元在像素阵列平面中的至少一个方向上的间距在5到11μm之间；-每个像素中的所述一个或多个检测单元的吸收层(530)的像素填充因数ff在0.10到0.50的范围内；以及-每个检测单元的吸收层(530)的薄层电阻rs在16到189ohm/sq之间，并且所述阵列的每个像素的比率rs/ff在200到600ohm/sq之间。2.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中，每个像素具有范围为0.10至0.40的像素填充因数。3.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中，每个像素具有范围为0.20至0.40的像素填充因数。4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的微测辐射热计，其中，所述检测单元在像素阵列平面中的至少一个方向上的间距在8至9μm之间。5.根据权利要求4所述的微测辐射热计，其中，所述阵列的每个像素具有：-像素填充因数ff等于或大于0.40且小于0.50，并且所述吸收层(530)的薄层电阻rs为至少75ohm/sq；或-像素填充因数ff等于或大于0.30且小于0.40，并且所述吸收层(530)的薄层电阻rs为至少50ohm/sq；或-像素填充因数ff等于或大于0.20且小于0.30，并且所述吸收层(530)的薄层电阻rs为至少25ohm/sq；或-像素填充因数ff等于或大于0.10且小于0.20，并且所述吸收层(530)的薄层电阻rs为至少16ohm/sq。6.根据权利要求1至5中任一项权利要求所述的微测辐射热计，其中，比率rs/ff在377ohm/sq
±
20％的范围内。7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的微测辐射热计，其中，每个检测单元的吸收层(530)为金属层。8.根据权利要求7所述的微测辐射热计，其中，所述吸收层(530)由tin形成且具有10至115nm之间的厚度。9.根据权利要求1至8中任一项权利要求所述的微测辐射热计，其中，所述像素阵列包括衬底(506)，并且所述像素阵列的每个像素包括：形成在所述衬底(506)上的反射层(504)和悬挂在所述反射层(504)上的膜(502)，每个像素中的膜(502)和反射层(504)之间形成四分之一波长谐振腔(533)，以及所述膜(502)包括所述吸收层(530)和热层(528)。10.根据权利要求9所述的微测辐射热计，其中，所述吸收层(530)具有的表面积小于所述膜(502)的表面积的75％。11.根据权利要求9或10所述的微测辐射热计，其中，所述四分之一波长谐振腔(533)具有1.5至3.5μm范围内的高度(h)。12.根据权利要求11所述的微测辐射热计，其中，所述检测单元在像素阵列平面中的至少一个方向上的间距小于所述四分之一波长谐振腔(533)的高度(h)的四倍。13.一种制造微测辐射热计阵列的方法，包括：
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形成像素阵列，每个像素具有一个或多个检测单元，其中形成所述阵列包括：-形成所述检测单元，使其在所述像素阵列的平面中的至少一个轴上具有5至11μm之间的间距；以及-形成每个检测单元以包括吸收层(210、530)，所述吸收层具有在0.10到0.50的范围内的像素填充因数ff以及在16至189ohm/sq之间的薄层电阻rs，并且所述阵列的每个像素的比率rs/ff在200至600ohm/sq之间。

技术总结
本公开涉及一种微测辐射热计，该微测辐射热计包括像素的阵列，每个像素包括一个或多个检测单元，每个检测单元包括吸收层(530)，其中：检测单元在像素阵列的平面中的至少一个方向上的间距在5到11μm之间；每个像素中的一个或多个检测单元的吸收层(530)的像素填充因数FF在0.10到0.50的范围内；以及每个检测单元的吸收层(530)的薄层电阻Rs在16至189ohm/sq之间。间。间。


技术研发人员：尼古拉斯
受保护的技术使用者：灵锐得公司
技术研发日：2020.06.05
技术公布日：2022/2/28