一种覆铜基板及其制备方法、电路板、电子设备与流程

技术特征：
1.一种覆铜基板，其特征在于，包括氟树脂层和设置于所述氟树脂层的至少一侧的覆铜层结构，其中：所述覆铜层结构包括介质层和位于所述介质层远离所述氟树脂层的一侧的铜箔层，所述介质层的弹性模量大于所述氟树脂层的弹性模量，且小于所述铜箔层的弹性模量；所述氟树脂层的厚度大于各所述介质层的厚度之和。2.如权利要求1所述的覆铜基板，其特征在于，所述介质层的弹性模量不小于2gpa。3.如权利要求1或2所述的覆铜基板，其特征在于，所述介质层的拉伸强度不小于200mpa。4.如权利要求1～3任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述铜箔层的表面粗糙度不大于1.2um。5.如权利要求1～4任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述氟树脂层的介电常数小于3.0，所述氟树脂层的损耗因子小于0.002。6.如权利要求1～5任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述介质层的损耗因子小于0.006。7.如权利要求1～6任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述介质层的材质为改性聚酰亚胺树脂；或者，所述介质层的材质为液晶聚合物。8.如权利要求1～7任一项所述的覆铜基板，其特征在于，还包括设置于所述氟树脂层与所述覆铜层结构之间的热固性树脂层。9.如权利要求1～6任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述介质层的材质为碳氢树脂；或者，所述介质层的材质为聚烯烃。10.如权利要求1～9任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述氟树脂层为单层结构；所述氟树脂层的材质为聚四氟乙烯；或者，所述氟树脂层的材质为四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物。11.如权利要求1～9任一项所述的覆铜基板，其特征在于，所述氟树脂层为叠置的三层结构；所述氟树脂层的三层结构的材质依次为四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚四氟乙烯和四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物。12.一种电路板，其特征在于，所述电路板由至少一个如权利要求1～11任一项所述的覆铜基板制备而成。13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求12所述的电路板。14.一种覆铜基板的制备方法，其特征在于，包括：将介质层涂覆于铜箔层的一侧并进行固化，形成覆铜层结构；将所述覆铜层结构设置于氟树脂层的至少一侧，并使所述铜箔层位于所述介质层远离所述氟树脂层的一侧；将所述覆铜层结构与所述氟树脂层进行压合固定；其中，所述介质层的弹性模量大于所述氟树脂层的弹性模量，且小于所述铜箔层的弹性模量；所述氟树脂层的厚度大于至少一侧的所述介质层与所述氟树脂层的厚度之和的二分之一。15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在将所述覆铜层结构设置于所述氟树
脂层的至少一侧之前，所述方法还包括：在所述覆铜层结构的介质层上涂覆热固性树脂层；将涂覆有所述热固性树脂层的所述覆铜层结构设置于所述氟树脂层的至少一侧，并进行压合固定。

技术总结
本申请提供了一种覆铜基板及其制备方法、电路板、电子设备，以在保证覆铜基板的结构可靠性的前提下，降低覆铜基板的介质损耗与导体损耗。覆铜基板包括氟树脂层和设置于氟树脂层的至少一侧的覆铜层结构，其中：覆铜层结构包括介质层和位于介质层远离氟树脂层的一侧的铜箔层，介质层的弹性模量大于氟树脂层的弹性模量，且小于铜箔层的弹性模量；氟树脂层的厚度大于各介质层的厚度之和。度大于各介质层的厚度之和。度大于各介质层的厚度之和。


技术研发人员：黄明利 李小庆
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2020.08.29
技术公布日：2022/2/28