全反射显示器的制作方法

技术特征：
1.一种全反射显示器，其特征在于，包括：一子像素，由相邻设置的一滤光片与一黑色矩阵定义；一反射层，位于该子像素下方；至少一第一立体电极，位于该子像素的该黑色矩阵下方，其中该第一立体电极的一宽度小于该黑色矩阵的一宽度；以及一显示介质层，位于该子像素与该反射层之间，其中该第一立体电极的高度大于该显示介质层的厚度之半。2.如权利要求1所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一第一介电层，围绕该第一立体电极；以及一薄膜晶体管基板，具有一第一透明电极，其中该第一透明电极电性连接该第一立体电极。3.如权利要求1所述的全反射显示器，其特征在于，该反射层的宽度大致相同于该子像素的该滤光片的宽度。4.如权利要求2所述的全反射显示器，其特征在于，该反射层位于该薄膜晶体管基板上且具有一顶面与一侧壁，该反射层的该顶面、该侧壁以及该薄膜晶体管基板的顶面定义出阶梯状表面。5.如权利要求4所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一第一透镜层，设置于该子像素与该显示介质层之间；一第二透明电极，位于该第一透镜层与该显示介质层之间；以及一第二介电层，位于该第二透明电极与该显示介质层之间。6.如权利要求5所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一档墙，设置于该第二介电层与该薄膜晶体管基板之间，且位于该子像素外围；以及一第二立体电极，设置于该档墙中。7.如权利要求5所述的全反射显示器，其特征在于，该第一介电层覆盖该反射层的该顶面与该侧壁，且该第一介电层与该第一透镜层分开。8.如权利要求5所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一第三介电层，覆盖该反射层的该顶面与该侧壁，其中该第一介电层接触该第一透镜层且与该薄膜晶体管基板分开。9.如权利要求1所述的全反射显示器，其特征在于，该第一立体电极的该宽度在1μm至32μm的范围中。10.如权利要求2所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一第二透镜层，位于该薄膜晶体管基板与该反射层之间，其中该第二透镜层与该反射层之间具有空气间隙；以及一第三透明电极，位于该子像素与该薄膜晶体管基板之间。11.如权利要求10所述的全反射显示器，其特征在于，该反射层的宽度大于该第三透明电极的宽度。12.如权利要求10所述的全反射显示器，其特征在于，该第一介电层延伸至该第三透明电极上，且该第三透明电极与该子像素分开。13.如权利要求10所述的全反射显示器，其特征在于，该第一介电层延伸至该薄膜晶体
管基板上，且该第三透明电极与该第一介电层分开。14.如权利要求13所述的全反射显示器，其特征在于，更包括：一第四介电层，覆盖该第三透明电极，其中该显示介质层位于该第四介电层与该第一介电层之间。

技术总结
本发明公开了一种全反射显示器，包括子像素、反射层、至少一第一立体电极以及显示介质层。子像素由相邻设置的滤光片与黑色矩阵定义。反射层位于子像素下方。第一立体电极位于子像素的黑色矩阵下方。第一立体电极的宽度小于黑色矩阵的宽度。显示介质层位于子像素与反射层之间。第一立体电极的高度大于显示介质层的厚度之半。的厚度之半。的厚度之半。


技术研发人员：林俊佑 田堃正
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2021.11.18
技术公布日：2022/2/24