存储器系统及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种存储器系统，其特征在于，包括：至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，所述存储器装置与所述存储器控制器设置在同一管芯上；所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据；所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述第二相变存储器执行读取操作和写操作的速度大于所述第一相变存储器执行读取操作和写操作的速度。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其特征在于，所述第一相变存储器采用的相变材料包括基于硫属元素化物的合金；所述第二相变存储器采用的相变材料包括超晶格材料。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述第一相变存储器包括彼此电连接的第一相变存储阵列和第一外围电路；所述第二相变存储器包括彼此电连接的第二相变存储阵列和第二外围电路；所述存储器控制器还包括与所述第一相变存储器和第二相变存储器均电连接的电容和第三外围电路；所述第一外围电路、第二外围电路和第三外围电路并列的设置在同一衬底上；所述第一外围电路上设置有所述第一相变存储阵列；所述第二外围电路和所述第三外围电路上设置有所述电容，所述电容上设置有所述第二相变存储阵列。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其特征在于，所述第一相变存储阵列具有四层堆叠的存储单元层；所述第二相变存储阵列具有一层存储单元层。6.根据权利要求4所述的存储器系统，其特征在于，所述电容用于提供电源；所述电容包括多层金属层以及位于所述多层金属层间的绝缘层。7.根据权利要求4所述的存储器系统，其特征在于，所述第三外围电路包括接口和整体控制部；其中，所述接口用于与主机连接；所述整体控制部至少用于控制所述第一相变存储器和所述第二相变存储器之间的数据传输。8.根据权利要求7所述的存储器系统，其特征在于，所述接口与所述主机之间的通信协议包括高速串行计算机扩展总线标准5.0版pcie5.0。9.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器装置还包括第一金属互连层；所述存储器控制器还包括第二金属互连层；其中，通过所述第一金属互连层与所述第二金属互连层的电连接实现所述存储器装置和存储器控制器之间的数据传输。10.一种固态硬盘，其特征在于，包括：权利要求1至9任一项所述的存储器系统。11.一种存储器系统的制作方法，其特征在于，包括：在同一管芯上形成至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据；所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储
器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一相变存储器包括彼此电连接的第一相变存储阵列和第一外围电路；所述第二相变存储器包括彼此电连接的第二相变存储阵列和第二外围电路；所述存储器控制器还包括与所述第一相变存储器和第二相变存储器均电连接的电容和第三外围电路；所述在同一管芯上形成至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器，包括：在同一衬底上并列形成所述第一外围电路、第二外围电路、第三外围电路；在所述第一外围电路上形成所述第一相变存储阵列；在所述第二外围电路和第三外围电路上形成所述电容；在所述电容上形成所述第二相变存储阵列。13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述存储器装置中形成第一金属互连层，并在所述存储器控制器中形成第二金属互连层；其中，通过所述第一金属互连层与所述第二金属互连层的电连接实现所述存储器装置和存储器控制器之间的数据传输。

技术总结
本申请实施例公开了一种存储器系统及其制作方法，所述存储器系统包括：至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，所述存储器装置与所述存储器控制器设置在同一管芯上；所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据；所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存。对传输的数据进行缓存。对传输的数据进行缓存。


技术研发人员：刘峻 杨海波 付志成
受保护的技术使用者：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
技术研发日：2021.10.22
技术公布日：2022/2/24