半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体与流程

1.本发明涉及能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离、良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体。


背景技术：

2.在半导体等电子部件的加工时，为了使电子部件的处理变得容易、不发生破损，借助粘合剂组合物将电子部件固定于支撑板、或者将粘合带贴附于电子部件来进行保护。例如，在将从高纯度的单晶硅等切出的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下，借助粘合剂组合物将厚膜晶片粘接于支撑板。
3.另外，在对大面积的半导体封装进行切割而得到多个单片化的半导体封装的情况下，也进行将粘合带贴附于半导体封装的操作。在这样的工序中，将贴附有粘合带的半导体封装进一步临时固定于被称为切割带的胶带上，在切割带上连同粘合带一起切割半导体封装。切割后，通过针拾取等，将单片化后的半导体封装从切割带和/或粘合带剥离。
4.对于这样用于电子部件的粘合剂组合物、粘合带，要求在加工工序中能够尽可能牢固地固定电子部件的高粘接性，并且要求在工序结束后能够在不损伤电子部件的情况下进行剥离(以下，也称为“高粘接易剥离”。)。
5.作为高粘接易剥离的实现手段，例如专利文献1中公开了一种粘合片，其使用了在聚合物的侧链或主链上键合有具有辐射聚合性官能团的多官能性单体或低聚物的粘合剂。通过具有辐射聚合性官能团，从而聚合物通过紫外线照射而固化，利用这一点，通过在剥离时照射紫外线，从而粘合力降低，能够无残胶地进行剥离。
6.现有技术文献
7.专利文献
8.专利文献1：日本特开平5-32946号公报


技术实现要素：

9.发明要解决的课题
10.另一方面，移动电话等通信设备的高频化不断发展，产生由高频引起的噪声导致的半导体封装的误动作的问题。特别是，近年来的通信设备由于小型化而引起的器件密度的增加、器件的低电压化不断发展，因此半导体封装容易受到高频引起的噪声的影响。
11.针对该问题，例如，通过溅射等对切割后的单片化的半导体封装的背面和侧面实施用金属膜覆盖的屏蔽处理，进行了阻断高频的操作。在这样的屏蔽处理中，为了保护电路面(前表面)和防止污染，也进行将粘合带贴附于半导体封装的电路面(前表面)的操作。即，将在电路面(前表面)贴附有粘合带的半导体封装进一步临时固定于临时固定带上，在临时固定带上在半导体封装的背面和侧面形成金属膜。
12.屏蔽处理后，通过针拾取等，将在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装从临时固定带和粘合带剥离。然而，根据半导体封装的电路面(前表面)的电极的高度、形状等，有
时无法良好地进行屏蔽处理后的半导体封装的拾取。
13.本发明的目的在于提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离、良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体。
14.用于解决课题的手段
15.本发明为一种半导体装置的制造方法，具有如下的工序(3)：在将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体中，从上述半导体加工用粘合带拾取在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装，在上述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度t1的状态下拾取在上述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。
16.100＜{fb(t1)/fa(t1)}
ꢀꢀ
(1)
17.式(1)中，fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，fa(t1)表示fa(t)的温度t＝t1时的值，fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥离力，fb(t1)表示fb(t)的温度t＝t1时的值。
18.以下，详述本发明。
19.在屏蔽处理后的半导体封装的拾取中，不是在半导体封装与粘合带(半导体加工用粘合带)的界面，而是在临时固定带与半导体加工用粘合带的界面产生剥离，由此产生拾取不良。针对这样的问题，本发明人等着眼于“半导体加工用粘合带对被粘物(设为标准铜板)的粘接力”和“临时固定带对半导体加工用粘合带的粘接力”。本发明人等发现，通过在加热至这些粘接力之比满足特定范围的温度的状态下拾取半导体封装，能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离，良好地进行半导体封装的拾取，从而完成了本发明。
20.在本发明的半导体装置的制造方法中，进行从半导体加工用粘合带拾取在特定的半导体加工用层叠体中在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装的工序(3)。
21.在此，特定的半导体加工用层叠体是指贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体。得到这样的半导体加工用层叠体的方法没有特别限定，优选通过在上述工序(3)之前进行接下来的工序(1)和工序(2)来得到半导体加工用层叠体的方法。即，在本发明的半导体装置的制造方法中，优选首先进行将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式临时固定于临时固定带上的工序(1)。
22.上述半导体加工用粘合带可以是具有基材和层叠于该基材的至少一个面的粘合剂层的支撑型，也可以是不具有基材而具有粘合剂层的非支撑型。其中，从容易调整后述那样的fb(t)/fa(t)、更良好地进行半导体封装的拾取的方面出发，优选具有基材和层叠于该基材的一个面的粘合剂层的单面支撑型。在上述半导体加工用粘合带为单面支撑型的情况下，上述半导体加工用粘合带的基材侧与上述临时固定带的粘合面接触。
23.上述半导体加工用粘合带的基材的材料没有特别限定，优选为耐热性的材料。
24.作为上述半导体加工用粘合带的基材的材料，例如可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚缩醛、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、超高
分子量聚乙烯、间规聚苯乙烯、聚芳酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟树脂、液晶聚合物等。其中，从耐热性优异的方面出发，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。
25.上述半导体加工用粘合带的基材优选在与粘合剂层相反侧的表面具有易粘接层。
26.上述易粘接层在上述半导体加工用粘合带的基材中形成于与粘合剂层相反侧的表面，即背面。通过使上述半导体加工用粘合带的基材具有上述易粘接层，从而容易调整后述那样的fb(t)/fa(t)，能够更良好地进行半导体封装的拾取。
27.作为上述易粘接层，例如可举出siox层、金属氧化物层、有机金属化合物层、硅酮化合物层、聚合性聚合物层、电晕处理层、等离子体处理层等。其中，从易粘接效果更高的方面出发，优选有机金属化合物层、电晕处理层。
28.作为利用有机化合物或无机化合物的易粘接处理的方法(即，上述siox层、金属氧化物层、有机金属化合物层、硅酮化合物层、聚合性聚合物层等的形成方法)，例如可举出蒸镀、涂布等。
29.作为形成上述电晕处理层的方法，例如可举出：使用高频电源装置(春日电机公司制agi-020)，在输出为0.24kw、速度40mm/min、电极距离1mm的条件下使膜往复一次，对基材背面实施电晕处理的方法等。
30.上述半导体加工用粘合带的基材在23℃下的td方向的每单位宽度的弯曲刚性优选为2.38
×
10-7n·
m2/m以上且1.50
×
10-4n·
m2/m以下。通过使上述23℃下的td方向的每单位宽度的弯曲刚性为上述范围内，能够制成能够更可靠地保护被粘物并且处理性优异的半导体加工用粘合带。上述23℃下的td方向的每单位宽度的弯曲刚性更优选为4.12
×
10-7n·
m2/m以上，进一步优选为9.76
×
10-7n·
m2/m以上，更优选为8.5
×
10-5n·
m2/m以下，进一步优选为1.0
×
10-5n·
m2/m以下。
31.在此，td(transverse direction)方向是指与将基材挤出加工成片状时的挤出方向垂直的方向。需要说明的是，每单位宽度的弯曲刚性由拉伸弹性模量e与截面惯性矩(日文原文：断面二次
モ
一
メント
)i之积除以基材的宽度的长度而得到的值表示。拉伸弹性模量e例如可以使用粘弹性光谱仪(例如，dva-200，it计测控制公司制等)，在定速升温拉伸模式、升温速度10℃/分钟、频率10hz的条件下进行测定。基材(截面为长方形)的截面惯性矩i由下述式(3)表示。
32.i＝(基材的宽度的长度(m))
×
(基材的厚度(m))3/12(单位m4)
ꢀꢀ
(3)
33.上述半导体加工用粘合带的基材的储能模量没有特别限定，优选为5.0
×
107pa以上且1.0
×
10
11
pa以下。通过使上述半导体加工用粘合带的基材的储能模量为上述范围内，从而上述基材容易适度弯曲，因此能够进一步抑制连同上述半导体加工用粘合带一起切割半导体封装时的半导体封装的剥离，并且能够更良好地进行半导体封装的拾取。上述半导体加工用粘合带的基材的储能模量更优选为8.0
×
108pa以上，进一步优选为1.0
×
109pa以上，更优选为5.0
×
10
10
pa以下，进一步优选为5.0
×
109pa以下。
34.作为测定上述半导体加工用粘合带的基材的储能模量的方法，例如可举出动态粘弹性测定、拉伸试验等方法。更具体而言，制作10mm宽度的长条状的试验片。对于所得到的试验片，使用拉伸试验机(例如rtg1250a、and公司制等)，在温度23℃、湿度50％下，以试验速度300mm/分钟进行拉伸试验，依据jis k7161-1，可以求出拉伸储能弹性模量。
35.上述半导体加工用粘合带的基材的紫外线透射率没有特别限定，在上述半导体加工用粘合带的粘合剂层为光固化型粘合剂层的情况下，405nm的紫外线透射率优选为1％以上。上述405nm的紫外线透射率更优选为10％以上，进一步优选为15％以上，特别优选为50％以上。通过使上述405nm的紫外线透射率为这些下限以上，从而在上述半导体加工用粘合带的粘合剂层为光固化型粘合剂层的情况下，即使不使用光敏剂也能够使粘合剂层充分固化。上述405nm的紫外线透射率的上限没有特别限定，越高越好，通常为100％以下。
36.上述半导体加工用粘合带的基材的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为200μm。通过使上述半导体加工用粘合带的基材的厚度为上述范围内，能够制成具有适度的硬度、且处理性优异的半导体加工用粘合带。上述半导体加工用粘合带的基材的厚度的更优选的下限为10μm，更优选的上限为150μm。
37.构成上述半导体加工用粘合带的粘合剂层的粘合剂没有特别限定，可以为非固化型的粘合剂或固化型的粘合剂中的任一种。具体而言，例如可举出橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯
·
二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中，从耐热性优异、粘合力的调节容易的方面出发，优选丙烯酸系粘合剂，更优选丙烯酸系的固化型粘合剂。
38.作为上述固化型粘合剂，可举出通过光照射进行交联和固化的光固化型粘合剂、通过加热进行交联和固化的热固化型粘合剂等。其中，从不易损伤被粘物、容易进行固化的方面出发，优选光固化型粘合剂。即，上述粘合剂层可举出光固化型粘合剂层、热固化型粘合剂层等，优选为光固化型粘合剂层。
39.作为上述光固化型粘合剂，例如可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有光聚合引发剂的粘合剂。作为上述热固化型粘合剂，例如可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有热聚合引发剂的粘合剂。
40.上述聚合性聚合物例如可以是通过预先合成分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下，称为含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物)，使分子内具有与上述的官能团反应的官能团和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下，称为含官能团的不饱和化合物)反应而得到的。
41.上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物例如可以是通过使烷基的碳原子数通常处于2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯、含官能团的单体、以及进一步根据需要的能够与它们共聚的其他改性用单体共聚而得到的。
42.上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量没有特别限定，通常为20万～200万左右。
43.需要说明的是，重均分子量可以使用凝胶渗透色谱法来确定。更具体而言，例如，将通过四氢呋喃(thf)使所得到的聚合物调整为0.2重量％而得到的稀释液用过滤器(材质：聚四氟乙烯，孔径：0.2μm)进行过滤。将所得到的滤液供给至凝胶渗透色谱仪(waters公司制，2690separations model，或其同等品)，在样品流量1ml/min、柱温40℃的条件下进行gpc测定，测定聚苯乙烯换算分子量，求出重均分子量(mw)。作为柱，使用gpc kf-806l(昭和电工公司制，或其同等品)，作为检测器，使用差示折射计。
44.作为上述含官能团的单体，例如可举出丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基的单体、丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基乙酯等含羟基的单体、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘
油酯等含环氧基的单体。另外，作为上述含官能团的单体，例如还可举出丙烯酸异氰酸酯乙酯、甲基丙烯酸异氰酸酯乙酯等含异氰酸酯基的单体、丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含氨基的单体等。
45.作为上述能够共聚的其他改性用单体，例如可举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常的(甲基)丙烯酸系聚合物中使用的各种单体。
46.作为与上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含官能团的不饱和化合物，可以根据上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团，使用与上述含官能团的单体同样的化合物。例如，在上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基的情况下，可以使用含环氧基的单体、含异氰酸酯基的单体。在上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羟基的情况下，可以使用含异氰酸酯基的单体。在上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为环氧基的情况下，可以使用含羧基的单体、丙烯酰胺等含酰胺基的单体。在上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为氨基的情况下，可以使用含环氧基的单体。
47.为了得到上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物，使原料单体在聚合引发剂的存在下进行自由基反应即可。作为使上述原料单体进行自由基反应的方法，即聚合方法，可以使用以往公知的方法，例如可举出溶液聚合(沸点聚合或恒温聚合)、乳液聚合、悬浮聚合、本体聚合等。
48.用于得到上述含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的自由基反应中使用的聚合引发剂没有特别限定，例如可举出有机过氧化物、偶氮化合物等。作为上述有机过氧化物，例如可举出1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、过氧化新戊酸叔己酯、过氧化新戊酸叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-双(2-乙基己酰基过氧化)己烷、叔己基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、叔丁基过氧化-3，5，5-三甲基己酸酯、叔丁基过氧化月桂酸酯等。作为上述偶氮化合物，例如可举出偶氮二异丁腈、偶氮二环己烷甲腈等。这些聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
49.上述光固化型粘合剂层优选含有光聚合引发剂。上述光聚合引发剂例如可举出通过照射250～800nm的波长的光而被活化的光聚合引发剂。作为这样的光聚合引发剂，例如可举出甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物、苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻醚系化合物、苯偶酰二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物化合物、氧化膦衍生物化合物。另外，还可举出双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
50.上述热固化型粘合剂层优选含有热聚合引发剂。作为上述热聚合引发剂，可举出因热而分解、产生引发聚合固化的活性自由基的热聚合引发剂。具体而言，例如可举出过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物、叔丁基过氧化苯甲酸酯、叔丁基过氧化氢、过氧化苯甲酰、过氧化氢异丙苯、过氧化氢二异丙苯、对过氧化氢对孟烷、二叔丁基过氧化物等。
51.上述热聚合引发剂的市售品没有特别限定，例如可举出perbutyl d、perbutyl h、perbutyl p、
パ
一
ペンタ
h(以上均为日油公司制)等。这些热聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
52.上述粘合剂层可以进一步含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体。通过含有自
由基聚合性的多官能低聚物或单体，从而上述粘合剂层的光固化性和热固化性提高。
53.上述多官能低聚物或单体没有特别限定，优选重均分子量为1万以下。从高效地进行基于光照射或加热的上述粘合剂层的三维网状化的方面出发，上述多官能低聚物或单体优选重均分子量为5000以下且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数量为2～20个。
54.作为上述多官能低聚物或单体，例如可举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟基甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯和它们的甲基丙烯酸酯等。另外，作为上述多官能低聚物或单体，例如还可举出1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯以及它们的甲基丙烯酸酯等。这些多官能低聚物或单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
55.上述粘合剂层可以进一步含有气相二氧化硅等无机填料。通过含有无机填料，从而上述粘合剂层的内聚力提高，上述半导体加工用粘合带的剥离性提高，因此能够更良好地进行半导体封装的拾取。
56.上述粘合剂层优选含有交联剂。通过含有交联剂，从而上述粘合剂层的内聚力提高，上述半导体加工用粘合带的剥离性提高，因此能够更良好地进行半导体封装的拾取。
57.上述交联剂没有特别限定，例如可举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮丙啶系交联剂、金属螯合物系交联剂等。其中，从粘合力进一步提高的方面出发，优选异氰酸酯系交联剂。
58.上述交联剂的含量相对于构成上述粘合剂层的粘合剂100重量份优选为0.1重量份以上且20重量份以下。通过使上述交联剂的含量为上述范围内，能够使上述粘合剂适度地交联，提高粘合力。从进一步提高粘合力的观点出发，上述交联剂的含量的更优选的下限为0.5重量份，更优选的上限为15重量份，进一步优选的下限为1.0重量份，进一步优选的上限为10重量份。
59.上述粘合剂层可以含有增塑剂、树脂、表面活性剂、蜡、微粒填充剂等公知的添加剂。这些添加剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
60.上述粘合剂层在23℃下的储能模量优选为8.5
×
105pa以上且1.7
×
109pa以下。通过使上述粘合剂层在23℃下的储能模量为上述范围内，能够以充分的粘合力贴附于被粘物，能够充分地固定被粘物。另外，由于上述半导体加工用粘合带的剥离性提高，所以能够更良好地进行半导体封装的拾取。从使粘合力和剥离性良好的观点出发，上述粘合剂层在23℃下的储能模量更优选为1.7
×
106pa以上，进一步优选为8.5
×
106pa以上，更优选为1.7
×
108pa以下，进一步优选为8.5
×
107pa以下。
61.需要说明的是，在上述粘合剂为固化型粘合剂的情况下，上述粘合剂层的储能模量是指固化后的储能模量。在热固化型粘合剂的情况下，将在120℃下加热1小时，并且之后在175℃下加热1小时后的状态设为固化后，在光固化型粘合剂的情况下，将使用超高压汞紫外线照射器以累积强度成为2500mj/cm2的方式从基材侧对粘合剂层照射405nm的紫外线后的状态设为固化后。
62.作为对上述粘合剂层在23℃下的储能模量进行测定的方法，例如可举出动态粘弹性测定等方法。更具体而言，可以使用粘弹性光谱仪(例如dva-200，it计测控制公司制等)，在定速升温拉伸模式、升温速度10℃/分钟、频率10hz的条件下进行测定。
63.上述粘合剂层的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为500μm。通过使上述粘合剂层的厚度为上述范围内，能够以充分的粘合力贴附于被粘物，能够充分地固定被粘物。从使粘合力良好的观点出发，上述粘合剂层的厚度的更优选的下限为10μm，更优选的上限为300μm，进一步优选的下限为15μm，进一步优选的上限为250μm，更进一步优选的上限为200μm。
64.得到贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的方法没有特别限定，优选通过在上述工序(1)之前进行下述工序(1-1)和(1-2)而得到贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的方法。
65.即，优选在上述工序(1)之前进行工序(1-1)和工序(1-2)，工序(1-1)：在半导体封装的电路面贴附半导体加工用粘合带，工序(1-2)：对贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装进行切割，得到单片化的贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装。
66.贴附上述半导体加工用粘合带的方法没有特别限定，例如可举出使用层压机的方法等。
67.在上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层为光固化型粘合剂层的情况下，优选在上述工序(1-1)之后进行对上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层照射光的工序(1-3)。
68.作为对上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层照射光的方法，例如可举出使用超高压汞紫外线照射器，以累积强度成为2500mj/cm2的方式从基材侧向粘合剂层照射405nm的紫外线的方法。此时的照射强度没有特别限定，优选为50～100mw/cm2。
69.上述切割的方法没有特别限定，例如可举出下述方法：将贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装临时固定于切割带上，将该切割带安装于切割框，使用切割装置进行单片化后，剥离切割带。切割装置没有特别限定，例如可以使用disco公司制的dfd6361等。
70.在上述工序(1)中，将这样得到的贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式临时固定于临时固定带上。
71.上述临时固定带没有特别限定，可以使用半导体装置的制造方法、特别是切割或屏蔽处理时通常使用的临时固定用的粘合带。
72.上述临时固定带对铜板(满足jis h3100：2018的铜板，例如c1100p，engineering test service公司制)的粘接力的优选的下限为1.0n/inch，优选的上限为35n/inch。通过使上述临时固定带对铜板的粘接力为上述范围内，从而容易调整后述那样的fb(t)/fa(t)，能够更良好地进行半导体封装的拾取。另外，如果对上述铜板的粘接力为上述下限以上，则能够进一步抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离。如果上述对铜板的粘接力为上述上限以下，则上述临时固定带处理性提高。上述临时固定带对铜板的粘接力的更优选的下限为4n/inch，更优选的上限为15n/inch。
73.作为上述临时固定带对铜板的粘接力的测定方法，例如可举出以下的方法。首先，将上述临时固定带以粘合剂层与铜板(满足jis h3100：2018的铜板，例如c1100p，engineering test service公司制)对置的方式载置于铜板上。通过以300mm/分钟的速度使2kg的橡胶辊往复一次，从而使上述临时固定带与铜板贴合。然后，在23℃下静置1小时，制作试验样品。对于静置后的试验样品，依据jis z0237，使用autograph(岛津制作所公司
制)，在温度23℃、相对湿度50％的环境下以300mm/min的拉伸速度沿180
°
方向剥离上述临时固定带，测定剥离力。
74.上述临时固定带优选具有基材和层叠于上述基材的一个面的粘合剂层。
75.上述临时固定带的粘合剂层没有特别限定，优选为硅酮粘合剂层。通过具有上述硅酮粘合剂层，从而上述临时固定带的耐热性提高。构成上述硅酮粘合剂层的硅酮化合物没有特别限定，例如可举出聚硅氧烷、加成固化型硅酮、过氧化物固化型硅酮等。
76.上述临时固定带的粘合剂层的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为500μm。通过使上述临时固定带的粘合剂层的厚度为上述范围内，能够以充分的粘合力贴附于被粘物，能够充分地固定被粘物。从使粘合力良好的观点出发，上述临时固定带的粘合剂层的厚度的更优选的下限为10μm，更优选的上限为300μm，进一步优选的下限为15μm，进一步优选的上限为250μm，更进一步优选的上限为200μm。
77.上述临时固定带的基材的材料没有特别限定，优选为耐热性的材料。
78.作为上述临时固定带的基材的材料，例如可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚缩醛、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、超高分子量聚乙烯、间规聚苯乙烯、聚芳酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟树脂、液晶聚合物等。其中，从耐热性优异的方面出发，优选聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。
79.上述临时固定带的基材的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为200μm。通过使上述临时固定带的基材的厚度为上述范围内，能够制成具有适度的硬度、处理性优异的临时固定带。上述临时固定带的基材的厚度的更优选的下限为10μm，更优选的上限为150μm。
80.上述临时固定带的市售品没有特别限定，例如可举出kapton(注册商标)粘合带650r#50(teraoka公司制)等。
81.在本发明的半导体装置的制造方法中，优选接着进行在上述临时固定带上、在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成金属膜的工序(2)。
82.形成上述金属膜的方法没有特别限定，例如可举出通过溅射等形成由不锈钢、钛、铝等构成的膜的方法。
83.通过进行上述工序(1)和上述工序(2)，能够得到贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上、且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体。
84.在本发明的半导体装置的制造方法中，进行从上述半导体加工用粘合带拾取在这样的半导体加工用层叠体中在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装的工序(3)。由此，能够得到在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。
85.在上述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度t1的状态下拾取在上述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。
86.100＜{fb(t1)/fa(t1)}
ꢀꢀ
(1)
87.式(1)中，fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，fa(t1)表示fa(t)的温度t＝t1时的值，fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥离
力，fb(t1)表示fb(t)的温度t＝t1时的值。
88.需要说明的是，在半导体加工用粘合带为单面支撑型的情况下，fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的基材背面的剥离力。
89.上述fa(t)是表示“温度t时的半导体加工用粘合带对被粘物(设为标准的铜板)的粘接力”的指标。上述fb(t)是表示“温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的粘接力”(在半导体加工用粘合带为单面支撑型的情况下，为温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的基材背面的粘接力)的指标。这些粘接力均因加热而降低，但其降低的程度不同，与上述fb(t)相比，上述fa(t)存在因加热而大幅降低的趋势。即，上述fb(t)/fa(t)存在随着t的增加而增加的趋势。
90.在上述工序(3)中，通过在加热至上述fb(t)/fa(t)满足上述范围的温度的状态下拾取半导体封装，从而与上述fb(t)相比，能够使上述fa(t)大幅降低。由此，能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离，良好地进行半导体封装的拾取。
91.需要说明的是，标准的铜板是指满足jis h3100：2018的铜板(例如c1100p，engineering test service公司制)。
92.在上述工序(3)中，在加热至上述fb(t)/fa(t)满足上述范围(即，超过100)的温度的状态下拾取半导体封装即可，优选在加热至上述fb(t)/fa(t)成为103以上的温度的状态下拾取半导体封装。此外，更优选在加热至上述fb(t)/fa(t)成为150以上的温度的状态下拾取半导体封装。此外，进一步优选在加热至上述fb(t)/fa(t)成为200以上的温度的状态下拾取半导体封装。上述fb(t)/fa(t)的上限没有特别限定，实质上的上限例如为1500，更优选的上限为750。
93.上述fa(t)在温度t1时的值(fa(t1))没有特别限定，优选的下限为0.001n/inch，优选的上限为0.5n/inch。通过使上述fa(t1)为上述范围内，能够更良好地进行半导体封装的拾取。上述fa(t1)的更优选的下限为0.005n/inch，进一步优选的下限为0.01n/inch，更优选的上限为0.1n/inch，进一步优选的上限为0.07n/inch。
94.上述fb(t)在温度t1时的值(fb(t1))没有特别限定，优选的下限为1n/inch，更优选的下限为5n/inch，进一步优选的下限为10n/inch，更进一步优选的下限为15n/inch。通过使上述fb(t1)为上述下限以上，能够更良好地进行半导体封装的拾取。上述fb(t)在温度t1时的值(fb(t1))的上限没有特别限定，实质上的上限例如为50n/inch，更优选的上限为20n/inch。
95.上述fa(t)在23℃的值(fa(23℃))没有特别限定，优选的下限为0.04n/inch，优选的上限为1.5n/inch。通过使上述fa(23℃)为上述范围内，从而容易调整上述fb(t)/fa(t)，能够更良好地进行半导体封装的拾取。上述fa(23℃)的更优选的下限为0.1n/inch，更优选的上限为1n/inch。
96.上述fb(t)在23℃的值(fb(23℃))没有特别限定，优选的下限为3n/inch，优选的上限为30n/inch。通过使上述fb(23℃)为上述范围内，从而容易调整上述fb(t)/fa(t)，能够更良好地进行半导体封装的拾取。上述fb(23℃)的更优选的下限为5n/inch，更优选的上限为7n/inch。
97.上述温度t1的具体值没有特别限定，如果考虑到进行半导体封装的拾取时的通常的温度，则优选的下限为25℃，优选的上限为200℃，更优选的下限为50℃，更优选的上限为
150℃。
98.在加热至上述温度t1的状态下拾取半导体封装的方法没有特别限定，例如可举出使用固晶装置，通过吹送暖风而一边加热至温度t1一边拾取的方法、加热至温度t1以上后在保持于温度t1的状态下拾取的方法等。
99.作为上述fa(t)的测定方法，例如可举出如下方法。首先，将上述半导体加工用粘合带以粘合剂层与满足jis h3100：2018的铜板(例如c1100p，engineering test service公司制)相对的方式载置于铜板上。通过以600mm/分钟的速度使2kg的橡胶辊往复一次而使上述半导体加工用粘合带与铜板贴合。利用温度测定用传感器(例如安立计器公司制，a-231k-01-1-tc1-anp等)对上述半导体加工用粘合带的背面(基材侧)的温度进行测定，并且对层叠体进行加热。使用autograph(岛津制作所公司制)，将加热至温度t的层叠体的上述半导体加工用粘合带在温度t、湿度50％的环境下以300mm/min的拉伸速度沿180
°
方向进行剥离，测定剥离力。
100.需要说明的是，作为半导体加工用粘合带的被粘物的铜板是指满足jis h3100：2018的铜板(例如c1100p，engineering test service公司制)，是假定半导体封装的电路面而选择的。
101.作为上述fb(t)的测定方法，例如可举出如下方法。首先，使上述半导体加工用粘合带的粘合剂层与铜板(c1100p)相对，使用双面胶带(积水化学公司制双面胶带560或其同等品)进行贴合。将上述临时固定带以粘合剂层与上述半导体加工用粘合带的基材背面对置的方式载置于上述半导体加工用粘合带上。通过以300mm/分钟的速度使2kg的橡胶辊往复一次而使上述临时固定带与上述半导体加工用粘合带贴合。利用温度测定用传感器(例如，安立计器公司制，a-231k-01-1-tc1-anp等)对上述临时固定带的背面(基材侧)的温度进行测定，并且对层叠体进行加热。使用autograph(岛津制作所公司制)，将加热至温度t的层叠体的上述临时固定带在温度t、相对湿度50％的环境下以300mm/min的拉伸速度沿180
°
方向剥离，测定剥离力。
102.可以根据所得到的上述fa(t)和上述fb(t)算出上述fb(t)/fa(t)。
103.在上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层为光固化型粘合剂层的情况下，上述fa(t)是通过在将上述半导体加工用粘合带贴附于铜板后且加热至温度t前，对上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层照射光，使该粘合剂层固化之后而测定的。
104.作为对上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层照射光的方法，例如可举出使用超高压汞紫外线照射器，以累积强度成为2500mj/cm2的方式从基材侧向粘合剂层照射405nm的紫外线的方法。此时的照射强度没有特别限定，优选为50～100mw/cm2。
105.为了调整上述fb(t)/fa(t)，调整上述fa(t)和上述fb(t)各自的具体值即可。
106.作为调整上述fa(t)的方法，除了调整温度t的方法以外，例如还可举出如上所述调整上述半导体加工用粘合带的粘合剂层的种类、组成、物性等的方法。作为将上述fb(t)调整至上述范围的方法，除了调整温度t的方法以外，例如还可举出如上所述调整上述半导体加工用粘合带的基材的种类、组成、物性等的方法、在上述半导体加工用粘合带的基材的与粘合剂层相反侧的表面，即背面形成如上所述的易粘接层的方法。另外，还可举出调整上述临时固定带的粘合剂层的种类、组成、物性等的方法。
107.在图1中示出示意地表示本发明的半导体装置的制造方法的一个例子的图。以下，
参照图1对本发明的半导体装置的制造方法进行说明。
108.需要说明的是，在图1中，半导体加工用粘合带2为具有基材2b和层叠于该基材2b的一个面的粘合剂层2a的单面支撑型，但在本发明的半导体装置的制造方法中，半导体加工用粘合带2也可以为不具有基材2b的非支撑型。
109.在本发明的半导体装置的制造方法中，首先，如图1的(a)所示，可以进行在半导体封装4的电路面贴附半导体加工用粘合带2的工序(1-1)。
110.在上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层为光固化型粘合剂层的情况下，优选在上述工序(1-1)之后进行对上述半导体加工用粘合带的上述粘合剂层照射光的工序(1-3)(未图示)。
111.在本发明的半导体装置的制造方法中，接下来，如图1的(b)所示，可以进行对贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4进行切割、得到单片化的贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4的工序(1-2)。
112.在本发明的半导体装置的制造方法中，接下来，如图1的(c)所示，可以进行将贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4以半导体加工用粘合带2侧进行接触的方式临时固定于临时固定带3上的工序(1)。
113.在本发明的半导体装置的制造方法中，接下来，如图1的(d)所示，可以进行在临时固定带3上、在贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4的背面和侧面形成金属膜5的工序(2)。
114.通过进行图1的(a)～图1的(d)所示的工序，可以得到贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4以半导体加工用粘合带2侧进行接触的方式层叠于临时固定带3上、且在贴附有半导体加工用粘合带2的半导体封装4的背面和侧面形成有金属膜5的半导体加工用层叠体。
115.在本发明的半导体装置的制造方法中，在这样的半导体加工用层叠体中，如图1的(e)所示，进行从半导体加工用粘合带2拾取在背面和侧面形成有金属膜5的半导体封装4的工序(3)。由此，能够得到在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。
116.在上述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度t1的状态下拾取在上述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。
117.100＜{fb(t1)/fa(t1)}
ꢀꢀ
(1)
118.式(1)中，fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，fa(t1)表示fa(t)的温度t＝t1时的值，fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥离力，fb(t1)表示fb(t)的温度t＝t1时的值。
119.作为本发明的半导体装置的制造方法的中间成果物的半导体加工用层叠体也是本发明之一。
120.本发明的半导体加工用层叠体为贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上的半导体加工用层叠体，在温度25～200℃的范围具有满足下述式(1’)的温度t2。
121.100＜{fb(t2)/fa(t2)}
ꢀꢀ
(1’)
122.式(1’)中，fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力，fa(t2)表示fa(t)在温度t＝t2时的值，fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥
离力，fb(t2)表示fb(t)在温度t＝t2时的值。
123.上述温度t2的具体值的下限为25℃，上限为200℃。关于上述温度t2的具体值，如果考虑到进行半导体封装的拾取时的通常的温度，则优选的下限为50℃，优选的上限为150℃。
124.本发明的半导体加工用层叠体可以进一步在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成金属膜。
125.发明效果
126.根据本发明，能够提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离、良好地进行半导体封装的拾取的的半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体。
附图说明
127.图1的(a)～图1的(e)是示意地表示本发明的半导体装置的制造方法的一个例子的图。
128.图2的(a1)～图2的(a4)是示意地表示实施例和参考例中的半导体装置的制造方法的各工序的图。
具体实施方式
129.以下，列举实施例来更详细地说明本发明的方式，但本发明并不仅限定于这些实施例。
130.(实施例1)
131.(1)粘合性聚合物的合成
132.准备具备温度计、搅拌机、冷凝管的反应器。在该反应器内加入作为(甲基)丙烯酸烷基酯的丙烯酸2-乙基己酯93重量份、作为含官能团的单体的丙烯酸1重量份、甲基丙烯酸羟基乙酯6重量份、十二烷基硫醇0.01重量份和乙酸乙酯80重量份后，将反应器加热而开始回流。接着，在上述反应器内添加作为聚合引发剂的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，在回流下引发聚合。接下来，在聚合开始起1小时后和2小时后，也分别添加0.01重量份的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷，此外，在聚合开始起4小时后添加0.05重量份的过氧化新戊酸叔己酯，继续进行聚合反应。然后，从聚合开始起8小时后，得到固体成分55重量％、重均分子量60万的含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液。
133.相对于所得到的包含含官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯3.5重量份使其反应，得到粘合性聚合物。
134.(2)半导体加工用粘合带的制造
135.相对于上述得到的粘合性聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入硅酮化合物1重量份、无机填料3重量份、氨基甲酸酯丙烯酸酯10重量份、交联剂0.2重量份、光聚合引发剂1重量份，以100rpm的搅拌速度进行混合，得到粘合剂溶液。接下来，用刮刀将粘合剂溶液以干燥后的厚度成为40μm的方式涂覆于对表面实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的脱模处理面上，在105℃下加热干燥5分钟，得到粘合剂层。将所得到的
粘合剂层与对单面实施了电晕处理的基材a的电晕处理面贴合，在40℃熟化6天，由此得到半导体加工用粘合带。
136.需要说明的是，基材a、硅酮化合物、无机填料、氨基甲酸酯丙烯酸酯、交联剂、光聚合引发剂使用以下物质。
137.基材a(聚对苯二甲酸乙二醇酯，g’＝1.7
×
109pa，每单位宽度的弯曲刚性＝1.8
×
10-5n·
m2/m，厚度＝50μm)
138.硅酮化合物(ebecryl350，daicel cytec公司制)
139.无机填料(二氧化硅填料，reolosil mt-10，tokuyama公司制)
140.氨基甲酸酯丙烯酸酯(un-5500，根上工业公司制)
141.交联剂(异氰酸酯系交联剂，coronate l，japan urethane工业公司制)
142.光聚合引发剂(irgacure 369，basf公司制)
143.(3)粘合剂层的储能模量g’的测定
144.与半导体加工用粘合带的制造同样地操作，制作仅由粘合剂层构成的测定样品。由测定样品制作10mm宽度的长条状的试验片。使用超高压汞紫外线照射器，以累积强度成为2500mj/cm2的方式从试验片的脱模膜侧对粘合剂层照射405nm的紫外线，使粘合剂层固化。对于固化后的试验片，除去两面的脱模膜后，使用粘弹性光谱仪(dva-200，it计测控制公司制)，在定速升温拉伸模式、升温速度10℃/分钟、频率10hz的条件下进行测定。将此时的23℃下的储能模量记载为粘合剂层的储能模量。
145.(4)fa(23℃)和fa(t1)的测定
146.用乙醇清洗厚度1mm的铜板(满足jis h3100：2018的铜板，c1100p，engineering test service公司制)的表面，使其充分干燥。使2kg辊往复1次，将预先切割成宽度25mm、长度10cm的半导体加工用粘合带贴附于铜板，得到层叠体。使用超高压汞紫外线照射器，从基材侧向粘合剂层照射405nm的紫外线25秒钟，使粘合剂层固化。以照射强度成为100mw/cm2的方式调节照度。然后，在fa(t1)的测定中，使用预先加热至表1所示的温度t1的烘箱对层叠体进行加热处理。利用温度测定用传感器(安立计器公司制，a-231k-01-1-tc1-anp)测定半导体加工用粘合带的背面(基材侧)的温度，并且将层叠体加热至温度t1。
147.使用autograph(岛津制作所公司制)，将层叠体的半导体加工用粘合带在温度23℃或温度t1、湿度50％的环境下以300mm/min的拉伸速度沿180
°
方向剥离，测定剥离力fa(23℃)和fa(t1)。
148.(5)临时固定带的制造
149.相对于上述得到的粘合性聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入氨基甲酸酯丙烯酸酯10重量份、交联剂0.5重量份，以100rpm的搅拌速度进行混合，得到粘合剂溶液。接下来，用刮刀将粘合剂溶液以干燥后的厚度成为5μm的方式涂覆于对表面实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的脱模处理面上，在105℃下加热干燥5分钟，得到粘合剂层。将所得到的粘合剂层与对单面实施了电晕处理的基材a的电晕处理面贴合，在40℃熟化6天，得到临时固定带。
150.对临时固定带对铜板(满足jis h3100：2018的铜板，c1100p，engineering test service公司制)的粘接力进行测定，结果为6.5n/inch。
151.(6)fb(23℃)和fb(t1)的测定
152.在半导体加工用粘合带的制造中，使用双面胶带(积水化学公司制双面胶带560)将形成粘合剂层之前的基材的表面(形成有粘合剂层的一侧的表面)贴附于铜板(c1100p)。使2kg辊往复1次，将预先切割成宽度25mm、长度10cm的临时固定带贴附于基材的背面(未形成粘合剂层的一侧的表面)，得到层叠体。然后，在fb(t1)的测定中，使用预先加热至表1所示的温度t1的烘箱对层叠体进行加热处理。利用温度测定用传感器(安立计器公司制，a-231k-01-1-tc1-anp)对临时固定带的背面(临时固定带的基材侧)的温度进行测定，并且将层叠体加热至温度t1。
153.使用autograph(岛津制作所公司制)，将层叠体的临时固定带在温度23℃或温度t1、湿度50％的环境下以300mm/min的拉伸速度沿180
°
方向剥离，测定剥离力fb(23℃)和fb(t1)。
154.(7)pu力和温度t1下的pu力的测定
155.将半导体加工用粘合带的背面(基材侧)贴合于切割带，在其粘合剂层侧用辊贴附单片化为10mm
×
10mm的基板。使用台式拉伸压缩试验机(mct-2150，a&d制)，从半导体加工用粘合带的背面侧(基材侧)制作单片化后的基板，由此进行拾取。测定剥离单片化的基板所需的力，作为pu(拾取)力(pu(pick up)force)。
156.关于温度t1时的pu力，将单片化后的基板贴附于半导体加工用粘合带后，使用预先加热至温度t1的烘箱对层叠体进行加热处理。利用温度测定用传感器(安立计器公司制，a-231k-01-1-tc1-anp)对半导体加工用粘合带的背面(基材侧)的温度进行测定，在层叠体被加热至温度t1的状态下同样地进行拾取，进行温度t1时的pu力的测定。
157.(8)半导体装置的制造
158.如下所述进行图2的(a1)～(a4)所示的各工序。
159.在覆铜层叠基板7(mitsubishi gas chemical公司制，ccl-el190t/gepl-190t)的具有铜箔7a的面上贴附半导体加工用粘合带2(图2的(a1))。使用超高压汞紫外线照射器，从基材2b侧对粘合剂层2a照射405nm的紫外线25秒钟，使粘合剂层2a固化。以照射强度成为100mw/cm2的方式调节照度。
160.将贴附有半导体加工用粘合带2的覆铜层叠基板7以覆铜层叠基板7侧进行接触的方式临时固定于切割带8(denka公司制，
エレグリップ
uph-1510m4)上，安装于切割框9(图2的(a2))。
161.使用切割装置(disco公司制，dfd6361)，将贴附有半导体加工用粘合带2的覆铜层叠基板7单片化(芯片化)为10mm见方(图2的(a3))。
162.使用超高压汞紫外线照射器，以累积强度成为2500mj/cm2的方式照射405nm的紫外线，使切割带8固化。以照射强度成为50mw/cm2的方式调节照度。然后，将切割带8剥离。
163.将贴附有单片化后半导体加工用粘合带2的覆铜层叠基板7以半导体加工用粘合带2侧进行接触的方式临时固定于临时固定带3上，再次安装于切割框9(图2的(a4))。
164.使用预先加热至150的烘箱，将贴附有单片化后的半导体加工用粘合带2的覆铜层叠基板7连同切割框9一起进行1小时加热处理。需要说明的是，“在150℃加热1小时”是指设想进行半导体封装的屏蔽处理时所需的温度和时间而设定的。经过规定时间后，将单片化后的贴附有半导体加工用粘合带2的覆铜层叠基板7连同切割框9一起取出，在温度23℃、相对湿度50％的环境下充分放冷。
165.使用固晶装置(canon machinery公司制，bestemd02)，通过吹送暖风而加热至温度t1，由此一边加热至表1所示的温度t1，一边进行单片化后的覆铜层叠基板7的拾取。
166.(实施例2～8、参考例1～5)
167.如表1中记载的那样变更粘合剂层的组成和基材，除此以外，与实施例1同样地操作，得到半导体加工用粘合带和临时固定带。与实施例1同样地操作，测定各物性，并且制造半导体装置。
168.基材b(聚对苯二甲酸乙二醇酯，g’＝1.7
×
109pa，每单位宽度的弯曲刚性＝1.4
×
10-4n
·
m2/m，厚度＝100μm)
169.基材c(聚对苯二甲酸乙二醇酯，g’＝1.7
×
109pa，每单位宽度的弯曲刚性＝2.2
×
10-6n
·
m2/m，厚度＝25μm)
170.《评价》
171.对于实施例和参考例中的半导体加工用粘合带、临时固定带和半导体装置的制造方法，按照以下的方法进行评价。将结果示于表1。
172.(1)拾取(日文原文：
ピックアップ
)评价
173.(1-1)半导体封装-粘合带间的界面剥离
174.将温度t1时的拾取力(pick up force)小于1n的情况判定为a，将1n以上且小于5n的情况判定为b，将5n以上且小于10n的情况判定为c，将10n以上(单片化的未剥离基板)的情况判定为d。
175.(1-2)临时固定带对粘合带背面的密合性
176.在上述(8)的半导体装置的制造中，对单片化后的覆铜层叠基板7进行拾取时，对半导体加工用粘合带2的背面(基材侧)与临时固定带3的界面处的剥离进行判定。
177.将在上述界面完全未剥离的情况判定为a，将在上述界面存在剥离部分但为总面积的一半以下的情况判定为b，将在上述界面存在剥离部分且超过总面积的一半但未完全剥离的情况判定为c，将半导体加工用粘合带2从临时固定带3完全剥离的情况判定为d。
178.(2)其他工序(拾取以外)的评价
179.在上述(8)的半导体装置的制造中，随机选出50个单片化(芯片化)后的覆铜层叠基板7，用光学显微镜观察覆铜层叠基板7的与半导体加工用粘合带2的界面，观察端部有无剥离，按照下述基准评价切割剥离。
180.将50个样品中没有端部剥离了300μm以上的样品的情况判定为a，将端部剥离了300μm以上的样品数小于5％的情况判定为b，将端部剥离了300μm以上的样品数为5％以上的情况判定为c。需要说明的是，如果端部的剥离小于300μm，则溅射时的金属绕入少，成品率提高。
181.【表1】
[0182][0183]
产业上的可利用性
[0184]
根据本发明，能够提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥
离、良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法、以及半导体加工用层叠体。
[0185]
附图标记说明
[0186]
2：半导体加工用粘合带
[0187]
2a：粘合剂层
[0188]
2b：基材
[0189]
3：临时固定带
[0190]
4：半导体封装
[0191]
5：金属膜
[0192]
6：拾取针
[0193]
7：覆铜层叠基板
[0194]
7a：铜箔
[0195]
8：切割带
[0196]
9：切割框