蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

技术特征：
1.一种蚀刻方法，其为对具有基底膜、所述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、和所述层叠膜上的掩模的基板利用等离子体通过所述掩模而在所述层叠膜中形成凹部的蚀刻方法，所述蚀刻方法具备如下工序：准备所述基板的工序；和，将基板温度维持为15℃以下，利用含有氢、氟和碳的气体的等离子体进行蚀刻，直至所述层叠膜的所述凹部到达所述基底膜的工序。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述气体中所含的、氢相对于氢与氟与碳的总和的比率为0.02～0.06。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述气体中所含的、氟相对于氢与氟与碳的总和的比率为0.63～0.65。4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述气体包含：氟化碳气体(cf系)、和氢氟化碳气体(chf系)中的至少一者，且包含：氢氟化碳气体(chf系)、烃气体(ch系)、和含氢气体中的至少1者，所述含氢气体为氢气体或卤化氢。5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其中，在进行蚀刻直至到达所述基底膜的工序前，还具备如下工序：对所述层叠膜的所述凹部进行蚀刻直至规定的深度。6.根据权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述凹部的规定的深度以长宽比计为40以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其中，对所述凹部进行蚀刻直至规定的深度的工序中的基板温度为15℃以下、且与进行蚀刻直至到达所述基底膜的工序中的基板温度的条件相同。8.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述气体还含有包含除氟之外的卤素的气体。9.根据权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述第1膜为氧化硅膜，所述第2膜为氮化硅膜。10.根据权利要求1～9中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述基底膜为多晶硅、无定形硅或单晶硅中的任意者。11.一种等离子体处理装置，其为具有控制如下蚀刻的控制部的等离子体处理装置，所述蚀刻为对具有基底膜、所述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、和所述层叠膜上的掩模的基板利用等离子体通过所述掩模而在所述层叠膜中形成凹部的蚀刻，所述控制部控制如下工序：准备所述基板的工序、和将基板温度维持为15℃以下，利用含有氢、氟和碳的气体的等离子体，进行蚀刻直至所述层叠膜的所述凹部到达所述基底膜的工序。

技术总结
本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。在低温环境下使氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜的基底膜露出的蚀刻中，可以维持层叠膜的蚀刻速率，且确保对基底膜的选择比。提供一种蚀刻方法，其为对具有基底膜、前述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、和前述层叠膜上的掩模的基板利用等离子体通过前述掩模而在前述层叠膜中形成凹部的蚀刻方法，所述蚀刻方法具备如下工序：准备前述基板的工序；和，将基板温度维持为15℃以下，利用含有氢、氟和碳的气体的等离子体进行蚀刻，直至前述层叠膜的前述凹部到达前述基底膜的工序。前述凹部到达前述基底膜的工序。前述凹部到达前述基底膜的工序。


技术研发人员：后平拓 中谷理子
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2022/2/23