基板处理装置的制作方法

1.本公开涉及一种基板处理装置。


背景技术：

2.在基板处理装置中，有时在使用药液等处理液进行晶圆处理的期间会发生处理液的飞散(飞溅)。作为检测液体泄漏的设备，提出了一种带式的泄漏传感器。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2015-224880号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本公开提供一种能够在早期检测处理液的飞散的基板处理装置。
8.用于解决问题的方案
9.本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具有：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；空气供给部，其向保持于所述基板保持旋转部的所述基板供给空气；处理液供给部，其向保持于所述基板保持旋转部的所述基板供给处理液；以及整流构件，其配置于所述空气供给部与所述基板保持旋转部之间，所述整流构件对从所述空气供给部供给的所述空气进行整流，其中，所述整流构件具有：基材，其具备与保持于所述基板保持旋转部的所述基板相向的主面；第一导电层，其设置于所述主面；以及第二导电层，其设置于所述主面，所述第二导电层与所述第一导电层电绝缘。
10.发明的效果
11.根据本公开，能够在早期检测处理液的飞散。
附图说明
12.图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
13.图2是示出蚀刻单元的概要结构的图。
14.图3是示出整流板的一例的概要结构的图。
15.图4是示出腔室与第一导电层及第二导电层的关系的示意图。
16.图5是将图4的(a)中的主要部分放大地示出的示意图。
17.图6是示出基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。
18.图7是示出液体的附着状态的示意图。
19.图8是示出与液体的附着状态相应的电阻的图。
20.图9是示出第一例所涉及的整流板的制造方法的截面图。
21.图10是示出第二例所涉及的整流板的概要结构的图。
22.图11是示出第二例所涉及的整流板的制造方法的截面图。
23.图12是示出第三例所涉及的整流板的概要结构的图。
24.图13是示出第四例所涉及的整流板的概要结构的图。
25.图14是示出设置于维护板的导电层的示意图。
26.图15是示出腔室与第一导电层及第二导电层的关系的示意图。
27.图16是将图15的(a)中的主要部分放大地示出的示意图。
28.附图标记说明
29.w：晶圆；9：液体；20：腔室；22：侧壁；23：维护板；60、160、260、360、460：整流板；61：基材；62：下表面；63、64、263、264、266、363、364、463、464、563、564：导电层；65、365、465、565：间隙；68：光学式传感器；78、578：电阻测定器；265：槽。
具体实施方式
30.下面，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同或对应的结构标注相同或对应的符号并省略说明。
31.《基板处理系统的结构》
32.首先，对实施方式所涉及的基板处理系统的结构进行说明。图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。在下面，为了明确位置关系，规定相互正交的x轴、y轴以及z轴，并将z轴正方向设为铅垂向上的方向。
33.如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。
34.搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有将多张晶圆w以水平状态收容的多个承载件c。
35.搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，搬送部12在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向进行移动并且以铅垂轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构来在承载件c与交接部14之间进行晶圆w的搬送。
36.处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个蚀刻单元16。多个蚀刻单元16排列设置于搬送部15的两侧。此外，蚀刻单元16的个数不限定于图1所示的例子。
37.搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿向水平方向和铅垂方向进行移动以及以铅垂轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构来在交接部14与蚀刻单元16之间进行晶圆w的搬送。
38.蚀刻单元16对由基板搬送装置17搬送的晶圆w进行规定的基板处理。
39.另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4具备控制部18和存储部19。
40.控制部18例如包括具有cpu(central processing unit：中央处理器)、rom(read only memory：只读存储器)、ram(random access memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路。控制部18的cpu将ram用作工作区域来执行rom中存储的程序，由此控制部18控制基板处理系统1的动作。
41.此外，上述程序也可以记录在可由计算机读取的记录介质中并从该记录介质被安装到控制装置4的存储部19。作为可以计算机读取的记录介质，例如存在硬盘(hd)、软盘
(fd)、压缩光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
42.存储部19例如由ram、闪速存储器(flash memory)等半导体存储元件或者硬盘、光盘等存储装置来实现。
43.《蚀刻单元的结构》
44.接下来，对蚀刻单元16的结构进行说明。图2是示出蚀刻单元16的概要结构的图。
45.如图2所示，蚀刻单元16具备腔室20、基板保持机构30、供给部40以及回收杯50。
46.腔室20收容基板保持机构30、供给部40以及回收杯50。例如，腔室20接地。在腔室20的顶部设置有风机过滤单元(fan filter unit：ffu)21。ffu 21在腔室20内形成向下气流。腔室20是壳体的一例，ffu 21是空气供给部的一例。
47.基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆w水平地保持。晶圆w以形成有作为蚀刻对象的膜的表面朝向上方的状态保持于保持部31。
48.在本实施方式中，保持部31具备多个把持部31a，通过使用多个把持部31a把持晶圆w的周缘部来保持晶圆w，但是不限于此，保持部31也可以是对晶圆w进行吸附保持的真空吸盘等。
49.支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33以能够旋转的方式支承，在支柱部32的顶端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。上述基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，来使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶圆w旋转。
50.供给部40配置于被保持部31保持的晶圆w的上方。在供给部40连接有供给路41的一端，供给路41的另一端与处理液的供给源42连接。在供给路41的中途部分插入设置有流量调整阀43，该流量调整阀43能够进行供给路41的打开关闭动作以及对处理液的供给流量的调节。因而，当使流量调整阀43打开时，从供给部40向保持于保持部31的晶圆w供给处理液。由此，对晶圆w供给处理液。处理液例如是纯水(diw)、nh4oh(氢氧化铵)及h2o2(过氧化氢)的水溶液(sc1液)、稀氢氟酸(dhf)、异丙醇(ipa)等。在图2中图示了一组供给部40、供给路41、供给源42以及流量调整阀43，但是针对每种处理液设置有包括供给部40、供给路41、供给源42以及流量调整阀43的组。也可以从保持部31的旋转中心向晶圆w的背面的中心供给处理液。例如，也可以在晶圆w的背面侧设置与供给部40、供给路41、供给源42以及流量调整阀43对应的结构。
51.回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集由于保持部31的旋转而从晶圆w飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液从排液口51向蚀刻单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将从ffu 21供给的气体向蚀刻单元16的外部排出。
52.在腔室20的内部且ffu 21的下方设置有整流板60。整流板60是整流构件的一例。
53.《整流板的结构》
54.接下来，对整流板60的结构进行说明。图3是示出整流板60的一例的概要结构的图。图3的(a)是仰视图，图3的(b)是截面图。
55.如图3所示，整流板60的第一例所涉及的整流板160具备板状的基材61、第一导电层63以及第二导电层64。例如，基材61由绝缘性的材料构成。基材61的材料例如使用聚氯乙烯(pvc)、聚丙烯(pp)、聚四氟乙烯(ptfe)、聚三氟氯乙烯(pctfe)等树脂。第一导电层63及
第二导电层64设置于基材61的下表面62。基材61具有矩形的平面形状，该矩形具备与x轴方向平行的两个边以及与y轴方向平行的两个边。第一导电层63及第二导电层64以沿y轴方向延伸的方式设置在基材61的x轴方向的中心附近，在第一导电层63与第二导电层64之间存在间隙65。间隙65例如位于支柱部32的铅垂上方。第一导电层63与第二导电层64彼此电绝缘。间隙65的宽度例如为2mm以上且20mm以下。第一导电层63及第二导电层64由导电性的材料构成。当在间隙65中以与第一导电层63及第二导电层64接触的方式附着有可导电的液体时，第一导电层63与第二导电层64彼此电导通。即，间隙65如在接通与断开之间进行切换的开关那样发挥功能。优选的是，第一导电层63及第二导电层64针对处理液具有耐腐食性。作为导电性材料，例如能够列举金、铂等贵金属。作为导电性材料，也能够列举氧化锡、氧化锡锑(ato)、氧化锡铟等。在整流板160形成有多个贯通孔69。贯通孔69贯穿第一导电层63及第二导电层64。第一导电层63及第二导电层64的厚度例如为0.1μm以上。第一导电层63及第二导电层64的厚度也可以为0.1μm以上且0.3μm以下。第一导电层63及第二导电层64的薄层电阻例如为105ω/sq～10
11
ω/sq左右。贯通孔69的直径例如为3mm～5mm左右。下表面62是主面的一例。
56.整流板60例如固定在设置于腔室20的维护板上。图4是示出腔室20与第一导电层63及第二导电层64的关系的示意图。图4的(a)示出从正面观察维护板时的结构，图4的(b)示出从侧方观察维护板时的结构。图5是将图4的(a)中的主要部分放大地示出的示意图。
57.如图4及图5所示，维护板23设置在腔室20的与晶圆w的搬入搬出口的闸门24相向的侧壁22。在对腔室20的内部进行维护时维护板23被打开。
58.具备导电性的夹具71以在下表面62侧与第一导电层63接触的方式安装于整流板60。夹具71在z轴方向上夹住整流板60。夹具71例如包含导电性树脂。夹具71通过从维护板23外侧插入该维护板23的螺栓72以及装配于螺栓72的螺杆前端的螺母73被固定在维护板23上。即，夹具71具有开口，该开口设置于夹具71的同整流板60的上表面接触的一端与同整流板60的下表面接触的另一端之间，螺栓72的螺杆前端穿过该开口，在穿过来的部分装配有螺母73。螺栓72和螺母73具备导电性。螺栓72和螺母73例如包含导电性树脂。在维护板23的外侧，与线缆75的一端连接的圆型按压端子74安装于螺栓72的头部与维护板23之间。因而，第一导电层63经由夹具71、螺栓72以及圆型按压端子74来与线缆75电连接。
59.与夹具71同样地，在整流板60以在下表面62侧与第二导电层64接触的方式安装有具备导电性的夹具(未图示)。该夹具也通过具备导电性的螺栓及螺母(未图示)被固定于维护板23，在该螺栓与维护板23之间安装有与线缆77的一端连接的圆型按压端子76。因而，第二导电层64经由夹具、螺栓以及圆型按压端子76来与线缆77连接。
60.在线缆75的另一端与线缆77的另一端之间连接有电阻测定器78。电阻测定器78主要测定包括以下部分的电路的电阻值：从线缆75到第一导电层63的金属部分；从线缆77到第二导电层64的金属部分；以及第一导电层63与第二导电层64之间的开关(间隙65)。在第一导电层63与第二导电层64彼此电绝缘的状态下，由电阻测定器78测定出的电阻值实质上是绝缘性的基材61的电阻值。当在间隙65中以与第一导电层63及第二导电层64接触的方式附着有可导电的液体时，由电阻测定器78测定出的电阻值降低。例如，将电阻测定器78得到的测定结果发送到控制装置4，控制装置4根据测定结果来进行基板处理系统1的控制。
61.圆型按压端子74及76、螺栓72以及与圆型按压端子76连接的螺栓被绝缘性的电极
罩25覆盖。这是为了抑制由于来自腔室20的外侧的异物的附着等引起的电阻变化。
62.整流板60也可以通过与用于进行在维护板23上的固定的结构同样的机构被固定于腔室20的侧壁22。
63.《基板处理系统的具体动作》
64.接着，对基板处理系统1的具体动作进行说明。图6是示出基板处理系统1执行的基板处理的过程的流程图。基板处理系统1具备的各装置按照控制部18的控制来执行图6所示的各处理过程。
65.如图6所示，在基板处理系统1中，首先，进行向蚀刻单元16搬入晶圆w的处理(步骤s101)。具体而言，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件c取出晶圆w，将取出的晶圆w载置于交接部14。通过处理站3的基板搬送装置17将载置于交接部14的晶圆w从交接部14取出并搬入蚀刻单元16。搬入到蚀刻单元16的晶圆w由蚀刻单元16的保持部31保持。
66.接下来，在基板处理系统1中进行蚀刻处理(步骤s102)。在蚀刻处理中，一边通过驱动部33使保持有晶圆w的保持部31旋转，一边从供给部40向保持于保持部31的晶圆w供给蚀刻用的处理液。另外，一边通过驱动部33使保持有晶圆w的保持部31旋转，一边从供给部40向保持于保持部31的晶圆w供给冲洗用的处理液。
67.接下来，在基板处理系统1中进行干燥处理(步骤s103)。在干燥处理中，使晶圆w继续旋转，并且停止冲供给洗用的处理液。由此，去除残留在晶圆w上的处理液并使晶圆w干燥。
68.接下来，在基板处理系统1中进行搬出处理(步骤s104)。在搬出处理中，通过基板搬送装置17将干燥处理后的晶圆w从蚀刻单元16中搬出并载置于交接部14。然后，通过基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完毕的晶圆w送回承载件载置部11的承载件c。由此，关于1张晶圆w的一系列的基板处理结束。
69.在这样的一系列的基板处理期间，ffu 221在腔室20内形成空气的下行气流。整流板60作为用于使由ffu 21形成的空气的下行气流产生压损的、正压状态的缓冲器发挥功能。因此，通过整流板60来调整下行气流的流速。
70.《整流板的作用》
71.在蚀刻处理(步骤s102)中，从供给部40供给的处理液、向晶圆w的背面供给的处理液有时会发生飞散。例如，有时在晶圆w在旋转中碎裂的情况下、把持部31a保持晶圆w的力不足而晶圆w进行了空转等情况下会发生处理液的飞散。另外，用于处理晶圆w的制程有时也容易使处理液发生飞散。当发生这样的处理液的飞散时，在腔室20内的、如果没有发生处理液的飞散则不会有处理液到达的部分等，也会有处理液到达，会变得需要对腔室20内进行清洗。尤其是，如果在正在向晶圆w的背面供给处理液时晶圆w碎裂，则处理液像喷泉那样地在腔室20内扩散，恢复的工时增加。在晶圆w进行空转等情况下，有时自晶圆w制造出的半导体装置的成品率会降低。
72.在本实施方式中，在整流板160设置有第一导电层63和第二导电层64，当在第一导电层63与第二导电层64之间的间隙65中以与第一导电层63及第二导电层64接触的方式附着有可导电的液体时，第一导电层63与第二导电层64彼此电导通。图7是示出液体的附着状态的示意图，图8是示出与液体的附着状态相应的电阻的图。图7的(a)示出在间隙65中未附
着液体的状态s0。图7的(b)示出在间隙65中且整流板160的维护板23附近的位置处附着有液体的状态s1。图7的(c)示出在间隙65中且远离整流板160的维护板23的位置处附着有液体的状态s2。
73.在间隙65中未附着液体的状态s0(图7的(a))下，第一导电层63与第二导电层64彼此电绝缘。因此，如图8所示，在状态s0下由电阻测定器78测定出的电阻值r0实质上等于电路中包括的金属部分的总电阻值rm与基材61的绝缘体部分的电阻值ri之和，电阻值ri与总电阻值rm相比是极高的值。因而，电阻值r0实质上等于电阻值ri。
74.当在间隙65中且整流板160的维护板23附近的位置处以与第一导电层63及第二导电层64接触的方式附着有可导电的液体9的状态s1(图7的(b))下，第一导电层63与第二导电层64彼此电导通。因此，如图8所示，在状态s1下由电阻测定器78测定出的电阻值r1实质上等于电路中包括的金属部分的总电阻值rm与液体9的电阻值r
l
之和。
75.当在间隙65中且远离整流板160的维护板23的位置处附着有液体9的状态s2(图7的(c))下，第一导电层63与第二导电层64彼此电导通。因此，如图8所示，在状态s2下由电阻测定器78测定出的电阻值r2实质上等于电路中包括的金属部分的总电阻值rm与液体9的电阻值r
l
之和。
76.当将状态s1与状态s2进行比较时，相较于状态s2，在状态s1下，第一导电层63及第二导电层64的电流路径更短，电路中包括的金属部分更少。因此，相较于状态s2，在状态s1下，总电阻值rm更小。因此，优选的是，以包含以下电阻值的方式预先设定检测窗口a：在液体9附着于间隙65的离维护板23最近的部分时由电阻测定器78测定出的电阻值；以及在液体9附着于间隙65的离维护板23最远的部分时由电阻测定器78测定出的电阻值。通过像这样设定检测窗口a，能够在由电阻测定器78测定出的电阻值进入了检测窗口a的范围内时判断为在间隙65中附着有液体9。此外，在状态s0下，第一导电层63及第二导电层64实质上不包括在电流路径中，因此总电阻值rm比状态s1下的总电阻值小。
77.在未发生处理液的飞散的通常状态下，处理液不回附着于整流板160。即，如果未发生处理液的飞散，则整流板160的状态维持在状态s0。因而，电阻测定器78的测定结果(电阻值)不会进入检测窗口a，接收到测定结果的控制装置4判断为未发生处理液的飞散。
78.与此相对地，当发生处理液的飞散时，处理液的一部分容易作为液体9附着于间隙65。而且，当液体9附着于间隙65且电阻测定器78的测定结果(电阻值)进入检测窗口a时，接收到该测定结果的控制装置4判断为发生了处理液的飞散。控制装置4能够根据该判断来使蚀刻处理停止(步骤s102)。另外，也可以通过显示装置、扬声器等通知发生了飞散。控制装置4能够根据电阻值来估计附着有液体9的位置。
79.根据本实施方式，能够迅速检测处理液的飞散，抑制伴随处理液的飞散在腔室20内部产生的污染等。
80.在第一导电层63和第二导电层64针对处理液具有耐腐食性的情况下，即使在整流板160附着有处理液，也能够从维护板23取下整流板160后擦除附着于整流板160的处理液并使该整流板160干燥，由此对整流板160进行再利用。这样的维护作业能够在短时间内简便地进行。因而，即使发生处理液的飞散，也能够在短的停机时间内及早恢复基板处理系统1。
81.此外，虽然也能够使用带式的泄漏传感器来检测处理液的泄漏，但是当与本实施
方式相比时，如果未附着大量的处理液则检测不出处理液。因此，无法在早期检测处理液的飞散。另外，如果不使被液体浸染了的无纺布等干燥，则无法对带式的泄漏传感器进行再利用。
82.另外，在基材61的材料由聚氯乙烯(pvc)等能够使可视光透过的材料构成的情况下，也能够在比整流板60更靠上方处设置光学式传感器68(参照图2)，通过光学式传感器68来探测有无晶圆w等。
83.此外，无需以固定的密度形成贯通孔69，整流板60中也可以局部包含贯通孔69的密度高的区域以及局部包含贯通孔69的密度低的区域。另外，贯通孔69的直径也可以不固定。能够通过调整贯通孔69的密度及直径，来调整空气的供给量分布及流速。
84.在整流板160中，第一导电层63以沿着y轴方向延伸的方式形成于间隙65的x轴正方向的一侧，但是第一导电层63也可以形成为覆盖间隙65的x轴正方向的整个下表面62。同样地，第一导电层63还可以以覆盖间隙65的x轴负方向的整个下表面62的方式形成。
85.《整流板的制造方法》
86.接着，对图3所示的第一例所涉及的整流板160的制造方法进行说明。图9是示出第一例所涉及的整流板160的制造方法的截面图。
87.首先，如图9的(a)所示，准备基材61，在基材61的下表面62上以在第一导电层63与第二导电层64之间设置有间隙65的方式形成第一导电层63及第二导电层64。在第一导电层63及第二导电层64的形成过程中，例如涂布含有构成第一导电层63及第二导电层64的材料的颗粒的糊剂，并对该糊剂进行焙烧。糊剂的涂布例如能够通过丝网印刷来进行。接下来，如图9的(b)所示，在基材61、第一导电层63以及第二导电层64的复合体形成多个贯通孔69。贯通孔69例如能够通过机械加工来形成。优选的是，在形成贯通孔69后去除在形成贯通孔69时产生的毛刺。
88.通过这样，能够制造图3所示的整流板160。
89.《整流板的其它例(第二例)的结构》
90.接下来，对整流板60的其它例(第二例)的结构进行说明。图10是示出第二例所涉及的整流板的概要结构的图。
91.如图10所示，整流板60的第二例所涉及的整流板260具备基材61和导电层266。在导电层266和基材61形成有槽265。槽265将导电层266一分为二，导电层266被一分为二后的一部分是第一导电层63，另一部分是第二导电层64。与第一例所涉及的整流板160同样地，第一导电层63与第二导电层64彼此电绝缘。槽265例如具有从导电层266的铅垂下方侧的表面起、宽度随着接近铅垂上方侧的表面而变窄的锥形状。槽265的最大宽度例如为2mm以上且20mm以下。其它结构与第一例相同。
92.《整流板的第二例的制造方法》
93.接着，对第二例所涉及的整流板260的制造方法进行说明。图11是示出第二例所涉及的整流板260的制造方法的截面图。
94.在第二例所涉及的整流板260的制造方法中，首先，如图11的(a)所示，准备基材61，在基材61的下表面62上形成导电层266。在导电层266的形成过程中，例如涂布含有构成导电层266的材料的颗粒的糊剂，并对该糊剂进行焙烧。糊剂的涂布例如能够通过丝网印刷来进行。接下来，如图11的(b)所示，在导电层266及基材61形成将导电层266一分为二的槽
265。由此，形成第一导电层63及第二导电层64。之后，在基材61、第一导电层63以及第二导电层64的复合体形成多个贯通孔69。贯通孔69例如能够通过机械加工来形成。优选的是，在形成贯通孔69后去除在形成贯通孔69时产生的毛刺。
95.《整流板的另一些其它例(第三例、第四例)的结构》
96.接下来，对整流板60的另一些其它例(第三例、第四例)的结构进行说明。图12是示出第三例所涉及的整流板的概要结构的图。图13是示出第四例所涉及的整流板的概要结构的图。
97.如图12所示，整流板60的第三例所涉及的整流板360具备基材61、第一导电层363以及第二导电层364。第一导电层363及第二导电层364能够使用与第一导电层63及第二导电层64同样的材料。第一导电层363及第二导电层364呈梳齿状地设置于基材61的几乎整个下表面62。第一导电层363具备沿x轴方向延伸的连结部363a、以及从连结部363a起沿y轴负方向延伸的多个齿部363b。连结部363a与各齿部363b彼此连接。第二导电层364具备：连结部364a，其设置于比多个齿部363b的y轴负方向侧的前端更靠y轴负方向侧的位置处，该连结部364a沿x轴方向延伸；以及多个齿部364b，所述多个齿部364b从连结部364a起沿y轴正方向延伸。连结部364a与各齿部364b彼此连接。齿部363b和齿部364b在x轴方向上交替地配置。在x轴方向上相邻的齿部363b与齿部364b之间、在y轴方向上相邻的连结部363a与齿部364b之间以及在y轴方向上相邻的连结部364a与齿部363b之间存在间隙365。第一导电层363与第二导电层364彼此电绝缘。间隙365的宽度例如为2mm以上且20mm以下。间隙365与间隙65同样地作为开关发挥功能。虽然省略图示，但是在整流板360也与整流板160同样地形成有多个贯通孔69。
98.如图13所示，整流板60的第四例所涉及的整流板460具备基材61、第一导电层463以及第二导电层464。第一导电层463及第二导电层464能够使用与第一导电层63及第二导电层64同样的材料。第一导电层463及第二导电层464呈漩涡状地设置于基材61的几乎整个下表面62。从下表面62的中心向外缘交替地配置第一导电层463的一部分及第二导电层464的一部分。在第一导电层463与第二导电层464之间存在间隙465。第一导电层463与第二导电层464彼此电绝缘。间隙465的宽度例如为2mm以上且20mm以下。间隙465与间隙65同样地作为开关发挥功能。虽然省略图示，但是在整流板460也与整流板160同样地形成有多个贯通孔69。
99.相较于整流板160，在第三例所涉及的整流板360及第四例所涉及的整流板460中大范围地形成间隙365，因此更容易检测处理液的飞散。
100.《用于检测处理液的飞散的其它结构》
101.接下来，对用于检测处理液的飞散的其它结构进行说明。当在正在从晶圆w的下方向晶圆w的背面供给处理液的情况下晶圆w碎裂时，处理液容易朝向铅垂上方飞散。但是，处理液的飞散并不限于这样的方式，由于晶圆w进行空转等而发生的处理液的飞散不朝向铅垂上方，而容易朝向水平方向。因此，优选的是，在腔室20的侧壁22的内表面也设置有与第一导电层63及第二导电层64同样的结构。例如，优选的是，在维护板23的内表面设置有彼此绝缘的两个导电层。图14是示出设置于维护板23的导电层的示意图。
102.在图14所示的例子中，在维护板23的内表面设置有第一导电层563和第二导电层564。第一导电层563及第二导电层564能够使用与第一导电层63及第二导电层64同样的材
料。与第三例中的第一导电层363及第二导电层364同样地，第一导电层563及第二导电层564呈梳齿状地设置于维护板23的内表面。第一导电层563与第二导电层564彼此电绝缘，在第一导电层563与第二导电层564之间存在间隙565。间隙565的宽度例如为1mm以上且20mm以下。
103.第一导电层563及第二导电层564例如与第一导电层63及第二导电层64同样地使用螺栓等来与外部的线缆进行连接。图15是示出腔室20与第一导电层563及第二导电层564的关系的示意图。图15的(a)示出从正面观察维护板时的结构，图15的(b)示出从侧方观察维护板时的结构。图16是将图15的(a)中的主要部分放大地示出的示意图。
104.从维护板23外侧向该维护板23插入螺栓572，在螺栓572的螺杆前端装配螺母573。螺栓572及螺母573以与第一导电层563接触的方式配置。螺栓572和螺母573具备导电性。螺栓572和螺母573例如包含导电性树脂。在维护板23的外侧，与线缆575的一端连接的圆型按压端子574安装于螺栓572的头部与维护板23之间。因而，第一导电层563经由螺母573、螺栓572以及圆型按压端子574来与线缆575电连接。
105.同样地，具备导电性的螺栓及螺母(未图示)以与第二导电层564接触的方式配置，在该螺栓与维护板23之间安装有与线缆577的一端连接的圆型按压端子576。因而，第二导电层564经由螺母、螺栓以及圆型按压端子576来与线缆577连接。
106.在线缆575的另一端与线缆577的另一端之间连接有电阻测定器578。电阻测定器578主要测定包括以下部分的电路的电阻值：从线缆575到第一导电层563的金属部分；从线缆577到第二导电层564的金属部分；以及第一导电层563与第二导电层564之间的开关(间隙565)。在第一导电层563与第二导电层564彼此电绝缘状态下，由电阻测定器578测定出的电阻值实质上是绝缘性的维护板23的电阻值。当在间隙565中以与第一导电层563及第二导电层564接触的方式附着有可导电的液体时，由电阻测定器578测定出的电阻值降低。例如，将电阻测定器578的测定结果发送到控制装置4，控制装置4根据测定结果来进行基板处理系统1的控制。
107.圆型按压端子574及576、螺栓572以及与圆型按压端子576连接的螺栓被绝缘性的电极罩525覆盖。这是为了抑制由于来自腔室20的外侧的异物的附着等引起的电阻变化。电极罩525及电极罩25也可以一体地形成为一个电极罩。
108.在这样的维护板23中，间隙565与间隙65同样地作为开关发挥功能，能够检测在维护板23附着有处理液的情况。
109.此外，也可以是，用于检测从晶圆w向水平方向飞散出的处理液的结构不仅设置于维护板23，还设置于位于从晶圆w观察的其它3个方向上的侧壁22中的任意一个以上的侧壁22。例如，也可以在搬入搬出口的闸门24的内表面设置第一导电层563及第二导电层564。第一导电层563及第二导电层564无需直接设置于侧壁22的内表面，也可以如整流板60那样在绝缘性的基材上形成第一导电层563及第二导电层564并将该基材安装于侧壁22的内表面。
110.并且，还可以在腔室20的底部设置第一导电层及第二导电层以检测处理液的飞散。
111.此外，虽然间隙的宽度无需固定，但是优选宽度最大的部分的宽度也为20mm以下，更优选为10mm以下，进一步优选为5mm以下。这是由于间隙的宽度越大，则在间隙中附着有液体时越难以使第一导电层与第二导电层电导通，在第一导电层与第二导电层之间的距离
超过20mm的部分难以在早期检测液体的附着。
112.以上，详细说明了优选的实施方式等，但是不限制于上述的实施方式等，在不脱离权利要求书所记载的范围的情况下能够对上述的实施方式等施以各种变形及置换。