图像传感器和用于图像传感器的装置的制作方法

1.本公开涉及一种用于图像传感器的结构。特别地，示例涉及用于图像传感器的装置。进一步的示例涉及图像传感器。


背景技术：

2.在光学相机中，光由光学传感器捕获。这种系统的性能随着光学传感器越来越灵敏而提高。然而，随着灵敏度的提高，对环境光干扰的敏感性(信噪比，snr)也会增加。
3.在传统结构中，滤波器与光学传感器集成在一个封装中。滤波器仅对感兴趣的波长范围内的光透明。封装解决方案的结果是滤波器与光学传感器之间的距离很大。此外，封装解决方案允许光线以大角度击中滤波器。这增加了仍然可以通过滤波器到达光学传感器的环境光量。
4.因此，可能需要对入射光朝向光敏区域的引导进行改进。


技术实现要素：

5.该要求可以通过本技术的内容来满足。
6.一个示例涉及用于图像传感器的装置。该装置包括半导体装置，该半导体装置包括光敏区域和用于电接触光敏区域的金属化堆叠。光敏区域被配置为基于入射光产生电信号。此外，该装置包括形成在半导体装置的表面上的光学堆叠，用于将入射光引导向光敏区域。光学堆叠包括在彼此顶部堆叠的多个区域。多个区域包括滤波区域，该滤波区域被配置为选择性地透射仅在目标波长范围内的入射光。
7.另一个示例涉及用于光学相机的图像传感器。图像传感器包括光敏像素阵列。光敏像素阵列中的至少一个光敏像素包括如本文所提出的装置。
附图说明
8.以下将仅通过示例并参考附图来描述设备和/或方法的一些示例，其中
9.图1示出用于图像传感器的装置的第一示例，
10.图2示出用于图像传感器的装置的第二示例，
11.图3示出滤波区域的示例性传输特性，
12.图4示出棱镜区域的第一示例，
13.图5示出棱镜区域的第二示例，
14.图6示出透镜区域的示例，
15.图7示出用于图像传感器的装置的第三示例，
16.图8示出用于图像传感器的装置的第四示例，
17.图9示出用于图像传感器的装置的第五示例，
18.图10示出用于图像传感器的装置的第六示例，
19.图11示出用于图像传感器的装置的第七示例，
20.图12示出用于图像传感器的装置的第八示例，
21.图13示出用于图像传感器用装置的第九示例，
22.图14示出用于图像传感器的装置的第十示例，
23.图15示出用于图像传感器用装置的第十一示例，和
24.图16示出光学照相机的示例。
具体实施方式
25.现在将参照示出了一些示例的附图更全面地描述各种示例。然而，其他可能的示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括特征的修改以及特征的等同物和替代物。此外，本文用于描述特定示例的术语并不旨在限制另外可能的示例。
26.贯穿附图的描述，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件和/或特征，它们可以相同或以修改的形式实现，同时提供相同或相似的功能。在附图中，为了清楚可以放大线、层和/或区域的厚度。
27.如果使用“或者”组合两个元素a和b，则理解为公开了所有可能的组合，即仅a、仅b以及a和b，除非在个别情况下另有明确定义。作为相同组合的替代措辞，可以使用“a和b中的至少一个”或“a和/或b”。这同样适用于两个以上元素的组合。。
28.如果使用诸如“一个”和“一”的单数形式，并且没有明示或暗示地将仅使用单个元素定义为强制性的，则另外的示例也可以使用多个元素来实施相同的功能。如果随后将功能描述为使用多个元素实施，则另外的示例可以使用单个元素或处理实体来实施相同的功能。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”在使用时指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、处理、元素、部件和/或它们的组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、处理、元素、部件和/或它们的任何组的存在或添加。
29.图1示出用于光学相机的图像传感器的装置100。装置100包括半导体装置110，该半导体装置110包括光敏区域111和用于电接触光敏区域111的金属化堆叠112。
30.光敏区域111被配置为基于入射(进入)光101产生电信号。当入射光101击中光敏区域111的半导体材料时，光敏区域111基于内部光电效应发射电子或其他电荷载流子。所发射的电子或其他电荷载流子引起电信号，该电信号与入射光101相关。光敏区域111可以对任何目标(期望)波长范围的入射光101敏感。例如，光敏区域111可以对红外光、可见光或紫外光中的一种或多种敏感。光敏区域111(以及半导体材料112的其他部分)可以由任何期望的半导体材料构成，例如硅或砷化镓。
31.金属化堆叠112包括用于电接触光敏区域111的多个金属层。例如，金属化堆叠112可用于将图像传感器的读出电路和/或驱动电路(例如提供用于光敏区域111的偏置或调制信号)耦合到光敏区域111。
32.例如，光敏区域111可以形成在半导体装置110的半导体材料中，并且金属化堆叠112可以形成在半导体装置110的非半导体(例如，二氧化硅sio2)中。然而，所提出的装置100不限于此。在其他示例中，光敏区域111可以是金属化堆叠112的一部分。也就是说，光敏区域111可以由金属化堆叠112内的半导体材料形成。例如，光敏区域111可以形成在半导体装置110的半导体晶片的表面上作为金属化堆叠112的一部分。
33.一个或多个诸如二极管或晶体管的半导体结构可以可选地形成在半导体装置110
的半导体材料中。特别地，一个或多个半导体结构可以形成在光敏区域111中或周围。
34.此外，装置100包括(直接)形成在半导体装置110的表面上的光学堆叠120，用于将入射光101引导向光敏区域111。在图1的示例中，光学堆叠120形成在半导体装置110的前表面113上。换言之，金属化堆叠112沿着光学堆叠112的厚度方向z布置在光敏区域111与光学堆叠120之间。例如，光学堆叠120可以沉积在半导体装置110的晶片的金属化堆叠112上。装置100可以用于光敏区域111的正面照明。
35.可替代地，光学堆叠可以形成在半导体装置的背面上。这在图2中示出，示出了用于图像传感器的替代装置200。装置200与图1所示的装置100的区域别在于，光学堆叠120形成在半导体装置110的背面114上。换言之，沿着光学堆叠112的厚度方向z，光敏区域111布置在金属化堆叠112与光学堆叠120之间。装置200可用于光敏区域111的背面照明。例如，光学堆叠120可沉积在半导体装置110的背面减薄晶片(由si或另一种半导体材料制成)的背面114上，在光敏区域111的区域之上。例如，晶片可以是沿光学堆叠112的厚度方向z减薄至1μm至725μm的厚度的单晶晶片。
36.从图1和图2可以看出，光学堆叠包括沿着光学堆叠112的厚度方向z彼此堆叠的多个区域121-1、
……
、121-n。多个区域121-1、
…
、121-n可以包括n≥2的任意数量区域。多个区域121-1、
…
、121-n中的每一个可以由一层或多层材料形成。多个区域121-1、
…
、121-n中的不同区域可以由不同材料形成。在将入射光101引导向光敏区域111的过程中，多个区域121-1、
…
、121-n可以起到不同的(光学)功能。在将入射光101引导向光敏区域111的过程中，多个区域121-1、
…
、121-n中的两个或更多个区域可以起到相同的作用。
37.多个区域121-1、
…
、121-n至少包括滤波区域，该滤波区域被配置为选择性地透射仅在目标波长范围内的入射光101(例如区域121-2可以是滤波区域)。换言之，滤波区域被配置为选择性地滤掉(阻挡)目标波长范围之外的入射光101的光部分。这在图3中示例性地示出，图3示出滤波区域的透射率的第一阶段310和滤波区域的透射率的第二阶段320。横坐标表示入射光的波长，纵坐标表示滤波区域的透射率。
38.滤波区域的透射率的第一阶段310可以例如是滤波区域的期望(目标)透射/滤波行为(特性)。在第一阶段310中，滤波区域根本不透射在830至900nm之间的目标波长范围以外的入射光。另一方面，滤波区域透射目标波长范围内的所有入射光。从图3中可以看出，滤波区域的透射率在第一阶段310中的目标波长范围的边缘处突然下降。
39.滤波区域的透射率的第二阶段320可以是例如滤波区域的最小期望或要求行为(特性)。在第二阶段320中，滤波区域抑制目标波长范围以外的入射光。然而，少量(例如，在图3的示例中小于5％)的光仍然被滤波区域透射。另一方面，滤波区域几乎透射目标波长范围内的所有入射光(例如，在图3的示例中超过95％)。从图3可以看出，与第一阶段310相比，第二阶段320中的滤波区域的透射率在目标波长范围的边缘处较缓和地下降(即具有更小的梯度)。
40.换句话说，滤波区域用于允许入射光在特定波长范围内以高透射率通过(例如940nm /-25nm，透射率至少为95％)，并在其他波长范围内抑制入射光(例如其它的，透射率《5％)。
41.滤波区域可以例如形成为光学干涉滤波器或布拉格滤波器。例如，光学滤波区域可以包括层堆叠，其中具有高和低折射率的材料的层交替(例如硅si和一氧化硅sio)。换言
之，滤波区域可以包括具有不同折射率的多个堆叠层。滤波区域沿光学堆叠112的厚度方向z的厚度可以例如在1μm和20μm之间。
42.由于在装置100和200中，光学堆叠120与光敏区域111(即，光学传感器)之间的距离最小化，因此与传统方法相比，光敏区域111的照明得到改善。此外，光学堆叠中的滤波区域允许从入射光101滤掉不需要的光部分。
43.返回参考图1和图2，多个区域121-1、...、121-n还可以包括棱镜区域。例如，区域121-3可以是棱镜区域。示例性棱镜区域400在图4中示出。棱镜区域400包括棱镜410，其包括用于接收入射光101的第一表面411和与第一表面411相对并转向滤波区域的第二表面412。即，在图4的示例中，滤波区域将布置在棱镜区域下方。入射光101在到达滤波区域之前首先穿过棱镜区域400。换言之，滤波区域布置在棱镜区域和半导体装置之间。
44.第一表面411和第二表面412相对于彼此倾斜了倾角γ，从而将穿过棱镜400的入射光101的传播方向修改为平行于光学堆叠120的厚度方向z。
45.棱镜410嵌入棱镜区域400的嵌入材料420中。棱镜表现出折射率n2，嵌入材料表现出折射率n1。棱镜410和嵌入材料420的折射率n1和n2彼此不同。将棱镜410嵌入一层嵌入材料420中，可以允许以如下方法形成棱镜区域400：棱镜区域400在接触光学堆叠120的相邻区域的顶表面和底表面处没有拓扑结构。
46.在图4的示例中，第一表面411垂直于光学堆叠120的厚度方向z，而第二表面412与光学堆叠的厚度方向z之间的角度为90
°‑
γ。在其他示例中，第二表面412可以垂直于光学堆叠120的厚度方向z，并且第一表面411至光学堆叠120的厚度方向z之间的角度可以为90
°‑
γ。
47.接收到的入射光101与棱镜410内的第一表面411的法线的角度α1被如下给出：
[0048][0049]
角度α表示入射光至嵌入材料420中的光学堆叠的厚度方向z的角度。入射光101至棱镜410内的第二表面412的法线的角度α2被如下给出：
[0050]
α2＝α
1-γ
ꢀꢀꢀꢀ
(2)。
[0051]
出射的入射光101至包埋材料420中的第二表面412的法线的角度α3被如下给出：
[0052][0053]
出射的入射光101至嵌入材料420中光学堆叠的厚度方向z的角度α4被如下给出：
[0054]
α4＝α3 γ
ꢀꢀꢀꢀ
(4)。
[0055]
棱镜410相对于滤波区域和光敏区域111定向，从而实现光敏区域111的均匀照明。棱镜410的几何形状(尺寸、倾角γ)以及棱镜410的材料(折射率n2对比嵌入材料420的折射率n1)被选择为使得理利用彼此平行并垂直于半导体装置的表面(即平行于光学堆叠的厚度方向z)的光线照射下面的层。
[0056]
换言之，倾斜角γ以及折射率n1和n2可以被选择为使得|α4|＜|α|。特别地，倾斜角γ以及折射率n1和n2可以被选择为使得|α4|≈0
°
。
[0057]
在一些示例中，棱镜区域可以包括多于一个棱镜。通常，棱镜区域可以包括m≥1的任意数量个棱镜。图5示出了示例性棱镜区域500，其包括嵌入嵌入材料520中的三个棱镜
510-1、510-2和510-3。
[0058]
与以上针对图4的示例所描述的相似，第一棱镜510-1包括用于接收入射光101的第一表面511-1和与第一表面511-1相对并转向滤波区域(即面向滤波区域)的第二表面512-1。与图4的示例中一样，在图5的示例中，滤波区域将被布置在棱镜区域500下方。第一表面511-1和第二表面512-1相对于彼此倾斜了第一倾斜角γ1，从而将穿过第一棱镜510-1的入射光101的传播方向修改为(基本上)平行于光学堆叠的厚度方向z。
[0059]
类似地，第二棱镜510-2包括用于接收入射光101的第三表面511-2和与第三表面511-2相对并转向滤波区域的第四表面512-2。第三表面511-2与第四表面512-2相对于彼此倾斜了第二倾斜角γ2，从而将穿过第二棱镜510-2的入射光101的传播方向修改为(基本上)平行于光学堆叠的厚度方向z。
[0060]
第三棱镜510-3包括用于接收入射光101的第五表面511-3和与第五表面511-3相对并转向滤波区域的第六表面512-3。第五表面511-3和第六表面512-3相对于彼此倾斜了第三倾斜角γ3，从而将穿过第三棱镜510-3的入射光101的传播方向修改为(基本上)平行于光学堆叠的厚度方向z。
[0061]
入射光101以彼此不同的入射角α1至α3击中第一至第三棱镜510-1至510-3。通过选择第一至第三棱镜510-1至510-3的折射率n2、嵌入材料520的折射率n1以及第一至第三棱镜510-1至510-3中的每个棱镜的相应倾角γ
x
，穿过相应棱镜510-1、510-2和510-3的入射光101的传播方向可以改变为(基本上)平行于光学堆叠的厚度方向z。第一倾斜角γ1至第三倾斜角γ3可以被单独调整。特别地，第一倾斜角γ1至第三倾斜角γ3可以彼此不同。
[0062]
如图5所示，棱镜区域的棱镜可以彼此接触(即形成为一个整体元件)。可替代地，棱镜区域的棱镜可以彼此远离(即彼此不接触)。此外，棱镜区域的棱镜可以表现出与在图5中所示不同的折射。
[0063]
在装置100和200的光学叠堆120中使用诸如上文描述的棱镜区域400和500的棱镜区域，可以允许修改入射光101的传播方向，使得入射光101基本上以一个直角击中滤波区域。换句话说，棱镜区域可以允许修改入射光101的传播方向，使得入射光101在到达滤波区域时基本上垂直于滤波区域。如果入射光101以大致直角击中滤波区域，则可以实现滤波区域透射入射光101的较窄目标波长范围。换句话说，棱镜区域可以保证只有很小角度(相对于滤波区域的表面法线)的光才能照射到滤波区域，从而使透射的波长范围就规范而言是理想的。由于光学堆叠与光敏区域之间的距离最小，因此干扰较少、光敏区域的照明最佳。
[0064]
返回参考图1和图2，多个区域121-1、
…
、121-n还可以包括透镜区域。例如，区域121-1可以是透镜区域。透镜区域包括至少一个透镜，其被配置为将到达相应透镜的入射光101汇聚到一横截面，该横截面小于相应透镜的横截面(横截面在垂直于光学堆叠120的透镜厚度方向z的平面内)。换言之，各个透镜将入射光聚焦到较小的横截面中。
[0065]
示例性透镜区域600在图6中示出。透镜区域600包括三个透镜610-1、610-2和610-3，每个透镜被配置为将到达相应透镜的入射光101汇聚到小于相应透镜横截面的横截面。透镜610-1、610-2和610-3嵌入透镜区域600的嵌入材料620中。嵌入材料620和透镜610-1、610-2和610-3的折射率彼此不同。例如，嵌入材料620的折射率n3可以小于透镜610-1、610-2和610-3的折射率n4。
[0066]
如图6所示，透镜610-1、610-2和610-3可以形成为一层嵌入材料620中的半球形汇
1、滤波区域721-2和棱镜区域721-3之间。例如，滤波区域721-2和棱镜区域721-3可以被光学堆叠中的中间区域隔开。类似地，棱镜区域721-3和透镜区域721-1可以被光学堆叠中的中间区域隔开。
[0074]
图7至9的示例集中于前侧照明实施方式，使得金属化堆叠112布置在光敏区域111和相应的光学堆叠之间，而图10至13的示例集中于背侧照明实施方式，使得光敏区域111布置在金属化堆叠112和相应的光学堆叠之间。
[0075]
在图10的示例中，滤波区域721-2和棱镜区域721-3在光学堆叠1020中彼此紧接。此外，滤波区域721-2和透镜区域721-1在光学堆叠1020中彼此紧接。透镜区域721-1最靠近形成在半导体装置110的半导体材料116中的光敏区域111。换言之，滤波区域721-2布置在棱镜区域721-3和光敏区域111之间。另外，透镜区域721-1布置在滤波区域721-2和光敏区域111之间。
[0076]
在图11所示的光学堆叠1020中，滤波区域721-2和棱镜区域721-3被光学堆叠1120中的中间区域721-5隔开。中间区域721-5对于入射光是透明的。类似地，滤波区域721-2和透镜区域721-1被光学堆叠1120中的中间区域721-4隔开。同样，中间区域721-4对于入射光是透明的。中间区域721-4和721-5可以例如是平面化层或其他非光学有源区域。透镜区域721-1再次最靠近形成在半导体装置110的半导体材料116中的光敏区域111。滤波区域721-2布置在棱镜区域721-3和光敏区域111之间。此外，透镜区域721-1布置在滤波区域721-2和光敏区域111之间。
[0077]
在图12的示例中，滤波区域721-2和棱镜区域721-3在光学堆叠1220中彼此紧接。此外，棱镜区域721-3和透镜区域721-1在光学堆叠1220中彼此紧接。与图10的示例相比，透镜区域721-1现在是光学堆叠的最下部区域而不是最顶部区域。换言之，棱镜区域721-3布置在透镜区域721-1与光敏区域111之间。此外，滤波区域721-2布置在棱镜区域721-3与光敏区域111之间。
[0078]
在图13中，滤波区域721-2和棱镜区域721-3被光学堆叠中的中间区域721-5隔开。类似地，棱镜区域721-3和透镜区域721-1被光学堆叠1320中的中间区域721-6隔开。滤波区域721-2最靠近形成在半导体装置110的半导体材料116中的光敏区域111。棱镜区域721-3再次布置在透镜区域721-1与光敏区域111之间。此外，滤波区域721-2布置在棱镜区域721-3与光敏区域111之间。
[0079]
应当注意，根据一些示例，还可以在透镜区域721-1、滤波区域721-2和棱镜区域721-3的相应对之间布置不止一个中间区域。
[0080]
在图7至13所示的每个示例中，滤波区域721-2布置在棱镜区域721-3和半导体装置111之间，使得入射光的传播方向被棱镜区域721-3修改为在到达滤波区域721-2之前基本上垂直于滤波区域721-2的表面(即，基本上平行于相应光学堆叠的厚度方向z)。因此，入射光以大致直角击中滤波区域721-1的表面，从而提高滤波区域721-1的滤波功能。
[0081]
图14示出用于图像传感器的装置1400的另一个示例。装置1400类似于上述装置100。装置1400与装置100之间的主要区域别在于装置1400的光学堆叠1420嵌入在金属化堆叠120中。特别地，凹槽118形成在金属化堆叠112的非半导体材料115中。光学堆叠1420形成在凹槽118的表面117上，使得光学堆叠1420嵌入金属化堆叠112中。此外，凹槽118部分填充有嵌入材料119以将光学堆叠1420嵌入金属化中堆叠112。因此，光学堆叠1420不沿着光学
堆叠1420的厚度方向z从金属化堆叠112突出。
[0082]
考虑图1和图14，根据所提出的架构的装置的光学堆叠可以布置在半导体装置的金属化堆叠上、或嵌入在半导体装置的金属化堆叠中，使得光学堆叠布置在半导体装置的光敏区域之上。
[0083]
在图14的示例中，滤波区域1421-2和棱镜区域1421-3在光学堆叠1420中彼此紧接。此外，滤波区域1421-2和透镜区域1421-1在光学堆叠1420中彼此紧接。透镜区域1421-1最靠近形成在半导体装置110的半导体材料116中的光敏区域111。
[0084]
图15示出用于背面照明的另一装置1500。在图15的示例中，光学堆叠1520形成在半导体装置110的背面114上。滤波区域1421-2和棱镜区域1421-3再次在光学堆叠1420中彼此紧接。此外，滤波区域1421-2和透镜区域1421-1在光学堆叠1420中彼此紧接。透镜区域1421-1最靠近形成在半导体装置110的半导体材料116中的光敏区域111。
[0085]
在上述示例中，具有改进的环境光鲁棒性的光学堆叠被直接提供在保持光学传感器(例如光敏区域)的半导体装置上。因此，由于优化的光学堆叠，上述示例可以为光学传感器提供改进的环境光鲁棒性。
[0086]
图16中示出了使用所提出技术的光学相机1600的示意性示例。光学相机1600包括图像传感器1610。图像传感器1610包括光敏像素(元件)阵列。光敏像素阵列的至少一个光敏像素包括根据所提出的技术(例如，根据上述示例中的一个或多个)的、具有半导体装置和光学堆叠的装置1611。根据一些示例，根据所提出的技术，光敏像素阵列的每个像素可以包括相应的装置。
[0087]
此外，光学相机包括具有至少一个物镜组1620的物镜，其被配置为将入射光1601聚焦在图像传感器1610上。物镜可以包括用于将入射光1601聚焦在图像传感器1610上的另外的物镜组。
[0088]
光学相机1600还可以包括其他硬件-传统的和/或定制的。例如，光学相机1600可以包括用于处理由图像传感器1610的各个像素的光敏区域输出的电信号的电路、或者用于驱动(例如偏置或选通)图像传感器1610的各个像素的电路。
[0089]
光学相机1600可被用于任何种类的二维或三维图像捕获。例如，图像传感器1610可以是用于可见光或红外光的二维成像器。在其他示例中，图像传感器1610可以是用于飞行时间测量的三维成像器。在光学相机1600是飞行时间相机的情况下，用于像素的光敏区域和光学堆叠的对应滤波区域的目标波长范围可以例如在830nm和1600nm之间或其任意子范围(例如940nm /-25nm)。
[0090]
由于根据所提出的技术的优化的光学堆叠，图像传感器1610以及光学相机1600可以表现出改进的环境光鲁棒性。
[0091]
如本文所述的示例可概括如下：
[0092]
一些示例涉及用于图像传感器的装置。该装置包括半导体装置，该半导体装置包括光敏区域和用于与光敏区域电接触的金属化堆叠。光敏区域被配置为基于入射光产生电信号。此外，该装置包括形成在半导体装置的表面上的光学堆叠，用于将入射光引导向光敏区域。光学堆叠包括在彼此顶部堆叠的多个区域。多个区域包括滤波区域，该滤波区域被配置为选择性地透射仅在目标波长范围内的入射光。
[0093]
在一些示例中，滤波区域包括具有不同折射率的多个堆叠层。
[0094]
根据一些示例，多个区域包括棱镜区域，其中棱镜区域至少包括第一棱镜，该第一棱镜包括用于接收入射光的第一表面和与第一表面相对并转向滤波区域的第二表面，其中，第一表面和第二表面相对于彼此倾斜第一倾斜角，从而将穿过第一棱镜的入射光的传播方向修改为平行于光学堆叠的厚度方向。
[0095]
在一些示例中，棱镜区域还包括第二棱镜，其包括用于接收入射光的第三表面和与第三表面相对并转向滤波区域的第四表面，其中第三表面和第四表面倾斜第二倾斜角，从而将穿过第二棱镜的入射光的传播方向修改为平行于光学堆叠的厚度方向，其中第一倾斜角不同于第二倾斜角。
[0096]
根据一些示例，第一棱镜嵌入棱镜区域的嵌入材料中，其中第一棱镜和嵌入材料的折射率彼此不同。
[0097]
在一些示例中，滤波区域布置在棱镜区域与半导体装置之间。
[0098]
根据一些示例，滤波区域和棱镜区域在光学堆叠中彼此紧接。
[0099]
在替代示例中，滤波区域和棱镜区域被光学堆叠中的中间区域隔开，其中中间区域对于入射光是透明的。
[0100]
根据一些示例，多个区域包括透镜区域，其中透镜区域包括至少一个透镜，该透镜被配置为将到达相应透镜的入射光汇聚到一横截面，其小于相应透镜的横截面。
[0101]
在一些示例中，至少一个透镜嵌入透镜区域的嵌入材料中，其中该至少一个透镜与嵌入材料的折射率彼此不同。
[0102]
根据一些示例，滤波区域和透镜区域在光学堆叠中彼此紧接。
[0103]
在替代示例中，滤波区域和透镜区域被光学堆叠中的中间区域隔开，其中中间区域对于入射光是透明的。
[0104]
根据一些示例，棱镜区域和透镜区域在光学堆叠中彼此紧接。
[0105]
在替代示例中，棱镜区域和透镜区域被光学堆叠中的中间区域隔开，其中中间区域对于入射光是透明的。
[0106]
根据一些示例，光学堆叠至少部分地覆盖有钝化膜和抗反射膜中的至少一种。
[0107]
在一些示例中，金属化堆叠布置在光敏区域与光学堆叠之间。
[0108]
根据一些示例，半导体装置的表面是形成在金属化堆叠中的凹槽的表面，使得光学堆叠嵌入金属化堆叠中。
[0109]
在一些示例中，光敏区域布置在金属化堆叠与光学堆叠之间。
[0110]
其他示例涉及用于光学相机的图像传感器。图像传感器包括光敏像素阵列。光敏像素阵列中的至少一个光敏像素包括如本文所提出的装置。
[0111]
根据一些示例，图像传感器是用于飞行时间相机的图像传感器，其中目标波长范围的边界在830nm和1600nm之间。
[0112]
由于优化的光学堆叠，根据所提出的技术的示例可以为光学传感器提供改进的环境光稳健性。
[0113]
与一个或多个之前详细描述的示例和附图一起提到和描述的方面和特征可以与一个或多个其他示例组合，以便代替其他示例的类似特征或者向其他示例附加地引入特征。
[0114]
可以理解，说明书和权利要求中公开的多个步骤、过程、操作或功能的公开可以不
以特定顺序构建，除非另有明示或暗示，例如出于技术原因。因此，多个动作或功能的公开将不将它们限于特定顺序，除非这些动作或功能由于技术原因而不可互换。另外，在一些示例中，单个步骤、功能、过程或操作可以分别包括和/或可以在其中显露多个子步骤、子功能、子过程或子操作。这些子步骤可以被包括在该单个步骤的公开中或是其一部分，除非明确排除。
[0115]
另外，权利要求在此被并入到详细描述中，其中每个权利要求自身可以作为独立示例。虽然每个权利要求自身可以作为独立示例，但应当注意，尽管从属权利要求可以在权利要求中引用与一个或多个其他权利要求的特定组合，但其他示例还可以包括该从属权利要求与每个其他从属权利要求或独立权利要求的主题的组合。本文明确提出这种组合，除非该特定组合是不想要的。另外，还将权利要求的特征包括到任何其他独立权利要求，即使该权利要求不直接从属于该独立权利要求。