发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月20日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0104811号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
3.实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度和短响应时间，并且在亮度、驱动电压和响应速度方面显示出优异的特性。
5.在发光装置中，第一电极设置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴穿过空穴传输区至发射层，并且从第二电极注入的电子穿过电子传输区至发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.实施方案包括通过使用包含氘取代的主体和氘未取代的主体的双发射层而具有高效率和长使用寿命的发光装置。
7.其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
8.根据实施方案，发光装置可以包括第一电极，
9.面对所述第一电极的第二电极，以及
10.设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，
11.其中所述发射层可以包括包含第一化合物的第一发射层，以及
12.包含第二化合物的第二发射层，
13.所述第一化合物包含至少一个氘(d)，以及所述第二化合物不包含氘。
14.在实施方案中，所述第二发射层可以设置在所述第一发射层与所述第二电极之间，或者所述第二发射层可以设置在所述第一电极与所述第一发射层之间。
15.在实施方案中，所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个可以进一步包含至少一种掺杂剂。
16.在实施方案中，所述第一发射层可以包含第一掺杂剂，所述第二发射层可以包含第二掺杂剂，以及所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂可以彼此相同或不同。
17.在实施方案中，所述掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
18.在实施方案中，所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个可以发射具有约440nm至约510nm的最大发光波长的蓝色光。
19.在实施方案中，所述中间层可以进一步包括设置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和设置在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区。所述空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合。所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
20.在实施方案中，所述空穴传输区可以包括接触所述发射层的空穴传输层。所述空穴传输层的最高占据分子轨道(homo)能级可以是约-5.5ev至约-5.25ev。
21.在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括设置在所述第一电极外部的第一覆盖层和设置在所述第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个。所述第一覆盖层和所述第二覆盖层中的至少一个可以包含在589nm的波长下具有大于或等于约1.6的折射率的材料。
22.根据实施方案，发光装置可以包括第一电极，
23.面对所述第一电极的第二电极，
24.设置在所述第一电极与所述第二电极之间的m个发射单元，以及
25.设置在所述m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层的m-1个电荷产生层，
26.其中m可以是2或大于2的整数，
27.所述m个发射单元可以各自包括空穴传输区、发射层和电子传输区，
28.所述m个发射单元的至少一个发射层可以包括包含第一化合物的第一发射层，以及
29.包含第二化合物的第二发射层，
30.所述第一化合物可以包含至少一个氘(d)，以及所述第二化合物可以不包含氘。
31.在实施方案中，m可以是3或大于3。
32.在实施方案中，所述m个发射单元的两个或多于两个的发射层可以各自包括第一发射层和第二发射层。所述两个或多于两个的发射层可以各自独立地包括第一发射层以及设置在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层，或者第一发射层和设置在所述第一电极与所述第一发射层之间的第二发射层。
33.在实施方案中，从所述m个发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发光波长可以不同于从其余的发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发光波长。
34.在实施方案中，从所述m个发射单元中的每一个发射的光可以具有相同的最大发光波长。
35.在实施方案中，包括所述第一发射层和所述第二发射层的所述m个发射单元的所述至少一个发射层可以发射具有约440nm至约510nm的最大发光波长的蓝色光。
36.根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置。
37.在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括设置在所述发光装置上的密封部，以及设置在所述密封部上的功能层，所述功能层包括触摸屏层、偏振层、滤色器、颜色转换层或其任意组合。
38.在实施方案中，所述电子设备可以进一步包含量子点或包含所述量子点的光学构件。所述量子点或所述包含所述量子点的光学构件可以设置在从所述发光装置发射的光的至少一个行进方向上。
附图说明
39.根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
40.图1和图2示出了根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
41.图3至图6各自示出了根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
42.图7示出了根据实施方案的发光设备的示意性横截面视图；以及
43.图8示出了根据实施方案的发光设备的示意性横截面视图。
具体实施方式
44.现在将详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施方案以解释描述的方面。
45.为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。因此，由于附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地例示，因此本公开内容的以下实施方案不限于此。
46.如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
47.应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
48.在描述中，应理解，当元件(区、层、部分等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以设置在其间。
49.如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
50.出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......中的至少一个(种)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种)”可以理解为意指“a、b、或者a和b”。当在一列要素之后时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
51.应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个。例如，在不背离本发明构思的实施方案的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
52.术语“下方”、“下”、“上方”、“上”等用于描述附图中示出的配置的关系。术语被用作相对概念并且参考附图中指出的方向进行描述。
53.如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可
接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
54.除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
55.根据本公开内容的方面，发光装置可以包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的中间层。发射层可以包括第一发射层和第二发射层。第一发射层可以包含第一化合物，并且第二发射层可以包含第二化合物。第一化合物可以包含至少一个氘(d)，以及第二化合物可以不包含氘。
56.在说明书中，测量最高占据分子轨道(homo)能级的方法可以参考以下描述，但不限于此。
57.使用循环伏安法测量homo能级，并且本文使用的循环伏安法设备是购自沃纳科技(wonatech)的型号名zive sp2。在这点上，本文使用的各个样品溶液和电解质溶液如下，并且将二茂铁用作参考材料，以及将(bu)4npf6用作电解质：
58.待测量的化合物的样品溶液：5
×
10-3
m二氯甲烷溶液
59.二茂铁样品溶液：5
×
10-3
m二氯甲烷溶液
60.(bu)4npf6电解质溶液：0.1m乙腈溶液
61.获得待测量的化合物和参考材料的e
we-i关系图，并且在该图中其中电流快速增加的点处绘制切线，记录其中切线与x-轴相交的点处的电压。将二茂铁的homo能级设定为-4.8ev，并且计算待测量的化合物的homo能级。
62.图1和图2各自是根据实施方案的发光装置10或发光装置20的示意性横截面视图。参考图1和图2，根据实施方案的发光装置10或发光装置20包括第一电极110、面对第一电极110的第二电极150、以及设置在第一电极110与第二电极150之间并且包括发射层132的中间层130，其中发射层132包括第一发射层132a和第二发射层132b，第一发射层132a包含第一化合物，第二发射层132b包含第二化合物，第一化合物包含至少一个氘(d)，并且第二化合物不包含氘。
63.在这点上，如图1中例示，第一发射层132a可以位于第一电极110附近，并且第二发射层132b可以位于第二电极150附近，或者
64.如图2中例示，第二发射层132b可以位于第一电极110附近，并且第一发射层132a可以位于第二电极150附近。
65.在实施方案中，第一发射层132a可以位于第一电极110与第二电极150之间，并且第二发射层132b可以位于第一发射层132a与第二电极150之间(图1)，或者
66.第一发射层132a可以位于第一电极110与第二电极150之间，并且第二发射层132b可以位于第一电极110与第一发射层132a之间(图2)。
67.在实施方案中，第一发射层132a和第二发射层132b中的至少一个可以进一步包含一种或多种掺杂剂。
68.在实施方案中，第一发射层132a包含第一掺杂剂，第二发射层132b包含第二掺杂剂，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂可以彼此相同或不同。
69.在实施方案中，第一掺杂剂和第二掺杂剂可以彼此相同，但不限于此。
70.在这点上，掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
71.在实施方案中，第一掺杂剂和第二掺杂剂可以各自是荧光掺杂剂，但不限于此。在实施方案中，第一掺杂剂可以是磷光掺杂剂并且第二掺杂剂可以是磷光掺杂剂，第一掺杂剂可以是磷光掺杂剂并且第二掺杂剂可以是荧光掺杂剂，第一掺杂剂可以是磷光掺杂剂并且第二掺杂剂可以是延迟荧光材料，第一掺杂剂可以是荧光掺杂剂并且第二掺杂剂可以是磷光掺杂剂，第一掺杂剂可以是荧光掺杂剂并且第二掺杂剂可以是延迟荧光材料，第一掺杂剂可以是延迟荧光材料并且第二掺杂剂可以是磷光掺杂剂，第一掺杂剂可以是延迟荧光材料并且第二掺杂剂可以是荧光掺杂剂，以及第一掺杂剂可以是延迟荧光材料并且第二掺杂剂可以是延迟荧光材料。
72.在实施方案中，第一发射层132a和第二发射层132b中的至少一个可以发射具有约440nm至约510nm的最大发光波长的蓝色光。
73.在实施方案中，第一化合物可以由式1表示：
74.[式1]
[0075]
[ar1]
b1-[(l1)
a1-r1]
c1
[0076]
其中，在式1中，
[0077]
ar1和l1可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0078]
b1可以是1、2或3，
[0079]
a1可以是0至5的整数，
[0080]
r1可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0081]
c1可以是1至5的整数，
[0082]r10a
可以是氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0083]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0084]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0085]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p
(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0086]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，以及
[0087]
式1可以包含至少一个氘。
[0088]
例如，式1的ar1、l1和r1中的至少一个可以是c
3-c
60
碳环基团，并且至少一个c
3-c
60
碳环基团可以被氘取代。
[0089]
例如，式1的ar1、l1和r1中的至少一个可以是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团，并且苯基团、萘基团、菲基团和蒽基团中的至少一个可以被至少一个氘取代。
[0090]
在实施方案中，第一化合物可以包含两个或多于两个的氘。例如，第一化合物可以包含三个或多于三个的氘。例如，第一化合物可以包含四个或多于四个的氘。
[0091]
例如，第一化合物可以选自化合物1至化合物10，但本公开内容的实施方案不限于此：
[0092][0093]
在实施方案中，第二化合物可以由式2表示：
[0094]
[式2]
[0095]
[ar2]
b2-[(l2)
a2-r2]
c2
[0096]
其中，在式2中，
[0097]
ar2和l2可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0098]
b2可以是1、2或3，
[0099]
a2可以是0至5的整数，
[0100]
r2可以是氢、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
20a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
41
)(q
42
)(q
43
)、-n(q
41
)(q
42
)、-b(q
41
)(q
42
)、-c(＝o)(q
41
)、-s(＝o)2(q
41
)或-p(＝o)(q
41
)(q
42
)，c2可以是1至5的整数，
[0101]r20a
可以是-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0102]
各自未取代的或者被-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
51
)(q
52
)(q
53
)、-n(q
51
)(q
52
)、-b(q
51
)(q
52
)、-c(＝o)(q
51
)、-s(＝o)2(q
51
)、-p(＝o)(q
51
)(q
52
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0103]
各自未取代的或者被-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
61
)(q
62
)(q
63
)、-n(q
61
)(q
62
)、-b(q
61
)(q
62
)、-c(＝o)(q
61
)、-s(＝o)2(q
61
)、-p(＝o)(q
61
)(q
62
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0104]-si(q
71
)(q
72
)(q
73
)、-n(q
71
)(q
72
)、-b(q
71
)(q
72
)、-c(＝o)(q
71
)、-s(＝o)2(q
71
)或-p(＝o)(q
71
)(q
72
)，
[0105]
其中q
41
至q
43
、q
51
至q
53
、q
61
至q
63
以及q
71
至q
73
可以各自独立地是：氢；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者未取代的或者被-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，以及
[0106]
式2不包含氘。
[0107]
例如，第二化合物可以选自化合物a至化合物c，但本公开内容的实施方案不限于此：
[0108]
[0109]
在实施方案中，第一化合物可以具有其中一个或多于一个的氘取代在第二化合物中的结构。
[0110]
根据另一个实施方案，第一化合物可以不同于其中一个或多于一个的氘取代在第二化合物中的结构。
[0111]
在实施方案中，中间层130可以进一步包括设置在第一电极110与发射层132之间的空穴传输区131和位于发射层132与第二电极150之间的电子传输区133，
[0112]
空穴传输区131可以包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合，以及
[0113]
电子传输区133可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0114]
空穴传输区131可以包括接触发射层132的空穴传输层(未示出)，以及
[0115]
空穴传输层的最高占据分子轨道(homo)能级可以是约-5.5ev至约-5.25ev。
[0116]
空穴传输区131可以在发射层132与空穴传输层之间不包括单独的层，并且可以不包括电子阻挡层。
[0117]
空穴传输区131可以包括空穴传输层和位于空穴传输层与第一电极110之间的空穴注入层。
[0118]
在实施方案中，发光装置10或发光装置20可以进一步包括设置在第一电极110外部的第一覆盖层(未示出)和设置在第二电极150外部的第二覆盖层(未示出)中的至少一个，
[0119]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以包含在589nm的波长下具有等于或大于约1.6的折射率的材料。
[0120]
关于空穴传输区131、电子传输区133、第一覆盖层和第二覆盖层的详细描述，应参考本说明书中稍后描述的那些。
[0121]
根据另一个方面，发光装置可以包括第一电极、面对第一电极的第二电极、设置在第一电极与第二电极之间的m个发射单元、以及位于m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层的m-1个电荷产生层，其中m是2或大于2的整数。m个发射单元可以各自包括空穴传输区、发射层和电子传输区，m个发射单元的至少一个发射层可以包括第一发射层和第二发射层，第一发射层可以包含第一化合物，第二发射层可以包含第二化合物，第一化合物可以包含至少一个氘，以及第二化合物可以不包含氘。在实施方案中，m个发射单元可以各自包括按规定的顺序设置的空穴传输区、发射层和电子传输区。
[0122]
图3至图6各自分别例示出根据实施方案的发光装置(30、40、50和60)的示意性横截面视图。参考图3至图6，根据实施方案的发光装置(30、40、50和60)中的每一个包括：第一电极110、面对第一电极的第二电极150、位于第一电极110与第二电极150之间的m个发射单元(130-1、130-2...130-m)、以及位于m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的两个相邻发射单元之间并且各自包括n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)和p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)的m-1个电荷产生层(134-1...134-m-1)。
[0123]
本文的发射单元不受特别限制，只要发射单元具有能够发射光的功能即可。在实施方案中，发射单元可以包括一个或多于一个的发射层。当需要时，发射单元可以进一步包括除了发射层之外的有机层。
[0124]
发光装置(30、40、50和60)中的每一个可以包括m个堆叠的发射单元(130-1、130-2...130-m)，并且m可以是2或大于2的整数。例如，m可以是3或大于3。发射单元的数量(m)可以根据目的而改变，并且数量的上限不受特别限制。在实施方案中，发光装置可以包括2个、3个、4个、5个或6个发射单元。
[0125]
发光装置(30、40、50和60)中的每一个包括在m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的两个相邻发射单元之间的电荷产生层(134-1...134-m-1)，并且“相邻”是指在描述为“相邻”的层中最接近的层的位置关系。在实施方案中，“两个相邻发射单元”是指在发射单元中彼此最接近定位的两个发射单元的位置关系。术语“相邻”可以是指其中两个层彼此物理接触的情况以及其中未提及的另一个层可以定位在所述两个层之间的情况。例如，“与第二电极相邻的发射单元”是指最接近第二电极定位的发射单元。此外，第二电极和发射单元可以彼此物理接触。然而，在实施方案中，除了发射单元之外的层可以位于第二电极与发射单元之间。在实施方案中，电子传输层可以位于第二电极与发射单元之间。然而，电荷产生层可以位于两个相邻发射单元之间。
[0126]“电荷产生层”可以相对于两个相邻发射单元中的一个发射单元产生电子并且因此用作阴极，并且可以相对于另一个发射单元产生空穴并且因此用作阳极。电荷产生层不直接连接至电极，并且可以分开相邻发射单元。包括m个发射单元的发光装置可以包括m-1个电荷产生层。
[0127]
电荷产生层(134-1...134-m-1)中的每一个可以包括n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)和p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)。在这点上，n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)可以直接接触p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)以形成np结。由于np结，可以在n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)与p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)之间同时产生电子和空穴。产生的电子可以通过n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)递送至两个相邻发射单元中的一个。产生的空穴可以通过p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)递送至两个相邻发射单元中的另一个。电荷产生层(134-1...134-m-1)中的每一个可以包括n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)中的一个和p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)中的一个，使得包括m-1个电荷产生层(134-1...134-m-1)的发光装置(30、40、50和60)各自包括m-1个n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)和m-1个p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)。
[0128]
n-型是指n-型半导体特性，例如，注入电子或传输电子的特性。p-型是指p-型半导体特性，即，注入空穴或传输空穴的特性。
[0129]
包含在n-型电荷产生层(134a-1...134a-m-1)中的n-型电荷产生材料可以参考说明书中的电子传输区133的描述来理解，并且包含在p-型电荷产生层(134b-1...134b-m-1)中的p-型电荷产生材料可以参考说明书中的空穴传输区131的描述来理解。
[0130]
m个发射单元(130-1、130-2...130-m)可以各自包括空穴传输区(131-1、131-2...131-m)、发射层(132-1、132-2...132-m)和电子传输区(133-1、133-2...133-m)，以及包括在m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的m个空穴传输区(131-1、131-2...131-m)可以各自包含空穴传输材料，并且包括在m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的m个电子传输区(133-1、133-2...133-m)可以各自包含电子传输材料。
[0131]
在这点上，包含在m个空穴传输区(131-1、131-2...131-m)中的空穴传输材料可以
彼此相同或不同。在这点上，包含在m个电子传输区(133-1、133-2...133-m)中的电子传输材料可以彼此相同或不同。
[0132]
m个发射单元的m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包括第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)。第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)可以各自包含第一化合物，并且第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)可以各自包含第二化合物。第一化合物可以包含至少一个氘(d)，以及第二化合物可以不包含氘。
[0133]
第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)、第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)、第一化合物和第二化合物可以与以上描述的相同。
[0134]
尽管图3至图6中未例示，但可以改变第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)的堆叠顺序。在实施方案中，第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)可以定位接近第一电极110，并且第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)可以定位接近第二电极150。
[0135]
在实施方案中，m个发射单元的发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包括第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)。第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)可以位于第一电极110与第二电极150之间，并且第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)可以位于第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)与第二电极150之间(图3至图6)，或者
[0136]
第一发射层可以位于第一电极110与第二电极150之间并且第二发射层可以位于第一电极与第一发射层之间(未示出)。
[0137]
在一个实施方案中，m可以是3或大于3的整数。
[0138]
在一个实施方案中，m个发射单元的m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的两个或多于两个可以各自包括第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)，并且所述两个或多于两个的发射层可以各自独立地包括
[0139]
位于第一电极110与第二电极150之间的第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和位于第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)与第二电极150之间的第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)，或者
[0140]
位于第一电极110与第二电极150之间的第一发射层和位于第一电极与第一发射层之间的第二发射层(未示出)。
[0141]
参考图3至图5，发光装置(30、40和50)的m个发射单元(130-1、130-2...130-m)的仅一个发射层可以包括第一发射层(132a-1、132a-2...或132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...或132b-m)。
[0142]
在实施方案中，如图3中例示，与第一电极110相邻的发射单元130-1的发射层132-1可以包括第一发射层132a-1和第二发射层132b-1。
[0143]
在实施方案中，如图4中例示，与第一电极110和第二电极150不相邻的发射单元130-2的发射层132-2可以包括第一发射层132a-2和第二发射层132b-2。
[0144]
在实施方案中，如图5中例示，与第二电极150相邻的发射单元130-m的发射层132-m可以包括第一发射层132a-m和第二发射层132b-m。
[0145]
参考图6，发光装置60的m个发射单元(130-1、130-2...130-m)可以均包括第一发
射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)。
[0146]
关于发光装置(30、40、50和60)，m可以是3或4。
[0147]
在实施方案中，第一电极110可以是阳极并且第二电极150可以是阴极。
[0148]
在实施方案中，从m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的每一个发射的光的最大发光波长可以彼此相同。
[0149]
在实施方案中，m个发射单元(130-1、130-2...130-m)可以发射基于前峰波长具有约440nm至约510nm的最大发光波长的蓝色光。
[0150]
在实施方案中，在m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中，包括含第一发射层(132a-1、132a-2...132a-m)和第二发射层(132b-1、132b-2...132b-m)的发射层(132-1、132-2...132-m)的发射单元可以发射具有约440nm至约510nm的最大发光波长的蓝色光。
[0151]
在实施方案中，从m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的至少一个发射单元发射的光的最大发光波长可以不同于从其它发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发光波长。在实施方案中，在其中堆叠有第一发射单元和第二发射单元的发光装置中，从第一发射单元发射的光的最大发光波长可以不同于从第二发射单元发射的光的最大发光波长。第一发射单元的发射层和第二发射单元的发射层可以各自独立地具有i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)具有由不同材料组成的多个层的多层结构。因此，从第一发射单元或第二发射单元发射的光可以是单色光或混色光。在实施方案中，在其中堆叠有第一发射单元、第二发射单元和第三发射单元的发光装置中，从第一发射单元发射的光的最大发光波长可以与从第二发射单元发射的光的最大发光波长相同，但不同于从第三发射单元发射的光的最大发光波长。在实施方案中，从第一发射单元发射的光的最大发光波长、从第二发射单元发射的光的最大发光波长和从第三发射单元发射的光的最大发光波长可以彼此不同。
[0152]
在实施方案中，包括在m个发射单元(130-1、130-2...130-m)中的m个发射层(132-1、132-2...132-m)可以各自独立地包含磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。
[0153]
在实施方案中，m个发射层(132-1、132-2...132-m)可以均包含磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或延迟荧光材料。
[0154]
在实施方案中，m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包含磷光掺杂剂并且其余的发射层可以包含荧光掺杂剂，或者m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包含磷光掺杂剂并且其余的发射层可以包含延迟荧光材料，或者m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包含荧光掺杂剂并且其余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0155]
在实施方案中，m个发射层(132-1、132-2...132-m)中的至少一个可以包含磷光掺杂剂，m个发射层中的另一个可以包含荧光掺杂剂，并且其余的发射层可以包含延迟荧光材料。
[0156]
在相关领域的装置中，使用单一类型的主体材料。对于相关领域的主体，电子传输特性比空穴传输特性更强。因此，在电子阻挡层与发射层之间的界面处产生其中空穴和电子相遇在一起的复合区。因此，电子阻挡层由于由空穴和电子形成的激子而劣化。
[0157]
关于该问题，根据本公开内容的发光装置包括双层发射层，其中一个发射层包含
氘取代的主体并且另一个发射层包含氘未取代的主体，并且因此，复合区移动至两个发射层之间的界面，从而防止装置的劣化。
[0158]
在两个发射层之间的界面处形成窄的三重态-三重态融合(ttf)区，导致高效发光和长使用寿命。
[0159]
由于在发射层中的一个中使用氘取代的主体，可以实现长使用寿命。
[0160]
根据本公开内容的发光装置仅在两个发射层中的一个中使用氘取代的主体，使得与其中两个发射层使用氘取代的主体的结构相比，由第一发射层可以获得稳定的空穴注入特性并且因此可以预期电荷平衡改善，以及由作为主要发射区的第二发射层可以获得稳定的激子形成和亮度，导致更高的效率和更长的使用寿命。
[0161]
尽管常规地，电子阻挡层位于发射层与空穴传输层之间，但根据本公开内容的发光装置在发射层与空穴传输层之间不包括电子阻挡层，并且空穴传输层的homo能级被设定为约-5.25ev至约-5.5ev，并且同时，使用双层发射层以将复合区从电子阻挡层(ebl)与发射层之间的区域在朝向缓冲层的方向上移动至构成双层发射层的发射层之间的界面。因此，仅通过控制空穴注入而不用具有电子阻挡特性的层，可以获得有效的荧光发射。
[0162]
根据实施方案，电子设备可以包括发光装置。
[0163]
在实施方案中，电子设备可以包括设置在发光装置上的密封部；以及
[0164]
设置在密封部上的功能层，功能层包括触摸屏层、偏振层、滤色器、颜色转换层或其任意组合。
[0165]
在实施方案中，电子设备可以包含量子点或包含量子点的光学构件，以及量子点或包含量子点的光学构件可以设置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。
[0166]
如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层或所有层。包含在“中间层”中的材料不限于有机材料。
[0167]
在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0168]
[第一电极110]
[0169]
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底。衬底可以是柔性衬底。在实施方案中，衬底可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其组合。
[0170]
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，可以将能容易地注入空穴的高功函材料用作用于第一电极110的材料。
[0171]
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0172]
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。在实施方案中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0173]
[中间层130]
[0174]
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层132。
[0175]
中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层132之间的空穴传输区131和位于发射层132和第二电极150之间的电子传输区133。
[0176]
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0177]
在实施方案中，如以上描述，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。(参见图3至图6)
[0178]
[中间层130中的空穴传输区131]
[0179]
空穴传输区131可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0180]
空穴传输区131可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)或其任意组合。
[0181]
在实施方案中，空穴传输区131可以具有从第一电极110依次堆叠的空穴注入层/空穴传输层的多层结构。
[0182]
空穴传输区131可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0183]
[式201]
[0184][0185]
[式202]
[0186][0187]
其中在式201和式202中，
[0188]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0189]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0190]
xa1至xa4各自独立地是0至5的整数，
[0191]
xa5是1至10的整数，
[0192]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0193]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参见以下化合物ht16)，
[0194]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0195]
na1可以是1至4的整数。
[0196]
在实施方案中，式201和式202可以各自包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种：
[0197][0198]
关于式cy201至式cy217，r
10b
和r
10c
与关于r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以被至少一个本文描述的r
10a
取代。
[0199]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0200]
在实施方案中，式201和式202可以各自包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0201]
在实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0202]
在实施方案中，在式201中，xa1是1，r
201
是由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，xa2是0，并且r
202
是由式cy204至式cy207中的一种表示的基团。
[0203]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团。
[0204]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一种表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0205]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217中的一种表示的基团。
[0206]
在实施方案中，空穴传输区131可以包含化合物ht1至化合物ht46、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合：
[0207]
[0208]
[0209]
[0210]
[0211][0212]
空穴传输区131的厚度可以是约至约例如，空穴传输区131的厚度可以是约至约当空穴传输区131包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如，空穴注入层的厚度可以是约至约例如，空穴传输层的厚度可以是约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0213]
[p-掺杂剂]
[0214]
除了这些材料之外，空穴传输区131可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区131中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0215]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0216]
在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以等于或小于约-3.5ev。
[0217]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0218]
醌衍生物的实例是tcnq和f4-tcnq。
[0219]
含氰基基团的化合物的实例是hat-cn和由以下式221表示的化合物。
[0220][0221][0222]
其中，在式221中，
[0223]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及
[0224]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0225]
关于含有元素el1和元素el2的化合物，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0226]
金属的实例是：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0227]
准金属的实例是硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0228]
非金属的实例是氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0229]
在实施方案中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物及其任意组合。
[0230]
金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3或w2o5)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2或v2o5)、钼氧化物(例如，moo、mo2o3、moo2、moo3或mo2o5)和铼氧化物(例如，reo3)。
[0231]
金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0232]
碱金属卤化物的实例是lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0233]
碱土金属卤化物的实例是bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0234]
过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4或tii4)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4或zri4)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4或hfi4)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3或vi3)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3或nbi3)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3或tai3)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3或cri3)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3或moi3)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3或wi3)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2或mni2)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2或tci2)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2或rei2)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2或fei2)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2或rui2)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2或osi2)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2或coi2)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2或rhi2)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2或iri2)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2或nii2)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2或pdi2)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2或pti2)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr或cui)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr或agi)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr或aui)。
[0235]
后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2或zni2)、铟卤化物(例如，ini3)和锡卤化物(例如，sni2)。
[0236]
镧系金属卤化物的实例是ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0237]
准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，sbcl5)。
[0238]
金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te或cs2te)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte或bate)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte或au2te)、后过渡金属碲化物(例如，znte)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte或lute)。
[0239]
[中间层130中的发射层132]
[0240]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层132图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层132可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
[0241]
发射层132可以与以上描述的相同。
[0242]
基于100重量份的主体，发射层132中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0243]
在实施方案中，发射层132可以包含量子点。
[0244]
发射层132可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层132中的主体或
掺杂剂。
[0245]
发射层132的厚度可以是约至约例如，发射层132的厚度可以是约至约当发射层132的厚度在这些范围内时，可以获得优异的发光特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0246]
[主体]
[0247]
主体与关于以上描述的第一化合物和第二化合物描述的相同。
[0248]
主体可以进一步包括在其中主体满足关于第一发射层和第二发射层所描述的条件的范围内的由以下式301表示的化合物：
[0249]
[式301]
[0250]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0251]
其中，在式301中，
[0252]
ar
301
和l
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0253]
xb11可以是1、2或3，
[0254]
xb1可以是0至5的整数，
[0255]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0256]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0257]q301
至q
303
与关于q1描述的相同。
[0258]
在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0259]
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或任意组合实施方案：
[0260]
[式301-1]
[0261][0262]
[式301-2]
[0263][0264]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0265]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0266]
x
301
可以是o、s、n[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0267]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0268]
l
301
、xb1和r
301
与以上描述的相同，
[0269]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0270]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0271]r302
至r
305
和r
311
至r
314
与关于r
301
描述的相同。
[0272]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。在实施方案中，主体可以是be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任意组合。
[0273]
在实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、2,2',2
”‑
(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1h-苯并咪唑)(tpbi)中的一种或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此：
[0274]
[0275]
[0276]
[0277]
[0278]
[0279][0280]
[磷光掺杂剂]
[0281]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
[0282]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0283]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0284]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0285]
[式401]
[0286]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0287]
[式402]
[0288][0289]
其中，在式401和式402中，
[0290]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0291]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0292]
l
402
可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0293]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0294]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0295]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0296]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0297]q411
至q
414
与关于q1描述的相同，
[0298]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0299]q401
至q
403
与关于q1描述的相同，
[0300]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0301]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0302]
在实施方案中，在式402中，i)x
401
可以是氮，并且x
402
可以是碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可以是氮。
[0303]
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，或者两个或多于两个的l
401
中的两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
与关于t
401
描述的相同。
[0304]
式401中的l
402
可以是有机配体。在实施方案中，l
402
可以是卤素基团、二酮基团(例
如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团、磷基团(例如，膦基团或亚磷酸酯基团)或其任意组合。
[0305]
磷光掺杂剂可以包括例如以下化合物pd1至化合物pd25中的一种或任意组合：
[0306][0307][0308]
[荧光掺杂剂]
[0309]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0310]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0311]
[式501]
[0312][0313]
其中，在式501中，
[0314]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0315]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，
[0316]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0317]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0318]
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0319]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd37；dpvbi；dpavbi中的一种；或其任意组合：
[0320]
[0321]
[0322][0323]
[延迟荧光材料]
[0324]
发射层132可以包含延迟荧光材料。
[0325]
本文使用的延迟荧光材料可以是基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的光的任何化合物。
[0326]
根据包含在发射层132中的其它材料的类型，包含在发射层132中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0327]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级
(ev)之间的差可以是约0ev至约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生其中延迟荧光材料从三重态转移至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
[0328]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，或者ii)包含其中两个或多于两个的环状基团共用硼(b)并且彼此稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0329]
延迟荧光材料可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0330][0331]
[量子点]
[0332]
在实施方案中，发射层132可以包含量子点。
[0333]
本文使用的量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种发射波长的光的任何材料。
[0334]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0335]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与这些工艺类似的工艺合成量子点。
[0336]
湿法化学工艺是指其中将有机溶剂和前体材料混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂充当自然地配位到量子点晶体的表面上的分散剂并且控制
晶体的生长。因此，通过使用与气相沉积工艺(例如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺和分子束外延(mbe)工艺)相比容易以低成本进行的工艺，可以控制量子点颗粒的生长。
[0337]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物；或其任意组合。
[0338]
ii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；及其任意组合。
[0339]
iii-v族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；及其任意组合。iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例是inznp、ingaznp和inalznp。
[0340]
iii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，例如ingas3或ingase3；及其任意组合。
[0341]
i-iii-vi族半导体化合物的实例是三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；及其任意组合。
[0342]
iv-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete或snpbste；及其任意组合。
[0343]
在实施方案中，iv族元素或化合物可以包括单一元素，例如si或ge；二元化合物，例如sic或sige；或其任意组合。
[0344]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0345]
量子点可以具有：具有均匀浓度的包含在相应量子点中的每种元素的单一结构或者核-壳的双重结构。在实施方案中，包含在核中的材料可以不同于包含在壳中的材料。
[0346]
量子点的壳可以通过防止核的化学退化而起到用于保持半导体特性的保护层的作用，和/或可以起到用于向量子点赋予电泳特性的充电层的作用。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低。
[0347]
量子点的壳的实例可以是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物及其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例是二元化合物(例如，sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio)；三元化合物(例如，mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4)；及其任意组合。如本文描述的半导体化合物的实例是ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；及其任意组合。在实施方案中，半导体化合物可以包括cds、cdse、
cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0348]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的fwhm可以等于或小于约30nm。当量子点的发射波长光谱的fwhm在该范围内时，可以改善颜色纯度或颜色再现性。通过此类量子点发射的光可以全向照射。因此，可以增加广视角。
[0349]
量子点可以是球形、角锥形、多臂或立方形的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板颗粒。
[0350]
通过调节量子点的尺寸，也可以调节能带间隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以调节量子点的尺寸，使得将各种颜色的光组合成发射白色光。
[0351]
[中间层130中的电子传输区133]
[0352]
电子传输区133可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0353]
电子传输区133可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0354]
在实施方案中，电子传输区133可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。
[0355]
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0356]
在实施方案中，电子传输区133可以包含由以下式601表示的化合物：
[0357]
[式601]
[0358]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0359]
其中，在式601中，
[0360]
ar
601
和l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0361]
xe11可以是1、2或3，
[0362]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0363]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0364]q601
至q
603
与关于q1描述的相同，
[0365]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0366]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团。
[0367]
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由
单键彼此连接。
[0368]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0369]
在实施方案中，电子传输区133可以包含由式601-1表示的化合物：
[0370]
[式601-1]
[0371][0372]
其中，在式601-1中，
[0373]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，并且x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0374]
l
611
至l
613
可以通过参考关于l
601
呈现的描述来理解，
[0375]
xe611至xe613可以通过参考关于xe1呈现的描述来理解，
[0376]r611
至r
613
可以通过参考关于r
601
呈现的描述来理解，以及
[0377]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0378]
在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0379]
电子传输区133可以包含化合物et1至化合物et47、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz中的一种或其任意组合：
[0380]
[0381]
[0382][0383]
电子传输区133的厚度可以是约至约例如，电子传输区133的厚度可以是约至约当电子传输区133包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是至约例如，电子传输层的厚度可以是约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0384]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0385]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0386]
在实施方案中，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0387][0388]
电子传输区133可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
[0389]
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
[0390]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0391]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0392]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任意组合。
[0393]
含碱金属的化合物可以是碱金属氧化物(例如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0394]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0395]
电子注入层可以由以下组成：碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合，或者可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0396]
在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土
金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层。
[0397]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
[0398]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，电子注入层的厚度可以是约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0399]
[第二电极150]
[0400]
第二电极150可以位于具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
[0401]
第二电极150可以包含选自锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo及其组合中的至少一种。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
[0402]
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[0403]
[覆盖层]
[0404]
第一覆盖层可以设置在第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以设置在第二电极150外部。发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构。
[0405]
在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部发射，以及在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部发射。
[0406]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部光发射效率。因此，增加了发光装置10的光发射效率，使得可以改善发光装置10的光发射效率。
[0407]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有等于或大于约1.6的折射率(在589nm的波长下)的材料。
[0408]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0409]
选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。
[0410]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0411]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式
201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0412]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任意组合：
[0413][0414]
[电子设备]
[0415]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0416]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
[0417]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。
[0418]
像素限定膜可以位于子像素之间以限定子像素中的每一个。
[0419]
滤色器可以进一步包括滤色器区域和位于滤色器区域的相邻滤色器区域之间的光阻挡图案，并且颜色转换层可以进一步包括颜色转换区域和位于颜色转换区域的相邻颜色转换区域之间的光阻挡图案。
[0420]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二
颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有不同的最大发光波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域中的每一个可以进一步包含散射体。
[0421]
在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发光波长。详细地，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
[0422]
除了如以上描述的发光装置10之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0423]
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘层等。
[0424]
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0425]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以设置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置10的光被发射至外部，而同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置10中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0426]
在密封部上，除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子装置的用途可以进一步设置各种功能层。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如用于通过使用生物测量体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测量信息来验证个体的生物测量验证设备。
[0427]
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0428]
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量设备、脉搏波测量设备、心电图显示器、超声诊断设备或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[0429]
[图7和图8的描述]
[0430]
图7示出了示出根据实施方案的发光设备的示意性横截面视图。
[0431]
图7的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0432]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0433]
tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0434]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0435]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
[0436]
中间绝缘膜250可以位于栅电极240上。中间绝缘膜250位于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0437]
源电极260和漏电极270可以位于中间绝缘膜250上。可以形成中间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以设置成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0438]
tft可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0439]
第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以电连接至漏电极270的暴露部分。
[0440]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是基于聚酰亚胺或聚丙烯酰基的有机膜。尽管在图7中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以设置成公共层的形式。
[0441]
第二电极150可以设置在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
[0442]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上并且保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age))或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0443]
图8示出了示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的示意性横截面视图。
[0444]
图8的发光设备与图7的发光设备相同，但光阻挡图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图8的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0445]
[制备方法]
[0446]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区域中形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层。
[0447]
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，通过考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约秒至约秒的沉积速度进行沉
积。
[0448]
[术语的定义]
[0449]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳和氢组成并且具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)并且进一步包含除了碳之外的杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是3至61。
[0450]
如本文使用的术语“环状基团”包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0451]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)并且包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0452]
例如，c
3-c
60
碳环基团可以是i)基团t1，或者ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0453]c1-c
60
杂环基团可以是i)基团t2，ii)其中两个或多于两个的基团t2彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团或氮杂二苯并呋喃基团)，
[0454]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)基团t1，ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团t3，iv)其中两个或多于两个的基团t3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环状基团(例如，c10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
[0462]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有1个至60个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。在一些实施方案中，c
1-c
60
烷基基团可以是c
1-c
30
烷基基团、c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
10
烷基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有与c
1-c
60
烷基基团相同的结构的二价基团。
[0463]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。在一些实施方案中，c
2-c
60
烯基基团可以是c
2-c
30
烯基基团、c
2-c
20
烯基基团或c
2-c
10
烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有与c
2-c
60
烯基基团相同的结构的二价基团。
[0464]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。在一些实施方案中，c
2-c
60
炔基基团可以是c
2-c
30
炔基基团、c
2-c
20
炔基基团或c
2-c
10
炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有与c
2-c
60
炔基基团相同的结构的二价基团。
[0465]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0466]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有与c
3-c
10
环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0467]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
[0468]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其非限制性实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有与c
3-c
10
环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0469]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例
包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
[0470]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。在一些实施方案中，c
6-c
60
芳基基团可以是c
6-c
30
芳基基团、c
6-c
24
芳基基团或c
6-c
18
芳基基团。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0471]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。在一些实施方案中，c
1-c
60
杂芳基基团可以是c
1-c
30
杂芳基基团、c
1-c
24
杂芳基基团或c
1-c
18
杂芳基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
[0472]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8个至30个、8个至24个或8个至18个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0473]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、
苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0474]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”是指-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”是指-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0475]
如本文使用的术语“r
10a”是指：
[0476]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0477]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团；
[0478]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团；或者
[0479]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0480]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0481]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se及其任意组合。
[0482]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0483]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0484]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0485]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。
[0486]
在下文，将参考实施例详细地描述根据实施方案的发光装置。
[0487]
[实施例]
[0488]
比较例1-1
[0489]
作为衬底和阳极，将具有形成在其上的康宁(corning)15ω/cm2ito的第一玻璃衬底、具有形成在其上的ag的第二玻璃衬底和具有形成在其上的康宁15ω/cm2ito的第三玻璃衬底各自切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，将其用异丙醇和纯水各自超声处理5分钟，随后用紫外光照射30分钟并且暴露于臭氧。将第一玻璃衬底、第二玻璃衬底和第三玻璃衬底依次堆叠在真空沉积设备上。
[0490]
将hat-cn沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，并且将npb沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层。
[0491]
将作为主体的化合物b和作为掺杂剂的fd37以95:5的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射层，并且将et46沉积在其上以形成缓冲层，以及将et47和liq以5:5的重量比共沉积在缓冲层上以形成具有的厚度的电子传输层。
[0492]
将yb沉积在电子传输层上以形成电子注入层，将ag和mg以9:1的重量比共沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，以及将cp1沉积在阴极上，从而完成发光装置的制造。
[0493][0494]
比较例1-2
[0495]
以与比较例1-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b作为主体。
[0496][0497]
比较例1-3
[0498]
以与比较例1-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物b作为主体。
[0499][0500]
比较例1-4
[0501]
以与比较例1-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b作为主体。
[0502]
实施例1-1
[0503]
以与比较例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在空穴传输层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，并且在上发射层上形成缓冲层。
[0504]
实施例1-2
[0505]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0506]
比较例1-5
[0507]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0508]
比较例1-6
[0509]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物1以形成上发射层。
[0510]
比较例1-7
[0511]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物2代替化合物1以形成上发射层。
[0512]
比较例1-8
[0513]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b以形成下发射层。
[0514]
实施例1-3
[0515]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物b以形成下发射层。
[0516]
实施例1-4
[0517]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物a代替化合物1以形成上发射层。
[0518]
实施例1-5
[0519]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物1以形成上发射层。
[0520]
实施例1-6
[0521]
以与实施例1-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0522]
评估例1
[0523]
关于根据实施例1-1至实施例1-6以及比较例1-1至比较例1-8制造的发光装置，通过使用颜色亮度计、吉时利(keithley)源表设备和固定电流室温使用寿命设备测量在1500尼特亮度下的驱动电压(v)、效率(cd/a)和使用寿命(t
97
)。其结果显示在表1中。
[0524]
分别基于100％的比较例1-1的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命，评估实施例1-1至实施例1-6以及比较例1-2至比较例1-8的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命。
[0525]
[表1]
ito的第三玻璃衬底各自切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，将其用异丙醇和纯水各自超声处理5分钟，随后用紫外光照射30分钟并且暴露于臭氧。将第一玻璃衬底、第二玻璃衬底和第三玻璃衬底依次堆叠在真空沉积设备上。
[0531]
将hat-cn沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，并且将npb沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的空穴传输层。
[0532]
将作为主体的化合物b和作为掺杂剂的fd37以95:5的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的第一发射层，并且将et46沉积在其上以形成第一缓冲层，以及将et47和liq以5:5的重量比共沉积在第一缓冲层上以形成具有的厚度的第一电子传输层，从而形成第一发射单元。
[0533]
在第一发射单元上，将bcp和li(li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0534]
在第一电荷产生层上，将npb沉积以形成第二空穴传输(ht)-辅助层，将作为主体的化合物b和作为掺杂剂的fd37以95:5的重量比沉积以形成具有的厚度的第二发射层，将et46沉积以形成第二缓冲层，以及在第二缓冲层上，将et47和liq以5:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的第二电子传输层，从而完成第二发射单元的制造。
[0535]
在第二发射单元上，将bcp和li(li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。
[0536]
在第二电荷产生层上，将npb沉积以形成第三空穴传输(ht)-辅助层，将作为主体的化合物b和作为掺杂剂的fd37以95:5的重量比沉积以形成具有的厚度的第三发射层，将et46沉积以形成第三缓冲层，以及在第三缓冲层上，将et47和liq以5:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的第三电子传输层，从而完成第三发射单元的制造。
[0537]
将yb沉积在第三发射单元上以形成电子注入层，将ag和mg以9:1的重量比共沉积在电子注入层上以形成具有的厚度的阴极，以及将cp1沉积在阴极上，从而完成发光装置的制造。
[0538]
比较例2-2
[0539]
以与比较例2-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物2作为主体代替化合物b。
[0540]
比较例2-3
[0541]
以与比较例2-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物a作为主体代替化合物
b。
[0542]
比较例2-4
[0543]
以与比较例2-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物1作为主体代替化合物b。
[0544]
实施例2-1
[0545]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在空穴传输层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第一发射层，以及在第一发射层上形成第一缓冲层。
[0546]
实施例2-2
[0547]
以与实施例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0548]
实施例2-3
[0549]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在第二空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第二发射层，以及在第二发射层上形成第二缓冲层。
[0550]
实施例2-4
[0551]
以与实施例2-3中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0552]
实施例2-5
[0553]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在第三空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第三发射层，以及在第三发射层上形成第三缓冲层。
[0554]
实施例2-6
[0555]
以与实施例2-5中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0556]
实施例2-7
[0557]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在空穴传输层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第一发射层，并且在第一发射层上形成第一缓冲层，
[0558]
在第二空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第二发射层，并且在第二发射层上形成
第二缓冲层，以及
[0559]
在第三空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第三发射层，并且在第三发射层上形成第三缓冲层。
[0560]
实施例2-8
[0561]
以与实施例2-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层，从而形成第一发射层、第二发射层和第三发射层。
[0562]
比较例2-5
[0563]
以与实施例2-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0564]
比较例2-6
[0565]
以与实施例2-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物1以形成上发射层。
[0566]
比较例2-7
[0567]
以与实施例2-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物2代替化合物1以形成上发射层。
[0568]
比较例2-8
[0569]
以与实施例2-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b以形成下发射层。
[0570]
评估例2
[0571]
关于根据实施例2-1至实施例2-8以及比较例2-1至比较例2-8制造的发光装置，通过使用颜色亮度计、吉时利源表设备和固定电流室温使用寿命设备测量在1500尼特亮度下的驱动电压(v)、效率(cd/a)和使用寿命(t
97
)。其结果显示在表2中。
[0572]
分别基于100％的比较例2-1的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命，评估实施例2-1至实施例2-8以及比较例2-2至比较例2-8的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命。
[0573]
[表2]
[0574]
[0575][0576]
参考表2，与具有单个发射层的比较例2-1至比较例2-4的发光装置相比，实施例2-1至实施例2-8的发光装置具有相当或更低的驱动电压，以及显著高的效率和使用寿命特性。
[0577]
对于不具有包括包含氘取代的主体的发射层和包含氘未取代的主体的发射层的双层发射层作为发射层结构的比较例2-5至比较例2-8的发光装置，驱动电压、效率和使用寿命的特性基本上没有比实施例2-1至实施例2-8的发光装置更好。
[0578]
与其中在接近阳极的发射单元中形成具有其中发射层包含氘取代的主体和发射层包含氘未取代的主体的发射层结构的双层发射层结构的情况(实施例2-1和实施例2-2)相比，其中在其它发射层中形成双层发射层的情况(实施例2-3至实施例2-6)获得了更高的效率和更长的使用寿命特性。当所有发射层均具有双层发射层时(实施例2-7和实施例2-8)，效率和使用寿命特性显著改善，而没有驱动电压的大幅增加。
[0579]
比较例3-1
[0580]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在第三发射单元上，将bcp和li(li的量为1wt％)共沉积以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第三电荷产生层，
[0581]
在第三电荷产生层上，将npb沉积以形成第四空穴传输(ht)-辅助层，将
tcta沉积以形成电子阻挡层，将tpbi和pd13以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的第四发射层，并且将et47和liq以5:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的第四电子传输层，从而完成第四发射单元，以及
[0582]
在第四发射单元上，将yb沉积以形成电子注入层。
[0583]
比较例3-2
[0584]
以与比较例3-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b作为主体。
[0585]
比较例3-3
[0586]
以与比较例3-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物a作为主体代替化合物b。
[0587]
比较例3-4
[0588]
以与比较例3-1中相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b作为主体。
[0589]
实施例3-1
[0590]
以与比较例3-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在空穴传输层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第一发射层，以及在第一发射层上形成第一缓冲层。
[0591]
实施例3-2
[0592]
以与实施例3-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0593]
实施例3-3
[0594]
以与比较例3-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在第二空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第二发射层，以及在第二发射层上形成第二缓冲层。
[0595]
实施例3-4
[0596]
以与实施例3-3中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0597]
实施例3-5
[0598]
以与比较例3-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在第三空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第三发射层，以及在第三发射层上形成第三缓冲层。
[0599]
实施例3-6
[0600]
以与实施例3-5中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b
以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层。
[0601]
实施例3-7
[0602]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置，但，
[0603]
在空穴传输层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第一发射层，并且在第一发射层上形成第一缓冲层，
[0604]
在第二空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第二发射层，并且在第二发射层上形成第二缓冲层，以及
[0605]
在第三空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物b和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物1和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第三发射层，以及在第三发射层上形成第三缓冲层。
[0606]
实施例3-8
[0607]
以与实施例3-7中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物1代替化合物b以形成下发射层并且使用化合物b代替化合物1以形成上发射层，从而形成第一发射层、第二发射层和第三发射层。
[0608]
比较例3-5
[0609]
以与实施例3-8中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物a代替化合物1以形成下发射层。
[0610]
比较例3-6
[0611]
以与实施例3-8中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物b代替化合物1以形成下发射层并且使用化合物a代替化合物b以形成上发射层。
[0612]
比较例3-7
[0613]
以与实施例3-8中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物b以形成上发射层。
[0614]
比较例3-8
[0615]
以与实施例3-8中使用的相同的方式制造发光装置，但使用化合物2代替化合物1以形成下发射层并且使用化合物1代替化合物b以形成上发射层。
[0616]
评估例3
[0617]
关于根据实施例3-1至实施例3-8以及比较例3-1至比较例3-8制造的发光装置，通过使用颜色亮度计、吉时利源表设备和固定电流室温使用寿命设备测量在1500尼特亮度下的驱动电压(v)、效率(cd/a)和使用寿命(t
97
)。其结果显示在表3中。
[0618]
分别基于100％的比较例3-1的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命，评估实施例3-1至实施例3-8以及比较例3-2至比较例3-8的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命。
[0619]
[表3]
[0620][0621][0622]
参考表3，与具有单个发射层的比较例3-1至比较例3-4的发光装置相比，实施例3-1至实施例3-8的发光装置具有相当或更低的驱动电压，以及显著高的效率和使用寿命特性。
[0623]
对于不具有包括包含氘取代的主体的发射层和包含氘未取代的主体的发射层的双层发射层作为发射层结构的比较例3-5至比较例3-8的发光装置，驱动电压、效率或使用寿命的特性基本上没有比实施例3-1至实施例3-8的发光装置更好。
[0624]
与其中在接近阳极的发射单元中形成具有其中发射层包含氘取代的主体和发射
层包含氘未取代的主体的发射层结构的双层发射层结构的情况(实施例3-1和实施例3-2)相比，其中在其它发射层中形成双层发射层的情况(实施例3-3至实施例3-6)获得了更高的效率和更长的使用寿命特性。当所有发射层均具有双层发射层时(实施例3-7和实施例3-8)，效率和使用寿命特性显著改善，而没有驱动电压的大幅增加。
[0625]
比较例4-1
[0626]
以与比较例2-1中使用的相同的方式制造发光装置。
[0627]
比较例4-2
[0628]
以与比较例2-3中使用的相同的方式制造发光装置。
[0629]
实施例4-1
[0630]
以与比较例4-1中使用的相同的方式制造发光装置，但在空穴传输层上，将化合物a和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物8和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第一发射层，并且在第一发射层上形成第一缓冲层，
[0631]
在第二空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物a和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物8和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第二发射层，并且在第二发射层上形成第二缓冲层，以及
[0632]
在第三空穴传输(ht)-辅助层上，将化合物a和fd37以95:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的下发射层，并且将化合物8和fd37以95:5的重量比共沉积在下发射层上以形成具有的厚度的上发射层，从而形成第三发射层，并且在第三发射层上形成第三缓冲层。
[0633]
实施例4-2至实施例4-16
[0634]
以与实施例4-1中使用的相同的方式制造发光装置，但使用表4中示出的下发射层和上发射层的主体。
[0635]
评估例4
[0636]
关于根据实施例4-1至实施例4-16以及比较例4-1和比较例4-2制造的发光装置，通过使用颜色亮度计、吉时利源表设备和固定电流室温使用寿命设备测量在1500尼特亮度下的驱动电压(v)、效率(cd/a)和使用寿命(t
97
)。其结果显示在表4中。
[0637]
分别基于100％的比较例4-1的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命，评估实施例4-1至实施例4-16以及比较例4-2的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命。
[0638]
[表4]
[0639][0640][0641]
参考表4，可以看出，与具有单个发射层的比较例4-1和比较例4-2的发光装置相比，实施例4-1至实施例4-16的发光装置具有显著高的效率和使用寿命特性，同时保持相当
的驱动电压。
[0642]
根据本公开内容的实施方案的发光装置具有高效率和长使用寿命，而没有驱动电压的显著增加。
[0643]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。