存储卡的制作方法

存储卡
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2020-0102712的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本发明构思的实施例涉及存储卡，更具体地涉及增强可靠性和生产率的存储卡。


背景技术：

4.存储卡是便携式的并且可以容易地存储大量信息，因此被广泛用于蜂窝电话、笔记本计算机、数码相机等。期望具有大容量和高可靠性(例如，翘曲小)并且可以提高生产率的存储卡。


技术实现要素：

5.本发明构思的实施例提供了一种存储卡，该存储卡增强了可靠性例如减少了翘曲、以及生产率。
6.根据本发明构思的实施例，提供了一种存储卡，该存储卡包括壳体和设置在壳体中的集成电路封装。壳体包括：第一壳体边缘；第二壳体边缘，与第一壳体边缘连接；第三壳体边缘，与第二壳体边缘连接；第四壳体边缘，与第三壳体边缘和第一壳体边缘连接；以及第一凹槽，在第二壳体边缘中，第一凹槽与第一壳体边缘间隔开并且朝向第四壳体边缘向内凹入。集成电路封装被设置在第一壳体边缘和第一水平线之间的壳体的上部，第一水平线在从第二壳体边缘中的第一凹槽的顶端到第四壳体边缘的方向上延伸。
7.根据本发明构思的另一实施例，提供了一种存储卡，该存储卡包括集成电路封装和与集成电路封装的形状相对应地包络集成电路封装的壳体。集成电路封装包括：第一边缘；第二边缘，与第一边缘连接；第三边缘，与第二边缘连接；以及第四边缘，与第三边缘和第一边缘连接。壳体包括：第一壳体边缘；第二壳体边缘，与第一壳体边缘连接；第三壳体边缘，与第二壳体边缘连接；第四壳体边缘，与第三壳体边缘和第一壳体边缘连接；以及第一凹槽，在第二壳体边缘中。第一凹槽在距第一壳体边缘的第一距离处开始，并且在朝向第三壳体边缘的方向上延伸。
8.集成电路封装的第三边缘与第一壳体边缘间隔开第三距离，第三距离小于第一距离。
9.根据本发明构思的另一实施例，提供了一种存储卡，该存储卡包括集成电路封装和与集成电路封装的形状相对应地包络集成电路封装的壳体。壳体包括：第一壳体边缘；第二壳体边缘，与第一壳体边缘连接；第三壳体边缘，与第二壳体边缘连接；第四壳体边缘，与第三壳体边缘和第一壳体边缘连接；向内凹入的第一凹槽在第二壳体边缘中的；以及向内凹入的第二凹槽，在第四壳体边缘中。
10.第一凹槽在距第一壳体边缘的第一距离处开始并且在朝向第三壳体边缘的方向
上延伸，并且第二凹槽在距第一壳体边缘的第二距离处开始并且在朝向第三壳体边缘的方向上延伸。
11.集成电路封装包括：与第一壳体边缘相对应的第一边缘；与第二壳体边缘相对应的第二边缘；与第三壳体边缘相对应的第三边缘；以及与第四壳体边缘相对应的第四边缘。
12.集成电路封装的第三边缘与第一壳体边缘间隔开第三距离，并且具有从第一边缘到第三边缘的第四距离，第三距离小于第一距离和第二距离中的每一个，并且第四距离小于第一距离和第二距离中的每一个。
附图说明
13.图1和图2分别是根据实施例的存储卡的俯视图和仰视图。
14.图3至图5是根据实施例的存储卡的分解图。
15.图6是根据实施例的制造存储卡的方法的流程图。
16.图7至图12示出了图6的方法。
17.图13a和图13b示出了根据实施例的集成电路封装。
18.图14a和图14b是根据实施例的集成电路封装的仰视图。
19.图15是根据实施例的使用存储卡的系统的示意图。
20.图16是示出根据实施例的包括存储卡的存储设备的框图。
21.图17是根据实施例的包括存储卡的电子系统的框图。
具体实施方式
22.在下文中，将参考附图来详细描述实施例。实施例可以被单独地实现，或者至少两个实施例可以被组合。然而，本发明构思不限于实施例。
23.在附图中，为了清楚描述，可以放大元件。
24.图1和图2分别是根据实施例的存储卡的俯视图和仰视图。
25.详细地，在图1和图2中，x轴方向是存储卡100的短轴方向或水平方向，并且y轴方向是存储卡100的长轴方向或竖直方向。然而，x轴方向可以是集成电路封装180的长轴方向或水平方向，并且y轴方向可以是集成电路封装180的短轴方向或竖直方向。
26.在一个实施例中，存储卡100包括安全数字(sd)卡。存储卡100包括壳体和集成电路封装180。集成电路封装180可以称为半导体封装。
27.在一个实施例中，壳体具有与集成电路封装180相对应的形状，以包络集成电路封装180。壳体包括上壳体102和与上壳体102结合的下壳体122。
28.壳体可以称为外壳。壳体可以被称为外盖。在一个实施例中，当存储卡100包括sd卡时，可以基于标准规格来确定上壳体102和下壳体122的尺寸。因此，参考图1和图2的描述将集中在上壳体102和下壳体122的细节上。
29.参考图1，在一个实施例中，上壳体102包括第一上壳体边缘104和与第一上壳体边缘104连接的第二上壳体边缘108。
30.在一个实施例中，上壳体102包括与第二上壳体边缘108连接的第三上壳体边缘106、和与第三上壳体边缘106和第一上壳体边缘104连接的第四上壳体边缘110。在第一上壳体边缘104和第四上壳体边缘110之间的拐角处形成具有斜坡的上壳体倒角116。换句话
说，具有由于切除拐角而形成的形状的上壳体倒角116位于第一上壳体边缘104和第四上壳体边缘110之间。在一个实施例中，上壳体倒角116可以被视为将第一上壳体边缘104与第四上壳体边缘110连接的第五上壳体边缘116。
31.参考图2，下壳体122具有第一下壳体边缘124和与第一下壳体边缘124连接的第二下壳体边缘130。
32.在一个实施例中，下壳体122包括与第二下壳体边缘130连接的第三下壳体边缘126、和与第三下壳体边缘126和第一下壳体边缘124连接的第四下壳体边缘128。在第一下壳体边缘124和第四下壳体边缘128之间的拐角处形成具有斜坡的下壳体倒角132。换句话说，具有由于切除拐角而形成的形状的下壳体倒角132位于第一下壳体边缘124和第四下壳体边缘128之间。在一个实施例中，下壳体倒角132可以被视为将第一下壳体边缘124与第四下壳体边缘130连接的第五下壳体边缘116。
33.在一个实施例中，下壳体122包括开口134，该开口134暴露集成电路封装180的外部接触端子136。外部接触端子136包括第一外部接触端子1至第九外部接触端子9。
34.在一个实施例中，外部接触端子136包括信号端子、接地端子和电源端子。在外部接触端子136中，第一外部接触端子1至第八外部接触端子8沿水平方向例如x轴方向布置，并且第九外部接触端子9由于上壳体倒角116和下壳体倒角132而从第一外部接触端子1到第八外部接触端子8沿负的竖直方向例如-y轴方向偏移。
35.在一个实施例中，第一上壳体边缘104、第二上壳体边缘108、第三上壳体边缘106和第四上壳体边缘110分别与第一下壳体边缘124、第二下壳体边缘130、第三下壳体边缘126和第四下壳体边缘128对齐。上壳体倒角116与下壳体倒角132对齐。
36.总体上，在一个实施例中，包括上壳体102和下壳体122在内的壳体包括：第一壳体边缘，包括第一上壳体边缘104和第一下壳体边缘124；第二壳体边缘，包括第二上壳体边缘108和第二下壳体边缘130，该第二壳体边缘与第一壳体边缘连接；第三壳体边缘，包括第三上壳体边缘106和第三下壳体边缘126，该第三壳体边缘与第二壳体边缘连接；第四壳体边缘，包括第四上壳体边缘110和第四下壳体边缘128，该第四壳体边缘与第三壳体边缘和第一壳体边缘连接。包括上壳体倒角116和下壳体倒角132的壳体倒角具有斜坡并且位于包括第一上壳体边缘104和第一下壳体边缘124在内的第一壳体边缘与包括第四上壳体边缘110和第四下壳体边缘128在内的第四壳体边缘之间的拐角处。在一个实施例中，壳体倒角可以被视为将第一壳体边缘与第四壳体边缘连接的第五壳体边缘。
37.在一个实施例中，包括上壳体102和下壳体122的壳体包括第一凹槽112和第二凹槽114。第一凹槽112形成在第二壳体边缘中，该第二壳体边缘包括第二上壳体边缘108和第二下壳体边缘130，并且第一凹槽112与包括第一上壳体边缘104和第一下壳体边缘124在内的第一壳体边缘相邻。第一凹槽112朝向包括第四上壳体边缘110和第四下壳体边缘128在内的第四壳体边缘向内凹入。
38.在一个实施例中，开关118位于第一凹槽112中。开关118可以在第一凹槽112中沿y轴方向上下移动。开关118控制存储卡100的集成电路封装180的写功能的接通/截止。
39.在一个实施例中，第二凹槽114形成在第四壳体边缘中，该第四壳体边缘包括第四上壳体边缘110和第四下壳体边缘130，并且第二凹槽114与包括第一上壳体边缘104h和第一下壳体边缘124在内相邻。第二凹槽114朝向包括第二上壳体边缘108和第二下壳体边缘
130在内的第二壳体边缘向内凹入。当将存储卡100插入外部设备中时，使用第二凹槽114。
40.集成电路封装180可以包括系统中封装或多芯片模块。在一个实施例中，集成电路封装180包括一个或多个半导体或存储芯片、控制芯片以及一个或多个无源元件。
41.在一个实施例中，半导体芯片包括在面板或面板衬底上的多个半导体管芯的堆叠。控制芯片与半导体芯片的堆叠分开。集成电路封装180是包括半导体芯片和控制芯片的单个封装。
42.在一个实施例中，集成电路封装180位于壳体内。在一些实施例中，在平面图中，集成电路封装180朝向第一壳体边缘沿诸如y轴方向的方向位于第一凹槽112和第二凹槽114上方。
43.在一些实施例中，集成电路封装180位于第一水平线pl1上方，该第一水平线pl1在平面图中沿诸如x轴方向的方向从第一凹槽112的顶端延伸到第四上壳体边缘110。换句话说，集成电路封装180设置在第一水平线pl1与第一壳体边缘之间。集成电路封装180位于第二水平线pl2的上方，该第二水平线pl2在平面图中沿诸如x轴方向的方向从第二凹槽114的顶端延伸到第二上壳体边缘108。换句话说，集成电路封装180设置在第二水平线pl2与第一壳体边缘之间。第一水平线pl1比第二水平线pl2靠近第一壳体边缘。在一些实施例中，集成电路封装180的外形在平面图中与第九外部接触端子136-9对齐。
44.如上所述，在一个实施例中，集成电路封装180相对于存储卡100的尺寸是小的。集成电路封装180在第一凹槽112和第二凹槽114上方的面积小于或等于壳体的面积的1/4或25％。
45.在一些实施例中，集成电路封装180在邻近第一凹槽112的拐角处具有凹口120。当集成电路封装180在拐角处具有凹口120时，集成电路封装180与开关118之间发生碰撞的可能性减小，并且散热特性可以增强，从而由于减小的翘曲而可以提高可靠性。
46.另外，在一个实施例中，因为在存储卡100的壳体内的集成电路封装180的尺寸相对较小，所以由于减少翘曲而提高了可靠性。当集成电路封装180的尺寸较小时，可以从单个面板或面板衬底制造的集成电路封装180的数量增加，因此，提高了存储卡100的生产率。下面详细描述集成电路封装180的尺寸、结构、布置、制造工艺等。
47.图3至图5是根据实施例的存储卡的分解图。
48.详细地，图3和图4分别是存储卡100的部分分解俯视图和部分分解仰视图，并且图5是存储卡100的分解透视图。在图1至图5中，相同的附图标记表示相同的元件。
49.在一个实施例中，存储卡100包括在上壳体102和下壳体122之间的集成电路封装180，如图5所示。换句话说，集成电路封装180位于上壳体102与下壳体122之间的壳体内。在下壳体122中形成有使集成电路封装180的外部接触端子136暴露的开口134。
50.在一个实施例中，存储卡100或壳体在x轴方向上具有长度x1，并且在y轴方向上具有长度y1。长度x1可以是24mm，并且长度y1可以是32mm，然而，实施例不必限于此。集成电路封装180在x轴方向上具有长度x2，并且在y轴方向上具有长度y2。长度x2可以在约20mm至约21mm的范围内，并且长度y2可以在约7.0mm至约7.5mm的范围内，然而，实施例不必限于此。
51.在一个实施例中，集成电路封装180位于上壳体102与下壳体122之间的壳体内。集成电路封装180包括第一边缘158、与第一边缘158连接的第二边缘160、与第二边缘160连接的第三边缘162、以及与第三边缘162和第一边缘158连接的第四边缘168。
52.在一个实施例中，倒角166在第四边缘168和第一边缘158之间的拐角处。换句话说，倒角166是由切除拐角而得到的，并且位于第四边缘168和第一边缘158之间。倒角166可以被视为将第四边缘168与第一边缘158连接的第五边缘166。
53.如上所述，在一个实施例中，包括上壳体102和下壳体122在内的壳体包括：包括第一上壳体边缘104和第一下壳体边缘124在内的第一壳体边缘；包括第二上壳体边缘108和第二下壳体边缘130在内的第二壳体边缘；包括第三上壳体边缘106和第三下壳体边缘126在内的第三壳体边缘；以及包括第四上壳体边缘110和第四下壳体边缘128在内的第四壳体边缘。参考图3和图4，第一凹槽112形成在第二壳体边缘中，该第一凹槽112在距第一壳体边缘第一距离d1处开始并且朝向第三壳体边缘即沿-y轴方向延伸。第一距离d1可以是约7.8mm，然而，实施例不必限于此。
54.在一个实施例中，开关118位于第一凹槽112中。开关118可以沿着在下壳体122中设置的引导槽119在第一凹槽112中沿y轴方向上下移动。
55.在一个实施例中，第二凹槽114形成在第四壳体边缘中，该第二凹槽114在距第一壳体边缘第二距离d2处开始并且朝向第三壳体边缘即沿-y轴方向延伸。第二距离d2可以是约10mm，然而，实施例不必限于此。
56.在一个实施例中，集成电路封装180的第三边缘162位于距第一壳体边缘的第三距离d3处，其中第三距离d3小于第一距离d1和第二距离d2中的每一个。集成电路封装180从第一边缘158到第三边缘162延伸第四距离d4，其中第四距离d4小于第一距离d1和第二距离d2中的每一个。第四距离d4基本上等于集成电路封装180在y轴方向上的长度y2。
57.如上所述，在一个实施例中，存储卡100包括相对于壳体较小的集成电路封装180，从而通过减少翘曲来提高可靠性。
58.图6是根据实施例的制造存储卡的方法的流程图，并且图7至图12是示出图6的方法的图。
59.详细地，图6至图12示出了制造图1至图5的存储卡100的方法。在图7至图12中，x轴方向是集成电路封装180的长轴方向或水平方向，如图1至图5所示，并且y轴方向是集成电路封装180的短轴方向或竖直方向。
60.z轴方向垂直于图7至图11中的面板140的表面或垂直于图1至5中的集成电路封装180的表面。z轴方向垂直于由x轴方向和y轴方向限定的平面。在图1至图5和图7至图12中，相同的附图标记表示相同的元件。
61.在一个实施例中，在操作10中制备或提供面板140。面板140可以包括印刷电路板(pcb)、引线框架衬底或带状衬底。在本实施例中，面板140是pcb。pcb包括介电芯层，并且导电层设置在介电芯层的顶面或底面上。
62.在一个实施例中，在操作12中，在面板140的顶面或底面上形成导电图案。导电图案可以包括接触端子、接触焊盘、引线图案或连接器等。导电图案将面板140上的半导体芯片或无源元件电连接到外部电子设备。如图7所示，导电图案包括多个单独的封装区域142。
63.在一个实施例中，在操作14中，无源元件148被附接到或安装在形成在面板140中的单独的封装区域142中的每一个上，如图8和图10所示。
64.在本实施例中，无源元件148中的每一个可以是电容器或电阻器。集成电路封装180通过随后的工艺形成在单独的封装区域142中的每一个中。无源元件148形成集成电路
组件。
65.在本实施例中，集成电路封装180较小，因此，可以在面板140上形成大量集成电路封装180，从而提高了存储卡的生产率。
66.在一个实施例中，如图8至图10所示，在操作16中，半导体芯片144和控制芯片146被附接到或安装在面板140中的单独的封装区域142中的每一个上。半导体芯片144和控制芯片146形成集成电路组件。图8示出了无源元件148、半导体芯片144和控制芯片146，它们被附接到单个单独的封装区域142。
67.在一个实施例中，如图9所示，半导体芯片144包括级联的多个(例如四个)半导体管芯(即，第一半导体管芯144a至第四半导体管芯144d)的堆叠。半导体芯片144包括第二半导体管芯144b至第四半导体管芯144d，第二半导体管芯144b至第四半导体管芯144d顺序地堆叠在第一半导体管芯144a上，其中每个半导体管芯在y轴方向上彼此偏移。图8和图9示出了堆叠在面板140上的半导体芯片144，即，第一半导体管芯144a至第四半导体管芯144d。
68.在一个实施例中，半导体芯片144包括存储半导体芯片。半导体芯片144包括非易失性存储芯片，例如闪存芯片。在本实施例中，半导体芯片144包括四个半导体管芯，即，第一半导体管芯144a至第四半导体管芯144d，但是实施例不限于此，并且在一些实施例中可以包括八个或16个半导体管芯。
69.在一个实施例中，控制芯片146与半导体芯片144间隔开。换句话说，控制芯片146布置在半导体芯片144的一侧。在一些实施例中，形成半导体芯片144的第一半导体管芯144a至第四半导体管芯144d中的一个可以被配置为控制芯片。图10示出了面板140上的控制芯片146和无源元件148。
70.在一个实施例中，在操作18中，半导体芯片144和控制芯片146电连接到面板140。可以使用导线接合将半导体芯片144和控制芯片146电连接到面板140。
71.如图9和图10所示，在一个实施例中，使用接合线150将半导体芯片144电连接到面板140，接合线150在集成电路封装180的y轴方向上延伸。使用接合线152将控制芯片146电连接到面板140，接合线152在集成电路封装180的x轴方向或y轴方向上延伸。图9和图10示出了半导体芯片144和控制芯片146通过接合线150和接合线152连接到面板140。
72.现在参考图11，在一个实施例中，在操作20中，通过使用模制材料来密封包括无源元件148、半导体芯片144和控制芯片146在内的集成电路组件来形成模制层154。模制材料包括环氧树脂。模制工艺包括：通过使用模制材料在面板140上密封集成电路组件来形成模制层154。
73.在一个实施例中，在操作22中对模制层154执行标记工艺。可以通过标记工艺对模制层154标记商业名称或其他信息。现在参考图12，在操作24中，通过将模制在面板140上的单独的封装区域142单粒化，来完成集成电路封装180。图11示出了模制在面板140上的单独的封装区域142中的每一个的切割线156。
74.在一些实施例中，单粒化包括通过使用切割或冲压工艺沿切割线156切割所模制的单个封装区域142中的每一个来形成集成电路封装180。在一些实施例中，单粒化包括：通过使用水射流切割或激光切割工艺沿着切割线156切割所模制的单独的封装区域142中的每一个来形成集成电路封装180。图12示出了通过沿着切割线156切割所模制的单独的封装区域142中的每一个而形成的集成电路封装180。下面将详细描述集成电路封装180的结构。
75.随后，在一个实施例中，在操作26中，通过将集成电路封装180密封在包括上壳体102和下壳体122在内的壳体中来制造存储卡100。换句话说，通过将集成电路封装180放置在上壳体102和下壳体122之间并将上壳体102连接到下壳体122来完全形成存储卡100。
76.图13a和图13b示出了根据实施例的集成电路封装。
77.详细地，在一个实施例中，图13a和图13b示出了包括在图1至图5的存储卡100中的集成电路封装180。图13a的中心部分是集成电路封装180的俯视图180_up。在图13a和图13b中，集成电路封装180已经被模制层154密封。
78.在一个实施例中，图13a的顶部、左部、底部和右部分别是集成电路封装180的第一边缘平面图180_1s、第二边缘平面图180_2s、第三边缘平面图180_3s和第四边缘平面图180_4s。图13b是图13a的俯视图180_up的左侧的部分放大图。
79.如上所述，在一个实施例中，集成电路封装180包括第一边缘158、与第一边缘158连接的第二边缘160、与第二边缘160连接的第三边缘162、以及与第三边缘162和第一边缘158连接的第四边缘168。
80.如图13a和图13b所示，在一个实施例中，第一弯曲连接部分169位于第一边缘158和第二边缘160之间的拐角处。如图13b所示，向内凹入的凹口120位于第二边缘160与第三边缘162之间的拐角处。
81.在一个实施例中，凹口120包括多个弯曲连接部分，例如，第二至第四弯曲连接部分170、172和174。凹口120包括在第二边缘160的端部处的第二弯曲连接部分170、在其内拐角处的第三弯曲连接部分172、以及在第三边缘162的端部处的第四弯曲连接部分174。如图13a所示，在本实施例中，第二弯曲连接部170和第三弯曲连接部172可以通过在x轴方向上延伸的大致笔直的边缘来连接，并且第三弯曲连接部172和第四弯曲连接部174可以通过在y轴方向上延伸的大致笔直的边缘来连接。如图13a所示，第五弯曲连接部分175位于第三边缘162和第四边缘168之间的拐角处。由切除拐角而得到的倒角166位于第四边缘168和第一边缘158之间。
82.在本实施例中均设置了第一弯曲连接部169和第五弯曲连接部175，但是在其他实施例中，可以仅设置第一弯曲连接部169和第五弯曲连接部175之一。在本实施例中设置了第二至第四弯曲连接部170、172和174，但是在其他实施例中，可以仅设置第二至第四弯曲连接部170、172和174之一。
83.在一个实施例中，如上所述配置的集成电路封装180包括弯曲的连接部分和圆形凹口，并且因此有效地散发在半导体芯片和无源元件中产生的热量，从而通过减少翘曲来提高封装可靠性。当集成电路封装180的可靠性提高时，存储卡的可靠性也提高。
84.图14a和图14b是根据实施例的集成电路封装的仰视图。
85.详细地，在一个实施例中，图14a的集成电路封装180或图14b的集成电路封装180-1可以包括在图1至图5的存储卡100中。除了外部接触端子136之外，集成电路封装180和180-1中的每一个覆盖有模制层154。
86.在一个实施例中，除了在模制层154内部形成的测试端子176之外，图14b的集成电路封装180-1与图14a的集成电路封装180相同。测试端子176被模制层154覆盖，从而不暴露于外部。换句话说，测试端子176被模制层154掩埋。测试端子176用于测试半导体芯片、控制芯片或无源元件的操作状态，其中半导体芯片、控制芯片和无源元件包括在集成电路封装
180-1中。
87.如上所述，在一个实施例中，集成电路封装180和180-1中的每一个包括第一边缘158、与第一边缘158连接的第二边缘160、与第二边缘160连接的第三边缘162、以及与第三边缘162和第一边缘158连接的第四边缘168。由切除拐角而得到的倒角166位于第四边缘168和第一边缘158之间。
88.在一个实施例中，集成电路封装180和180-1中的每一个在x轴方向上具有长度x2，并且在y轴方向上具有长度y2。长度x2可以在约20mm至约21mm的范围内，并且长度y2可以在约7.0mm至约7.5mm的范围内，但是实施例不必限于此。上述集成电路封装180和180-1在y轴方向即短轴方向上较短。因此，集成电路封装180和180-1减少了翘曲，从而提高了封装的可靠性。
89.图15是根据实施例的使用存储卡的系统的示意图。
90.在一个实施例中，系统200包括存储卡220、卡接口控制器230以及主机或外部设备240。存储卡220与以上参考图1至图5描述的存储卡100相对应。
91.在一个实施例中，卡接口控制器230控制与存储卡220的数据交换。卡接口控制器230可以用于将数据存储在存储卡220中。主机240控制卡接口控制器230。主机240通过卡接口控制器230来控制存储卡220。
92.图16是示出根据实施例的包括存储卡的存储设备的框图。
93.在一个实施例中，存储设备300包括存储卡330。存储卡330与以上参考图1至图5描述的存储卡100相对应。存储设备300包括存储控制器320，该存储控制器320控制主机与存储卡330之间的数据交换。
94.在一个实施例中，存储控制器320包括通常控制存储设备300的操作的控制处理单元(cpu)321。存储控制器320还包括用作cpu 321的工作存储器的静态随机存取存储器(sram)322。
95.在一个实施例中，存储控制器320还包括主机接口323和存储接口325。主机接口323包括用于存储设备300和主机之间的数据交换的协议。存储接口325提供存储控制器320和存储卡330之间的接口。
96.在一个实施例中，存储控制器320还包括纠错码(ecc)块324。ecc块324可以检测并纠正从存储卡330读取的数据中的错误。
97.在一个实施例中，存储设备300还可以包括存储用于与主机接合的代码数据的只读存储器(rom)设备。存储设备300可以被实现为替代计算机系统的硬盘的固态驱动器(ssd)。
98.图17是根据实施例的包括存储卡的电子系统的框图。
99.在一个实施例中，电子系统410包括控制器411、输入/输出(i/o)单元412、存储卡413、接口414和总线415。控制器411、i/o单元412、存储卡413和接口414可以通过总线415彼此连接。总线415是用于数据流的路径。
100.在一个实施例中，控制器411是执行类似功能的微处理器、数字信号处理器、微控制器或逻辑元件中的至少一个。i/o单元412可以包括小键盘、键盘或显示器。
101.在一个实施例中，存储卡413存储数据或命令。存储卡413与以上参考图1至图5描述的存储卡100相对应。接口414向通信网络发送数据或从通信网络接收数据。
102.接口414可以是有线的或无线的。在一个实施例中，接口414可以包括天线、有线/无线收发器。另外，电子系统410还包括高速dram设备或sram设备作为增强控制器411的操作的工作存储设备。
103.在一个实施例中，电子系统410可以并入个人数字助理(pda)、便携式计算机、web平板电脑、无线电话、移动电话、数字音乐播放器、或能够在无线环境中发送或接收信息的任何电子产品。
104.尽管已经参考本发明构思的实施例具体示出和描述了本发明构思，但是将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。