扇出型封装结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种扇出型封装结构，包括重布线层和设于其第一面上的至少一个芯片或带芯片封装体，其特征在于，所述重布线层包括接地线路层；所述扇出型封装结构还包括至少一塑封层、至少一第一屏蔽层和至少一个电连接件，所述电连接件设于所述重布线层第一面上，位于所述芯片或带芯片封装体外侧，并电性连接至所述接地线路层；所述塑封层至少设于所述重布线层第一面之上，包封所述电连接件和所述芯片或带芯片封装体；所述第一屏蔽层至少有部分覆盖于所述塑封层的侧表面；所述电连接件至少有部分暴露于所述塑封层侧面，并电性连接至所述第一屏蔽层，所述第一屏蔽层和所述接地线路层之间通过所述电连接件电性导通。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线层包括图形化的金属线路层和图形化的介电层，所述金属线路层至少有部分形成接地线路层。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述金属线路层厚度小于10μm，最小线距小于15μm。4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，相对于所述重布线层第一面的第二面上设有第一电接触块，所述第一电接触块电连接至所述金属线路层。5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述介电层的材料包括有机高分子树脂、带无机填料的有机高分子树脂、带玻纤布与填料片的有机高分子树脂、聚酰亚胺中的一种或多种的组合，所述金属线路层的材料包括铜、钛、钛钨中的一种或多种的组合。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件包括主体件，所述主体件的材料为带无机填料的有机高分子树脂、或带玻纤布与填料片的有机高分子树脂。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述主体件朝向与其相邻的所述第一屏蔽层侧壁的一侧设有贯通其上下表面的第一通孔。8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一通孔内填充有导电填料，所述主体件底部被所述导电填料包覆，电性连接于所述接地线路层，所述导电填料侧面露出所述塑封层与所述第一屏蔽层电性连接。9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述导电填料为包括银和/或铜的导电胶、或金属焊料。10.根据权利要求7所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述主体件的上表面、下表面和所述第一通孔的侧壁面中的一处或多处设有第一金属层。11.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述主体件上下表面设有第二金属层，所述第二金属层暴露于所述塑封层侧面，与所述第一屏蔽层电性连接。12.根据权利要求11所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述主体件内设有第二通孔，所述第二通孔连通所述主体件上下表面，所述第二通孔内填充有金属或内壁面覆有金属，电性连通所述主体件上下表面的所述第二金属层。13.根据权利要求11所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述主体件于位于其下表面的第二金属层上设有第二电接触块，所述第二电接触块与所述接地线路层电性连接。
14.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件的材料为导电材料。15.根据权利要求14所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件为所述电连接件为电镀在所述接地线路层上的铜凸块，或为键合在所述接地线路层上的金属凸块、部分锡球、部分铜核球中的一种或多种的组合结构，或为烧结固化的金属或合金膏。16.根据权利要求14所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件为部分金属焊线，其一端通过焊球与所述接地线路层电性连接，另一端暴露于所述塑封层侧面，与所述第一屏蔽层相连。17.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层与所述塑封层之间还设有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层为单层屏蔽层或多层复合屏蔽层，所述第二屏蔽层至少在一部分频率范围内与所述第一屏蔽层具有相异的屏蔽系数。18.根据权利要求17所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二屏蔽层内设有多个屏蔽层凹槽或屏蔽层通孔，所述第一屏蔽层填充于所述屏蔽层凹槽或所述屏蔽层通孔内，或所述第一屏蔽层镀覆于所述屏蔽层凹槽或所述屏蔽层通孔的内壁面上。19.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件位于所述重布线层的四个角上和/或四条边上，且以所述重布线层的中心呈基本对称式分布。20.一种扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一载板，在所述载板上制作图形化的金属线路层和介电层，堆叠形成重布线层，将至少部分靠近或覆盖或跨越至少部分切割道的所述金属线路层形成接地线路层；将芯片、和/或带芯片封装体、和/或被动器件设于所述重布线层第一面，并电性连接至所述金属线路层；将电连接件设于所述重布线层第一面上，并覆盖或跨越至少部分所述切割道，电连接至所述接地线路层；将所述芯片和所述电连接件塑封形成塑封层；去除所述载板，在相对于所述重布线层第一面的第二面上形成第一电接触块；将完整封装体沿切割道切割形成单个封装结构；在单个封装结构的所述塑封层外侧形成第一屏蔽层，所述第一屏蔽层至少覆盖所述塑封层侧面。21.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属线路层厚度小于10μm，最小线距小于15μm。22.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述介电层的材料包括有机高分子树脂、带无机填料的有机高分子树脂，带玻纤布与填料片的有机高分子树脂、聚酰亚胺的一种或多种的组合，所述金属线路层的材料包括铜、钛、钛钨中的一种或多种的组合。23.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，“将电连接件设于所述重布线层第一面上”具体包括：在主体件上制作贯穿其上下表面的第一通孔，在所述第一通孔内填充导电填料，并在所述主体件底面涂覆所述导电填料，将其通过导电填料电连接至所述接地线路层，所述第一通孔覆盖或跨越至少部分切割道。
24.根据权利要求23所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述主体件的材料为带无机填料的有机高分子树脂，或带玻纤布与填料有机高分子树脂，所述导电填料为包括银和/或铜的导电胶、或金属焊料。25.根据权利要求23所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述主体件的上表面、下表面和所述第一通孔的侧壁面中的一处或多处形成有金属层。26.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，“将电连接件设于所述重布线层第一面上”具体包括：在主体件上制作贯穿其上下表面的第二通孔，在所述第二通孔内镀覆金属，并在所述主体件上下表面设置第二金属层，所述第二金属层覆盖或跨越至少部分切割道；在所述主体件下表面的所述第二金属层上制作第二电接触块，将所述电接触件通过第二电接触块键合于所述接地线路层上。27.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，“将电连接件设于所述重布线层第一面上”具体包括：将金属凸块、锡球、铜核球中的一种或多种的组合结构键合电连接至所述接地线路层，并覆盖或跨越至少部分切割道；或在所述接地线路层上电镀铜凸块，所述铜凸块覆盖或跨越至少部分切割道；或在所述接地线路层上设置烧结固化的金属或合金膏，并覆盖或跨越至少部分切割道。28.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，“将电连接件设于所述重布线层第一面上”具体包括：将在切割道两侧的所述接地线路层通过金属焊线键合连接。29.根据权利要求20所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，在制作所述第一屏蔽层之前还包括步骤：在所述塑封层上制作一层或多层屏蔽层形成第二屏蔽层；在所述第二屏蔽层上制作多个的屏蔽层凹槽或屏蔽层通孔；将所述第一屏蔽层材料填充或镀覆于所述屏蔽层凹槽或所述屏蔽层通孔上。30.根据权利要求29所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述第二屏蔽层至少在一部分频率范围内与所述第一屏蔽层具有相异的屏蔽系数。

技术总结
本发明提供一种扇出型封装结构及其制造方法，扇出型封装结构包括重布线层、至少一塑封层、至少一第一屏蔽层、至少一个芯片和至少一个电连接件，重布线层包括接地线路层，芯片和电连接件设于重布线层第一面上，电连接件位于芯片外侧，并电性连接至接地线路层；塑封层设于所述重布线层第一面之上，包封电连接件和芯片；第一屏蔽层至少有部分覆盖于塑封层的侧表面；电连接件至少有部分暴露于塑封层侧面，并电性连接至第一屏蔽层，第一屏蔽层和接地线路层之间通过电连接件电性导通。通过电连接件将第一屏蔽层连接至接地线路层，从而可利用电连接件分别与第一屏蔽层和接地线路层实现相对大面积的面接触，降低三者间的电阻，来提高屏蔽效果。屏蔽效果。屏蔽效果。


技术研发人员：林耀剑 杨丹凤 刘硕 周莎莎
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2022/2/23