通孔填充基板的制造方法以及导电糊的套装与流程

技术特征：
1.一种通孔填充基板的制造方法，其包括：向具有孔部的绝缘性基板的所述孔部中填充第一导电通孔部用前体的填充工序；在通过所述填充工序填充到所述孔部中的所述第一导电通孔部用前体上层叠第二导电通孔部用前体的层叠工序；将通过所述层叠工序得到的包含两种前体的绝缘性基板在氮气气氛下进行烧成的烧成工序，所述制造方法中，所述第一导电通孔部用前体包含含有金属成分a和第一有机载体的填充用导电糊，所述金属成分a是具有高于烧成温度的熔点的高熔点金属粒子，所述填充工序包括将所述填充用导电糊填充到所述孔部中的糊填充工序，所述第二导电通孔部用前体是含有金属成分b和第二有机载体的层叠用导电糊，所述金属成分b是具有低于烧成温度的熔点的难熔金属粒子，所述第一导电通孔部用前体和所述第二导电通孔部用前体中的至少一者包含含有活性金属的活性金属成分，所述填充用导电糊和所述第二导电通孔部用前体中的至少一者含有金属成分c，所述金属成分c是具有比所述难熔金属粒子低的熔点的易熔金属粒子。2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述填充用导电糊含有所述活性金属成分和所述金属成分c。3.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一导电通孔部用前体含有所述活性金属成分，所述填充工序还包括在所述孔部的孔部壁面上形成含有所述活性金属成分的金属膜的金属膜形成工序作为所述糊填充工序的前工序。4.如权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，所述金属成分a的高熔点金属粒子包含选自由cu、ag、ni、w、mo、au、pt和pd组成的组中的至少一种高熔点金属或者含有该高熔点金属的合金，所述金属成分b的难熔金属粒子具有高于450℃的熔点，并且包含含有选自由cu、ag、ni、au、pt和pd组成的组中的至少一种高熔点金属的难熔合金，所述金属成分c的易熔金属粒子具有450℃以下的熔点，并且包含选自由bi、sn、in和zn组成的组中的至少一种易熔金属或者含有该易熔金属的合金，所述活性金属成分为选自由活性金属、含有活性金属的合金和活性金属的氢化物组成的组中的至少一种，并且所述活性金属为选自由ti、zr和nb组成的组中的至少一种活性金属。5.一种用于通过权利要求1～4中任一项所述的制造方法制造通孔填充基板的导电糊的套装，其中，所述套装是填充用导电糊与层叠用导电糊的组合，所述填充用导电糊含有金属成分a和第一有机载体，所述金属成分a是具有高于烧成温度的熔点的高熔点金属粒子，所述层叠用导电糊含有金属成分b和第二有机载体，所述金属成分b是具有低于烧成温度的熔点的难熔金属粒子，所述填充用导电糊和所述层叠用导电糊中的至少一者含有活性金属成分，所述活性金属成分是含有活性金属的含活性金属粒子，所述填充用导电糊和所述层叠用导电糊中的至少一者含有金属成分c，所述金属成分c是具有比所述难熔金属粒子低的熔点的易熔金属粒子。

技术总结
简便地制造导电通孔部的致密性高、导电通孔部与孔部的气密性和密合性也高的通孔填充基板。经过下述工序来制造通孔填充基板：向具有孔部的绝缘性基板的上述孔部中填充包含含有具有高于烧成温度的熔点的高熔点金属粒子即金属成分A和第一有机载体的填充用导电糊的第一导电通孔部用前体的填充工序；在通过上述填充工序填充到上述孔部中的上述第一导电通孔部用前体上层叠含有具有低于烧成温度的熔点的难熔金属粒子即金属成分B和第二有机载体的层叠用导电糊的层叠工序；将通过上述层叠工序得到的包含两种前体的绝缘性基板在氮气气氛下进行烧成的烧成工序。上述填充工序包括填充上述填充用导电糊的糊填充工序。上述第一导电通孔部用前体和上述第二导电通孔部用前体中的至少一者包含含有活性金属的活性金属成分。上述填充用导电糊和上述第二导电通孔部用前体中的至少一者含有具有比上述难熔金属粒子低的熔点的金属成分C。子低的熔点的金属成分C。子低的熔点的金属成分C。


技术研发人员：矢野雅也 小林广治 豆崎修 森阳光 林耀广
受保护的技术使用者：三之星机带株式会社
技术研发日：2020.06.05
技术公布日：2022/2/23