集成电路及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路，包括：第一对电源轨和第二对电源轨，布置在第一层中并在第一方向上延伸；多条导电线，布置在所述第一层上方的第二层中，其中，所述多条导电线在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并跨过所述第一对电源轨和所述第二对电源轨；第一有源区，布置在所述第二层上方的第三层中并在所述第二方向上延伸，其中，所述第一有源区设置为与所述第一对电源轨重叠；第一栅极，布置在所述第一有源区上方；以及导电迹线，布置在所述第一栅极上方并耦合到所述第一栅极，其中，所述第一有源区通过所述多条导电线中的第一线和第一组通孔耦合到所述第一对电源轨，并且所述第一有源区通过所述多条导电线中的至少一条第二导电线和不同于所述第一组通孔的第二组通孔耦合到所述第二对电源轨。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一有源区和所述第一栅极被配置为包括在晶体管中，并且其中，所述导电迹线被配置为接收用于所述第一栅极的输入信号。3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：第一对有源区和第二对有源区，在所述第二方向上延伸并在所述第一方向上相互分离，其中，所述第一对有源区和所述第二对有源区布置在所述第二对电源轨上方；第二栅极和第三栅极，在所述第一方向上延伸；以及第一导电部和第二导电部，在所述第一方向上延伸，其中，所述第一导电部和所述第二栅极跨过所述第一对有源区，并且所述第二导电部和所述第三栅极跨过所述第二对有源区。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，彼此相邻的所述第一对有源区中的一个和所述第二对有源区中的一个具有不同于所述第一有源区的导电类型的相同的导电类型。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二对电源轨的电源轨布置在所述第一对电源轨的相对侧。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多条导电线中的所述第一线的长度小于所述多条导电线中至少一条第二线的长度，其中，所述第一线与所述多条导电线中的所述至少一条第二线相邻。7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一有源区包括：多个第一有源区，通过所述第一组通孔耦合到所述第一对电源轨；以及多个第二有源区，通过所述第二组通孔耦合到所述第二对电源轨。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多条导电线还包括在所述第二方向上与所述多条导电线中的所述第一线对齐并分离的第三导电线。9.一种集成电路，包括：第一晶体管，包括：第一有源区；多个第一导电部和多个第二导电部，布置在第一层中并在所述于第一有源区的上方，其中，所述多个第一导电部对应于所述第一晶体管的源极，并且所述多个第二导电部对应于所述第一晶体管的漏极；以及多个第一栅极，对应于所述第一晶体管的栅极，在所述第一有源区上方并穿插在
所述多个第一导电部中的一个与所述多个第二导电部中的一个之间；以及多条导电线，布置在所述第一有源区下方的第二层中，其中，所述多条导电线包括第一导电线和多条第二导电线；其中，响应于在所述第一晶体管的所述栅极处接收的输入信号，所述第一晶体管的所述源极通过所述第一导电线耦合到外部电压，并且所述第一晶体管的所述漏极通过所述多条第二导电线耦合到第一电源电压。10.一种形成集成电路的方法，包括：在第一层中形成多个电源轨，其中，所述多个电源轨在第一方向上延伸并在第二方向上相互分离；在所述第一层上方的第二层中形成多条导电线，其中，所述多条导电线在所述第二方向上延伸；在所述第二层上方的第三层中形成多个有源区；在所述第三层中的所述多个有源区上方形成多个导电部，其中，所述多个有源区的第一有源区耦合到所述多条导电线中的至少第一导电线和第二导电线；在所述多个有源区上方形成多个栅极，所述栅极穿插在所述多个导电部之间；在所述第三层上方的第四层中形成多条导电迹线，其中，所述多条导电迹线在所述第二方向上延伸；以及在所述第四层上方的第五层中形成导电图案，其中，所述导电图案耦合到所述多条导电迹线。

技术总结
一种集成电路，包括布置在第一层中的第一对电源轨和第二对电源轨；布置在该第一层上方的第二层中的导电线；以及布置在该第二层上方的第三层中的第一有源区。第一有源区设置为与该第一对电源轨重叠。第一有源区通过导电线中的第一线和第一组通孔耦合到第一对电源轨，并且该第一有源区通过导电线中的至少一条第二线和不同于该第一组通孔的第二组通孔耦合到第二对电源轨。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。电路的方法。电路的方法。


技术研发人员：萧锦涛 曾健庭 林威呈
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.02.20
技术公布日：2022/2/23