半导体存储装置的动作条件的调整方法与流程

技术特征：
1.一种半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在与所述衬底的表面交叉的第1方向；多个第1半导体层，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层对向；第2半导体层，在所述第1方向上与所述衬底隔开，连接在所述多个第1半导体层的所述第1方向的一端部；及电荷累积层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第1半导体层之间；且在编程动作的特定时序，对作为所述多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或小于所述编程电压的写入路径电压，在所述调整方法中执行第1动作及第2动作，所述第1动作是对所述第2导电层供给所述写入路径电压，并对作为所述多个第1导电层中的一个的第3导电层供给所述编程电压，所述第2动作是对所述第2导电层供给小于所述写入路径电压的验证电压，并对所述第3导电层供给小于所述编程电压的电压。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其重复执行所述第1动作及所述第2动作。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中若将所述多个第1导电层中，最接近所述第2半导体层的多个第1导电层设为多个第4导电层，则在所述编程动作的特定时序，对所述多个第4导电层供给小于所述写入路径电压的电压，所述第3导电层是所述多个第4导电层中的一个。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中在所述第1动作及所述第2动作中，对所述第2半导体层供给小于所述验证电压的第1电压。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中若将所述多个第1导电层中，最远离所述第2半导体层的多个第1导电层设为多个第5导电层，则在所述第1动作中，对所述多个第5导电层供给小于所述验证电压的第2电压。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述半导体存储装置具备多条位线，所述位线连接在所述多个第1半导体层的所述第1方向的另一端部，在所述第1动作的特定时序，对作为所述多条位线中的一个的第1位线、及作为所述多条位线中的一个的第2位线供给不同电压。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述多个第1导电层包含比所述第3导电层更接近所述第2半导体层的第6导电层，在所述第1动作的特定时序，对所述第6导电层供给具有负极性的第3电压。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中
在所述第1动作的第1时序，对所述第2导电层供给所述写入路径电压，对所述第3导电层供给所述编程电压，对作为所述多个第1导电层中的一个的第7导电层供给所述写入路径电压，在所述第1动作的第2时序，对所述第2导电层供给所述写入路径电压，对所述第3导电层供给所述写入路径电压，对所述第7导电层供给所述编程电压。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述多个第1导电层包含第8导电层，所述第8导电层比所述第3导电层及所述第7导电层更接近所述第2半导体层，在所述第1时序，对所述第8导电层供给具有负极性的第3电压，在所述第2时序，对所述第8导电层供给所述第3电压。10.根据权利要求1所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述半导体存储装置具备第3半导体层，所述第3半导体层设置在所述第2半导体层与所述多个第1导电层之间，与所述多个第1半导体层对向，所述第2半导体层包含n型杂质。11.一种半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在与所述衬底的表面交叉的第1方向；多个第1半导体层，在所述第1方向上延伸，与所述多个第1导电层对向；第2半导体层，是所述衬底的一部分，连接在所述多个第1半导体层的所述第1方向的一端部；及电荷累积层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第1半导体层之间；且在编程动作的特定时序，对作为所述多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或小于所述编程电压的写入路径电压，在所述调整方法中执行第1动作及第2动作，所述第1动作是对所述第2导电层供给所述写入路径电压，并对作为所述多个第1导电层中的一个的第3导电层供给所述编程电压，所述第2动作是对所述第2导电层供给小于所述写入路径电压的验证电压，并对所述第3导电层供给小于所述编程电压的电压。12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其重复执行所述第1及所述第2动作。13.根据权利要求11所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中若将所述多个第1导电层中，最接近所述第2半导体层的多个第1导电层设为多个第4导电层，则在所述编程动作的特定时序，对所述多个第4导电层供给小于所述写入路径电压的电压，所述第3导电层是所述多个第4导电层中的一个。
14.根据权利要求13所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中在所述第1动作及所述第2动作中，对所述第2半导体层供给小于所述验证电压的第1电压。15.根据权利要求11所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中若将所述多个第1导电层中，最远离所述第2半导体层的多个第1导电层设为多个第5导电层，则在所述第1动作中，对所述多个第5导电层供给小于所述验证电压的第2电压。16.根据权利要求11所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述半导体存储装置具备多条位线，所述位线连接在所述多个第1半导体层的所述第1方向的另一端部，在所述第1动作的特定时序，对作为所述多条位线中的一个的第1位线、及作为所述多条位线中的一个的第2位线供给不同电压。17.根据权利要求16所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述多个第1导电层包含比所述第3导电层更接近所述第2半导体层的第6导电层，在所述第1动作的特定时序，对所述第6导电层供给具有负极性的第3电压。18.根据权利要求11所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中在所述第1动作的第1时序，对所述第2导电层供给所述写入路径电压，对所述第3导电层供给所述编程电压，对作为所述多个第1导电层中的一个的第7导电层供给所述写入路径电压，在所述第1动作的第2时序，对所述第2导电层供给所述写入路径电压，对所述第3导电层供给所述写入路径电压，对所述第7导电层供给所述编程电压。19.根据权利要求18所述的半导体存储装置的动作条件的调整方法，其中所述多个第1导电层包含第8导电层，所述第8导电层比所述第3导电层及所述第7导电层更接近所述第2半导体层，在所述第1时序，对所述第8导电层供给具有负极性的第3电压，在所述第2时序，对所述第8导电层供给所述第3电压。

技术总结
实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置的动作条件的调整方法。实施方式的半导体存储装置的动作条件的调整方法与半导体存储装置相关，所述半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在与衬底的表面交叉的方向；多个第1半导体层，与多个第1导电层对向；第2半导体层，连接在多个第1半导体层的一端部；及电荷累积层，设置在多个第1导电层与多个第1半导体层之间。在编程动作的特定时序，对作为多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或写入路径电压。在所述调整方法中执行第1动作及第2动作，所述第1动作是对第2导电层供给写入路径电压，并对作为多个第1导电层中的一个的第3导电层供给编程电压，所述第2动作是对第2导电层供给小于写入路径电压的验证电压，并对第3导电层供给小于编程电压的电压。并对第3导电层供给小于编程电压的电压。并对第3导电层供给小于编程电压的电压。


技术研发人员：铃木慎二
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：2021.02.08
技术公布日：2022/2/23