对准图形的制作方法

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种对准图形。


背景技术：

2.由于半导体器件已进入纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，这对多层图案化工艺提出了更高的要求。例如，在不同层上分别设置图案化的小器件要求各层之间的对准(overlay)精准，要求相邻层之间的对准误差(overlay error)达到预设的范围，且对准误差直接影响制成的晶圆的产品质量，甚至影响制成半导体器件的良品率。
3.然而，传统的各种对准图形在实际应用的过程中总是难以达到预期的要求。一方面，为了减小晶圆表面的切割道(scribe line)的宽度，对准图形需要交错地分布于晶圆的表面，在相邻的曝光场同时曝光的情况下会使得对准图形承受的曝光的强度较高，影响对准图形的图像质量，从而影响对准图形的对准效果。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述背景技术中的技术问题提供一种对准图形，能够减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
5.为了实现上述目的及其他目的，本技术提供了一种对准图形，包括：
6.透光区域；
7.第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；
8.其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
9.于上述实施例中的对准图形中，通过设置对准图形中的第一不透光区域与透光区域位于同一平面上，且所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域，并设置所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积。相对于传统的对准图形，本技术通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
10.在其中一个实施例中，所述第一不透光区域包括：
11.第一子矩形区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行；
12.多个间隔排布的第二子矩形区域，沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对
的两侧；
13.多个间隔排布的第三子矩形区域，沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；
14.其中，所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行。
15.于上述实施例中的对准图形中，通过设置所述第一不透光区域包括位于所述第一矩形区域的中部的第一子矩形区域，并设置任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行，以便于通过所述第一子矩形区域实现对准；通过设置多个间隔排布的第二子矩形区域沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，并设置多个间隔排布的第三子矩形区域沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行，在相对增加所述第一不透光区域的面积的情况下，便于通过所述第一子矩形区域、所述第二子矩形区域及所述第三子矩形区域实现精准对准。
16.在其中一个实施例中，各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧；及/或
17.各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。
18.于上述实施例中的对准图形中，通过设置各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧，及/或各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧，在降低了对准图形设计的复杂度的同时，便于提高所述对准图形的对准精度。
19.在其中一个实施例中，位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第二子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm，且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm；及/或
20.位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第三子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm；且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。
21.在其中一个实施例中，还包括：
22.第二不透光区域，环绕所述第一矩形区域设置，所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域；
23.其中，任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。
24.于上述实施例中的对准图形中，在所述第一矩形区域的外侧环绕设置第二不透光区域；设置所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域，并设置任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行，在相对增加第二矩形区域中不透光区域的面积的情况下，便于通过所述对准图形实现精准地对准。
25.在其中一个实施例中，任一所述第二矩形区域的边与相邻的所述第一矩形区域的边之间的距离为0.15μm-0.25μm。
26.在其中一个实施例中，所述透光区域包括：
27.第一矩形透光区域，所述第一矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形区域的延伸方向平行；
28.第二矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域一侧，且与所述第一矩形透光区域具有间距，所述第二矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向相同；
29.第三矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第三矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第三矩形透光区域的长度小于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间的最小间距；
30.第四矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第四矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第四矩形透光区域与所述第三矩形透光区域之间的最小间距大于所述第一矩形透光区域的长度及所述第二矩形透光区域的长度。
31.于上述实施例中的对准图形中，通过设置所述透光区域包括第一矩形透光区域、第二矩形透光区域、第三矩形透光区域及第四矩形透光区域，其中，所述第一矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形区域的延伸方向平行；所述第二矩形透光区域位于所述第一矩形透光区域一侧，且与所述第一矩形透光区域具有间距，所述第二矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向相同；所述第三矩形透光区域位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第三矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第三矩形透光区域的长度小于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间的最小间距；所述第四矩形透光区域位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第四矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第四矩形透光区域与所述第三矩形透光区域之间的最小间距大于所述第一矩形透光区域的长度及所述第二矩形透光区域的长度。本实施例中通过设置透光区域中包括对准图案，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
32.在其中一个实施例中，所述第一矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第一矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；
33.所述第二矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第二矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；
34.所述第三矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第三矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；
35.所述第四矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第四矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm。
36.在其中一个实施例中，所述透光区域包括：
37.第一正方形透光区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一正方形透光区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。
38.于上述实施例中的对准图形中，通过设置所述透光区域包括位于所述第一矩形区域的中部第一正方形透光区域，并设置任一所述第一正方形透光区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。本实施例中通过设置透光区域中包括正方形的对准图案，在降低对准图案设计复杂度的同时，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
39.在其中一个实施例中，所述第一正方形透光区域的边长为9.5μm-16.5μm。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为本技术一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图；
42.图2为本技术另一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图；
43.图3为本技术又一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图；
44.图4为本技术再一实施例中提供的一种对准图形的俯视图示意图；
45.图5为现有技术中的一种对准图形的俯视图示意图。
46.附图标记说明：
47.100、第一矩形区域；10、第一子矩形区域；20、第二子矩形区域；30、第三子矩形区域；40、第二不透光区域；200、第二矩形区域；301、第一矩形透光区域；302、第二矩形透光区域；303、第三矩形透光区域；304、第四矩形透光区域；401、第一正方形透光区域；50、第二正方形透光区域；500、矩形状的对准图形；501、第一子矩形不透光区域；502、第二子矩形不透光区域；503、第三子矩形不透光区域；504、第四子矩形不透光区域。
具体实施方式
48.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
49.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。另外，贯穿说明书和跟随的权利要求中所使用的某些术语指代特定元件。本领域的技术人员会理解为，制造商可以用不同的名字指代元件。本文件不想要区分名字不同但是功能相同的元件。在以下的描述和实施例中，术语“包含”和“包括”都是开放式使用的，因此应该解读为“包含，但不限于
……”
。同样，术语“连接”想要表达间接或直接的电气连接。相应地，如果一个设备被连接到另一个设备上，连接可以通过直接的电气连接完成，或者通过其他设备和连接件的间接电气连接完成。
50.应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱
离本技术的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
51.需要说明书的是，本技术中的“透光”指得是光线的透过率大于或等于预设的最低阈值；本技术中的“不透光”指得是光线的透过率小于或等于预设的最高阈值。
52.在本技术的一个实施例中，提供的一种对准图形，包括透光区域及第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。
53.具体地，于上述实施例中的对准图形中，通过设置对准图形中的第一不透光区域与透光区域位于同一平面上，且所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域，并设置所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积。相对于传统的对准图形，本技术通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
54.进一步地，请参考图1，在本技术的一个实施例中，提供的一种对准图形，包括透光区域(图1中未示出)及第一不透光区域(图1中未示出)，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域100。所述第一不透光区域包括第一子矩形区域10、多个间隔排布的第二子矩形区域20及多个间隔排布的第三子矩形区域30，第一子矩形区域10位于第一矩形区域100的中部，任一第一子矩形区域10的边与第一矩形区域10的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域10的另外两条相对的边均平行；多个间隔排布的第二子矩形区域20沿第一方向例如图1所示的x方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧；多个间隔排布的第三子矩形区域30沿第二方向例如图1所示的y方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；其中，第二子矩形区域20的延伸方向与第三子矩形区域30的延伸方向平行。
55.具体地，请继续参考图1，通过设置所述第一不透光区域包括位于第一矩形区域100的中部的第一子矩形区域10，并设置任一第一子矩形区域10的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行，以便于通过第一子矩形区域10实现对准；通过设置多个间隔排布的第二子矩形区域20沿第一方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，并设置多个间隔排布的第三子矩形区域30沿第二方向分布于第一子矩形区域10的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直，且第二子矩形区域20的延伸方向与第三子矩形区域30的延伸方向平行，在相对增加第一矩形区域100中的不透光区域的面积的情况下，便于通过第一子矩形区域10、第二子矩形区域20及第三子矩形区域30实现精准对准。
56.作为示例，请继续参考图1，各第二子矩形区域20对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧。
57.作为示例，请继续参考图1，各第三子矩形区域30对称地分布于第一子矩形区域10
的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。
58.于上述实施例中的对准图形中，请继续参考图1，通过设置各第二子矩形区域20对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧，及/或各第三子矩形区域30对称地分布于第一子矩形区域10的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧，在降低了对准图形设计的复杂度的同时，便于提高所述对准图形的对准精度。
59.作为示例，请继续参考图1，在本技术的一个实施例中，位于第一子矩形区域10同侧的各第二子矩形区域20的宽度为0.05μm-0.25μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的各第二子矩形区域20的宽度可以为0.1μm或0.2μm；且位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第二子矩形区域20之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第二子矩形区域20之间的最小距离值可以为0.2μm或0.4μm。
60.作为示例，请继续参考图1，在本技术的一个实施例中，位于第一子矩形区域10同侧的各第三子矩形区域30的宽度为0.05μm-0.25μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的各第三子矩形区域30的宽度可以为0.1μm或0.2μm；且位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第三子矩形区域30之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm，例如，位于第一子矩形区域10同侧的相邻的第三子矩形区域30之间的最小距离值可以为0.2μm或0.4μm。
61.进一步地，请参考图2，在本技术的一个实施例中，提供的一种对准图形，还包括第二不透光区域40，第二不透光区域40环绕第一矩形区域100设置，第二不透光区域40在所述平面的正投影，与第一矩形区域100在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域200；其中，任一第二矩形区域200的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。
62.具体地，于上述实施例中的对准图形中，请参考图2，在第一矩形区域100的外侧环绕设置第二不透光区域40；设置第二不透光区域40在所述平面的正投影，与第一矩形区域100在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域200，并设置任一第二矩形区域200的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行，在相对增加第二矩形区域200中不透光区域的面积的情况下，便于通过所述对准图形实现精准地对准。
63.作为示例，请继续参考图2，在本技术的一个实施例中，任一第二矩形区域200的边与相邻的第一矩形区域100的边之间的距离为0.15μm-0.25μm，例如，任一第二矩形区域200的边与相邻的第一矩形区域100的边之间的距离可以为0.2μm。
64.进一步地，请参考图3，在本技术的一个实施例中，提供的一种对准图形，所述透光区域包括第一矩形透光区域301、第二矩形透光区域302、第三矩形透光区域303及第四矩形透光区域304，第一矩形透光区域301的延伸方向与第一矩形区域100的延伸方向平行；第二矩形透光区域302位于第一矩形透光区域301一侧，且与第一矩形透光区域301具有间距，第二矩形透光区域302的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向相同；第三矩形透光区域303位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第三矩形透光区域303的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第三矩形透光区域303的长度小于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间的最小间距；第四矩形透光区域304位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第四矩形透光区域304的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第四矩形透光区域304与第三矩形透光区域303之
间的最小间距大于第一矩形透光区域301的长度及第二矩形透光区域302的长度。
65.具体地，请继续参考图3，通过设置透光区域包括第一矩形透光区域301、第二矩形透光区域302、第三矩形透光区域303及第四矩形透光区域304，其中，第一矩形透光区域301的延伸方向与第一矩形区域100的延伸方向平行；第二矩形透光区域302位于第一矩形透光区域301一侧，且与第一矩形透光区域301具有间距，第二矩形透光区域302的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向相同；第三矩形透光区域303位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第三矩形透光区域303的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第三矩形透光区域303的长度小于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间的最小间距；第四矩形透光区域304位于第一矩形透光区域301与第二矩形透光区域302之间，第四矩形透光区域304的延伸方向与第一矩形透光区域301的延伸方向垂直，且第四矩形透光区域304与第三矩形透光区域303之间的最小间距大于第一矩形透光区域301的长度及第二矩形透光区域302的长度。本实施例中通过设置透光区域中包括对准图案，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域100中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
66.作为示例，请继续参考图3，在本技术的一个实施例中，第一矩形透光区域301的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第一矩形透光区域301的长度值可以为6μm或8μm，第一矩形透光区域301的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第一矩形透光区域301的宽度值可以为0.8μm或1μm；第二矩形透光区域302的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第二矩形透光区域302的长度值可以为6μm或8μm，所述第二矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第二矩形透光区域302的宽度值可以为0.8μm或1μm；第三矩形透光区域303的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第三矩形透光区域303的长度值可以为6μm或8μm，第三矩形透光区域303的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第三矩形透光区域303的宽度值可以为0.8μm或1μm；第四矩形透光区域304的长度值为5.5μm-8.5μm，例如，第四矩形透光区域304的长度值可以为6μm或8μm，第四矩形透光区域304的宽度值为0.75μm-1.05μm，例如，第四矩形透光区域304的宽度值可以为0.8μm或1μm。第一矩形透光区域、第二矩形透光区域、第三透光区域和第四矩形透光区域的长度和宽度可以相同，也可以不同，可以自由组合。
67.进一步地，请参考图4，在本技术的一个实施例中，提供的一种对准图形，所述透光区域包括第一正方形透光区域401，第一正方形透光区域401位于第一矩形区域100的中部，任一第一正方形透光区域401的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。
68.具体地，请继续参考图4，通过设置所述透光区域包括位于第一矩形区域100中部的第一正方形透光区域401，并设置任一第一正方形透光区域401的边与第一矩形区域100的两条相对的边均垂直，且与第一矩形区域100的另外两条相对的边均平行。本实施例中通过设置透光区域中包括正方形的对准图案，在降低对准图案设计复杂度的同时，便于通过该对准图案实现精准对准，并设置第一矩形区域中透光区域外的区域为不透光区域，以相对增加对准图形中不透光区域的面积。
69.作为示例，请继续参考图4，在本技术的一个实施例中，第一正方形透光区域401的边长为9.5μm-16.5μm，例如，第一正方形透光区域401的边长可以为10μm、12μm、14μm或16μm。
70.图5为现有技术中的一种矩形状的对准图形500，矩形状的对准图形500包括位于矩形状的对准图形500中部的第二正方形透光区域50、第一子矩形不透光区域501、第二子矩形不透光区域502、第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504，第一子矩形不透光区域501、第二子矩形不透光区域502、第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504环绕间隔分布于第二正方形透光区域50的四周，且与第二正方形透光区域50均具有间距；第一子矩形不透光区域501的延伸方向与第二子矩形不透光区域502的延伸方向平行，且第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502分布于第二正方形透光区域50的相对的两侧，第三子矩形不透光区域503及第四子矩形不透光区域504分布于第二正方形透光区域50的另外相对的两侧，第三子矩形不透光区域503的延伸方向与第四子矩形不透光区域504的延伸方向平行，且第三子矩形不透光区域503的延伸方向与第一子矩形不透光区域501的延伸方向垂直；第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504均位于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间，第三子矩形不透光区域503的长度小于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间的最小间距，且第四子矩形不透光区域504的长度小于第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502之间的最小间距；第一子矩形不透光区域501与第二子矩形不透光区域502均位于第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504之间，第三子矩形不透光区域503与第四子矩形不透光区域504之间的最小间距大于第一子矩形不透光区域501的长度及第二子矩形不透光区域502的长度；第二正方形透光区域50的任一边与矩形状的对准图形500的两条相对的边均平行，且与矩形状的对准图形500的另外两条相对的边均垂直；第一子矩形不透光区域501的延伸方向与第二正方形透光区域50的两条相对的边均平行，第三子矩形不透光区域503的延伸方向与第二正方形透光区域50的另外两条相对的边均平行。通过将图1、图2、图3及图4中的不透光区域的面积分别与图5中的不透光区域的面积进行对比，可以发现，图1、图2、图3及图4中均相对地增加了对准图形中的不透光区域的面积，从而减少了芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
71.具体地，例如，当dnw层的光阻厚度较高时，dnw层所需的曝光能量相对较高，会使得相邻的曝光场之间的曝光强度相互影响，导致对准图形承受的曝光的光强较高。而本技术中通过相对地增加了对准图形中的不透光区域的面积，从而减少了芯片接收光的光强，有效地避免了在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
72.请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本发明的限制。
73.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
74.上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
75.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本
申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。