对准图形的制作方法

技术特征：
1.一种对准图形，其特征在于，包括：透光区域；第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。2.根据权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一不透光区域包括：第一子矩形区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一子矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行；多个间隔排布的第二子矩形区域，沿第一方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧；多个间隔排布的第三子矩形区域，沿第二方向分布于所述第一子矩形区域的相对的两侧，所述第一方向与所述第二方向垂直；其中，所述第二子矩形区域的延伸方向与所述第三子矩形区域的延伸方向平行。3.根据权利要求2所述的对准图形，其特征在于，各所述第二子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第二方向延伸的对称轴的两侧；及/或各所述第三子矩形区域对称地分布于所述第一子矩形区域的沿所述第一方向延伸的对称轴的两侧。4.根据权利要求2或3所述的对准图形，其特征在于：位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第二子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm，且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第二子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm；及/或位于所述第一子矩形区域同侧的各所述第三子矩形区域的宽度为0.05μm-0.25μm；且位于所述第一子矩形区域同侧的相邻的所述第三子矩形区域之间的最小距离值为0.15μm-0.45μm。5.根据权利要求1-3任一项所述的对准图形，其特征在于，还包括：第二不透光区域，环绕所述第一矩形区域设置，所述第二不透光区域在所述平面的正投影，与所述第一矩形区域在所述平面的正投影无重叠且组成第二矩形区域；其中，任一所述第二矩形区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。6.根据权利要求5所述的对准图形，其特征在于，任一所述第二矩形区域的边与相邻的所述第一矩形区域的边之间的距离为0.15μm-0.25μm。7.根据权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述透光区域包括：第一矩形透光区域，所述第一矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形区域的延伸方向平行；第二矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域一侧，且与所述第一矩形透光区域具有间距，所述第二矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向相同；第三矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述
第三矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第三矩形透光区域的长度小于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间的最小间距；第四矩形透光区域，位于所述第一矩形透光区域与所述第二矩形透光区域之间，所述第四矩形透光区域的延伸方向与所述第一矩形透光区域的延伸方向垂直，且所述第四矩形透光区域与所述第三矩形透光区域之间的最小间距大于所述第一矩形透光区域的长度及所述第二矩形透光区域的长度。8.根据权利要求7所述的对准图形，其特征在于，所述第一矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第一矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；所述第二矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第二矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；所述第三矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第三矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm；所述第四矩形透光区域的长度值为5.5μm-8.5μm，所述第四矩形透光区域的宽度值为0.75μm-1.05μm。9.根据权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述透光区域包括：第一正方形透光区域，位于所述第一矩形区域的中部，任一所述第一正方形透光区域的边与所述第一矩形区域的两条相对的边均垂直，且与所述第一矩形区域的另外两条相对的边均平行。10.根据权利要求9所述的对准图形，其特征在于，所述第一正方形透光区域的边长为9.5μm-16.5μm。

技术总结
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种对准图形，包括：透光区域；第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影，与所述透光区域在所述平面的正投影无重叠且组成第一矩形区域。相对于传统的对准图形，本申请通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。图像质量的情况。图像质量的情况。


技术研发人员：汪美里
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.08.14
技术公布日：2022/2/23