显示面板以及用于制造该显示面板的方法与流程

1.本公开涉及一种显示面板以及一种用于制造该显示面板的方法。


背景技术：

2.随着面向信息的社会的进步，对于用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多需求。例如，显示装置用于诸如智能电话、数字相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置中。显示装置可以包括诸如液晶显示面板、场发射显示面板和发光显示面板等的平板显示面板。发光显示面板可以是包括有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示面板、包括无机半导体作为发光元件的无机发光显示面板或者包括微发光二极管或纳米发光二极管作为发光元件的微发光二极管显示面板。
3.在制造工艺期间，为了保护显示面板的在其上显示图像的顶表面，上保护膜可以被附接到显示面板的顶表面上。气泡可能由于显示面板的顶表面上的金属线之间的水平差而存在于上保护膜与显示面板之间。
4.在附接了上保护膜之后，可以执行显示面板的图像质量检查。在图像质量检查中，可以在视觉上识别由于气泡引起的显示面板的图像质量缺陷。然而，可能难以确定图像质量缺陷是否是由于气泡引起的图像质量缺陷或者是显示面板的图像质量缺陷。


技术实现要素：

5.本公开的一些实施例的方面提供了一种可以防止在图像质量检查中视觉识别到由于气泡引起的图像质量缺陷的显示面板。
6.本公开的一些实施例的方面提供了一种用于制造显示面板的方法，其可以防止在图像质量检查中视觉识别到由于气泡引起的图像质量缺陷。
7.然而，本公开的实施例不限于本文所阐述的那些。本公开的以上和其他实施例将通过参照以下所给出的本公开的详细描述而对于本公开所属领域的普通技术人员变得更明显。
8.根据本公开的一些实施例，提供了一种显示面板，包括：基板；在基板的显示区域中并且被配置为发光的发光元件；在发光元件上的有机封装层；在基板的非显示区域中的第一挡坝；以及有机图案，在基板的非显示区域中第一挡坝外部彼此间隔开，并且包括彼此邻近的第一有机图案和第二有机图案且具有在第一有机图案与第二有机图案之间的间隙。
9.有机图案可以沿着基板的边缘排列。
10.有机图案可以包括有机材料。
11.第一有机图案在一个方向上的长度可以大于间隙在该一个方向上的长度。
12.基板可以包括第一侧边、第二侧边以及在第一侧边和第二侧边相交处的拐角，其中，有机图案在拐角处。
13.显示面板可以进一步包括：在非显示区域中第一挡坝的内侧内并且在有机封装层上的触摸线。
14.显示面板可以进一步包括在触摸线上并且接触触摸线的偏光膜。
15.显示面板可以进一步包括在基板上并且在显示区域中的像素晶体管；在像素晶体管上的第一平坦化层；以及在第一平坦化层上的第二平坦化层。
16.显示面板可以进一步包括堤坝，其中，发光元件中的每一个发光元件包括在第二平坦化层上的像素电极；在像素电极上的发光层；以及在发光层上的公共电极，并且其中，堤坝在像素电极上。
17.有机图案中的每一个有机图案可以包括具有与第一平坦化层相同的材料的第一子图案。
18.有机图案中的每一个有机图案可以包括在第一子图案上并且具有与第二平坦化层相同的材料的第二子图案。
19.有机图案中的每一个有机图案可以包括在第二子图案上并且具有与堤坝相同的材料的第三子图案。
20.第一挡坝可以包括：具有与第一子图案相同的材料的第一子挡坝；在第一子挡坝上并且具有与第二子图案相同的材料的第二子挡坝；以及在第二子挡坝上并且具有与第三子图案相同的材料的第三子挡坝。
21.显示面板可以进一步包括在基板的非显示区域中在第一挡坝与有机图案之间的第二挡坝，其中，第二挡坝包括具有与第一子图案相同的材料的第一子挡坝；在第一子挡坝上并且具有与第二子图案相同的材料的第二子挡坝；在第二子挡坝上并且具有与第三子图案相同的材料的第三子挡坝；以及在第三子挡坝上的第四子挡坝。
22.显示面板可以进一步包括在堤坝上并具有与第四子挡坝相同的材料的间隔件。
23.有机封装层可以在第一挡坝上，并且不在有机图案上。
24.根据本公开的一些实施例，提供了一种用于制造显示面板的方法，该方法包括：将上保护膜附接到母基板的第一表面；将下支撑构件从母基板的底表面分离；将下保护膜附接到母基板的底表面；通过沿着第一切割线切割母基板而形成显示单元；将上保护膜从显示单元分离；以及将偏光膜附接到显示单元的第一表面，其中，显示单元包括用于将上保护膜的气泡排出到外部的通道。
25.显示单元可以进一步包括在一个方向上延伸并且在与该一个方向交叉的另一方向上排列的有机图案。
26.通道可以在有机图案之中的彼此邻近的第一有机图案与第二有机图案之间。
27.下保护膜到母基板的底表面的附接可以在使用显示单元中的每一个显示单元上的第一对准标记对准下保护膜之后执行。
28.第一对准标记可以不与通道重叠。
29.第一对准标记可以与有机图案重叠。
30.显示单元的通过沿着第一切割线切割母基板的形成可以包括使用在显示单元中的每一个显示单元上的第二对准标记切割母基板。
31.第二对准标记可以不与通道重叠。
32.第二对准标记可以与有机图案重叠。
33.根据本公开的前述和其他实施例，作为从显示面板的边缘至显示单元的外部的空气通道的气泡排出通道可以由气泡排出图案限定。因此，当在气泡去除工艺中向显示单元
施加压力(例如，预定压力)时，位于显示面板的顶表面与上保护膜之间的气泡可以通过气泡排出通道排出到显示单元的外部。因此，因为可以消除位于显示面板的顶表面与上保护膜之间的气泡，所以可以减少或防止在图像质量检查中在视觉上识别到由于气泡引起的图像质量缺陷。
34.根据本公开的前述和其他实施例，当用于平坦化由于触摸线引起的台阶部分的绝缘层不位于触摸线上时，尽管气泡可以出现在显示单元与上保护膜之间，但是气泡可以通过气泡排出通道排出到显示单元的外部。因此，因为可以省略形成用于平坦化由于触摸线引起的台阶部分的绝缘层的工艺，所以可以减少制造成本。
附图说明
35.通过参照附图描述本公开的实施例，本公开的以上和其他实施例和特征将变得更明显，其中：
36.图1是图示根据一些实施例的用于制造显示面板的方法的流程图；
37.图2是示出根据一些实施例的将上保护膜附接到母基板的顶表面的视图；
38.图3是示出根据一些实施例的在母基板的底表面上照射激光的视图；
39.图4a是示出根据一些实施例的母基板、上保护膜和下保护膜的图；
40.图4b是图示根据一些实施例的显示单元、偏光膜和下保护膜的图；
41.图5是示出根据一些实施例的母基板的布局图；
42.图6是图示沿着图5中所示的第一切割线切割的显示单元的示例的布局图；
43.图7和图8是图示沿着图6中所示的第二切割线切割的显示面板的示例的布局图；
44.图9是详细示出图5的区域a的示例的布局图；
45.图10是详细示出图6的区域b的示例的布局图；
46.图11是详细示出图7的区域c的示例的布局图；
47.图12是图示沿着图10的线i-i’截取的显示单元的示例的截面图；
48.图13是图示沿着图10的线ii-ii’截取的显示单元的示例的截面图；
49.图14是图示沿着图10的线ii-ii’截取的显示单元的又一示例的截面图；
50.图15是图示沿着图11的线iii-iii’截取的显示面板的示例的截面图；
51.图16是图示沿着图11的线iv-iv’截取的显示面板的示例的截面图；
52.图17是详细示出图5的区域d的示例的布局图；并且
53.图18是详细示出图6的区域e的示例的布局图。
具体实施方式
54.通过参照实施例的详细描述和附图可以更易于理解本公开的一些实施例的方面以及实现其的方法。下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所述实施例可以以各种不同形式体现，并且不应该被解释为仅限于本文所图示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例以便本公开将是透彻的和全面的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员全面理解本公开的方面不是必需的工艺、元件和技术。
55.除非另外指出，否则贯穿附图和书面描述，相同的附图标记、字符或其组合表示相
同的元件，并且因此，将不重复其描述。进一步，可以不示出与实施例的描述不相关的部分以使得描述清楚。
56.在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以阐明邻近的元件之间的边界。因而，交叉影线或阴影的存在或缺失不传达或指示对于特定材料、材料性质、尺寸、比例、所图示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求，除非指定。
57.本文参照作为实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图来描述各个实施例。因而，预期了作为例如制造技术和/或公差的结果的来自所图示的形状的变化。进一步，为了描述根据本公开的构思的实施例的目的，本文所公开的具体结构或功能描述仅是说明性的。因此，本文所公开的实施例不应该被解释为限制于区域的特定图示形状，而是要包括由例如制造所导致的形状偏差。
58.例如，图示为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区域至非注入区域的二元变化。同样，由注入所形成的掩埋区域可以在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中导致一些注入。因此，附图中所图示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意在图示装置的区域的真实形状并且不意在限制。此外，如本领域技术人员将认识到的，所述实施例可以以各种不同方式修改，所有修改都不脱离本公开的精神或范围。
59.在详细描述中，为了解释的目的，阐述了数个具体细节以提供各个实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等价设置的情况下实践各个实施例。在其他情况下，以框图形式示出众所周知的结构和装置，以便于避免不必要地模糊各个实施例。
60.本文可以为了方便解释而使用诸如“下方”、“下面”、“下”、“之下”、“上面”和“上”等的空间相对术语以描述如图中所图示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解，除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语意在包括装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其他元件或特征“下”或“下方”或“之下”的元件将随后被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，示例术语“下面”和“之下”可以包括上面和下面的定向两者。装置可以另外定向(例如，旋转90度或按照其他定向)，并且本文使用的空间相对描述符应被相应地解释。类似地，当第一部件被描述为设置在第二部件“上”时，这指示第一部件被设置在第二部件的上侧或下侧处而不基于重力方向限于其上侧。
61.进一步，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在截面图上”意味着从侧面观看通过垂直地切割目标部分所形成的截面。
62.将理解，当元件、层、区域或部件被称为“形成”在另一元件、层、区域或部件“上”、在另一元件、层、区域或部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区域或部件时，它可以直接形成在该另一元件、层、区域或部件上、在该另一元件、层、区域或部件上、连接到或耦接到该另一元件、层、区域或部件，或者间接形成在该另一元件、层、区域或部件上、间接在该另一元件、层、区域或部件上、间接连接到或间接耦接到该另一元件、层、区域或部件，使得可以存在一个或多个居间元件、层、区域或部件。例如，当层、区域或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区域或部件时，它可以直接电连接或直接电耦接到该另一层、区域和/或部件，或者可以存在居间层、区域或部件。然而，“直接连接/直接耦接”指一个部件
直接连接或直接耦接另一部件而没有中间部件。同时，诸如“在
…
之间”、“紧接在
…
之间”或“与
…
邻近”和“与
…
紧邻”的描述部件之间的关系的其他表述可以类似地被解释。此外，也将理解，当元件或层被称为在两个元件或层之间时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
63.为了本公开的目的，当在元件列表之后时，诸如“中的至少一个”的表述修饰整个元件列表而不修饰列表的单个元件。例如，“x、y和z中的至少一个”、“x、y或z中的至少一个”和“选自由x、y和z构成的群组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如，xyz、xyy、yz和zz，或者其任何变形。类似地，诸如“a和b中的至少一个”的表述可以包括a、b或者a和b。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项中的一个或多个的任何和全部组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
64.将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文用于描述各个元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应该受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或区段可以被称作第二元件、部件、区域、层或区段而不脱离本公开的精神和范围。
65.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以被以更宽泛的含义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。同样适用于第一、第二和/或第三方向。
66.本文所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的并且不意在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”意在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“具有”和“包含”规定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。
67.如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且意在考虑将由本领域普通技术人员认识到的测量或计算的值的固有偏差。考虑到讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文所使用的，“大约”或“近似”包括所述值并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的
±
30％、20％、10％、5％内。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或多个实施例”。
68.当可以不同地实现一个或多个实施例时，可以与所述顺序不同地执行具体工序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。
69.此外，本文公开和/或记载的任何数值范围意在包括归入所记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意在包括1.0的所记载的最小值与10.0的所记载的最大值之间(并且包括)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如，例如，2.4至7.6。本文所记载的任何最大数限制意在包括归入其中的所有更低数限制，并且本说明书中所记载的任何最小数限制意在包括归入其中的所有更高数限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确
地记载归入本文明确地记载的范围内的任何子范围。
70.根据本文所述的本公开的实施例的电子装置或电气装置和/或任何其他相关装置或部件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件与硬件的组合而实现。例如，这些装置的各个部件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或者在独立的ic芯片上。进一步，这些装置的各个部件可以实现在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上，或者形成在一个基板上。
71.进一步，这些装置的各个部件可以是运行在一个或多个计算装置中的执行计算机程序指令并且与其他系统部件交互的一个或多个处理器上的、用于执行本文描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用标准存储器装置(诸如，例如，随机存取存储器(ram))在计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其他非瞬态计算机可读介质(诸如，例如，cd-rom或闪存驱动等)中。此外，本领域技术人员应该认识到，各个计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多个其他计算装置分布而不脱离本公开的实施例的精神和范围。
72.除非另外限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应该被解释为具有与在相关领域和/或本说明书的上下文中它们的含义一致的含义，并且不应该被以理想化或过度正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
73.图1是图示根据一些实施例的用于制造显示面板的方法的流程图。图2是示出根据一些实施例的将上保护膜附接到母基板的顶表面的视图。图3是示出根据一些实施例的在母基板的底表面上照射激光的视图。图4a是示出根据一些实施例的母基板、上保护膜和下保护膜的图。图4b是图示根据一些实施例的显示单元、偏光膜和下保护膜的图。图5是示出根据一些实施例的母基板的布局图。图6是图示沿着图5中所示的第一切割线切割的显示单元的示例的布局图。图7和图8是图示沿着图6中所示的第二切割线切割的显示面板的示例的布局图。
74.下文中，将参照图1至图8描述根据一些实施例的用于制造显示面板的方法。
75.首先，如图2中所示，上保护膜upf被附接到母基板bs的顶表面(图1中的操作s100)。
76.母基板bs可以位于第一工作台sta1上。母基板bs可以固定到第一工作台sta1。在此情况下，母基板bs的顶表面可以面朝下。
77.上保护膜upf可以固定到第二工作台sta2。上保护膜upf的粘合表面可以面向母基板bs的顶表面。上保护膜upf可以在被辊rol挤压时被附接到母基板bs的顶表面，同时从一端至另一端顺序地从第二工作台sta2分离。
78.其次，如图3和图4a中所示，附接到母基板bs的底表面的下支撑构件bsm从母基板bs分离，并且下保护膜bpf被附接到母基板bs的底表面(图1中的操作s200)。
79.下支撑构件bsm可以由玻璃或塑料制成。可以清洁下支撑构件bsm的底表面以从下支撑构件bsm的底表面去除异物。当异物存在于下支撑构件bsm的底表面上时，激光l可以被异物散射。在此情况下，不由激光l降低母基板bs与下支撑构件bsm之间的界面处的粘合强度可能是合适的，这可能使得分离下支撑构件bsm更加困难。
80.在清洁了下支撑构件bsm的底表面之后，激光l照射到下支撑构件bsm的底表面上。随后，下支撑构件bsm从母基板bs分离。随后，下保护膜bpf可以被附接到母基板bs的底表面。附接下保护膜bpf的方法可以类似于参照图2所述的附接上保护膜upf的方法。下保护膜bpf的粘合强度可以高于上保护膜upf的粘合强度。
81.第三，如图5和图6中所示，母基板bs可以被沿着第一切割线cl1切割以将母基板bs划分为多个显示单元dc(图1中的操作s300)。
82.如图5中所示，母基板bs可以包括由第一切割线cl1分隔的多个显示单元dc。多个显示单元dc可以在第一方向(x轴方向)和第二方向(y轴方向)上排列。
83.如图5和图6中所示，多个显示单元dc中的每一个包括由第二切割线cl2分隔的显示面板dp。此外，如图6中所示，多个显示单元dc中的每一个可以包括用于将电压施加到显示面板dp的布线的测试焊盘区域teg。
84.测试焊盘区域teg可以包括电连接到显示面板dp的显示焊盘pd的测试焊盘。因此，施加到测试焊盘区域teg中的测试焊盘的电压可以通过显示面板dp的显示焊盘pd被施加到布线。
85.可以使用激光切割母基板bs，但是不限于此。例如，可以使用能够切割玻璃或塑料的切割单元切割母基板bs。
86.此外，为了消除形成在显示单元dc底表面与下保护膜bpf之间的气泡，可以添加空隙去除工艺，在空隙去除工艺中，在一温度(例如，预定温度)下向显示单元dc施加一时段(例如，预定时段)的大气压(例如，预定大气压)。例如，在气泡去除工艺中，可以在近似50℃下向显示单元dc施加一时段(例如，预定时段)的大约8倍大气压(例如，8个大气压)的压力。
87.此外，为了稳定显示单元dc的显示面板dp的驱动，可以通过测试焊盘区域teg向显示面板dp的布线施加(例如，一预定时段)的高电势电压。
88.第四，检查显示单元dc的显示面板dp的图像质量缺陷(图1中的操作s400)。
89.因为测试焊盘区域teg包括电连接到显示面板dp的显示焊盘pd的测试焊盘，所以电压可以通过将电压施加到测试焊盘区域teg中的测试焊盘而被施加到显示面板dp的布线。显示面板dp可以根据施加的电压而显示各种图像。可以检查在由显示面板dp显示的各个图像中是否存在图像质量缺陷。
90.第五，如图4b中所示，从显示单元dc的顶表面分离上保护膜upf，并且偏光膜pf被附接到显示单元dc的顶表面(图1中的操作s500)。
91.上保护膜upf用于在附接偏光膜pf之前的制造工艺期间保护显示单元dc的上部。偏光膜pf可以减少或防止由显示面板dp显示的图像的可见性由于显示面板dp的金属线反射外部光而退化。偏光膜pf可以包括第一基底构件、线性偏光板、诸如λ/4(四分之一波长)板和/或λ/2(半波长)板的相位推延膜以及第二基底构件。附接偏光膜pf的方法可以类似于参照图2所述的附接上保护膜upf的方法。
92.第六，如图7中所示，显示单元dc被沿着第二切割线cl2切割以形成显示面板dp(图1中的操作s600)。
93.显示面板dp可以包括主区域ma和子区域sba。主区域ma可以具有矩形形状，矩形形状具有在第一方向(x轴方向)上延伸的第一侧边和在第二方向(y轴方向)上延伸的第二侧边。图7和图8图示第一侧边的长度小于第二侧边的长度，但是本公开不限于此。第一侧边的
长度可以与第二侧边的长度相同，或者可以大于第二侧边的长度。在第一方向(x轴方向)上的第一侧边和在第二方向(y轴方向)上的第二侧边相交处的拐角可以被倒圆以具有曲率(例如，预定曲率)，但是不限于此。例如，拐角可以基本上是直角。
94.主区域ma可以包括显示图像的显示区域da以及作为显示区域da的外围区域的非显示区域nda。显示区域da可以占据主区域ma的大部分。显示区域da可以位于主区域ma的中心处。显示区域da可以包括像素、在第一方向(x轴方向)上延伸的扫描线以及在第二方向(y轴方向)上延伸的数据线。像素中的每一个连接到扫描线和数据线，并且当扫描信号被施加到扫描线时，它可以从数据线接收数据电压。像素中的每一个可以根据数据电压而使用发光元件发光。
95.非显示区域nda可以定位为与显示区域da邻近。非显示区域nda可以是显示区域da外部的区域。非显示区域nda可以围绕显示区域da。非显示区域nda可以是显示面板dp的边缘区域。
96.子区域sba可以在第二方向(y轴方向)上从主区域ma的一侧突出。子区域sba在第二方向(y轴方向)上的长度可以小于主区域ma在第二方向(y轴方向)上的长度。子区域sba在第一方向(x轴方向)上的长度可以基本上等于或小于主区域ma在第一方向(x轴方向)上的长度。子区域sba可以被弯曲以便于放置在显示面板dp的背表面上或者与显示面板dp的背表面邻近。在此情况下，子区域sba可以在第三方向(z轴方向)上与主区域ma重叠。
97.子区域sba可以包括第一区域a1、第二区域a2以及弯曲区域ba。
98.第一区域a1是在第二方向(y轴方向)上从主区域ma的一侧突出的区域。第一区域a1的一侧可以接触主区域ma的非显示区域nda，并且第一区域a1的另一侧可以接触弯曲区域ba。
99.因为第二区域a2是显示焊盘pd位于其中的区域，所以它可以被称为焊盘区域。第二区域a2的一侧可以接触弯曲区域ba。显示焊盘pd可以使用诸如各向异性导电膜或sap的低电阻高可靠性材料电连接到电路板。
100.弯曲区域ba是用于被弯曲的区域。图7中示出弯曲区域ba未被折叠而未被弯曲。图8中示出弯曲区域ba被弯曲。当弯曲区域ba被弯曲时，第二区域a2可以位于第一区域a1之下并且在主区域ma之下。弯曲区域ba可以位于第一区域a1与第二区域a2之间。弯曲区域ba的一侧可以接触第一区域a1，并且弯曲区域ba的另一侧可以接触第二区域a2。
101.第七，如图8中所示，显示面板dp的弯曲区域ba被弯曲，并且如图7中所示，驱动集成电路200被附接到第二区域a2。
102.当弯曲区域ba被弯曲时，第二区域a2可以位于主区域ma之下。用于将主区域ma接合到第二区域a2的粘合构件可以位于主区域ma与第二区域a2之间。
103.驱动集成电路200可以使用诸如自组装各向异性导电胶(sap)或各向异性导电膜的低电阻高可靠性材料而附接到第二区域a2的驱动焊盘。
104.同时，因为上保护膜upf用于在附接偏光膜pf之前临时地保护显示单元dc的上部，所以上保护膜upf的粘合强度比下保护膜bpf的粘合强度弱。此外，由于位于显示单元dc的顶表面上的布线和电极，顶表面上的水平差或台阶差大于底表面上的水平差，并且顶表面的平坦度低于或小于底表面的平坦度。出于这个原因，与在显示单元dc的底表面和下保护膜bpf之间相比，更多气泡可能存在于显示单元dc的顶表面与上保护膜upf之间。显示单元
dc的底表面与下保护膜bpf之间的气泡可以在气泡去除工艺中去除。然而，显示单元dc的顶表面与上保护膜upf之间产生的气泡可能在气泡去除工艺期间聚结并且增长为更大气泡。
105.显示单元dc的顶表面与上保护膜upf之间的气泡可以在图像质量检查操作s400中被识别为图像质量缺陷。因为上保护膜upf用于在附接偏光膜pf之前临时地保护显示单元dc的上部，所以由于显示单元dc的顶表面和上保护膜upf之间的气泡引起的图像质量缺陷应该与显示面板dp的图像质量缺陷区分。然而，可能难以区分由于气泡引起的图像质量缺陷与显示面板dp的图像质量缺陷。因此，减少或防止在图像质量检查中视觉识别到由于气泡引起的图像质量缺陷可能是合适的。
106.图9是详细示出图5的区域a的示例的布局图。图10是详细示出图6的区域b的示例的布局图。图11是详细示出图7的区域c的示例的布局图。
107.参照图9至图11，母基板bs包括由第一切割线cl1限定的显示单元dc。显示单元dc中的每一个包括由第二切割线cl2限定的显示面板dp以及作为除了显示面板dp之外的区域的外围区域pa(参见图12)。显示单元dc中的每一个包括气泡排出图案bdp、气泡排出通道bp以及第一对准标记am1。
108.如图9和图10中所示，气泡排出图案bdp可以位于外围区域pa以及显示面板dp的非显示区域nda中。气泡排出图案bdp可以在外围区域pa中在第一方向(x轴方向)上延伸。气泡排出图案bdp可以在外围区域pa中在与第一方向(x轴方向)交叉的第二方向(y轴方向)上排列。在第二方向(y轴方向)上邻近的气泡排出图案bdp之间的空间可以被定义为气泡排出通道bp。
109.如图9至图11中所示，当显示单元dc被沿着第二切割线cl2切割时，气泡排出图案bdp中的大多数位于外围区域pa中，并且因此，气泡排出图案bdp中的一部分可以保留在显示面板dp中。气泡排出图案bdp可以沿着显示面板dp的边缘排列。位于显示面板dp(或显示面板dp的基板sub)的拐角处的气泡排出图案bdp可以以岛状定位。间隙gp可以存在于彼此邻近的气泡排出图案bdp之间。间隙gp可以是气泡排出通道bp的一部分。
110.气泡排出通道bp可以是从显示面板dp的边缘到显示单元dc的外部的空气通道。因此，当在气泡去除工艺中向显示单元dc施加压力(例如，预定压力)时，如图10中所示，位于显示面板dp的顶表面和上保护膜upf之间的气泡bub可以通过气泡排出通道bp而排出到显示单元dc的外部。
111.尽管图9至图11图示位于显示面板dp的主区域ma的在第一方向(x轴方向)上的第一侧和在第二方向(y轴方向)上的第二侧的气泡排出图案bdp是连续而未中断的，但是本公开不限于此。位于显示面板dp的主区域ma的在第一方向(x轴方向)上的第一侧和在第二方向(y轴方向)上的第二侧的气泡排出图案bdp也可以以岛状排列。
112.气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度(也可以被称为宽度)可以大于气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度。例如，气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度可以大于大约200μm，并且气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度可以是近似50μm至200μm。
113.第一对准标记am1可以位于外围区域pa中。当附接下保护膜bpf时，第一对准标记am1可以是用于将母基板bs和下保护膜bpf对准的标记。
114.当第一对准标记am1位于气泡排出通道bp中时，第一对准标记am1可以由于气泡而
不可见。因此，第一对准标记am1可以适当地位于气泡排出通道bp的外部。也就是说，第一对准标记am1可以与气泡排出图案bdp重叠而不与气泡排出通道bp重叠。在此情况下，与第一对准标记am1中的至少一个重叠的气泡排出图案bdp的在第二方向(y轴方向)上的长度可以大于不与第一对准标记am1重叠的气泡排出图案bdp的在第二方向(y轴方向)上的长度。
115.第一对准标记am1包括主对准标记mam、第一子对准标记sam1和第二子对准标记sam2。
116.尽管在平面图中图示主对准标记mam具有沙漏形状，但是主对准标记mam的平面形状不限于此。尽管在平面图中示出第一子对准标记sam1具有订书钉形状(“《”或“》”)，但是第一子对准标记sam1的平面形状不限于此。尽管在平面图中图示第二子对准标记sam2具有矩形形状，但是第二子对准标记sam2的平面形状不限于此。
117.主对准标记mam在第二方向(y轴方向)上的长度可以大于第一子对准标记sam1在第二方向(y轴方向)上的长度，并且可以大于第二子对准标记sam2在第二方向(y轴方向)上的长度。
118.第一子对准标记sam1和第二子对准标记sam2可以在第一方向(x轴方向)上排列。主对准标记mam和第二子对准标记sam2可以在第二方向(y轴方向)上排列。第一子对准标记sam1与第二子对准标记sam2之间的距离可以小于主对准标记mam与第二子对准标记sam2之间的距离。
119.显示单元dc的位于第一切割线cl1的左侧的主对准标记mam、第一子对准标记sam1和第二子对准标记sam2可以与显示单元dc的位于第一切割线cl1的右侧的主对准标记mam、第一子对准标记sam1和第二子对准标记sam2双侧对称。
120.显示面板dp可以包括：包括发光元件的显示区域da、第一挡坝dam1、第二挡坝dam2以及触摸线tl位于其中的非显示区域nda。
121.触摸线tl可以定位为与显示区域da邻近，并且第二挡坝dam2可以定位为与气泡排出图案bdp邻近。第一挡坝dam1可以位于定位在触摸线tl的最外侧处的触摸线tl与第二挡坝dam2之间。
122.触摸线tl可以连接到位于显示区域da中的触摸电极te(参见图12)。触摸电极te(参见图12)可以通过触摸线tl电连接到电路板的触摸驱动电路，电路板的触摸驱动电路连接到显示焊盘pd。
123.第一挡坝dam1和第二挡坝dam2是用于防止在显示区域da中用于封装发光元件的封装层中的有机封装层溢流的结构。
124.如图9至图11中所示，作为从显示面板dp的边缘到显示单元dc的外部的空气通道的气泡排出通道bp可以由气泡排出图案bdp限定。因此，当在气泡去除工艺中向显示单元dc施加压力(例如，预定压力)时，位于显示面板dp的顶表面与上保护膜upf之间的气泡bub可以通过气泡排出通道bp排出到显示单元dc的外部。因此，因为可以减少或消除位于显示面板dp的顶表面与上保护膜upf之间的气泡bub，所以可以减少或防止在图像质量检查中视觉识别到由于气泡引起的图像质量缺陷。
125.图12是图示沿着图10的线i-i’截取的显示单元的示例的截面图。图13是图示沿着图10的线ii-ii’截取的显示单元的示例的截面图。
126.参照图12和图13，显示单元dc包括显示面板dp和外围区域pa。显示面板dp包括基
板sub、薄膜晶体管层tftl、发光元件层eml和封装层tfel。
127.基板sub可以由诸如玻璃或塑料的绝缘材料制成。例如，基板sub可以包括聚酰亚胺。在此情况下，基板sub可以是可以弯曲的、折叠的或卷曲的柔性基板。
128.下保护膜bpf可以位于基板sub的底表面上。下保护膜bpf可以由诸如塑料的绝缘材料制成。
129.包括像素晶体管st2和扫描晶体管sdt的薄膜晶体管层tftl可以位于基板sub的顶表面上。
130.像素px中的每一个可以包括至少一个像素晶体管st2和发光元件le。像素晶体管st2可以是用于驱动像素px的发光元件le的晶体管。
131.扫描驱动器可以包括至少一个扫描晶体管sdt。扫描晶体管sdt可以是电连接到显示区域da的扫描线以输出扫描信号的晶体管。
132.薄膜晶体管层tftl可以包括像素晶体管st2、扫描晶体管sdt、阻挡层bf1、栅绝缘层130、第一层间绝缘层141、第二层间绝缘层142、第一平坦化层150和第二平坦化层160。
133.阻挡层bf1可以位于基板sub上。阻挡层bf1可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层形成。
134.像素晶体管st2和扫描晶体管sdt可以位于阻挡层bf1上。像素晶体管st2可以包括有源层act2、栅电极g2、源电极s2和漏电极d2。扫描晶体管sdt可以包括扫描有源层sact、扫描栅电极sg、扫描源电极ss和扫描漏电极sd。
135.像素晶体管st2的有源层act2和扫描晶体管sdt的扫描有源层sact可以位于阻挡层bf1上。有源层act2和扫描有源层sact可以包括诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅和非晶硅的硅半导体。
136.有源层act2的在第三方向(z轴方向)上与栅电极g2重叠的部分可以被定义为像素晶体管st2的沟道区。有源层act2的在第三方向(z轴方向)上不与栅电极g2重叠的部分可以被定义为像素晶体管st2的导电区。有源层act2的导电区可以通过采用离子或杂质对硅半导体进行掺杂而具有导电性。
137.扫描有源层sact的在第三方向(z轴方向)上与扫描栅电极sg重叠的部分可以被定义为扫描晶体管sdt的沟道区。扫描有源层sact的在第三方向(z轴方向)上不与扫描栅电极sg重叠的部分可以被定义为扫描晶体管sdt的导电区。扫描有源层sact的导电区可以通过采用离子或杂质对硅半导体进行掺杂而具有导电性。
138.栅绝缘层130可以位于有源层act2和扫描有源层sact上。栅绝缘层130可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
139.像素晶体管st2的栅电极g2和扫描晶体管sdt的扫描栅电极sg可以位于栅绝缘层130上。像素晶体管st2的栅电极g2可以在第三方向(z轴方向)上与有源层act2重叠。扫描晶体管sdt的扫描栅电极sg可以在第三方向(z轴方向)上与扫描有源层sact重叠。栅电极g2和扫描栅电极sg可以形成为由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和/或铜(cu)中的任何一个或其合金所制成的单层或多层。
140.第一层间绝缘层141可以位于栅电极g2和扫描栅电极sg上。第一层间绝缘层141可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。第一层间绝缘层141可以包括多个无机层。
141.第二层间绝缘层142可以位于第一层间绝缘层141上。第二层间绝缘层142可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
142.像素晶体管st2的源电极s2和漏电极d2、扫描晶体管sdt的扫描源电极ss和扫描漏电极sd以及第一电源连接线vsel可以位于第二层间绝缘层142上。像素晶体管st2的源电极s2和漏电极d2、扫描晶体管sdt的扫描源电极ss和扫描漏电极sd以及第一电源连接线vsel可以形成为由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和/或铜(cu)中的任何一个或其合金所制成的单层或多层。
143.像素晶体管st2的源电极s2可以通过穿透栅绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔而连接到位于有源层act2的一侧的导电区。像素晶体管st2的漏电极d2可以通过穿透栅绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔而连接到位于有源层act2的另一侧的导电区。
144.扫描晶体管sdt的扫描源电极ss可以通过穿透栅绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔而连接到位于扫描有源层sact的一侧的导电区。扫描晶体管sdt的扫描漏电极sd可以通过穿透栅绝缘层130、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的接触孔而连接到位于扫描有源层sact的另一侧的导电区。
145.第一平坦化层150可以位于像素晶体管st2的源电极s2和漏电极d2、扫描晶体管sdt的扫描源电极ss和扫描漏电极sd以及第一电源连接线vsel上，以平坦化由于薄膜晶体管引起的台阶部分。第一平坦化层150可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
146.第一连接电极ande和第一电源线vsl可以位于第一平坦化层150上。第一连接电极ande可以通过穿透第一平坦化层150的接触孔而连接到像素晶体管st2的源电极s2或漏电极d2。第一电源线vsl可以在第三方向(z轴方向)上与扫描晶体管sdt重叠。第一电源线vsl可以通过穿透第一平坦化层150的接触孔而连接到第一电源连接线vsel。第一连接电极ande和第一电源线vsl可以形成为由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和/或铜(cu)中的任何一个或其合金所制成的单层或多层。
147.第二平坦化层160可以位于第一连接电极ande和第一电源线vsl上。第二平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
148.发光元件层eml位于薄膜晶体管层tftl上。发光元件层eml可以包括发光元件le和堤坝180。
149.发光元件le中的每一个可以包括像素电极171、发光层172和公共电极173。发射区域ea1、ea2和ea3中的每一个表示其中像素电极171、发光层172和公共电极173顺序地堆叠的区域，并且来自像素电极171的空穴和来自公共电极173的电子可以在发光层172中彼此复合以发光。在此情况下，像素电极171可以是阳极，并且公共电极173可以是阴极。
150.像素电极171可以位于第二平坦化层160上。像素电极171可以通过穿透第二平坦化层160的接触孔而连接到第一连接电极ande。
151.在相对于发光层172朝向公共电极173发光的顶发射结构中，像素电极171可以由钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)或铝(al)的单层形成，或者可以形成为具有铝和钛的层叠结构(ti/al/ti)、铝和ito的层叠结构(ito/al/ito)、apc合金、或者apc合金和ito的层叠结构(ito/
apc/ito)以提高反射率。apc合金是银(ag)、钯(pd)和/或铜(cu)的合金。
152.堤坝180用于限定显示像素的发射区域ea1、ea2和ea3。为此，堤坝180可以形成为在第二平坦化层160上暴露像素电极171的部分区域。堤坝180可以覆盖像素电极171的边缘。堤坝180可以位于穿透第二平坦化层160的接触孔中。堤坝180可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等有机层形成。
153.发射区域ea1、ea2和ea3可以发射不同颜色的光。例如，第一发射区域ea1可以发射第一颜色的光，第二发射区域ea2可以发射第二颜色的光，并且第三发射区域ea3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是蓝色，但是本公开的实施例不限于此。
154.发光层172位于像素电极171上。发光层172可以包括用于发光(例如，预定颜色的光)的有机材料。例如，发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。有机材料层可以包括基质和掺杂剂。有机材料层可以包括发光(例如，预定光)的材料，并且可以使用磷光材料或荧光材料形成。
155.公共电极173位于发光层172上。公共电极173可以覆盖发光层172。公共电极173可以是对于显示像素共同地形成的公共层。覆盖层可以形成在公共电极173上。
156.在顶发射结构中，公共电极173可以由能够透射光的诸如ito或izo的透明导电材料(tco)或者诸如镁(mg)、银(ag)或者镁(mg)和/或银(ag)的合金的半透射导电材料形成。当公共电极173由半透射导电材料形成时，发光效率可以由于微腔效应而提高。
157.在制造工艺期间其上放置用于沉积发光层172的掩模的间隔件spc可以位于堤坝180上。间隔件spc可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
158.封装层tfel可以形成在发光元件层eml上。封装层tfel可以包括至少一个无机层以减少或防止氧气或湿气渗透到发光元件层eml中。此外，封装层tfel可以包括至少一个有机层以保护发光元件层eml免受外来颗粒影响。
159.例如，封装层tfel可以包括位于公共电极173上的第一无机封装层191、位于第一无机封装层191上的有机封装层192以及位于有机封装层192上的第二无机封装层193。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层形成。有机层可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
160.触摸绝缘层tins可以位于封装层tfel上。触摸绝缘层tins可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
161.触摸电极te和触摸线tl可以位于触摸绝缘层tins上。触摸电极te可以位于显示区域da中，并且触摸线tl可以位于非显示区域nda中。
162.触摸电极te可以在第三方向(z轴方向)上与堤坝180重叠。因此，触摸电极te可以不与发射区域ea1、ea2和ea3重叠。因此，因为从发射区域ea1、ea2和ea3发射的光可以不被触摸电极te阻挡，所以可以防止或减小光的亮度降低。
163.触摸电极te可以由包括两种类型的触摸电极(例如，驱动电极和感测电极)的互电容方法驱动以感测用户的触摸。在此情况下，通过将触摸驱动信号施加到驱动电极并且通过感测电极感测驱动电极与感测电极之间形成的互电容的电荷变化量，可以确定是否输入
了触摸。
164.可替代地，触摸电极te可以由包括一种类型的触摸电极的自电容方法驱动。在此情况下，通过将驱动信号施加到触摸电极te并且感测触摸电极te的自电容的电荷变化量，可以确定是否输入了触摸。
165.因为触摸线tl和扫描驱动器sdt位于显示区域da与非显示区域nda中的第一挡坝dam1之间，所以触摸线tl中的任何一条可以在第三方向(z轴方向)上与扫描晶体管sdt重叠。进一步，触摸线tl可以在第三方向(z轴方向)上与第一电源线vsl重叠。
166.为了减小或防止封装层tfe的有机封装层192溢流的可能性，第一挡坝dam1和第二挡坝dam2可以位于显示面板dp的边缘处。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以位于第一挡坝dam1和第二挡坝dam2上。有机封装层192可以不位于第一挡坝dam1和第二挡坝dam2上。可替代地，有机封装层192可以位于第一挡坝dam1上，但是有机封装层192可以不位于第二挡坝dam2上。
167.第一挡坝dam1可以位于第一电源线vsl外部。第一挡坝dam1可以包括由与第一平坦化层150相同的材料形成的第一子挡坝sdam1、由与第二平坦化层160相同的材料形成的第二子挡坝sdam2以及由与堤坝180相同的材料形成的第三子挡坝sdam3。
168.第二挡坝dam2可以位于第一挡坝dam1外部。第二挡坝dam2可以是用于限制越过第一挡坝dam1的有机封装层192的挡坝。第二挡坝dam2可以包括由与第一平坦化层150相同的材料形成的第一子挡坝sdam1’、由与第二平坦化层160相同的材料形成的第二子挡坝sdam2’、由与堤坝180相同的材料形成的第三子挡坝sdam3’以及由与间隔件spc相同的材料形成的第四子挡坝sdam4。第二挡坝dam2的高度可以高于或大于第一挡坝dam1的高度。
169.气泡排出图案bdp可以位于第二挡坝dam2外部。第一无机封装层191、有机封装层192和第二无机封装层193可以不位于气泡排出图案bdp上。当显示单元dc被沿着第二切割线cl2切割时，显示面板dp的气泡排出图案bdp可以是显示单元dc的气泡排出图案bdp的保留在显示面板dp上的部分。
170.气泡排出图案bdp可以包括由与第一平坦化层150相同的材料形成的第一子图案sbdp1、由与第二平坦化层160相同的材料形成的第二子图案sbdp2以及由与堤坝180相同的材料形成的第三子图案sbdp3，但是本公开的实施例不限于此。例如，气泡排出图案bdp可以包括第一子图案sbdp1、第二子图案sbdp2和第三子图案sbdp3中的至少一个。
171.因为第一平坦化层150、第二平坦化层160和堤坝180由有机层形成，所以气泡排出图案bdp可以由有机层形成。因此，气泡排出图案bdp可以被统称为有机图案。在此情况下，应该注意，有机图案指包括有机层的图案，并且不意味着仅由有机层构成的图案。
172.上保护膜upf可以位于显示单元dc上。上保护膜upf可以位于触摸电极te、触摸线tl、第一挡坝dam1、第二挡坝dam2和气泡排出图案bdp上。因为用于平坦化由于触摸电极te和触摸线tl引起的台阶部分的绝缘层不位于触摸电极te和触摸线tl上，所以上保护膜upf可以接触触摸电极te、触摸线tl、第一挡坝dam1、第二挡坝dam2和气泡排出图案bdp。
173.因为用于平坦化由于触摸线tl引起的台阶部分的绝缘层不位于触摸线tl上，所以气泡bub可以在触摸线tl、第一挡坝dam1和第二挡坝dam2位于其中的区域中产生在显示单元dc与上保护膜upf之间。气泡bub可以通过由气泡排出图案bdp限定的气泡排出通道bp连接到显示单元dc的外部。因此，当在气泡去除工艺中向显示单元dc施加压力(例如，预定压
力)时，气泡bub可以通过气泡排出通道bp排出到显示单元dc的外部。在气泡去除工艺中，可以在近似50℃下向显示单元dc施加一时段(例如，预定时段)的8个大气压。
174.总之，当用于平坦化由于触摸线tl引起的台阶部分的绝缘层被省略而不位于触摸线tl上时，气泡bub可以出现在显示单元dc与上保护膜upf之间。然而，气泡bub可以通过气泡排出通道bp排出到显示单元dc的外部。因此，因为可以省略形成用于平坦化由于触摸线tl引起的台阶部分的绝缘层的工艺，所以可以减少制造成本。
175.图14是图示沿着图10的线ii-ii’截取的显示单元的又一示例的截面图。
176.下文中，将参照图13和图14描述气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度l1以及气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3。气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度l1可以是气泡排出图案bdp的宽度，并且气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3可以是气泡排出通道bp的宽度。
177.参照图13和图14，气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度l1可以大于气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3。气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度l1可以大于大约200μm。例如，气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度l1可以是近似220μm。
178.图13图示气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2是大约50μm，并且图14图示气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l3是大约200μm。
179.气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3越小，气泡排出通道bp的面积越小，但是气泡排出通道bp中上保护膜upf的下垂区域ha1/ha2可能减小或更小。气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3越大，气泡排出通道bp的面积越大，但是气泡排出通道bp中上保护膜upf的下垂区域ha1/ha2可能增大或更大。
180.如果气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3小于大约50μm，则气泡排出通道bp的面积变得更小，这可能使得气泡bub难以排出。此外，当气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3是大约200μm或更大时，因为上保护膜upf的下垂区域ha1/ha2变大，所以气泡排出通道bp的面积变小，这使得气泡bub难以排出。因此，优选地，气泡排出通道bp在第二方向(y轴方向)上的长度l2/l3在大约50μm至大约200μm之间。
181.图15是图示沿着图11的线iii-iii’截取的显示面板的示例的截面图。图16是图示沿着图11的线iv-iv’截取的显示面板的示例的截面图。
182.因为图15和图16的实施例的不同之处仅在于偏光膜pf取代上保护膜upf而被附接到显示面板dp上，所以在参照图15和图16的描述中，将省略参照图12和图13的描述的冗余部分。
183.参照图15和图16，偏光膜pf可以位于显示面板dp上。偏光膜pf可以位于触摸电极te、触摸线tl、第一挡坝dam1、第二挡坝dam2和气泡排出图案bdp上。因为用于平坦化由于触摸电极te和触摸线tl引起的台阶部分的绝缘层不位于触摸电极te和触摸线tl上，所以偏光膜pf可以接触触摸电极te、触摸线tl、第一挡坝dam1、第二挡坝dam2和气泡排出图案bdp。
184.气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度可以大于间隙gp在第二方向(y轴方向)上的长度。例如，气泡排出图案bdp在第二方向(y轴方向)上的长度可以大于大约200μm。间隙gp在第二方向(y轴方向)上的长度可以在大约50μm至大约200μm之间。
185.图17是详细示出图5的区域d的示例的布局图。图18是详细示出图17的右半区域
(即，图6的区域e)的示例的布局图。
186.图17和图18的实施例与图9和图10的实施例的不同之处在于，显示单元dc中的每一个进一步包括第二对准标记am2和测试焊盘区域teg。在参照图17和图18的描述中，将省略参照图9和图10描述的冗余部分。
187.参照图17和图18，第二对准标记am2可以位于外围区域pa中。第二对准标记am2可以是用于沿着第一切割线cl1切割母基板bs的标记。
188.当第二对准标记am2位于气泡排出通道bp中时，第二对准标记am2可以由于气泡而不可见。因此，第二对准标记am2可以适当地位于气泡排出通道bp的外部。也就是说，第二对准标记am2可以与气泡排出图案bdp重叠而不与气泡排出通道bp重叠。在此情况下，与第二对准标记am2重叠的气泡排出图案bdp的第二方向(y轴方向)的长度可以大于不与第一对准标记am1或第二对准标记am2重叠的气泡排出图案bdp的第二方向(y轴方向)的长度。
189.尽管图示第二对准标记am2具有在第一方向(x轴方向)上倾斜的数字“5”或“2”的平面形状，但是第二对准标记am2的平面形状不限于此。
190.第二对准标记am2在第一方向(x轴方向)上的长度可以大于主对准标记mam在第一方向(x轴方向)上的长度、第一子对准标记sam1在第一方向(x轴方向)上的长度以及第二子对准标记sam2在第一方向(x轴方向)上的长度。
191.第二对准标记am2和第一子对准标记sam1可以在第二方向(y轴方向)上排列。第二对准标记am2与第一子对准标记sam1之间的距离可以大于主对准标记mam与第二子对准标记sam2之间的距离。显示单元dc的位于第一切割线cl1的左侧的第二对准标记am2可以与显示单元dc的位于第一切割线cl1的右侧的第二对准标记am2双侧对称。
192.测试焊盘区域teg可以位于外围区域pa中。测试焊盘区域teg可以包括电连接到显示面板dp的显示焊盘pd的测试焊盘。因此，施加到测试焊盘区域teg中的测试焊盘的电压可以通过显示面板dp的显示焊盘pd被施加到布线。
193.因为测试焊盘区域teg中的测试焊盘tp必须连接到图像质量检查设备，所以它们可以不被气泡排出图案bdp覆盖。也就是说，测试焊盘区域teg可以不与气泡排出图案bdp重叠。
194.应该理解，本文所述的实施例应该仅以描述性的意义考虑而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应该通常被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上在其中做出各种改变而不脱离由所附权利要求限定的精神和范围，其功能等价形式包括在其中。