一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：通过磁控溅射法制备得到bi2te
y
薄膜，其中，2.5≤y≤3.5；通过热蒸发法制备得到se薄膜；将所述bi2te
y
薄膜和所述se薄膜贴合设置并进行热处理，使所述se薄膜中的se升华并扩散到所述bi2te
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薄膜中，得到所述n型bi-te-se基热电薄膜。2.根据权利要求1所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述通过磁控溅射法制备得到bi2te
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薄膜的具体步骤包括：提供第一基底；将所述第一基底放入磁控溅射设备中，以bi2te
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靶材进行磁控溅射，在所述第一基底上制备得到bi2te
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薄膜。3.根据权利要求2所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的参数设置为：功率为10w～40w。4.根据权利要求2所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述通过热蒸发法制备得到se薄膜的具体步骤包括：提供第二基底；将所述第二基底放入热蒸发设备中，以se粉为se源进行热蒸发，在所述第二基底上制备得到se薄膜。5.根据权利要求4所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述热蒸发的参数设置为：蒸发电流为10a～80a，se粉的质量为0.05g～0.5g。6.根据权利要求4所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述将所述bi2te
y
薄膜和所述se薄膜贴合设置并进行热处理，使所述se薄膜中的se升华并扩散到所述bi2te
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薄膜中，得到所述n型bi-te-se基热电薄膜的具体步骤包括：将所述第一基底上的bi2te
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薄膜与所述第二基底上的se薄膜贴合设置，在100～400℃的温度下，热处理0～300min，使所述se薄膜中的se升华并扩散到所述bi2te
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薄膜中，在所述第一基底上制备得到所述n型bi-te-se基热电薄膜。7.根据权利要求1所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述se薄膜的厚度为40～250nm。8.根据权利要求1所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述bi2te
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薄膜的厚度为0.1μm～5μm。9.根据权利要求1所述的n型bi-te-se基热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述se薄膜的厚度为80～130nm，所述bi2te
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薄膜的厚度为900nm。10.一种n型bi-te-se基热电薄膜，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到，所述n型bi-te-se基热电薄膜中bi、te、se的摩尔比为2：(2.5～3.5)：(0.1～2.0)。

技术总结
本发明公开了一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法，所述制备方法包括步骤：通过磁控溅射法制备得到Bi2Te


技术研发人员：陈跃星 郑壮豪 何著臣 李甫 张君泽
受保护的技术使用者：深圳大学
技术研发日：2021.11.11
技术公布日：2022/2/18