电子装置的制作方法

1.本发明涉及一种电子装置，且特别是涉及一种显示面板周边结构。


背景技术：

2.为了减少软性显示面板因弯折而使面板产生结构剥离的现象，强化面板周边区结构是必需的。本发明揭露了新的周边区结构，并且通过结构的优化改善制作工艺良率。


技术实现要素：

3.本发明一些实施例提供一种电子装置，包括基板、无机层以及有机层。基板具有凹部，凹部具有侧部。无机层设置在基板上。有机层设置在无机层上，有机层以及无机层有一界面，其中界面包括对应凹部的该侧部的第一部分，且第一部分具有弧形的轮廓。
附图说明
4.以下将配合所附的附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。
5.图1是本发明一些实施例绘示的电子装置的俯视图；
6.图2是本发明一些实施例绘示的电子装置的剖视图；
7.图3是本发明一些实施例绘示的凹部的剖视图；
8.图4是本发明一些实施例绘示的凹部的剖视图。
9.符号说明
10.1:装置区
11.1a:主动(有源)区
12.1b:虚置薄膜晶体管区
13.1c:走线区
14.2:溢停区
15.3:封装区
16.10:基板
17.11:凸部
18.14:电子元件
19.15:第一无机层
20.16:第二无机层
21.17:第二有机层
22.18:缓冲层
23.18a:底表面
24.20,22,24:凹部
25.20a,22a:侧部
26.20b,22b:中间部
27.20c,22c:底表面
28.20d,22d:侧部表面
29.21,23:界面
30.21a,23a:第一部分
31.21b,23b:第二部分
32.30:第一有机层
33.40:覆盖层
34.100:电子装置
35.i:无机层
36.o:有机层
37.t1,t2,t3,t4,t5,t6:厚度
38.ma,mb,mc,md:中点
具体实施方式
39.以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明。当然，这些实施例仅用以例示，且不该以此来限定本发明的范围。举例来说，在说明书中若提到第一特征部件形成于第二特征部件之上，其包括第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征部件与第二特征部件之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征部件与第二特征部件并非直接接触。
40.此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，在本发明中的在另一特征部件之上形成、连接到及/或耦接到另一特征部件可包括其中特征部件形成为直接接触的实施例，并且还可包括其中可形成插入上述特征部件的附加特征部件的实施例，使得上述特征部件可能不直接接触。此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“垂直的”、“上方”、“上”、“下”、“底”及类似的用词(如“向下地”、“向上地”等)，这些空间相关用词为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词旨在涵盖包括特征的装置的不同方向。
41.再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该等序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
42.此外，在本发明一些实施例中，关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
43.请一并参考图1以及图2，其中图1是根据本发明一些实施例绘示的电子装置100的
俯视图，而图2是根据本发明一些实施例绘示的电子装置100的剖视图。电子装置100可为一显示装置，该显示装置的面板可包含一基板，例如一软性基板或一可挠基板，但本发明并不以此为限。上述显示装置可包括液晶(liquid crystal，lc)显示装置、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示装置、量子点(quantum dot，qd)显示装置、荧光材料(fluorescence material)显示装置、磷光材料(phosphor material)显示装置、发光二极管(light-emitting diode，led)显示装置例如微型发光二极管(mini-led or micro led)显示装置或其他显示装置。需说明的是，为了说明上的方便，本发明的电子装置是以有机发光二极管显示装置为例，但本发明并不限于此，上述电子装置也例如可为感测装置、天线装置、或上述的组合或拼接而成的拼接式电子装置。
44.如图1所示，电子装置100可包括主动区1a、虚置薄膜晶体管(dummy thin-film transistor,dummy tft)区1b、走线区1c、溢停区2、以及封装区3，但本发明并不以此为限。在本发明中，主动区1a可包含但不限于多条走线、多个晶体管与多个电极以构成电子元件(例如显示装置中的次像素)。在一些实施例中，可将主动区1a、虚置薄膜晶体管区1b、走线区1c合称为装置区1。在一些实施例中，电子装置100也可包括其他的区域，取决于设计需求。
45.如图2所示，在剖面视角上，电子装置100主要可包括基板10、缓冲层18、无机层i(可包括第一无机层15及/或第二无机层16等)、以及有机层o(可包括第一有机层30及/或第二有机层17等)、发光二极管层(未绘出)、反射电极层(未绘出)等，但不限于此。在一些实施例中，在装置区1上可具有电子元件14，例如前述的作动元件。举例来说，如图2所示，电子元件14可设置在基板10上，而在电子元件14与基板10之间可具有缓冲层18。在一些实施例中，在第一有机层30上方可具有一覆盖层40，覆盖层40例如可包括触控层、偏光层、保护层(例如为玻璃)、其他适合的层或前述各层的组合，但并不以此为限。
46.在一些实施例中，当电子装置100为一显示装置时，主动区1a可作为一显示区，而虚置薄膜晶体管区1b、走线区1c、溢停区2、以及封装区3可作为一周边区(或非显示区)，但并不以此为限。所述周边区可位于一显示面板的边缘区域。或者当显示面板上有一通孔时(例如在手机的显示面板上设置摄像模组用的通孔)，所述周边区可位于通孔与显示区的交界区域。在一些实施例中，周边区的宽度(例如图1中虚置薄膜晶体管区1b、走线区1c、溢停区2、以及封装区3在x方向的宽度总和)可小于约1mm，以达到降低显示装置边框宽度的目的。在一些实施例中，所述周边区也可包括其他的特征，取决于设计需求。在一些实施例中，封装区3的宽度(例如在x方向的宽度)可小于约400μm，但不限于此。
47.基板10在周边区可具有多个凹部，例如凹部20、凹部22、及/或凹部24等。图1与图2中的凹部20、凹部22、凹部24的数量仅为示意，可根据设计需求而改变凹部20、凹部22、凹部24的数量。举例来说，如图1与图2所示，基板10可具有多个凹部20、一个凹部22与一个凹部24，但本发明并不以此为限。请参考图3与图4，所述凹部可具有侧部(例如凹部20的侧部20a、凹部22的侧部22a等)以及中间部(例如凹部20的中间部20b、凹部22的中间部22b等)，于随后详细叙述。在一些实施例中，基板10可因受力而弯折。在一些实施例中，基板10包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚丙烯(polypropylene)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不限于此。
48.如图2所示，无机层i可设置在基板10上，而有机层o可设置在无机层i上。举例来说，第一无机层15可设置在基板10上，而第二有机层17可设置在第一无机层15上。第二无机层16也可设置在基板10上，而第一无机层15可部分位于第二无机层16与基板10之间(如图2的左侧所示)，或者第一无机层15以及第二有机层17可部分位于第二无机层16与基板10之间(如图2的右侧所示)，取决于设计需求。此外，在一些实施例中，第一有机层30可至少部分设置在第一无机层15及/或第二无机层16上。在一些实施例中，第一无机层15、一部分的第二无机层16、以及一部分的第一有机层30可设置在凹部20及/或凹部24中，但并不以此为限。
49.在一些实施例中，第一无机层15以及第二无机层16可包含相同或不同的材料，但并不以此为限。举例来说，可使用四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，teos)、氧气、氩气、三氟化氮(nf3)、甲硅烷(sih4)、氧化亚氮(n2o)、氨气(nh3)、氮气、其它合适的材料或前述的组合等来形成第一无机层15或第二无机层16，但不限于此。在一些实施例中，可通过物理气相沉积制作工艺(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积制作工艺(chemical vapor deposition，cvd)、涂布制作工艺、其它合适的方法或前述的组合形成第一无机层15或第二无机层16。所述物理气相沉积制作工艺例如可包含溅镀制作工艺、蒸镀制作工艺或脉冲激光沉积等，但不限于此。所述化学气相沉积制作工艺例如可包含低压化学气相沉积制作工艺(low-pressure cvd，lpcvd)、低温化学气相沉积制作工艺(low-temperature cvd，ltcvd)、快速升温化学气相沉积制作工艺(rapid-thermal cvd，rtcvd)、等离子体辅助化学气相沉积制作工艺(plasma-enhanced cvd，pecvd)或原子层沉积制作工艺(atomic layer deposition，ald)等，但不限于此。
50.在一些实施例中，第一有机层30以及第二有机层17可包含不同的材料，但并不以此为限。举例来说，第一有机层30的材料可包括如环氧丙烯酸酯(epoxy acrylates)、聚酯丙烯酸酯(polyester acrylate)、聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)、光敏聚酰亚胺(photosensitive polyimide)、酚醛型环氧树脂(phenolic epoxy resin)、硅氧烷(siloxane)等、其它合适的材料或前述的组合等，但本发明并不以此为限，而第二有机层17可包括可流动的胶体，或者也可包括感压胶、热固化胶、光固化胶、热融胶、湿气固化胶、双剂型胶水、其它合适的胶体或前述的组合等，但本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一有机层30与第二有机层17可包含相同的材料。
51.在一些实施例中，基板10还可进一步包括凸部11，设置于基板10的顶表面上，凸部11可位于凹部22以及凹部24之间。更具体来说，凹部24位于凹部20以及凸部11之间。在基板10的法线方向上(z方向)，凸部11与第二有机层17至少部分重叠。通过在基板10上提供凸部11、凹部22、以及凹部24，可降低可流动的第二有机层17流动到封装区3的凹部20中的可能性。举例来说，凸部11可限制第二有机层17发生溢流，而凹部22以及凹部24可容纳多余或溢出的第二有机层17。在一些实施例中，第二有机层17覆盖一部分凹部24，并露出另一部分的凹部24。换句话说，一部份第一有机层30以及一部份第二有机层17可设置在凹部24中，且第一无机层15以及第二无机层16也在凹部24直接接触与重叠，但本发明并不以此为限。虽然在图2中的第二有机层17绘示为设置在凸部11上，并且设置在凹部22以及凹部24中，但本发明并不以此为限。举例来说，第二有机层17也可不位于凹部24中，或者被凸部11挡住而未完全覆盖凸部11，取决于设计需求与制作工艺参数设定。
52.由于本发明是以有机发光二极管显示装置为例，因此在一些实施例中，所述电子元件14可包括有机发光二极管(oled)。但当本发明的电子装置为其他形式的显示装置、天线装置或感测装置时，电子元件14也可包括量子点发光二极管(qled/qdled)、发光二极管(led)例如但不限于micro led(micro light-emitting diode)或mini led(mini light-emitting diode)等，或是天线装置的收发单元或感测装置的感测单元。。在一些实施例中，电子元件14也可包括薄膜晶体管，例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)或金属氧化物(metal oxide)的通道区(channel region)的顶栅极(top-gate)、底栅极(bottom-gate)或多栅极(multi-gate)式薄膜晶体管，可位于装置区1的虚置薄膜晶体管区1b上。在一些实施例中，电子元件14也可包括线路。
53.在一些实施例中，缓冲层18可设置在基板10上方，而缓冲层18上方可设置其他元件。举例来说，缓冲层18可设置在基板10以及无机层i之间，例如缓冲层18可设置在基板10以及第一无机层15间，或者也可将前述凸部11或电子元件14等设置在缓冲层18上。如图3所示，在基板10的法线方向上(例如z方向)，缓冲层18与凹部20部分重叠。在一些实施例中，可通过物理气相沉积制作工艺(pvd)、化学气相沉积制作工艺(cvd)、涂布制作工艺、其它合适的方法或前述的组合形成缓冲层18。所述物理气相沉积制作工艺例如可包含溅镀制作工艺、蒸镀制作工艺或脉冲激光沉积等，但不限于此。所述化学气相沉积制作工艺例如可包含低压化学气相沉积制作工艺(lpcvd)、低温化学气相沉积制作工艺(ltcvd)、快速升温化学气相沉积制作工艺(rtcvd)、等离子体辅助化学气相沉积制作工艺(pecvd)或原子层沉积制作工艺(ald)等，但不限于此。需注意的是，缓冲层18突出而与凹部20部分重叠，可在填入有机层后造成一些嵌合的效果，进一步强化面板周边区结构。
54.在一些实施例中，缓冲层18可由绝缘材料形成，但不限于此。在一些实施例中，缓冲层18的材料可包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不限于此。所述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚乙烯(polyethylene，pe)、聚醚砜(polyethersulfone，pes)、聚碳酸酯(polycarbonate，pc)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、异戊二烯(isoprene)、酚醛树脂(phenol-formaldehyde resin)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、全氟环丁烷(perfluorocyclobutane，pecb)、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，前述无机材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、其它合适的材料、或前述材料的组合，但不限于此。
55.在一些实施例中，缓冲层18可为单层结构。在另一些实施例中，缓冲层18可包含多个次层(sublayer)。在缓冲层18包含多个次层的实施例中，各次层的材料可相同或不同，取决于设计需求。
56.在一些实施例中，可通过先在基板10上形成缓冲层18，接着可通过图案化制作工艺来去除部分的缓冲层18，以露出基板10。在一些实施例中，前述图案化制作工艺可包含光刻制作工艺及蚀刻制作工艺。光刻制作工艺可包含光致抗蚀剂涂布(例如旋转涂布)、软烘烤、硬烘烤、掩模对齐、曝光、曝光后烘烤、光致抗蚀剂显影、清洗及干燥等，但不限于此。蚀刻制作工艺可包含干蚀刻制作工艺，但不限于此。接着，可通过激光加热来凹蚀所露出的基板10，以形成凹部20、凹部22、凹部24。虽然在图1中凹部20绘示为凹槽，但并不以此为限，举例来说，在一些实施例中，凹部20也可包括盲孔(blind hole)等结构，取决于设计需求。在
一些实施例中，凹部22或凹部24可包括围绕装置区1的凹槽。
57.图3是根据本发明一些实施例绘示的凹部20的剖视图。在一些实施例中，如图3所示，第一有机层30以及无机层i(特别是第二无机层16)之间可具有一界面21，而界面21可包括第一部分21a以及第二部分21b。第一部分21a可对应于凹部20的侧部20a，在剖面视角中，第一部份21a具有s形的形状，而第二部分21b可对应于凹部20的中间部20b。换句话说，第一部分21a可为在侧部20a处的第二无机层16与第一有机层30的交界，而第二部分21b可为在中间部20b处的第二无机层16与第一有机层30的交界。在一些实施例中，第一部分21a和第二部分21b可具有弧形的轮廓。
58.在本发明中，凹部20的侧部20a可定义为在垂直基板10法线的方向上(例如图3的x方向)，凹部20左右各五分之一宽度的部分，而中间部20b可定义为凹部20中间五分之三宽度的部分。举例来说，如图3所示，中间部20b左侧以及右侧的侧部20a在x方向上的宽度各为中间部20b的三分之一。
59.在一些实施例中，第一部分21a弧形的轮廓可位于凹部20中，例如在z方向上位于缓冲层18的底表面18a的延伸面(以虚线表示)以及凹部20的底表面20c之间。此外，在一些实施例中，第一部分21a的弧形的轮廓也可位于凹部20外，例如在z方向上高于缓冲层18的底表面18a的延伸面的一侧。通过将界面21(包括第一部分21a与第二部分21b)设计为具有弧形的轮廓，可降低随后在设置第一有机层30时，当第一有机层30的液态原料流入凹部20时发生扰流的机率(无论是在凹部20中或者在凹部20外)，而使所形成的第一有机层30与第二无机层16间较不易产生空隙，可让第一有机层30与第二无机层16具有较好的贴合效果。
60.请参考图3。在一些实施例中，第一无机层15的厚度t1可大于第二无机层16的厚度t2，但不限于此。在一些实施例中，位于中间部20b的无机层i(包括第一无机层15以及第二无机层16)的厚度t4可大于位于侧部20a的无机层i的厚度t3，但不限于此。举例来说，厚度t1以及厚度t2可例如为缓冲层18的最大厚度，且可在基板10的法线方向上测量(例如图3中的z方向)。而在凹部20中，厚度t3可例如为无机层i于一侧部20a在x方向的中点ma位置上所量到的无机层i的底部到顶部间的距离。相似的，厚度t4可例如为无机层i于中间部20b在x方向的中点mb位置上所量到的无机层i的底部到顶部间的距离。另外，需说明的是，虽然图3中第二无机层16的厚度在各位置上大致相同，但在一些实施例中，第二无机层16的厚度也会随着位置不同而变化，例如较接近凹部20的侧部表面20d的第二无机层16，其厚度会比对应于凹部20的中间部20b处的第二无机层16的厚度薄。
61.图4是根据本发明一些实施例绘示的凹部22的剖视图。在一些实施例中，如图4所示，一部分的第一无机层15以及一部分的第二有机层17设置在凹部22中，且第二有机层17以及第一无机层15之间可具有一界面23，界面23可包括第一部分23a以及第二部分23b。第一部分23a可对应凹部22的侧部22a，而第二部分23b可对应凹部22的中间部22b。换句话说，第一部分23a可为在侧部22a处的第一无机层15与第二有机层17的交界，而第二部分23b可为在中间部22b处的第一无机层15与第二有机层17的交界。在一些实施例中，第一部分23a和第二部分23b可具有弧形的轮廓。应注意的是，在凹部22中并未设置前述第二无机层16。换句话说，凹部22中的无机层可包括第一无机层15。
62.在本发明中，在垂直基板10的法线方向的一方向上(例如图4中的x方向)，凹部22的侧部22a可定义为凹部22左右各五分之一宽度的部分，而中间部22b可定义为凹部22中间
五分之三宽度的部分。举例来说，如图4所示，中间部22b左侧以及右侧的侧部22a在x方向上的宽度各为中间部22b的三分之一。
63.在一些实施例中，第一部分23a的弧形的轮廓可位于凹部22中。凹部22为缓冲层18的底表面18a的一延伸平面(以虚线绘示)以及凹部22的底表面22c之间的空间。此外，在另一些实施例中，第一部分23a的弧形的轮廓可位于凹部22外，例如在z方向上位于缓冲层18的底表面18a的上方。通过将界面23(包括第一部分23a与第二部分23b)设计为具有弧形的轮廓，可降低随后在设置第二有机层17时，第二有机层17的液态原料流入凹部22时发生扰流的机率(无论是在凹部22中或者在凹部22外)，而使所形成的第二有机层17与第一无机层15间较不易产生空隙，让第二有机层17与第一无机层15具有较好的贴合效果。
64.与图3相似，在图4所示的一些实施例中，位于中间部22b的第一无机层15的厚度t6可大于位于侧部22a的第一无机层15的厚度t5，但不限于此。举例来说，在凹部22中，厚度t5可例如为第一无机层15于侧部22a在x方向的中点mc位置上所量到的第一无机层15的底部到顶部间的距离，厚度t6可例如为第一无机层15于中间部22b在x方向的中点md位置上所量到的第一无机层15的底部到顶部间的距离。
65.应注意的是，如图2所示，在凹部22的上方也可具有前述第二无机层16以及第一有机层30。第二无机层16可设置在第二有机层17上，而第一有机层30可设置在第二无机层16上。换句话说，在凹部22的上方，第一无机层15、第二有机层17、第二无机层16、第一有机层30可在z方向上依序排列。
66.综上所述，本发明提供了一种电子装置，特别是一种显示面板周边区的结构。所述电子装置可包括基板、无机层以及有机层。基板具有可凹部，凹部可具有侧部。无机层可设置在基板上。有机层可设置在无机层上，有机层以及无机层可具有一界面，界面可包括对应凹部的该侧部的第一部分，且第一部分可具有弧形的轮廓。通过设计弧形的轮廓，可降低在基板上设置各种膜层时所使用的液态原料发生扰流的机率，从而可增强各膜层间的贴合效果，以强化显示面板的周边区。
67.本发明前述实施例所制得的电子装置也可整合触控功能，作为一种触控电子装置。此外，本发明前述实施例所制得的电子装置或触控电子装置可应用在任何需要显示荧幕的电子装置上，譬如显示器、手机、手表、笔记型计算机、摄影机、照相机、移动导航装置、电视机等，然而上述装置仅为举例而已，本发明的应用并不限于此。本发明前述实施例所制得触控电子装置也可应用在具有触控功能的天线装置或其他类型的电子装置上。此外，各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
68.虽然结合以上实施例已公开了本发明，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作组合、更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，而任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中来理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同的功能或获得大抵相同的结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，本发明的保护范围也包括各个权利要及实施例的组合。